特許 6048782 エタン結合を有する液晶化合物

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】6048782

(24)【登録日】2016年12月2日

(45)【発行日】2016年12月21日

(54)【発明の名称】エタン結合を有する液晶化合物

(51)【国際特許分類】

   C07C 25/18 20060101AFI20161212BHJP

   C09K 19/12 20060101ALI20161212BHJP

   C09K 19/30 20060101ALI20161212BHJP

   C09K 19/32 20060101ALI20161212BHJP

   C09K 19/34 20060101ALI20161212BHJP

   G02F 1/13 20060101ALI20161212BHJP

【ＦＩ】

   C07C25/18CSP

   C09K19/12

   C09K19/30

   C09K19/32

   C09K19/34

   G02F1/13 500

【請求項の数】7

【全頁数】41

(21)【出願番号】特願2016-556348(P2016-556348)

(86)(22)【出願日】2016年1月19日

(86)【国際出願番号】JP2016051397

【審査請求日】2016年9月8日

(31)【優先権主張番号】特願2015-38395(P2015-38395)

(32)【優先日】2015年2月27日

(33)【優先権主張国】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000002886

【氏名又は名称】ＤＩＣ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100124970

【弁理士】

【氏名又は名称】河野 通洋

(74)【代理人】

【識別番号】100159293

【弁理士】

【氏名又は名称】根岸 真

(72)【発明者】

【氏名】東條 健太

(72)【発明者】

【氏名】細野 礼貴

【審査官】 黒川 美陶

(56)【参考文献】

【文献】 米国特許出願公開第２０１４／０１４５１１３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２００８／００６３８１４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 欧州特許出願公開第２２０６６９５（ＥＰ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１０／００７３６２１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１５／００６０７３２（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０７Ｃ ２５／１８

Ｃ０９Ｋ １９／１２

Ｃ０９Ｋ １９／３０

Ｃ０９Ｋ １９／３２

Ｃ０９Ｋ １９／３４

Ｇ０２Ｆ １／１３

ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

一般式（１）

【化1】

（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、
Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立して
（ａ）１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良い。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、この基中に存在する１つの水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
（ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、この基中に存在する１つの水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
からなる群より選ばれる基であり、
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表すが、Ｘ^１及びＸ^２がともにフッ素原子を表すことはなく、Ｘ^３及びＸ^４がともにフッ素原子を表すことはなく、Ｘ^２又はＸ^４の少なくともいずれか一方はフッ素原子を表し、
ｎ^１は０、１又は２を表し、ｎ^２は１、２又は３を表し、ｎ^１＋ｎ^２は２又は３を表すが、ｎ^１が２であってＡ^１が複数存在する場合、Ａ^１は同一であっても異なっていても良く、ｎ^２が２又は３であってＡ^２が複数存在する場合、Ａ^２は同一であっても異なっていても良い。）
で表され、
一般式（１）中のフッ素原子の合計数が、１又は２である化合物。

【請求項2】

一般式（１）において、Ａ^１及びＡ^２が

【化2】

から選ばれる基を表す、請求項１に記載の化合物。

【請求項3】

一般式（１）において、Ｒ^１及びＲ^２が炭素原子数１から６の無置換のアルキル基又は炭素原子数２から６の無置換のアルケニル基を表す請求項１又は請求項２記載の化合物。

【請求項4】

一般式（１）において、ｎ^１及びｎ^２が１を表す請求項１〜３のいずれか一項記載の化合物。

【請求項5】

一般式（１）において、Ａ^１又はＡ^２の少なくとも１つが
（ａ）１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良い。）
を表す請求項１〜４のいずれか一項記載の化合物。

【請求項6】

請求項１から５のいずれか一項に記載の化合物を一種又は二種以上含有する組成物。

【請求項7】

請求項６記載の組成物を使用した液晶表示素子。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は有機電子材料や医農薬、特に液晶表示素子用材料として有用なエタン結合を有する化合物及びそれらを用いた液晶組成物に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ、時計、広告表示板等に用いられている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いた垂直配向型やＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型等の駆動方式がある。これらの液晶表示素子に用いられる液晶組成物は水分、空気、熱、光などの外的要因に対して安定であること、また、室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相（ネマチック相、スメクチック相及びブルー相等）を示し、低粘性であり、かつ駆動電圧が低いことが求められる。更に液晶組成物は個々の表示素子にあわせて誘電率異方性（Δε）及び屈折率異方性（Δｎ）等を最適な値とするために、数種類から数十種類の化合物を選択し、構成されている。

【0003】

液晶組成物を表示素子等として使用する際には、広い温度範囲において安定なネマチック相を示すことが求められる。広い温度範囲にてネマチック相を維持するためには、液晶組成物を構成する個々の成分が他の成分との高い混和性を持つこと、及び高い透明点（Ｔ_ｎｉ）を持つ事が求められる。しかしながら、高いＴ_ｎｉを示す化合物は一般的に粘性が高く、高いＴ_ｎｉと低い粘性を併せ持つ化合物の開発が求められている。

【0004】

これまで、四つの環構造が単結合にて連結された、下記に示すような化合物が報告されているが、Ｔ_ｎｉが高いものの粘度が比較的高いという課題があった（特許文献１）。

【0005】

【化1】

【0006】

（式中、Ｒ及びＲ’はそれぞれ独立して炭素原子数１〜９のアルキル基を表す。）

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】英国特許第２２４０７７８号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

本発明が解決しようとする課題は、高いＴ_ｎｉ、低い粘度（η）及び他の液晶化合物との高い混和性を併せ持つ化合物を提供し、併せて当該化合物を構成部材とする液晶組成物及び液晶表示素子を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

前記課題を解決するため、本願発明者らは種々の化合物の検討を行った結果、エタン結合を有する特定の化合物が効果的に課題を解決できることを見出し本願発明の完成に至った。

【0010】

本願発明は、一般式（１）

【0011】

【化2】

【0012】

（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、
Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立して
（ａ）１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良い。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、この基中に存在する１つの水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
（ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、この基中に存在する１つの水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
からなる群より選ばれる基であり、
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表すが、Ｘ^１及びＸ^２がともにフッ素原子を表すことはなく、Ｘ^３及びＸ^４がともにフッ素原子を表すことはなく、Ｘ^２又はＸ^４の少なくともいずれか一方はフッ素原子を表し、
ｎ^１は０、１又は２を表し、ｎ^２は１、２又は３を表し、ｎ^１＋ｎ^２は２又は３を表すが、ｎ^１が２であってＡ^１が複数存在する場合、Ａ^１は同一であっても異なっていても良く、ｎ^２が２又は３であってＡ^２が複数存在する場合、Ａ^２は同一であっても異なっていても良い。）
で表される化合物を提供し、併せて当該化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供する。

【発明の効果】

【0013】

本発明により提供される、一般式（１）で表される新規液晶化合物は工業的にも容易に製造することができ、得られた一般式（１）で表される化合物は、高いＴ_ｎｉ、低い粘度及び液晶組成物への高い混和性を示し、さらに化学的に高い安定性を併せ持つ。

【0014】

従って、一般式（１）で表される化合物を液晶組成物の成分として用いる事により、低粘度な液晶組成物を得ることができる。このため、高速応答が求められる液晶表示素子用の液晶組成物の構成成分として非常に有用である。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明の液晶表示素子の断面図である。１００〜１０５を備えた基板を「バックプレーン」、２００〜２０５を備えた基板を「フロントプレーン」と称している。

【図2】フォトマスクパターンとしてブラックマトリックス上に形成する柱状スペーサ作成用パターンを使用した露光処理工程の図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

一般式（１）において、Ｒ^１及びＲ^２は粘度を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが特に好ましい。また、直鎖状であることが好ましい。他の液晶成分との混和性を上昇させるためには、Ｒ^１及びＲ^２が異なることが好ましい。

【0017】

Ａ^１及びＡ^２は各々独立して、粘度を低下させる為にはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、無置換の１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましく、トランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが更に好ましい。他の液晶成分との混和性を向上させる為には、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましい。Ｔ_ｎｉを上昇させる為には、無置換の１，４−フェニレン基、無置換のナフタレン−２，６−ジイル基であることが好ましい。液晶表示素子とした際の長期信頼性を向上させるには窒素原子を含有しないことが好ましい。粘度、他の液晶成分との混和性、及びＴ_ｎｉをバランスよく向上させる観点からは、Ａ^１又はＡ^２の少なくとも１つ以上がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、且つ、Ａ^１又はＡ^２の少なくとも１つ以上が無置換の１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましい。より具体的には、ｎ^１＋ｎ^２が２を表す場合、Ａ^１又はＡ^２のいずれか一方がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、且つＡ^１又はＡ^２のいずれか一方が無置換の１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましく、Ａ^１がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、且つＡ^２が無置換の１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることがより好ましい。また、ｎ^１＋ｎ^２が３を表す場合、Ａ^１又はＡ^２の少なくとも１つ以上がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましく、Ａ^１又はＡ^２の少なくとも１つ以上が２−フルオロー１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましい。

【0018】

Ｘ^２及びＸ^４は、他の液晶成分との混和性を重視する場合は、Ｘ^２がフッ素原子を表すことが好ましい。Ｘ^１及びＸ^３は粘性を重視する場合には共に水素原子である事が好ましく、他の液晶成分との混和性を重視する場合にはフッ素原子である事が好ましい。また、分子中に含まれるフッ素原子の総数が多い場合、Ｔ_ｎｉの過度の低下、他の液晶成分との混和性の低下を招くことから、分子中に含まれるフッ素原子の総数は１、２、又は３であることが好ましく、１又は２であることがより好ましい。具体的には、Ｘ^１及びＸ^３が水素原子であり、Ｘ^２及びＸ^４がフッ素原子であることが好ましく、Ｘ^１、Ｘ^３及びＸ^４が水素原子であり、Ｘ^２がフッ素原子であることが好ましく、Ｘ^１、Ｘ^２及びＸ^３が水素原子であり、Ｘ^４がフッ素原子であることが好ましい。

【0019】

ｎ^１は粘度を重視する場合には０又は１であることが好ましく、Ｔ_ｎｉを重視する場合には１又は２であることが好ましい。他の液晶成分との混和性を高くする為には、０又は１であることが好ましい。

【0020】

ｎ^２は粘度を重視する場合には１であることが好ましく、Ｔ_ｎｉを重視する場合には１又は２であることが好ましく、他の液晶成分との混和性を高くするためには１であることが好ましい。

【0021】

ｎ^１＋ｎ^２については、粘度を重視する場合には２であることが好ましく、Ｔ_ｎｉを重視する場合には３であることが好ましく、他の液晶成分との混和性を高くするためには２であることが好ましい。ｎ^１＋ｎ^２が２である場合、ｎ^１が１であり、ｎ^２が１であることが好ましい。ｎ^１＋ｎ^２が３である場合、ｎ^１が１であり、ｎ^２が２であることが好ましく、ｎ^１が０であり、ｎ^２が３であることが好ましい。

【0022】

なお、一般式（１）で表される化合物において、ヘテロ原子同士が直接結合する構造となることはない。

【0023】

好ましい化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【0024】

一般式（１）の中では以下の一般式（１ａ）〜一般式（１ｄ）で表される各化合物が好ましい。

【0025】

【化3】

【0026】

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４は各々独立して前記一般式（１）における、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４と同じ意味を表し、Ａ^２ａ、Ａ^２ｂ、Ａ^２ｃ、Ａ^２ｄ１及びＡ^２ｄ２は各々独立して前記一般式（１）におけるＡ^２と同じ意味を表し、ｎ^ｄ１及びｎ^ｄ２は各々独立して０又は１を表すが、ｎ^ｄ１＋ｎ^ｄ２は１を表す。）
一般式（１ａ）としては、以下の一般式（１ａ−１）〜一般式（１ａ−６）で表される化合物が好ましい。

【0027】

【化4】

【0028】

【化5】

【0029】

（式中、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立して前記一般式（１）における、Ｒ^１及びＲ^２と同じ意味を表す。）
特に、一般式（１ａ−２）が好ましい。

【0030】

一般式（１ｂ）としては、以下の一般式（１ｂ−１）〜一般式（１ｂ−８）で表される化合物が好ましい。

【0031】

【化6】

【0032】

【化7】

【0033】

（式中、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立して前記一般式（１）における、Ｒ^１及びＲ^２と同じ意味を表す。）
特に、一般式（１ｂ−１）及び（１ｂ−２）が好ましい。

【0034】

一般式（１ｃ）としては、以下の一般式（１ｃ−１）〜一般式（１ｃ−７）で表される化合物が好ましい。

【0035】

【化8】

【0036】

【化9】

【0037】

（式中、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立して前記一般式（１）における、Ｒ^１及びＲ^２と同じ意味を表す。）
特に、一般式（１ｃ−１）、（１ｃ−２）及び（１ｃ−７）が好ましい。

【0038】

一般式（１ｄ）としては、以下の一般式（１ｄ−１）〜一般式（１ｄ−１３）で表される化合物が好ましい。

【0039】

【化10】

【0040】

【化11】

【0041】

【化12】

【0042】

【化13】

【0043】

（式中、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立して前記一般式（１）における、Ｒ^１及びＲ^２と同じ意味を表す。）
特に、一般式（１ｄ−１）、（１ｄ−２）及び（１ｄ−１３）が好ましい。

【0044】

本発明の液晶組成物において一般式（１）で表される化合物の含有量が少ないとその効果が現れないため、組成物中に下限値として、１質量％（以下組成物中の％は質量％を表す。）以上含有することが好ましく、２％以上含有することが好ましく、５％以上含有することが好ましく、１０％以上含有することが更に好ましい。又、含有量が多いと析出等の問題を引き起こすため、上限値としては、７０％以下含有することが好ましく、６０％以下含有することがより好ましく、５０％以下含有することが更に好ましく、４０％以下含有することが特に好ましい。一般式（１）で表される化合物は１種のみで使用することもできるが、２種以上の化合物を同時に使用してもよい。

【0045】

液晶組成物の物性値を調整するために一般式（１）で表される化合物以外の化合物を使用してもよく、液晶相を持つ化合物以外にも必要に応じて液晶相を持たない化合物を添加することもできる。

【0046】

このように、一般式（１）で表される化合物と混合して使用することのできる化合物の好ましい代表例としては、本発明の提供する組成物においては、その第一成分として一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有するが、その他の成分として特に以下の第二から第四成分から少なくとも１種含有することが好ましい。

【0047】

即ち、第二成分は誘電率異方性が正のいわゆるｐ型液晶化合物であって、以下の一般式（ＬＣ１）及び一般式（ＬＣ２）で示される化合物を挙げることができる。

【0048】

【化14】

【0049】

（式中、Ｒ^ＬＣ１１及びＲ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子によって置換されていてもよく、Ａ^ＬＣ１１、及びＡ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して下記の何れかの構造

【0050】

【化15】

【0051】

（該構造中、シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は酸素原子で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ−は窒素原子で置換されていてもよく、また、該構造中の１つ又は２つ以上の水素原子はフッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３で置換されていてもよい。）を表し、Ｘ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１２、Ｘ^ＬＣ２１〜Ｘ^ＬＣ２３はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｙ^ＬＣ１１及びＹ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、−ＣＦ_３、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｚ^ＬＣ１１及びＺ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、ｍ^ＬＣ１１及びｍ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して１〜４の整数を表し、Ａ^ＬＣ１１、Ａ^ＬＣ２１、Ｚ^ＬＣ１１及びＺ^ＬＣ２１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
Ｒ^ＬＣ１１及びＲ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましく、直鎖状であることが更に好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましい。

【0052】

【化16】

【0053】

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
Ａ^ＬＣ１１及びＡ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して下記の構造が好ましい。

【0054】

【化17】

【0055】

Ｙ^ＬＣ１１及びＹ^ＬＣ２１はそれぞれ独立してフッ素原子、シアノ基、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３が好ましく、フッ素原子又は−ＯＣＦ_３が好ましく、フッ素原子が特に好ましい。

【0056】

Ｚ^ＬＣ１１及びＺ^ＬＣ２１は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−が好ましく、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−が好ましく、単結合、−ＯＣＨ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−がより好ましい。

【0057】

ｍ^ＬＣ１１及びｍ^ＬＣ２１は１、２又は３が好ましく、低温での保存安定性、応答速度を重視する場合には１又は２が好ましく、ネマチック相上限温度の上限値を改善するには２又は３が好ましい。

【0058】

一般式（ＬＣ１）は、下記一般式（ＬＣ１−ａ）から一般式（ＬＣ１−ｃ）

【0059】

【化18】

【0060】

(式中、Ｒ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ１）におけるＲ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２と同じ意味を表し、Ａ^{ＬＣ１ａ１}、Ａ^{ＬＣ１ａ２}及びＡ^{ＬＣ１ｂ１}は、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表し、Ｘ^{ＬＣ１ｂ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｂ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｃ１}〜Ｘ^{ＬＣ１ｃ４}はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であることが好ましい。

【0061】

Ｒ^ＬＣ１１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましい。

【0062】

Ｘ^ＬＣ１１〜Ｘ^{ＬＣ１ｃ４}はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子が好ましい。

【0063】

Ｙ^ＬＣ１１はそれぞれ独立してフッ素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３が好ましい。

【0064】

また、一般式（ＬＣ１）は、下記一般式（ＬＣ１−ｄ）から一般式（ＬＣ１−ｍ）

【0065】

【化19】

【0066】

(式中、Ｒ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ１）におけるＲ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２と同じ意味を表し、Ａ^{ＬＣ１ｄ１}、Ａ^{ＬＣ１ｆ１}、Ａ^{ＬＣ１ｇ１}、Ａ^{ＬＣ１ｊ１}、Ａ^{ＬＣ１ｋ１}、Ａ^{ＬＣ１ｋ２}、Ａ^{ＬＣ１ｍ１}〜Ａ^{ＬＣ１ｍ３}は、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表し、Ｘ^{ＬＣ１ｄ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｄ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｆ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｆ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｇ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｇ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｈ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｈ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｉ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｉ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｊ１}〜Ｘ^{ＬＣ１ｊ４}、Ｘ^{ＬＣ１ｋ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｋ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｍ１}及びＸ^{ＬＣ１ｍ２}はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｚ^{ＬＣ１ｄ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｅ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｊ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｋ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｍ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのが好ましい。

【0067】

Ｒ^ＬＣ１１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましい。

【0068】

Ｘ^ＬＣ１１〜Ｘ^{ＬＣ１ｍ２}はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子が好ましい。

【0069】

Ｙ^ＬＣ１１はそれぞれ独立してフッ素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３が好ましい。

【0070】

Ｚ^{ＬＣ１ｄ１}〜Ｚ^{ＬＣ１ｍ１}はそれぞれ独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−が好ましい。
一般式（ＬＣ２）は、下記一般式（ＬＣ２−ａ）から一般式（ＬＣ２−ｇ）

【0071】

【化20】

【0072】

（式中、Ｒ^ＬＣ２１、Ｙ^ＬＣ２１、Ｘ^ＬＣ２１〜Ｘ^ＬＣ２３はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ２）におけるＲ^ＬＣ２１、Ｙ^ＬＣ２１、Ｘ^ＬＣ２１〜Ｘ^ＬＣ２３と同じ意味を表し、Ｘ^{ＬＣ２ｄ１}〜Ｘ^{ＬＣ２ｄ４}、Ｘ^{ＬＣ２ｅ１}〜Ｘ^{ＬＣ２ｅ４}、Ｘ^{ＬＣ２ｆ１}〜Ｘ^{ＬＣ２ｆ４}及びＸ^{ＬＣ２ｇ１}〜Ｘ^{ＬＣ２ｇ４}はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｚ^{ＬＣ２ａ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｂ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｃ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｄ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｅ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｆ１}及びＺ^{ＬＣ２ｇ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのが好ましい。

【0073】

Ｒ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましい。

【0074】

Ｘ^ＬＣ２１〜Ｘ^{ＬＣ２ｇ４}はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子が好ましく、
Ｙ^ＬＣ２１はそれぞれ独立してフッ素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３が好ましい。

【0075】

Ｚ^{ＬＣ２ａ１}〜Ｚ^{ＬＣ２ｇ４}はそれぞれ独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−が好ましい。

【0076】

第三成分は誘電率異方性が負のいわゆるｎ型液晶化合物であって、以下の一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）で示される化合物を挙げることができる。

【0077】

【化21】

【0078】

（式中、Ｒ^ＬＣ３１、Ｒ^ＬＣ３２、Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子によって置換されていてもよく、Ａ^ＬＣ３１、Ａ^ＬＣ３２、Ａ^ＬＣ４１、Ａ^ＬＣ４２、Ａ^ＬＣ５１及びＡ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して下記の何れかの構造

【0079】

【化22】

【0080】

（該構造中シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は酸素原子で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ−は窒素原子で置換されていてもよく、また、該構造中の１つ又は２つ以上の水素原子はフッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３で置換されていてもよい。）のいずれかを表し、Ｚ^ＬＣ３１、Ｚ^ＬＣ３２、Ｚ^ＬＣ４１、Ｚ^ＬＣ４２、Ｚ^ＬＣ５１及びＺ^ＬＣ５１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、Ｚ^５は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、Ｘ^ＬＣ４１は水素原子又はフッ素原子を表し、ｍ^ＬＣ３１、ｍ^ＬＣ３２、ｍ^ＬＣ４１、ｍ^ＬＣ４２、ｍ^ＬＣ５１及びｍ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して０〜３を表し、ｍ^ＬＣ３１＋ｍ^ＬＣ３２、ｍ^ＬＣ４１＋ｍ^ＬＣ４２及びｍ^ＬＣ５１＋ｍ^ＬＣ５２は１、２又は３であり、Ａ^ＬＣ３１〜Ａ^ＬＣ５２、Ｚ^ＬＣ３１〜Ｚ^ＬＣ５２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
Ｒ^ＬＣ３１〜Ｒ^ＬＣ５２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましく、

【0081】

【化23】

【0082】

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
Ａ^ＬＣ３１〜Ａ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して下記の構造が好ましく、

【0083】

【化24】

【0084】

Ｚ^ＬＣ３１〜Ｚ^ＬＣ５１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＯＣＨ_２−が好ましい。

【0085】

一般式（ＬＣ３）は、下記一般式（ＬＣ３−ａ）及び一般式（ＬＣ３−ｂ）

【0086】

【化25】

【0087】

（式中、Ｒ^ＬＣ３１、Ｒ^ＬＣ３２、Ａ^ＬＣ３１及びＺ^ＬＣ３１はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ３）におけるＲ^ＬＣ３１、Ｒ^ＬＣ３２、Ａ^ＬＣ３１及びＺ^ＬＣ３１と同じ意味を表し、Ｘ^{ＬＣ３ｂ１}〜Ｘ^{ＬＣ３ｂ６}は水素原子又はフッ素原子を表すが、Ｘ^{ＬＣ３ｂ１}及びＸ^{ＬＣ３ｂ２}又はＸ^{ＬＣ３ｂ３}及びＸ^{ＬＣ３ｂ４}のうちの少なくとも一方の組み合わせは共にフッ素原子を表し、ｍ^{ＬＣ３ａ１}は１、２又は３であり、ｍ^{ＬＣ３ｂ１}は０又は１を表し、Ａ^ＬＣ３１及びＺ^ＬＣ３１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。ただし、一般式（ＬＣ３−ａ）において一般式（ＬＣ３−ｂ）で表される群より選ばれる化合物を除く。）で表される化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物であることが好ましい。
Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基又は炭素原子数２〜７のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。
Ａ^ＬＣ３１は、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すことが好ましく、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基を表すことがより好ましい。
Ｚ^ＬＣ３１は単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表すことが好ましく、単結合を表すことがより好ましい。
一般式（ＬＣ３−ａ）としては、下記一般式（ＬＣ３−ａ１）〜一般式（ＬＣ３−ａ４）を表すことが好ましい。

【0088】

【化26】

【0089】

（式中、Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ３）におけるＲ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２と同じ意味を表す。）
Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、Ｒ^ＬＣ３１が炭素原子数１〜７のアルキル基を表し、Ｒ^ＬＣ３２が炭素原子数１〜７のアルコキシ基を表すことがより好ましい。

【0090】

一般式（ＬＣ３−ｂ）としては、下記一般式（ＬＣ３−ｂ１）〜一般式（ＬＣ３−ｂ１２）を表すことが好ましく、一般式（ＬＣ３−ｂ１）、一般式（ＬＣ３−ｂ６）、一般式（ＬＣ３−ｂ８）、一般式（ＬＣ３−ｂ１１）を表すことがより好ましく、一般式（ＬＣ３−ｂ１）及び一般式（ＬＣ３−ｂ６）を表すことがさらに好ましく、一般式（ＬＣ３−ｂ１）を表すことが最も好ましい。

【0091】

【化27】

【0092】

（式中、Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ３）におけるＲ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２と同じ意味を表す。）
Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、Ｒ^ＬＣ３１が炭素原子数２又は３のアルキル基を表し、Ｒ^ＬＣ３２が炭素原子数２のアルキル基を表すことがより好ましい。

【0093】

一般式（ＬＣ４）は下記一般式（ＬＣ４−ａ）から一般式（ＬＣ４−ｃ）、一般式（ＬＣ５）は下記一般式（ＬＣ５−ａ）から一般式（ＬＣ５−ｃ）

【0094】

【化28】

【0095】

（式中、Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２及びＸ^ＬＣ４１はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ４）におけるＲ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２及びＸ^ＬＣ４１と同じ意味を表し、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ５）におけるＲ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２と同じ意味を表し、Ｚ^{ＬＣ４ａ１}、Ｚ^{ＬＣ４ｂ１}、Ｚ^{ＬＣ４ｃ１}、Ｚ^{ＬＣ５ａ１}、Ｚ^{ＬＣ５ｂ１}及びＺ^{ＬＣ５ｃ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのがより好ましい。

【0096】

Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基又は炭素原子数２〜７のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。

【0097】

Ｚ^{ＬＣ４ａ１}〜Ｚ^{ＬＣ５ｃ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表すことが好ましく、単結合を表すことがより好ましい。

【0098】

第四成分は誘電率異方性が０程度である、いわゆる非極性液晶化合物であり、以下の一般式（ＬＣ６）で示される化合物を挙げることができる。

【0099】

【化29】

【0100】

（式中、Ｒ^ＬＣ６１及びＲ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ａ^ＬＣ６１〜Ａ^ＬＣ６３はそれぞれ独立して下記

【0101】

【化30】

【0102】

（該構造中シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中１つ又は２つ以上のＣＨ基は窒素原子で置換されていてもよい。）のいずれかを表し、Ｚ^ＬＣ６１及びＺ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、ｍ^ｉｉｉ１は０〜３を表す。ただし、一般式（ＬＣ１）〜一般式（ＬＣ６）で表される化合物、及び一般式（１）を除く。）
Ｒ^ＬＣ６１及びＲ^ＬＣ６２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましく、

【0103】

【化31】

【0104】

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
Ａ^ＬＣ６１〜Ａ^ＬＣ６３はそれぞれ独立して下記の構造が好ましく、

【0105】

【化32】

【0106】

Ｚ^ＬＣ６１及びＺ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−が好ましい。

【0107】

一般式（ＬＣ６）は、一般式（ＬＣ６−ａ）から一般式（ＬＣ６−ｍ）

【0108】

【化33】

【0109】

（式中、Ｒ^ＬＣ６１及びＲ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基又は炭素原子数２〜７のアルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのがより好ましい。

【0110】

本発明において、一般式（１）で表される化合物は、以下のようにして製造することができる。勿論本発明の趣旨及び適用範囲は、これら製造例により制限されるものではない。
（製法１）
一般式（２）

【0111】

【化34】

【0112】

（式中、Ａ^２及びＲ^２は一般式（１）におけるＡ^２及びＲ^２と同じ意味を表し、ｎ^３は０又は１を表し、Ｘ^５及びＸ^６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表すが共にフッ素原子であることはない。）で表される化合物と、一般式（３）

【0113】

【化35】

【0114】

（式中、Ｘ^３及びＸ^４は一般式（１）におけるＸ^３及びＸ^４と同じ意味を表し、Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ独立して塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表す。）で表される化合物を、有機溶媒中において遷移金属触媒、銅触媒及び塩基の存在下反応させることで、一般式（４）

【0115】

【化36】

【0116】

（式中、Ａ^２、Ｒ^２、Ｘ^３及びＸ^４は一般式（１）におけるＡ^２、Ｒ^２、Ｘ^３及びＸ^４と同じ意味を表し、ｎ^３、Ｘ^５及びＸ^６は一般式（２）におけるｎ^３、Ｘ^５及びＸ^６と同じ意味を表し、Ｙ^１は一般式（３）におけるＹ^１と同じ意味を表す。）で表される化合物を得ることが出来る。

【0117】

使用する有機溶媒としては、反応を好適に進行させることが出来ればいずれでも構わないが、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル又はテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒又はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド又はＮ−メチルピロリジノン等のアミド系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド又はＮ−メチルピロリジノンが特に好ましい。また、必要に応じて複数の溶媒を混合してもよい。

【0118】

反応温度は、反応を好適に進行させることが出来ればいずれでも構わないが、室温から有機溶媒が還流するまでの温度が好ましく、４０℃から有機溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、６０℃から溶媒が還流するまでの温度が特に好ましい。

【0119】

使用する銅触媒としては、反応を好適に進行させることが出来ればいずれでも構わないが、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）又はヨウ化銅（Ｉ）が好ましく、ヨウ化銅（Ｉ）であることが更に好ましい。

【0120】

使用する遷移金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）等のパラジウム系遷移金属触媒又はニッケル系遷移金属触媒が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）が更に好ましい。また、反応の進行を促進するため、必要に応じてホスフィン系配位子を加えても良い。
使用する塩基としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、アンモニア水溶液、トリエチルアミン又はジイソプロピルアミン等のアミン系試薬、ピリジン又は２，６−ジメチルピリジン等のピリジン系試薬、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム又は炭酸セシウム等の炭酸塩が好ましく、トリエチルアミンジイソプロピルアミンが更に好ましい。

【0121】

目的とする一般式（４）で表される化合物を効率よく得るためには、一般式（３）におけるＹ^１及びＹ^２が異なることが好ましい。

【0122】

続いて、一般式（４）で表される化合物を、一般式（５）

【0123】

【化37】

【0124】

（式中、Ａ^１、Ｘ^１、Ｘ^２、ｎ^１及びＲ^１は一般式（１）におけるＡ^１、Ｘ^１、Ｘ^２、ｎ^１及びＲ^１と同じ意味を表し、Ｒ^３及びＲ^４は各々独立して直鎖であっても又は分岐していても良い炭素数１から５のアルキル基を表す。）で表される化合物を、有機溶媒中において遷移金属触媒及び塩基の存在下反応させる事で、一般式（６）

【0125】

【化38】

【0126】

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ａ^１、Ａ^２、Ｘ^１、Ｘ^２及びｎ^１は一般式（１）におけるＲ^１、Ｒ^２、Ａ^１、Ａ^２、Ｘ^１、Ｘ^２及びｎ^１と同じ意味を表し、Ｘ^５、Ｘ^６及びｎ^３は一般式（２）におけるＸ^５、Ｘ^６及びｎ^３と同じ意味を表す。）で表される化合物を得ることが出来る。

【0127】

使用する有機溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，４−ジオキサン又はテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、トルエン又はキシレン等の炭化水素系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のＮ−メチルピロリジノン等のアミド系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール又はイソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒が好ましく、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノールが更に好ましい。

【0128】

反応温度は、反応を好適に進行する温度であればいずれでも構わないが、室温から有機溶媒が還流するまでの温度が好ましく、４０℃から有機溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、６０℃から有機溶媒が還流するまでの温度が特に好ましい。
使用する遷移金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）等のパラジウム系遷移金属触媒又はニッケル系遷移金属触媒が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）が更に好ましい。また、反応の進行を促進するため、必要に応じてホスフィン系配位子を加えても良い。
使用する塩基としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属類、炭酸ナトリウム炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩類が好ましく、炭酸カリウム又は炭酸セシウムである事が更に好ましい。また、必要に応じて水溶液として使用することも好ましい。
続いて、一般式（６）で表される化合物を有機溶媒中、金属触媒存在下、水素ガスと反応させる事でエタン連結基と結合するＡ^２が１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基を表す一般式（１）で表される化合物を得ることが出来る。

【0129】

使用する有機溶剤としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン又はテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、トルエン又はキシレン等の炭化水素系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール又はブタノール等のアルコール系溶媒、酢酸エチル又は酢酸ブチル等のエステル系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、エタノール又は酢酸エチルが好ましい。また、必要に応じて塩酸、酢酸又は硫酸等の酸を添加する事も好ましい。

【0130】

反応温度としては、反応を好適に進行させる温度であればいずれでも構わないが、０℃から８０℃が好ましく、室温から６０℃が更に好ましい。

【0131】

使用する金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、パラジウム炭素、ルテニウム炭素、白金黒又は酸化白金が好ましく、パラジウム炭素が更に好ましい。

【0132】

反応する際の水素圧は、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、大気圧から０．５ＭＰａであることが好ましく、０．２ＭＰａから０．５ＭＰａであることが更に好ましい。
（製法２）
一般式（７）

【0133】

【化39】

【0134】

（式中、Ｘ^３及びＸ^４は一般式（１）におけるＸ^３及びＸ^４と同じ意味を表し、Ｙ^３及びＹ^４はそれぞれ独立して塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。）で表される化合物を有機溶媒中又は無溶媒条件においてトリフェニルホスフィンと反応させる事で、一般式（８）

【0135】

【化40】

【0136】

（式中、Ｘ^３及びＸ^４は一般式（１）におけるＸ^３及びＸ^４と同じ意味を表し、Ｙ^３及びＹ^４は一般式（７）におけるＹ^３及びＹ^４と同じ意味を表す。）で表される化合物を得ることが出来る。

【0137】

有機溶媒を使用する場合には、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン又はメチルシクロヘキサン等の飽和炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン又はメシチレン等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン又は１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のＮ−メチルピロリジノン等のアミド系溶媒が好ましく、飽和炭化水素系溶媒又は芳香族系溶媒が更に好ましく、トルエン、キシレンであることが特に好ましい。

【0138】

反応温度としては、反応を好適に進行させる温度であればいずれの温度でも構わないが、室温から有機溶媒が還流するまでの温度が好ましく、５０℃から有機溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、９０℃から有機溶媒が還流するまでの温度であることが特に好ましい。

【0139】

続いて、一般式（８）で表される化合物を有機溶媒中塩基と反応させてリンイリド試薬を調製したのち、一般式（９）

【0140】

【化41】

【0141】

（式中、Ａ^２、ｎ^２及びＲ^２は、一般式（１）におけるＡ^２、ｎ^２及びＲ^２と同じ意味を表す。）で表される化合物と反応させる事で、一般式（１０）

【0142】

【化42】

【0143】

（式中、Ｘ^３、Ｘ^４、Ａ^２、ｎ^２及びＲ^２は一般式（１）におけるＸ^３、Ｘ^４、Ａ^２、ｎ^２及びＲ^２と同じ意味を表し、Ｙ^３は一般式（７）におけるＹ^３と同じ意味を表す。）で表される化合物を得ることが出来る。

【0144】

使用する有機溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン又は１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、トルエン又はキシレン等の炭化水素系溶媒であることが好ましく、テトラヒドロフランであることが好ましい。また、必要に応じて複数の溶媒を混合して使用することも好ましい。

【0145】

反応温度は、好適に反応を進行させる温度であればいずれの温度でも構わないが、−６０℃から２０℃であることが好ましく、−４０℃から０℃であることが更に好ましい。

【0146】

使用する塩基としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド又はカリウムターシャリーブトキシド等の
アルコキシド系試薬、ブチルリチウム、セカンダリーブチルリチウム又はターシャリーブチルリチウム等のアルキルリチウム系試薬、水素化ナトリウムであることが好ましく、カリウムターシャリーブトキシド、水素化ナトリウム、ブチルリチウムであることが更に好ましい。

【0147】

続いて、一般式（１０）で表される化合物と、一般式（５）で表される化合物を有機溶媒中において遷移金属触媒及び塩基の存在下反応させる事で、一般式（１１）

【0148】

【化43】

【0149】

（式中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ａ^１、Ａ^２、ｎ^１、ｎ^２、Ｒ^１及びＲ^２は一般式（１）におけるＸ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ａ^１、Ａ^２、ｎ^１、ｎ^２、Ｒ^１及びＲ^２と同じ意味を表す。）で表される化合物を得ることが出来る。

【0150】

使用する有機溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，４−ジオキサン又はテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、トルエン又はキシレン等の炭化水素系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のＮ−メチルピロリジノン等のアミド系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール又はイソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒が好ましく、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノールが更に好ましい。

【0151】

反応温度は、反応を好適に進行する温度であればいずれでも構わないが、室温から有機溶媒が還流するまでの温度が好ましく、４０℃から有機溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、６０℃から有機溶媒が還流するまでの温度が特に好ましい。
使用する遷移金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）等のパラジウム系遷移金属触媒又はニッケル系遷移金属触媒が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）が更に好ましい。また、反応の進行を促進するため、必要に応じてホスフィン系配位子を加えても良い。
使用する塩基としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属類、炭酸ナトリウム炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩類が好ましく、炭酸カリウム又は炭酸セシウムである事が更に好ましい。また、必要に応じて水溶液として使用することも好ましい。
続いて、一般式（１１）で表される化合物を有機溶媒中、金属触媒存在下、水素ガスと反応させる事で一般式（１）で表される化合物を得ることが出来る。

【0152】

使用する有機溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン又はテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、トルエン又はキシレン等の炭化水素系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール又はブタノール等のアルコール系溶媒、酢酸エチル又は酢酸ブチル等のエステル系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、エタノール又は酢酸エチルが好ましい。また、必要に応じて塩酸、酢酸又は硫酸等の酸を添加する事も好ましい。

【0153】

反応温度としては、反応を好適に進行させる温度であればいずれでも構わないが、０℃から８０℃が好ましく、室温から６０℃が更に好ましい。

【0154】

使用する金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、パラジウム炭素、ルテニウム炭素、白金黒又は酸化白金が好ましく、パラジウム炭素が更に好ましい。

【0155】

反応する際の水素圧は、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、大気圧から０．５ＭＰａであることが好ましく、０．２ＭＰａから０．５ＭＰａであることが更に好ましい。

【0156】

本発明の化合物を含有する液晶組成物を用いた液晶表示素子は、高速応答と表示不良の抑制を両立させた有用なものであり、特に、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＶＡモード、ＰＳＶＡモード、ＰＳＡモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード又はＥＣＢモード用等の種々のモードの液晶表示素子に適用できる。

【0157】

以下、図面を参照しつつ、本発明に係る液晶表示装置の好適な実施の形態について詳細に説明する。

【0158】

図１は、互いに対向する二つの基板と、前記基板間に設けられたシール材と、前記シール材に囲まれた封止領域に封入された液晶とを備えている液晶表示素子を示す断面図である。

【0159】

具体的には、基板ａ１００上に、ＴＦＴ層１０２、画素電極１０３を設け、その上からパッシベーション膜１０４及び配向膜ａ１０５を設けたバックプレーンと、基板ｂ２００上に、ブラックマトリックス２０２、カラーフィルタ２０３、平坦化膜（オーバーコート層）２０１、透明電極２０４を設け、その上から配向膜ｂ２０５を設け、前記バックプレーンと対向させたフロントプレーンと、前記基板間に設けられたシール材３０１と、前記シール材に囲まれた封止領域に封入された液晶層３０３とを備え、前記シール材３０１が接する基板面には突起３０４が設けられている液晶表示素子の具体的態様を示している。
前記基板ａ又は前記基板ｂは、実質的に透明であれば材質に特に限定はなく、ガラス、セラミックス、プラスチック等を使用することができる。プラスチック基板としてはセルロ−ス、トリアセチルセルロ−ス、ジアセチルセルロ−ス等のセルロ−ス誘導体、ポリシクロオレフィン誘導体、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリビニルアルコ−ル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレ−ト、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、更にガラス繊維−エポキシ樹脂、ガラス繊維−アクリル樹脂などの無機−有機複合材料などを用いることができる。

【0160】

なおプラスチック基板を使用する際には、バリア膜を設けることが好ましい。バリア膜の機能は、プラスチック基板が有する透湿性を低下させ、液晶表示素子の電気特性の信頼性を向上することにある。バリア膜としては、それぞれ、透明性が高く水蒸気透過性が小さいものであれば特に限定されず、一般的には酸化ケイ素などの無機材料を用いて蒸着やスパッタリング、ケミカルベーパーデポジション法（ＣＶＤ法）によって形成した薄膜を使用する。

【0161】

本発明においては、前記基板ａ又は前記基板ｂとして同素材を使用しても異素材を使用してもよく特に限定はない。ガラス基板を用いれば耐熱性や寸法安定性の優れた液晶表示素子を作製することができて好ましい。またプラスチック基板であれば、ロールツウロール法による製造方法に適し且つ軽量化あるいはフレキシブル化に適しており好ましい。また、平坦性及び耐熱性付与を目的とするならば、プラスチック基板とガラス基板とを組み合わせると良い結果を得ることができる。

【0162】

バックプレーンには、基板ａ１００上に、ＴＦＴ層１０２及び画素電極１０３を設けている。これらは通常のアレイ工程にて製造される。この上にパッシベーション膜１０４及び配向膜ａ１０５を設けてバックプレーンが得られる。

【0163】

パッシベーション膜１０４（無機保護膜ともいう）はＴＦＴ層を保護するための膜で、通常は窒化膜（ＳｉＮｘ）、酸化膜（ＳｉＯｘ）等を化学的気相成長（ＣＶＤ）技術等により形成する。

【0164】

また、配向膜ａ１０５は、液晶を配向させる機能を有する膜であり、通常ポリイミドのような高分子材料が用いられることが多い。塗布液には、高分子材料と溶剤からなる配向剤溶液が使われる。配向膜はシール材との接着力を阻害する可能性があるため、封止領域内にパターン塗布する。塗布にはフレキソ印刷法のような印刷法、インクジェットのような液滴吐出法が用いられる。塗布された配向剤溶液は仮乾燥により溶剤が蒸発した後、ベーキングにより架橋硬化される。この後、配向機能を出すために、配向処理を行う。

【0165】

配向処理は通常ラビング法にて行われる。前述のように形成された高分子膜上を、レーヨンのような繊維から成るラビング布を用いて一方向にこすることにより液晶配向能が生じる。

【0166】

また、光配向法を用いることもある。光配向法は、光感受性を有する有機材料を含む配向膜上に偏光を照射することにより配向能を発生させる方法であり、ラビング法による基板の傷や埃の発生が生じない。光配向法における有機材料の例としては二色性染料を含有する材料がある。二色性染料としては、光二色性に起因するワイゲルト効果による分子の配向誘起もしくは異性化反応（例：アゾベンゼン基）、二量化反応（例：シンナモイル基）、光架橋反応（例：ベンゾフェノン基）、あるいは光分解反応（例：ポリイミド基）のような、液晶配向能の起源となる光反応を生じる基（以下、光配向性基と略す）を有するものを用いることができる。塗布された配向剤溶液は仮乾燥により溶剤が蒸発した後、任意の偏向を有する光（偏光）を照射することで、任意の方向に配向能を有する配向膜を得ることができる。

【0167】

一方のフロントプレーンは、基板ｂ２００上に、ブラックマトリックス２０２、カラーフィルタ２０３、平坦化膜２０１、透明電極２０４、配向膜ｂ２０５を設けている。

【0168】

ブラックマトリックス２０２は、例えば、顔料分散法にて作製する。具体的にはバリア膜２０１を設けた基板ｂ２００上に、ブラックマトリックス形成用に黒色の着色剤を均一分散させたカラーレジン液を塗布し、着色層を形成する。続いて、着色層をベーキングして硬化する。この上にフォトレジストを塗布し、これをプリベークする。フォトレジストにマスクパターンを通して露光した後に、現像を行って着色層をパターニングする。この後、フォトレジスト層を剥離し、着色層をベーキングしてブラックマトリックス２０２が完成する。

【0169】

あるいは、フォトレジスト型の顔料分散液を使用してもよい。この場合は、フォトレジスト型の顔料分散液を塗布し、プリベークしたのち、マスクパターンを通して露光した後に、現像を行って着色層をパターニングする。この後、フォトレジスト層を剥離し、着色層をベーキングしてブラックマトリックス２０２が完成する。

【0170】

カラーフィルタ２０３は、顔料分散法、電着法、印刷法あるいは染色法等にて作成する。顔料分散法を例にとると、（例えば赤色の）顔料を均一分散させたカラーレジン液を基板ｂ２００上に塗布し、ベーキング硬化後、該上にフォトレジストを塗布しプリベークする。フォトレジストにマスクパターンを通して露光した後に現像を行い、パターニングする。この後フォトレジスト層を剥離し、再度ベーキングすることで、（赤色の）カラーフィルタ２０３が完成する。作成する色順序に特に限定はない。同様にして、緑カラーフィルタ２０３、青カラーフィルタ２０３を形成する。

【0171】

透明電極２０４は、前記カラーフィルタ２０３上に（必要に応じて前記カラーフィルタ２０３上に表面平坦化のためにオーバーコート層（２０１）を設けてもよい。）設ける。透明電極２０４は透過率が高い方が好ましく、電気抵抗が小さいほうが好ましい。透明電極２０４はＩＴＯなどの酸化膜をスパッタリング法などによって形成する。

【0172】

また、前記透明電極２０４を保護する目的で、透明電極２０４の上にパッシベーション膜を設ける場合もある。

【0173】

配向膜ｂ２０５は、前述の配向膜ａ１０５と同じものである。

【0174】

以上本発明で使用する前記バックプレーン及び前記フロントプレーンについての具体的態様を述べたが、本願においては該具体的態様に限定されることはなく、所望される液晶表示素子に応じた態様の変更は自由である。

【0175】

前記柱状スペーサーの形状は特に限定されず、その水平断面を円形、四角形などの多角形など様々な形状にすることができるが、工程時のミスアラインマージンを考慮して、水平断面を円形または正多角形にすることが特に好ましい。また該突起形状は、円錐台または角錐台であることが好ましい。

【0176】

前記柱状スペーサーの材質は、シール材もしくはシール材に使用する有機溶剤、あるいは液晶に溶解しない材質であれば特に限定されないが、加工及び軽量化の面から合成樹脂（硬化性樹脂）であることが好ましい。一方、前記突起は、フォトリソグラフィによる方法や液滴吐出法により、第一の基板上のシール材が接する面に設けることが可能である。このような理由から、フォトリソグラフィによる方法や液滴吐出法に適した、光硬化性樹脂を使用することが好ましい。

【0177】

例として、前面柱状スペーサーをフォトリソグラフィ法によって得る場合について説明する。

【0178】

前記フロントプレーンの透明電極２０４上に、柱状スペーサー形成用の（着色剤を含まない）レジン液を塗布する。続いて、このレジン層をベーキングして硬化する。この上にフォトレジストを塗布し、これをプリベークする。フォトレジストにマスクパターンを通して露光した後に、現像を行ってレジン層をパターニングする。この後、フォトレジスト層を剥離し、レジン層をベーキングして柱状スペーサーが完成する。

【0179】

柱状スペーサーの形成位置はマスクパターンによって所望の位置に決めることができる。従って、液晶表示素子の封止領域内と封止領域外（シール材塗布部分）との両方を同時に作成することができる。また柱状スペーサーは封止領域の品質が低下することがないように、ブラックマトリックスの上に位置するように形成させることが好ましい。このようにフォトリソグラフィ法によって作製された柱状スペーサーのことを、カラムスペーサ又はフォトスペーサと呼ぶことがある。

【0180】

前記スペーサーの材質は、ＰＶＡ−スチルバゾ感光性樹脂などのネガ型水溶性樹脂や多官能アクリル系モノマー、アクリル酸共重合体、トリアゾール系開始剤などの混合物が使用される。あるいはポリイミド樹脂に着色剤を分散させたカラーレジンを使う方法もある。本発明においては特に限定はなく、使用する液晶やシール材との相性に従い公知の材質でスペーサーを得ることができる。

【0181】

このようにして、フロントプレーン上の封止領域となる面に柱状スペーサーを設けた後、該バックプレーンのシール材が接する面にシール材（図１における３０１）を塗布する。

【0182】

シール材の材質は特に限定はなく、エポキシ系やアクリル系の光硬化性、熱硬化性、光熱併用硬化性の樹脂に重合開始剤を添加した硬化性樹脂組成物が使用される。また、透湿性や弾性率、粘度などを制御するために、無機物や有機物よりなるフィラー類を添加することがある。これらフィラー類の形状は特に限定されず、球形、繊維状、無定形などがある。さらに、セルギャップを良好に制御するために単分散径を有する球形や繊維状のギャップ材を混合したり、基板との接着力をより強化するために、基板上突起と絡まりやすい繊維状物質を混合しても良い。このとき使用する繊維状物質の直径はセルギャップの１／５〜１／１０以下程度が望ましく、繊維状物質の長さはシール塗布幅よりも短いことが望ましい。

【0183】

また、繊維状物質の材質は所定の形状が得られるものであれば特に限定されず、セルロース、ポリアミド、ポリエステルなどの合成繊維やガラス、炭素などの無機材料を適宜選ぶことが可能である。

【0184】

シール材を塗布する方法としては、印刷法やディスペンス法があるが、シール材の使用量が少ないディスペンス法が望ましい。シール材の塗布位置は封止領域に悪影響を及ぼさないように通常ブラックマトリックス上とする。次工程の液晶滴下領域を形成するため（液晶が漏れないように）、シール材塗布形状は閉ループ形状とする。

【0185】

前記シール材を塗布したフロントプレーンの閉ループ形状（封止領域）に液晶を滴下する。通常はディスペンサーを使用する。滴下する液晶量は液晶セル容積と一致させるため、柱状スペーサーの高さとシール塗布面積とを掛け合わせた体積と同量を基本とする。しかし、セル貼り合わせ工程における液晶漏れや表示特性の最適化のために、滴下する液晶量を適宜調整することもあれば、液晶滴下位置を分散させることもある。

【0186】

次に、前記シール材を塗布し液晶を滴下したフロントプレーンに、バックプレーンを貼り合わせる。具体的には、静電チャックのような基板を吸着させる機構を有するステージに前記フロントプレーンと前記バックプレーンとを吸着させ、フロントプレーンの配向膜ｂとバックプレーンの配向膜ａとが向きあい、シール材ともう一方の基板が接しない位置（距離）に配置する。この状態で系内を減圧する。減圧終了後、フロントプレーンとバックプレーンとの貼り合せ位置を確認しながら両基板位置を調整する（アライメント操作）。貼り合せ位置の調整が終了したら、フロントプレーン上のシール材とバックプレーンとが接する位置まで基板を接近させる。この状態で系内に不活性ガスを充填させ、徐々に減圧を開放しながら常圧に戻す。このとき、大気圧によりフロントプレーンとバックプレーンが貼り合わされ、柱状スペーサーの高さ位置でセルギャップが形成される。この状態でシール材に紫外線を照射してシール材を硬化することによって液晶セルを形成する。この後、場合によって加熱工程を加え、シール材硬化を促進する。シール材の接着力強化や電気特性信頼性の向上のために、加熱工程を加えることが多い。

【実施例】

【0187】

以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「%」は『質量%』を意味する。液晶組成物の比抵抗値は、測定用セルに液晶組成物を入れ、電圧（ＤＣ）１Ｖ印加時の抵抗値を２５℃にて測定して得た。相転移温度の測定は温度調節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳＣ）を併用して行った。

【0188】

Ｔ_ｎ−ｉはネマチック相−等方相の転移温度を表す。

【0189】

化合物記載に下記の略号を使用する。

【0190】

ＤＭＦ：N,N-ジメチルホルムアミド
ＴＨＦ：テトラヒドロフラン
Ｍｅ：メチル基、Ｅｔ：エチル基、Ｐｒ：ｎ−プロピル基、Ｂｕ：ｎ−ブチル基
（実施例１）４−（ｔｒａｎｓ−４−エチルシクロヘキシル）−２−フルオロ−４‘−［２−（４−プロピルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ａ−２）のＲ^１がエチル基、Ｒ^２がプロピル基を表す化合物）の製造

【0191】

【化44】

【0192】

（１−１） 乾燥窒素雰囲気下、４−ヨードブロモベンゼン（１０１．０ｇ）、ヨウ化銅（Ｉ）（２．７２ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（８．２５ｇ）、ＤＭＦ（４００ｍＬ）及びトリエチルアミン（２００ｍＬ）を混合し、７５℃に加熱した。加熱下、４−プロピルフェニルアセチレン（５１．５ｇ）をＤＭＦ（２００ｍＬ）に溶解させた溶液を滴下した後、さらに３時間撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水（４００ｍＬ）及びトルエン（４００ｍＬ）を加えて分液した。有機層を飽和食塩水（４００ｍＬ）で２回洗浄したのち、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。硫酸ナトリウムをろ過し、減圧濃縮したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。さらに、アセトン及びメタノールの混合溶媒から再結晶する事で、４−ブロモ−４’−プロピルトラン（９４．６ｇ）を得た。
（１−２） 乾燥窒素雰囲気下、工程（１−１）で得られた４−ブロモ−４’−プロピルトラン（２０．０ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．７７ｇ）、ＴＨＦ（６０ｍＬ）及び２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液（６５ｍＬ）を混合し、６０℃に加熱した。加熱下、４−（ｔｒａｎｓ−４−エチルシクロヘキシル）−２−フルオロフェニルホウ酸（１８．４ｇ）をＴＨＦ（５５ｍＬ）に溶解させた溶液を滴下したのち、さらに２時間撹拌した。反応液を氷冷したのち、水（２００ｍＬ）を加える事で目的化合物を析出させた。目的化合物を濾過したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製したのち、トルエン及びアセトンの混合溶媒から再結晶する事で４−［４−（ｔｒａｎｓ−４−エチルシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル］−４’−プロピルトラン（２６．１ｇ）を得た。
（１−３） 工程（１−２）で得られた４−［４−（ｔｒａｎｓ−４−エチルシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル］−４’−プロピルトラン（２６．１ｇ）、５ｗｔ％パラジウム炭素（含水品）（１．３ｇ）及びＴＨＦ（２６０ｍＬ）をオートクレーブ反応器に仕込み、水素雰囲気下（０．５ＭＰａ）、室温に於いて２時間撹拌した。反応液を濾過する事でパラジウム触媒を除去したのち、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製したのち、メタノール及びアセトンの混合溶媒から再結晶する事で、４−（ｔｒａｎｓ−４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロ−４’−［２−（４−プロピルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ａ−２）のＲ^１がエチル基、Ｒ^２がプロピル基を表す化合物）を２１．１ｇ得た。
相転移温度（℃）：Ｃｒ ６８．６ Ｎ １９０．５ Ｉｓｏ
ＭＳ ｍ／ｚ：４２８［Ｍ^＋］
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）δ（ｐｐｍ）＝７．４７（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ_１＝１．４０Ｈｚ，Ｊ_２＝８．０２Ｈｚ），７．３５（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．１２Ｈｚ），７．２７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１６Ｈｚ），７．１３（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．２４Ｈｚ），７．０６−６．９８（２Ｈ，ｍ），２．９３（４Ｈ，ｓ），２．５７（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５２Ｈｚ），２．５０（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ_１＝３．２４Ｈｚ，Ｊ_２＝１２．０Ｈｚ），１．９２（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ），１．６２（２Ｈ，ｓｅｘ，Ｊ＝７．４４Ｈｚ），１．５１−１．４０（２Ｈ，ｍ），１．３１−１．１８（３Ｈ，ｍ），１．１０−１．００（２Ｈ，ｍ），０．９４（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），０．９２（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４４Ｈｚ）
（実施例２）４−（ｔｒａｎｓ−４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロ−４‘−［２−（４−エチルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ａ−２）のＲ^１がプロピル基、Ｒ^２がエチル基を表す化合物）の製造

【0193】

【化45】

【0194】

実施例１に記載の方法と同様にして製造する事で、４−（ｔｒａｎｓ−４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロ−４‘−［２−（４−エチルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ａ−２）のＲ^１がプロピル基、Ｒ^２がエチル基を表す化合物）を９．２ｇ得た。
相転移温度（℃）：Ｃｒ ７５．６ Ｎ ２１１．６ Ｉｓｏ
ＭＳ ｍ／ｚ：４２８［Ｍ^＋］
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）δ（ｐｐｍ）＝７．４７（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ_１＝１．４２Ｈｚ，Ｊ_２＝８．０２Ｈｚ），７．３５（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．１２Ｈｚ），７．２８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１６Ｈｚ），７．１５（４Ｈ，ｓ），７．０６−６．９８（２Ｈ，ｍ），２．９４（４Ｈ，ｓ），２．６４（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４９Ｈｚ），２．５０（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ_１＝３．２４Ｈｚ，Ｊ_２＝１２．０Ｈｚ），１．９０（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ），１．５１−１．２９（５Ｈ，ｍ），１．２４（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５４Ｈｚ），１．１８−１．１９（２Ｈ，ｍ），１．１０−１．０１（２Ｈ，ｍ），０．９１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４４Ｈｚ）
（実施例３）４−（ｔｒａｎｓ−４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロ−４‘−［２−（４−プロピルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ａ−２）のＲ^１及びＲ^２が共にプロピル基を表す化合物）の製造

【0195】

【化46】

【0196】

実施例１に記載の方法と同様にして製造する事で、４−（ｔｒａｎｓ−４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロ−４’−［２−（４−プロピルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ａ−２）のＲ^１及びＲ^２が共にプロピル基を表す化合物）を９．２ｇ得た。
相転移温度（℃）：Ｃｒ ９０．４ Ｎ ２１３．１ Ｉｓｏ
ＭＳ ｍ／ｚ：４２８［Ｍ^＋］
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）δ（ｐｐｍ）＝７．４７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１８．００Ｈｚ），７．３６（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．０８Ｈｚ），７．２７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０４Ｈｚ），７．１３（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．４０Ｈｚ），７．０６−６．９８（２Ｈ，ｍ），２．９３（４Ｈ，ｓ），２．５６（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５６Ｈｚ），２．５０（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ_１＝３．２９Ｈｚ，Ｊ_２＝１２．０Ｈｚ），１．９０（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝１５．０Ｈｚ）１．６３（２Ｈ，ｓｅｘ，Ｊ＝７．６４Ｈｚ），１．５１−１．４１（２Ｈ，ｍ），１．３８−１．８９（５Ｈ，ｍ），１．１０−１．００（２Ｈ，ｍ），０．９５（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３２Ｈｚ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２４Ｈｚ）
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）
（実施例４）４−（エチルフェニル）−２−フルオロ−４’−［２−（４−プロピルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ｂ−２）のＲ^１がエチル基、Ｒ^２がプロピル基を表す化合物）の製造

【0197】

【化47】

【0198】

実施例１に記載の方法と同様にして製造する事で、４−（エチルフェニル）−２−フルオロ−４’−［２−（４−プロピルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ｂ−２）のＲ^１がエチル基、Ｒ^２がプロピル基を表す化合物）を２３．６ｇ得た。
相転移温度（℃）：Ｃｒ １１１．０ ＳｍＡ １３０．９ Ｎ ２１９．７ Ｉｓｏ
ＭＳ ｍ／ｚ：４２２［Ｍ^＋］
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）δ（ｐｐｍ）＝７．５４（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．１２Ｈｚ），７．５０−７．３７（３Ｈ，ｍ），７．３１（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．９６Ｈｚ），７．１４（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．９６Ｈｚ），２．９５（４Ｈ，ｓ），２．７１（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５６Ｈｚ），２．５７（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６０Ｈｚ），１．６４（２Ｈ，ｓｅｘ，Ｊ＝７．５２Ｈｚ），１．２９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５６Ｈｚ），０．９５（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２４Ｈｚ）
（実施例５）４−（ｔｒａｎｓ−４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロ−４’−［２−（４−（ｔｒａｎｓ−４−エチルシクロヘキシル）フェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ｄ−２）のＲ^１がプロピル基、Ｒ^２がエチル基を表す化合物）の製造

【0199】

【化48】

【0200】

実施例１に記載の方法と同様にして製造する事で、４−（ｔｒａｎｓ−４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロ−４’−［２−（４−（ｔｒａｎｓ−４−エチルシクロヘキシル）フェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ｄ−２）のＲ^１がプロピル基、Ｒ^２がエチル基を表す化合物）を３．４ｇ得た。
ＭＳ ｍ／ｚ：５１０［Ｍ^＋］
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）δ（ｐｐｍ）＝７．４７（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ_１＝１．４１Ｈｚ，Ｊ_２＝８．０１Ｈｚ），７．３３（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．１１Ｈｚ），７．２８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１６Ｈｚ），７．１５（４Ｈ，ｓ），７．０６−６．９８（２Ｈ，ｍ），２．９４（４Ｈ，ｓ），２．５５−１．５３（１Ｈ，ｍ），２．５０（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ_１＝３．２４Ｈｚ，Ｊ_２＝１２．０Ｈｚ），１．９０（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ），１．５５−１．２３（９Ｈ，ｍ），１．２０−１．０１（１１Ｈ，ｍ），０．９７（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５３Ｈｚ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４５Ｈｚ）
（比較例１）４’’−（４−ｔｒａｎｓ−ブチルシクロヘキシル）−２’フルオロ−４−プロピル−１，１‘：４’，１’’−テルフェニルの合成

【0201】

【化49】

【0202】

英国特許第２２４０７７８号明細書に記載の方法と同様にして、４’’−（４−ｔｒａｎｓ−ブチルシクロヘキシル）−２’フルオロ−４−プロピル−１，１‘：４’，１’’−テルフェニルを合成した。
相転移温度（℃）： Ｃｒ １５４ ＳｍＡ ２３４ Ｎ ３０２ Ｉｓｏ
ＭＳ ｍ／ｚ：４２８［Ｍ^＋］
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）δ（ｐｐｍ）＝７．５５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１６Ｈｚ），７．５２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．８０Ｈｚ），７．４８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０８Ｈｚ），８．０４（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ_１＝１．６８Ｈｚ，Ｊ_２＝８．０４Ｈｚ），７．３７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ_１＝１．４４Ｈｚ，Ｊ_２＝１２．１Ｈｚ），７．３１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１２Ｈｚ），７．２８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．２０Ｈｚ），２．６４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．４４Ｈｚ），２．５２（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ_１＝３．２８Ｈｚ，Ｊ_２＝１２．１Ｈｚ），１．９１（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝９．８８Ｈｚ），１．６９（２Ｈ，ｓｅｘ，Ｊ＝７．６４Ｈｚ），１．５１−１．４５（２Ｈ，ｍ），１．３２−１．２３（８Ｈ，ｍ），１．１１−１．０２（２Ｈ，ｍ），０．９９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２８Ｈｚ），０．９１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．９６Ｈｚ）
（比較例２）４−（エチルフェニル）−３−フルオロ−４’−［２−（４−プロピルフェニル）−１−エチル］ビフェニルの合成

【0203】

【化50】

【0204】

英国特許第２２４０７７８号明細書に記載の方法と同様にして、４−（エチルフェニル）−３−フルオロ−４’−［２−（４−プロピルフェニル）−１−エチル］ビフェニルを合成した。
ＭＳ ｍ／ｚ：４２２［Ｍ^＋］
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）δ（ｐｐｍ）＝７．５６（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．１０Ｈｚ），７．４８−７．４０（３Ｈ，ｍ），７．３１（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．９５Ｈｚ），７．１４（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．９９Ｈｚ），２．９３（４Ｈ，ｓ），２．７０（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４９Ｈｚ），２．５７（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６０Ｈｚ），１．６２（２Ｈ，ｓｅｘ，Ｊ＝７．５５Ｈｚ），１．２９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５８Ｈｚ），０．９５（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２１Ｈｚ）
（実施例６）液晶組成物の調製−１
以下の組成からなるホスト液晶組成物（Ｈ）

【0205】

【化51】

【0206】

を調製した。
この母体液晶（Ｈ）８０％と、実施例１で得られた４−（ｔｒａｎｓ−４−エチルシクロヘキシル）−２−フルオロ−４‘−［２−（４−プロピルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ａ−２）のＲ^１がエチル基、Ｒ^２がプロピル基を表す化合物）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ａ）を調製した。この組成物の外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿η_２０の値は以下のとおりである。

【0207】

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：１８３．９℃
外挿Δε：０．２５
外挿Δｎ：０．１８８６
外挿η_２０：４６．５ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ａ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

【0208】

さらに、液晶組成物（Ｍ−Ａ）を用いて作製した液晶表示装置は、優れた表示特性を示し、長期にわたり安定な表示特性を保ち、高い信頼性を示した。
（実施例７）液晶組成物の調製―２
母体液晶（Ｈ）８０％と、実施例２で得られた４−（ｔｒａｎｓ−４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロ−４‘−［２−（４−エチルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ａ−２）のＲ^１がプロピル基、Ｒ^２がエチル基を表す化合物）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｂ）を調製した。この組成物の外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿η_２０の値は以下のとおりである。

【0209】

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：２０１．４℃
外挿Δε：０．１５
外挿Δｎ：０．１９２１
外挿η_２０：３３．５ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ｂ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

【0210】

さらに、液晶組成物（Ｍ−Ｂ）を用いて作製した液晶表示装置は、優れた表示特性を示し、長期にわたり安定な表示特性を保ち、高い信頼性を示した。
（実施例８）液晶組成物の調製―３
母体液晶（Ｈ）８０％と、実施例３で得られた４−（ｔｒａｎｓ−４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロ−４‘−［２−（４−プロピルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ａ−２）のＲ^１及びＲ^２が共にプロピル基を表す化合物）２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｃ）を調製した。この組成物の外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿η_２０の値は以下のとおりである。

【0211】

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：２０３．３℃
外挿Δε：０．２０
外挿Δｎ：０．１９００
外挿η_２０：３６．６ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ｃ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

【0212】

さらに、液晶組成物（Ｍ−Ｃ）を用いて作製した液晶表示装置は、優れた表示特性を示し、長期にわたり安定な表示特性を保ち、高い信頼性を示した。
（実施例９）液晶組成物の調製―４
母体液晶（Ｈ）８５％と、実施例４で得られた４−（エチルフェニル）−２−フルオロ−４’−［２−（４−プロピルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ｂ−２）のＲ^１がエチル基、Ｒ^２がプロピル基を表す化合物）１５％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｄ）を調製した。この組成物の外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿η_２０の値は以下のとおりである。

【0213】

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：１９６．８℃
外挿Δε：−０．３９
外挿Δｎ：０．２８８４
外挿η_２０：４０．３ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ｄ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

【0214】

さらに、液晶組成物（Ｍ−Ｄ）を用いて作製した液晶表示装置は、優れた表示特性を示し、長期にわたり安定な表示特性を保ち、高い信頼性を示した。
（実施例１０）液晶組成物の調製―５
母体液晶（Ｈ）９０％と、実施例５で得られた４−（ｔｒａｎｓ−４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロ−４’−［２−（４−（ｔｒａｎｓ−４−エチルシクロヘキシル）フェニル）−１−エチル］ビフェニル（一般式（１ｄ−２）のＲ^１がプロピル基、Ｒ^２がエチル基を表す化合物）１０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｅ）を調製した。この組成物の外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿η_２０の値は以下のとおりである。

【0215】

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：２８４．６℃
外挿Δε：０．１１
外挿Δｎ：０．１５１２
外挿η_２０：８０．６ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ｅ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

【0216】

さらに、液晶組成物（Ｍ−Ｅ）を用いて作製した液晶表示装置は、優れた表示特性を示し、長期にわたり安定な表示特性を保ち、高い信頼性を示した。
（比較例３）液晶組成物の調製―６
母体液晶（Ｈ）８０％と、比較例１で得られた４’’−（４−ｔｒａｎｓ−ブチルシクロヘキシル）−２’フルオロ−４−プロピル−１，１‘：４’，１’’−テルフェニル２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｆ）を調製した。この組成物の外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿η_２０の値は以下のとおりである。

【0217】

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：２３９．７℃
外挿Δε：０．２６
外挿Δｎ：０．２４７１
外挿η_２０：５５．５ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ｆ）は、測定翌日に個体が析出していることが確認された。

【0218】

実施例７で得られた本願化合物の外挿Ｔ_ｎ−ｉと外挿η_２０を比較すると、実施例７で得られた本願化合物は比較例３の化合物と比べてやや低いＴ_ｎ−ｉを示すものの、大きくη_２０を低下させることが可能であることが判明した。また、本願化合物は安定したネマチック液晶状態を保持していたことから、他の液晶組成物との混和性に優れることが分かった。
（比較例４）液晶組成物の調製―７
母体液晶（Ｈ）９０％と、比較例２で得られた４−（エチルフェニル）−３−フルオロ−４’−［２−（４−プロピルフェニル）−１−エチル］ビフェニル１０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｇ）を調製した。この組成物の外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿η_２０の値は以下のとおりである。

【0219】

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：１８９．１℃
外挿Δε：−０．５５
外挿Δｎ：０．２８９３
外挿η_２０：４９．４ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ｇ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

【0220】

実施例９で得られた本願化合物の外挿Ｔ_ｎ−ｉと外挿η_２０を比較すると、実施例９で得られた本願化合物は比較例４の化合物と比べてほぼ同程度のＴ_ｎ−ｉを示すが、η_２０を低下させることが可能であることが判明した。このことから、本願化合物のフッ素置換位置は比較例化合物のフッ素置換位置に比べて粘性を低下させるという効果が認められた。

【要約】

一般式（１）

で表される化合物を提供し、併せて当該化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供する。
一般式（１）で表される化合物を液晶組成物の成分として用いることにより、高いＴ_ｎｉ、低い粘度（η）、大きなΔｎ、及び液晶組成物への高い混和性を示し、さらに化学的に高い安定性を併せ持つ液晶組成物を得ることができる。このため、高速応答が求められる液晶表示素子用の液晶組成物の構成成分として非常に有用である。

【図1】

【図2】