特許第6052911号(P6052911)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6052911セシウムイオンで酸化物界面を処理することによって高チャネル移動度を有するＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの形成
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  • 特許6052911-セシウムイオンで酸化物界面を処理することによって高チャネル移動度を有するＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの形成 図000002
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