特許 6053184 タッチパネル

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6053184

(24)【登録日】2016年12月9日

(45)【発行日】2016年12月27日

(54)【発明の名称】タッチパネル

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/041 20060101AFI20161219BHJP

【ＦＩ】

   G06F3/041 470

   G06F3/041 610

【請求項の数】14

【全頁数】23

(21)【出願番号】特願2014-55449(P2014-55449)

(22)【出願日】2014年3月18日

(65)【公開番号】特開2015-179321(P2015-179321A)

(43)【公開日】2015年10月8日

【審査請求日】2016年2月22日

(73)【特許権者】

【識別番号】306037311

【氏名又は名称】富士フイルム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100077665

【弁理士】

【氏名又は名称】千葉 剛宏

(74)【代理人】

【識別番号】100116676

【弁理士】

【氏名又は名称】宮寺 利幸

(74)【代理人】

【識別番号】100149261

【弁理士】

【氏名又は名称】大内 秀治

(74)【代理人】

【識別番号】100136548

【弁理士】

【氏名又は名称】仲宗根 康晴

(74)【代理人】

【識別番号】100136641

【弁理士】

【氏名又は名称】坂井 志郎

(74)【代理人】

【識別番号】100169225

【弁理士】

【氏名又は名称】山野 明

(72)【発明者】

【氏名】西田 徹二

(72)【発明者】

【氏名】遠藤 靖

【審査官】 円子 英紀

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−１３３４２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１３／０３６６７５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開平０６−３４８３９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−０４７９６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１１６８６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０９７４５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０２５６７５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０６Ｆ ３／０４１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

電子機器の複数の面のうち、少なくとも前記電子機器の主面と、該主面に隣接する１以上の側面とにそれぞれ設置される複数のタッチパネル部を有し、
前記複数のタッチパネル部は、それぞれ複数の感知電極を有し、
前記複数の感知電極は、前記複数のタッチパネル部において共通とされた可撓性基板上に形成され、
前記可撓性基板上の、前記電子機器の稜線に対応する部分の少なくとも一部にシールド膜が配置されていることを特徴とするタッチパネル。

【請求項2】

請求項１記載のタッチパネルにおいて、
前記シールド膜は、前記可撓性基板の２つの対向する面のうち、前記電子機器とは反対側の面上に配置されていることを特徴とするタッチパネル。

【請求項3】

請求項１記載のタッチパネルにおいて、
前記シールド膜は、前記可撓性基板の２つの対向する面のうち、前記電子機器に向かう面に配置されていることを特徴とするタッチパネル。

【請求項4】

請求項１〜３のいずれか１項に記載のタッチパネルにおいて、
各前記タッチパネル部に対応する前記複数の感知電極は、各前記タッチパネル部においてそれぞれ独立であることを特徴とするタッチパネル。

【請求項5】

請求項１〜４のいずれか１項に記載のタッチパネルにおいて、
前記可撓性基板は、前記シールド膜を有する側とその反対側とを電気的に接続するスルーホールを有し、該スルーホールを介して前記反対側に少なくとも前記感知電極の配線が集中していることを特徴とするタッチパネル。

【請求項6】

請求項１〜３のいずれか１項に記載のタッチパネルにおいて、
前記複数の感知電極の少なくとも１つが２以上の前記タッチパネル部において共通であることを特徴とするタッチパネル。

【請求項7】

請求項１〜６のいずれか１項に記載のタッチパネルにおいて、
前記複数の感知電極を覆う保護層をさらに有し、
前記保護層に前記シールド膜が形成されていることを特徴とするタッチパネル。

【請求項8】

請求項１〜７のいずれか１項に記載のタッチパネルにおいて、
各前記タッチパネル部は、前記複数の感知電極が形成されたセンサ領域を有し、
前記シールド膜は、各前記タッチパネル部における前記センサ領域を囲む領域にそれぞれ形成されていることを特徴とするタッチパネル。

【請求項9】

請求項１〜８のいずれか１項に記載のタッチパネルにおいて、
前記可撓性基板に形成された前記複数の感知電極が、複数の第１感知電極と複数の第２感知電極とを有することを特徴とするタッチパネル。

【請求項10】

請求項９記載のタッチパネルにおいて、
前記第１感知電極及び前記第２感知電極は共に、前記可撓性基板の一方の主面に形成されていることを特徴とするタッチパネル。

【請求項11】

請求項９記載のタッチパネルにおいて、
前記第１感知電極は、前記可撓性基板の一方の主面に形成され、
前記第２感知電極は、前記可撓性基板の他方の主面に形成されていることを特徴とするタッチパネル。

【請求項12】

請求項９記載のタッチパネルにおいて、
前記複数の第１感知電極と前記複数の第２感知電極とが、それぞれ別の可撓性基板の表面に設けられ、
前記複数の第１感知電極が設けられた第１可撓性基板と、前記複数の第２感知電極が設けられた第２可撓性基板とを積層したことを特徴とするタッチパネル。

【請求項13】

請求項１〜８のいずれか１項に記載のタッチパネルにおいて、
前記複数の感知電極が、複数の第１感知電極と複数の第２感知電極とを有し、
前記可撓性基板の一方の主面に前記複数の第２感知電極が設けられ、
前記複数の第２感知電極上に絶縁膜が設けられ、
前記複数の第１感知電極は、前記絶縁膜上に形成されていることを特徴とするタッチパネル。

【請求項14】

請求項１〜１３のいずれか１項に記載のタッチパネルにおいて、
前記複数の感知電極は、金属細線による多数のセルが組み合わされて構成されていることを特徴とするタッチパネル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、例えばスマートフォン等の多機能携帯電話や携帯型ゲーム機等に具備されたタッチパネルに関する。

【背景技術】

【0002】

例えばスマートフォンやノート型のモバイル機器は、持ち運びによりいろいろな環境で使用される。

【0003】

従来のタッチパネルは、例えば特許文献１に示すように、感知電極としてＩＴＯ（酸化インジウムスズ）膜を用いるようにしている。

【0004】

また、従来では、平面の端を折り曲げて成形した三次多面の形状を有するタッチパネルが開示されている（特許文献２参照）。さらに、モバイル端子装置の表面、及び４つの側面にそれぞれ静電式タッチセンサが設けられた立方体形状の情報処理装置も開示されている（特許文献３参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００９−２５９００３号公報

【特許文献2】特開２００１−１５４５９２号公報

【特許文献3】特開２０１０−２６２５５７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

ところで、タッチパネルの低湿度環境での使用は、静電気による帯電や蓄電による放電現象が発生する。それらはノイズとなって静電容量方式の感知電極部分に混入し、誤動作やセンサーの静電破壊といった故障を引き起こすことがあった。

【0007】

これに対して、筐体部分にシールド用の金属部材を使用したり、センサー基板上にシールドラインを設けてノイズ混入の影響を低減しようという対策が施されてきたが、金属材料はシステム全体の重量を増してしまい、また、部品代も高くつくため、使用用途が限定されていた。

【0008】

また、センサー基板上のシールドラインも十分にノイズを除去するためには、広い面積のシールド層が必要で、限られた面積のものでは、いずれも十分にシールド効果を発揮できるものではなかった。

【0009】

特に、特許文献２に記載の三次多面の形状を有するタッチパネルや、特許文献３に記載の複数の面にそれぞれ静電式タッチセンサが設けられた情報処理装置においては、タッチパネル毎のシールドのほか、隣接するタッチパネル間のシールドも必要になり、シールドラインの形成が複雑になる。

【0010】

本発明は上記した問題を解決するためになされたもので、２つ以上の面にタッチパネル部を有するタッチパネルにおいて、各タッチパネル部のタッチ面の面積を確保しながら、シールド効果も得ることができるタッチパネルを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0011】

［１］ 本発明に係るタッチパネルは、電子機器の複数の面のうち、少なくとも電子機器の主面と、該主面に隣接する１以上の側面とにそれぞれ設置される複数のタッチパネル部を有し、複数のタッチパネル部は、それぞれ複数の感知電極を有し、複数の感知電極は、複数のタッチパネル部において共通とされた可撓性基板上に形成され、可撓性基板上の、電子機器の稜線に対応する部分の少なくとも一部にシールド膜が配置されていることを特徴とする。

【0012】

ここで、電子機器の稜線は、電子機器の主面と側面とで共有する辺、隣接する２つの側面で共有する辺を指す。辺は直線、曲線を含む。また、シールド膜には一定電位が印加される場合と、グランド接続される場合、フローティングの場合がある。

【0013】

さらに、「可撓性基板上」とは、可撓性基板に直接感知電極が形成される場合や、可撓性基板に直接感知電極が形成されない場合を含む。また、「可撓性基板上」とは、可撓性基板に直接シールド膜が設けられる場合や、可撓性基板に直接シールド膜が設けられない場合を含む。

【0014】

［２］ 本発明において、シールド膜は、可撓性基板の２つの対向する面のうち、電子機器とは反対側の面上に配置されていてもよい。「面上に配置」とは、面に直接配置される場合や、直接配置されない場合を含む。以下同様である。

【0015】

［３］ 本発明において、シールド膜は、可撓性基板の２つの対向する面のうち、電子機器に向かう面に配置されていてもよい。

【0016】

［４］ 本発明において、各タッチパネル部に対応する複数の感知電極は、各タッチパネル部においてそれぞれ独立であってもよい。

【0017】

［５］ 本発明において、可撓性基板は、シールド膜を有する側とその反対側とを電気的に接続するスルーホールを有し、該スルーホールを介して反対側に少なくとも感知電極の配線が集中していてもよい。

【0018】

［６］ 本発明において、複数の感知電極の少なくとも１つが２以上のタッチパネル部において共通であってもよい。

【0019】

［７］ 本発明において、複数の感知電極を覆う保護層をさらに有し、保護層にシールド膜が形成されていてもよい。

【0020】

［８］ 本発明において、各タッチパネル部は、複数の感知電極が形成されたセンサ領域を有し、シールド膜は、各タッチパネル部におけるセンサ領域を囲む領域にそれぞれ形成されていてもよい。

【0021】

［９］ 本発明において、可撓性基板に形成された複数の感知電極が、複数の第１感知電極と複数の第２感知電極とを有してもよい。

【0022】

［１０］ この場合、第１感知電極及び第２感知電極は共に、可撓性基板の一方の主面に形成されていてもよい。

【0023】

［１１］ あるいは、第１感知電極は、可撓性基板の一方の主面に形成され、第２感知電極は、可撓性基板の他方の主面に形成されていてもよい。

【0024】

［１２］ ［９］において、複数の第１感知電極と複数の第２感知電極とが、それぞれ別の可撓性基板の表面に設けられ、複数の第１感知電極が設けられた第１可撓性基板と、複数の第２感知電極が設けられた第２可撓性基板とを積層してもよい。

【0025】

［１３］ 本発明において、複数の感知電極が、複数の第１感知電極と複数の第２感知電極とを有し、可撓性基板の一方の主面に複数の第２感知電極が設けられ、複数の第２感知電極上に絶縁膜が設けられ、複数の第１感知電極は、絶縁膜上に形成されていてもよい。

【0026】

［１４］ 本発明において、複数の感知電極は、金属細線による多数のセルが組み合わされて構成されていてもよい。

【発明の効果】

【0027】

本発明に係るタッチパネルによれば、２つ以上の面にタッチパネル部を有するタッチパネルにおいて、各タッチパネル部のタッチ面の面積を確保しながら、シールド効果も得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0028】

【図1】図１Ａは、本実施の形態に係るタッチパネルが設置された電子機器を示す斜視図であり、図１Ｂはその断面図である。

【図2】図２Ａは本実施の形態に係るタッチパネルの要部の一例を示す断面図であり、図２Ｂは他の例を示す断面図である。

【図3】導電性フィルムの要部を上から見て示す平面図である。

【図4】図４Ａは第１変形例に係るタッチパネルの要部を示す断面図であり、図４Ｂは第２変形例に係るタッチパネルの要部を示す断面図である。

【図5】第１変形例に係るタッチパネルの導電性フィルムの要部を上から見て示す平面図である。

【図6】第２変形例に係るタッチパネルの導電性フィルムの要部を上から見て示す平面図である。

【図7】第３変形例に係るタッチパネルの導電性フィルムの要部を上から見て示す平面図である。

【図8】図８Ａは第４変形例に係るタッチパネルの要部を示す断面図であり、図８Ｂは第５変形例に係るタッチパネルの要部を示す断面図であり、図８Ｃは第６変形例に係るタッチパネルの要部を示す断面図である。

【図9】図９Ａは第７変形例に係るタッチパネルの要部を示す断面図であり、図９Ｂは第８変形例に係るタッチパネルの要部を示す断面図である。

【図10】図１０Ａは第９変形例に係るタッチパネルの要部を示す断面図であり、図１０Ｂは第１０変形例に係るタッチパネルの要部を示す断面図である。

【図11】図１１Ａは第１１変形例に係るタッチパネルの要部を示す断面図であり、図１１Ｂは第１２変形例に係るタッチパネルの要部を示す断面図である。

【図12】図１２Ａは第１３変形例に係るタッチパネルの要部を示す断面図であり、図１２Ｂは第１４変形例に係るタッチパネルの要部を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0029】

以下、本発明に係るタッチパネルの実施の形態例を図１Ａ〜図１２Ｂを参照しながら説明する。本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。なお、本明細書において数値範囲を示す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味として使用される。

【0030】

先ず、第１の本実施の形態に係るタッチパネル１０は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、電子機器１２と筐体１４との間に設置される。

【0031】

電子機器１２は、主面である表面１６ａと、該表面１６ａに対向する裏面１６ｂと、表面１６ａに隣接する４つの側面１８ａ〜１８ｄとを有する。電子機器１２は、少なくとも画像やテキスト等を表示する表示パネル２０を有し、この表示パネル２０の表示面が電子機器の主面（表面１６ａ）を構成している。表示パネル２０としては、例えば液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）等が挙げられる。また、電子機器１２は、表示パネル２０の裏面側に表示パネル２０の制御や後述するタッチパネル１０の制御、データ通信の制御等を行う電子回路が実装された回路基板２２が設置されている。

【0032】

筐体１４は、透明性及び可撓性を有するカバー層２４にて構成され、電子機器１２の表面１６ａ、４つの側面（第１側面１８ａ〜第４側面１８ｄ）及び裏面１６ｂを保護する。カバー層２４は、１層構造の樹脂層でもよいし、樹脂層が多層に積層された積層体でもよい。

【0033】

タッチパネル１０は、センサ本体である導電性フィルム２６と制御回路２８（ＩＣ回路等で構成）とを有する。制御回路２８は、回路基板２２に実装されている。

【0034】

導電性フィルム２６は、筐体１４の内面、すなわち、電子機器１２と対向する部分に、筐体１４の形状に沿うように三次元形状に形成されている。例えば図１Ａの例では、電子機器１２の外形形状が四角錐台の形状を有することから、タッチパネル１０を構成する導電性フィルム２６も電子機器１２の形状に沿うように、三次元形状に形成されている。

【0035】

導電性フィルム２６は、図２Ａ〜図３に示すように、透明性及び可撓性を有する基板（以下、可撓性基板３０と記す）と、可撓性基板３０の一方の面（例えば表面３０ａ）に形成された複数の第１感知電極３２ａと、可撓性基板３０の他方の面（例えば裏面３０ｂ）に形成された複数の第２感知電極３２ｂとを有する。なお、図３は、三次元形状に成形された導電性フィルム２６を平面状に展開した状態を示している。これは、図５〜図７においても同様である。

【0036】

第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂは、それぞれ多数のセル３４が組み合わされて構成されたメッシュパターン３６を有することが好ましい。第１感知電極３２ａは、第１方向（ｙ方向）に延在し、且つ、第１方向と直交する第２方向（ｘ方向）に配列されている。第２感知電極３２ｂは、第２方向（ｘ方向）に延在し、且つ、第２方向と直交する第１方向（ｙ方向）に配列されている。ここで、「セル」とは、複数の金属細線３８によって二次元的に区画された形状を指す。

【0037】

そして、図３に示すように、導電性フィルム２６のうち、電子機器１２の表面１６ａと対向する第１センサ領域４０Ａに、複数の第１感知電極３２ａ及び複数の第２感知電極３２ｂによる第１タッチパネル部４２Ａが構成される。同様に、電子機器１２の第１側面１８ａと対向する第２センサ領域４０Ｂに、第２タッチパネル部４２Ｂが構成され、電子機器１２の第２側面１８ｂと対向する第３センサ領域４０Ｃに、第３タッチパネル部４２Ｃが構成される。また、電子機器１２の第３側面１８ｃと対向する第４センサ領域４０Ｄに、第４タッチパネル部４２Ｄが構成され、電子機器１２の第４側面１８ｄと対向する第５センサ領域４０Ｅに、第５タッチパネル部４２Ｅが構成される。

【0038】

第１センサ領域４０Ａ〜第５センサ領域４０Ｅには、それぞれ独立に第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂが形成される。つまり、第１〜第５タッチパネル部４２Ａ〜４２Ｅにおける各第１感知電極３２ａ及び各第２感知電極３２ｂは、第１〜第５タッチパネル部４２Ａ〜４２Ｅにおいて共通とされた可撓性基板３０に形成される。

【0039】

さらに、導電性フィルム２６には、第１センサ領域４０Ａ〜第５センサ領域４０Ｅに対応して第１端子配線領域４４Ａ〜第５端子配線領域４４Ｅが区画される。第１端子配線領域４４Ａには、第１センサ領域４０Ａにおける複数の第１感知電極３２ａからの第１端子配線部４６ａと複数の第２感知電極３２ｂからの第２端子配線部４６ｂが形成される。

【0040】

すなわち、可撓性基板３０の表面３０ａのうち、第１端子配線領域４４Ａには、各第１感知電極３２ａの端部にそれぞれ第１結線部４８ａを介して電気的に接続された金属細線３８による第１端子配線部４６ａが形成されている。各第１結線部４８ａから導出された第１端子配線部４６ａは、可撓性基板３０における第２センサ領域４０Ｂ側の辺に向かって引き回され、それぞれ対応する第１端子部５０ａに電気的に接続される。

【0041】

可撓性基板３０の裏面３０ｂのうち、第１端子配線領域４４Ａには、各第２感知電極３２ｂの端部にそれぞれ第２結線部４８ｂを介して電気的に接続された金属細線３８による第２端子配線部４６ｂが形成されている。各第２結線部４８ｂから導出された第２端子配線部４６ｂは、可撓性基板３０における第３センサ領域４０Ｃ側の辺に向かって引き回され、それぞれ対応する第２端子部５０ｂに電気的に接続される。

【0042】

同様に、第２端子配線領域４４Ｂには、第２センサ領域４０Ｂからの第１端子配線部４６ａ及び第２端子配線部４６ｂが形成され、可撓性基板３０における第２センサ領域４０Ｂ側の辺に向かって引き回され、それぞれ対応する第１端子部５０ａ及び第２端子部５０ｂに電気的に接続される。

【0043】

第３端子配線領域４４Ｃには、第３センサ領域４０Ｃからの第１端子配線部４６ａ及び第２端子配線部４６ｂが形成され、可撓性基板３０における第３センサ領域４０Ｃ側の辺に向かって引き回され、それぞれ対応する第１端子部５０ａ及び第２端子部５０ｂに電気的に接続される。

【0044】

第４端子配線領域４４Ｄには、第４センサ領域４０Ｄからの第１端子配線部４６ａ及び第２端子配線部４６ｂが形成され、可撓性基板３０における第４センサ領域４０Ｄ側の辺に向かって引き回され、それぞれ対応する第１端子部５０ａ及び第２端子部５０ｂに電気的に接続される。

【0045】

第５端子配線領域４４Ｅには、第５センサ領域４０Ｅからの第１端子配線部４６ａ及び第２端子配線部４６ｂが形成され、可撓性基板３０における第５センサ領域４０Ｅ側の辺に向かって引き回され、それぞれ対応する第１端子部５０ａ及び第２端子部５０ｂに電気的に接続される。

【0046】

上述した第１端子配線部４６ａ及び第２端子配線部４６ｂの引き回しは、あくまでも一例であり、電子機器１２の三次元形状や、各センサ領域４０Ａ〜４０Ｅでの第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂの形成範囲等によって様々な形態が考えられる。

【0047】

導電性フィルム２６を電子機器１２に取り付けることで、第１端子配線領域４４Ａ〜第５端子配線領域４４Ｅにおける各第１端子部５０ａ及び第２端子部５０ｂが、電子機器１２の裏面１６ｂ側、すなわち、回路基板２２側に位置することとなる。従って、導電性フィルム２６の少なくとも第１端子部５０ａと第２端子部５０ｂ（図３参照）を、例えばコネクタを通じて制御回路２８（図１Ｂ参照）に電気的に接続することが可能となる。つまり、５つのタッチパネル部４２Ａ〜４２Ｅからの配線を簡単に１つに集約することが可能となり、複雑な配線が不要となる。

【0048】

そして、本実施の形態においては、図１Ａ〜図２Ｂに示すように、可撓性基板３０（図２Ａ及び図２Ｂ参照）上の、電子機器１２の稜線５２に対応する部分の少なくとも一部にシールド膜５４が配置されている。シールド膜５４は、可撓性基板３０の２つの対向する面３０ａ及び３０ｂのうち、電子機器１２とは反対側の表面３０ａ上に配置されている。すなわち、シールド膜５４は、図３において二点鎖線で示すように、各タッチパネル部４２Ａ〜４２Ｅにおけるセンサ領域４０Ａ〜４０Ｅを囲む領域、にそれぞれ形成されている。

【0049】

ここで、「可撓性基板上」、「面上」とは、可撓性基板３０に直接シールド膜５４が形成されていなくてもよく、図１Ａ〜図２Ｂの例では、筐体１４を構成するカバー層２４の稜線５２にシールド膜５４を形成した例を示している。

【0050】

また、電子機器１２の稜線５２とは、電子機器１２の主面（表面１６ａ、裏面１６ｂ）と側面とで共有する辺、隣接する２つの側面で共有する辺を指す。辺は直線、曲線を含む。また、稜線５２の方向を法線方向とする断面形状を見たとき、図２Ａに示すように、稜線５２の部分で折れ曲がった折線形状や、図２Ｂに示すように、曲線形状であってもよい。

【0051】

シールド膜５４には一定電位が印加される場合、グランドに接続される場合（接地電位が印加される場合を含む）、フローティングの場合等がある。また、シールド膜５４として、１つの連続した金属膜で構成してもよいし、第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂと同様に、金属細線３８によるメッシュパターン３６にて構成してもよい。

【0052】

一般に、タッチパネルの低湿度環境での使用は、静電気による帯電や蓄電による放電現象が発生する。それらはノイズとなって静電容量方式の感知電極部分に混入し、誤動作やセンサーの静電破壊といった故障を引き起こすことがある。特に、電子機器１２の稜線部分に電界が集中するため、静電気による帯電、蓄電は電子機器１２の稜線部分に発生することになる。

【0053】

そこで、本実施の形態においては、可撓性基板３０上に積層されたカバー層２４のうち、電子機器１２の稜線５２に対応する部分にシールド膜５４を配置したので、電子機器１２の稜線部分での電界の集中が回避され、静電気による帯電、蓄電を効果的に低減できる。その結果、誤動作やセンサーの静電破壊といった故障の発生を抑制することができ、信頼性の高いタッチパネルを提供することができる。

【0054】

また、本実施の形態では、カバー層２４にシールド膜５４を形成することで、可撓性基板３０の表面３０ａへの第１端子配線部４６ａの配線形成及び可撓性基板３０の裏面３０ｂへの第２端子配線部４６ｂの配線形成を、シールド膜５４に制約されることなく行うことができる。

【0055】

なお、第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂとしては、上述した金属細線３８によるメッシュパターン３６を有する構造のほか、従来から使用されているＩＴＯ（酸化インジウムスズ）による透明電極膜を使用してもよい。また、導電性フィルム２６の裏面側と該裏面側と対向する電子機器１２の表面や側面との間に、空気層を介在させてもよいし、透明粘着剤を介在させてもよい。

【0056】

次に、本実施の形態に係るタッチパネル１０の変形例について図４Ａ〜図１２Ｂを参照しながら説明する。

【0057】

先ず、第１変形例に係るタッチパネル１０Ａは、本実施の形態に係るタッチパネル１０とほぼ同様の構成を有するが、図４Ａ及び図５に示すように、シールド膜５４が可撓性基板３０の表面３０ａに形成されている点で異なる。

【0058】

この場合、可撓性基板３０の表面３０ａに第１感知電極３２ａ及び第１結線部４８ａと共にシールド膜５４を形成することができるため、工程の簡略化を図ることができる。また、シールド膜５４を形成する際に、第１感知電極３２ａと同様に、金属細線３８のメッシュパターン３６によるシールド膜５４を形成することで、第１感知電極３２ａと同一の露光用マスクを使用することができ、さらなる工程の簡略化を図ることができる。

【0059】

なお、可撓性基板３０の表面３０ａへの第１端子配線部４６ａの配線形成が、シールド膜５４に制約されるため、少なくとも第１タッチパネル部４２Ａにおける第１端子配線部４６ａをスルーホール５６（内壁に導電材が形成された貫通孔）を介して可撓性基板３０の裏面３０ｂに導出することが好ましい。図５の例では、第１〜第５タッチパネル部４２Ａ〜４２Ｅの各第１端子配線部４６ａをそれぞれスルーホール５６を介して可撓性基板３０の裏面３０ｂに導出した例を示す。

【0060】

第２変形例に係るタッチパネル１０Ｂは、上述したタッチパネル１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、図４Ｂ及び図６に示すように、シールド膜５４が可撓性基板３０の裏面３０ｂに形成されている点で異なる。

【0061】

この場合も、可撓性基板３０の裏面３０ｂに第２感知電極３２ｂ及び第２結線部４８ｂと共にシールド膜５４を形成することができるため、工程の簡略化を図ることができる。

【0062】

なお、可撓性基板３０の裏面３０ｂへの第２端子配線部４６ｂの配線形成が、シールド膜５４に制約されるため、第２端子配線部４６ｂをスルーホール５６を介して可撓性基板３０の表面３０ａに導出することが好ましい。図６の例では、第１〜第５タッチパネル部４２Ａ〜４２Ｅの各第２端子配線部４６ｂをそれぞれスルーホール５６を介して可撓性基板３０の表面３０ａに導出した例を示す。

【0063】

上述したタッチパネル１０Ａでは、可撓性基板３０の表面３０ａのうち、電子機器１２の稜線５２に対応する部分にシールド膜５４を配置している。また、タッチパネル１０Ｂでは、可撓性基板３０の裏面３０ｂのうち、電子機器１２の稜線５２に対応する部分にシールド膜５４を配置している。従って、これらタッチパネル１０Ａ及び１０Ｂにおいても、電子機器１２の稜線部分での電界の集中が回避され、静電気による帯電、蓄電を効果的に低減できる。

【0064】

次に、第３変形例に係るタッチパネル１０Ｃは、本実施の形態に係るタッチパネル１０とほぼ同様の構成を有するが、図７に示すように、第１方向（ｙ方向）に沿って並ぶ第２センサ領域４０Ｂ、第１センサ領域４０Ａ及び第３センサ領域４０Ｃにわたって複数の第１感知電極３２ａが連続して形成され、第２方向（ｘ方向）に沿って並ぶ第４センサ領域４０Ｄ、第１センサ領域４０Ａ及び第５センサ領域４０Ｅにわたって複数の第２感知電極３２ｂが連続して形成されている点で異なる。

【0065】

すなわち、複数の第１感知電極３２ａは、第１タッチパネル部４２Ａ、第２タッチパネル部４２Ｂ及び第３タッチパネル部４２Ｃにおいて共通とされ、複数の第２感知電極３２ｂは、第１タッチパネル部４２Ａ、第４タッチパネル部４２Ｄ及び第５タッチパネル部４２Ｅにおいて共通とされている。

【0066】

この場合、第１タッチパネル部４２Ａの外周部に第１端子配線領域４４Ａ及び第２端子配線領域４４Ｂを区画する必要がないため、電子機器１２の表面のほぼ全域をセンサ領域とすることが可能となる。

【0067】

このタッチパネル１０Ｃでは、電子機器１２の稜線５２に対応する部分を跨ぐように第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂが形成されることから、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、可撓性基板３０以外の部分、例えばカバー層２４にシールド膜５４を形成することが好ましい。

【0068】

また、第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂとして、ＩＴＯを用いるよりも、金属細線３８によるメッシュパターン３６を用いることが好ましい。すなわち、従来使用されていたＩＴＯでは、成形性が不十分で三次元形状に変形した際に、割れや断線等が発生するという問題があるからである。

【0069】

つまり、三次元形状に成形した可撓性基板３０に第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂを形成することは困難が伴い、生産性及びコストの面でも問題が生じる。そこで、平面状の可撓性基板３０に第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂを形成して導電性フィルム２６とした後、導電性フィルム２６自体を三次元形状に成形することで、三次元形状を有する導電性フィルム２６を容易に作製することができる。しかしながら、上述したように、第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂをＩＴＯで構成した場合は、三次元形状への成形時に、割れや断線等が生じ、歩留まりが大幅に低下するという問題がある。一方、金属細線３８によるメッシュパターン３６は、加工性にも優れ、三次元形状に変形した際に、断線等が発生しにくいという利点がある。従って、三次元形状を有する導電性フィルム２６を断線等をほとんど生じさせずに容易に作製することができる。また、シールド膜５４として、金属細線３８によるメッシュパターン３６にて構成することで、シールド膜５４の断線も予防することができ、好ましい。

【0070】

次に、第４変形例に係るタッチパネル１０Ｄは、本実施の形態に係るタッチパネル１０とほぼ同様の構成を有するが、図８Ａに示すように、可撓性基板３０の表面３０ａ（裏面３０ｂでもよい）に、第１感知電極３２ａと第２感知電極３２ｂが形成されている点で異なる。

【0071】

第５変形例に係るタッチパネル１０Ｅは、上述したタッチパネル１０Ｄとほぼ同様の構成を有するが、図８Ｂに示すように、シールド膜５４が可撓性基板３０の表面３０ａに形成されている点で異なる。

【0072】

この場合、可撓性基板３０の表面３０ａへの第１端子配線部４６ａ及び第２端子配線部４６ｂの配線形成が、シールド膜５４に制約されるため、第１端子配線部４６ａ及び第２端子配線部４６ｂをスルーホール５６を介して可撓性基板３０の裏面３０ｂに導出することが好ましい。

【0073】

第６変形例に係るタッチパネル１０Ｆは、上述したタッチパネル１０Ｄとほぼ同様の構成を有するが、図８Ｃに示すように、シールド膜５４が可撓性基板３０の裏面３０ｂに形成されている点で異なる。

【0074】

この場合、第１端子配線部４６ａ及び第２端子配線部４６ｂの配線形成を、シールド膜５４に制約されることなく行うことができる。

【0075】

上述したタッチパネル１０Ｄ〜１０Ｆにおいても、電子機器１２の稜線部分での電界の集中が回避され、静電気による帯電、蓄電を効果的に低減できる。

【0076】

次に、第７変形例に係るタッチパネル１０Ｇは、本実施の形態に係るタッチパネル１０とほぼ同様の構成を有するが、図９Ａに示すように、導電性フィルム２６が以下のように異なる。

【0077】

すなわち、導電性フィルム２６は、２つの可撓性基板（第１可撓性基板３０Ａ及び第２可撓性基板３０Ｂ）を貼り合わせたタイプの導電性フィルム２６としてもよい。この導電性フィルム２６は、第１可撓性基板３０Ａの表面３０Ａａに第１感知電極３２ａ、第１端子配線部４６ａ及び第１結線部４８ａが形成され、第２可撓性基板３０Ｂの表面３０Ｂａに第２感知電極３２ｂ、第２端子配線部４６ｂ及び第２結線部４８ｂが形成されている。そして、第１可撓性基板３０Ａの裏面３０Ａｂと第２可撓性基板３０Ｂの表面３０Ｂａとの間に、例えば透明粘着剤を介在させて積層することで導電性フィルム２６が構成される。

【0078】

第８変形例に係るタッチパネル１０Ｈは、上述したタッチパネル１０Ｇとほぼ同様の構成を有するが、図９Ｂに示すように、シールド膜５４が第１可撓性基板３０Ａの表面３０Ａａに形成されている点で異なる。

【0079】

この場合、第１可撓性基板３０Ａの表面３０Ａａへの第１端子配線部４６ａの配線形成が、シールド膜５４に制約されるため、第１端子配線部４６ａをスルーホール５６を介して第１可撓性基板３０Ａの裏面３０Ａｂに導出することが好ましい。

【0080】

第９変形例に係るタッチパネル１０Ｉは、上述したタッチパネル１０Ｇとほぼ同様の構成を有するが、図１０Ａに示すように、シールド膜５４が第２可撓性基板３０Ｂの表面３０Ｂａに形成されている点で異なる。

【0081】

この場合、第２可撓性基板３０Ｂの表面３０Ｂａへの第２端子配線部４６ｂの配線形成が、シールド膜５４に制約されるため、第２端子配線部４６ｂをスルーホール５６を介して第２可撓性基板３０Ｂの裏面３０Ｂｂに導出することが好ましい。

【0082】

第１０変形例に係るタッチパネル１０Ｊは、上述したタッチパネル１０Ｇとほぼ同様の構成を有するが、図１０Ｂに示すように、シールド膜５４が第２可撓性基板３０Ｂの裏面３０Ｂｂに形成されている点で異なる。

【0083】

この場合、第１端子配線部４６ａ及び第２端子配線部４６ｂの配線形成を、シールド膜５４に制約されることなく行うことができる。

【0084】

これらタッチパネル１０Ｇ〜１０Ｊにおいても、上述したタッチパネル１０Ｄ〜１０Ｆと同様に、電子機器１２の稜線部分での電界の集中が回避され、静電気による帯電、蓄電を効果的に低減できる。

【0085】

次に、第１１変形例に係るタッチパネル１０Ｋは、本実施の形態に係るタッチパネル１０とほぼ同様の構成を有するが、図１１Ａに示すように、導電性フィルム２６が以下のように異なる。

【0086】

すなわち、導電性フィルム２６は、１つの可撓性基板３０の表面３０ａに絶縁層５８を積層したタイプの導電性フィルム２６としてもよい。この導電性フィルム２６は、絶縁層５８の表面５８ａに第１感知電極３２ａ、第１端子配線部４６ａ及び第１結線部４８ａが形成され、可撓性基板３０の表面３０ａに第２感知電極３２ｂ、第２端子配線部４６ｂ及び第２結線部４８ｂが形成されている。

【0087】

第１２変形例に係るタッチパネル１０Ｌは、上述したタッチパネル１０Ｋとほぼ同様の構成を有するが、図１１Ｂに示すように、シールド膜５４が絶縁層５８の表面５８ａに形成されている点で異なる。

【0088】

この場合、絶縁層５８の表面５８ａへの第１端子配線部４６ａの配線形成が、シールド膜５４に制約されるため、第１端子配線部４６ａをスルーホール５６を介して可撓性基板３０の表面３０ａに導出することが好ましい。

【0089】

第１３変形例に係るタッチパネル１０Ｍは、上述したタッチパネル１０Ｋとほぼ同様の構成を有するが、図１２Ａに示すように、シールド膜５４が可撓性基板３０の表面３０ａに形成されている点で異なる。

【0090】

この場合、可撓性基板３０の表面３０ａへの第２端子配線部４６ｂの配線形成が、シールド膜５４に制約されるため、第２端子配線部４６ｂをスルーホール５６を介して可撓性基板３０の裏面３０ｂに導出することが好ましい。

【0091】

第１４変形例に係るタッチパネル１０Ｎは、上述したタッチパネル１０Ｋとほぼ同様の構成を有するが、図１２Ｂに示すように、シールド膜５４が可撓性基板３０の裏面３０ｂに形成されている点で異なる。

【0092】

この場合、第１端子配線部４６ａ及び第２端子配線部４６ｂの配線形成を、シールド膜５４に制約されることなく行うことができる。

【0093】

これらタッチパネル１０Ｋ〜１０Ｎにおいても、上述したタッチパネル１０Ｇ〜１０Ｊと同様に、電子機器１２の稜線部分での電界の集中が回避され、静電気による帯電、蓄電を効果的に低減できる。

【0094】

次に、本実施の形態に係る導電性フィルム２６の好ましい態様について以下に説明する。

【0095】

各セル３４は、多角形で構成されている。多角形としては、三角形、四角形（正方形、長方形、平行四辺形、ひし形等）、五角形、六角形、ランダム多角形等が挙げられる。また、多角形を構成する辺の一部が曲線からなっていてもよい。セル３４の一辺の長さは５０〜５００μｍが好ましい。一辺の長さが短すぎると、開口率及び透過率が低下し、それに伴って、透明性が劣化するという問題がある。反対に、一辺の長さが長すぎると、金属細線３８が視認されやすくなる可能性がある。

【0096】

金属細線３８の線幅は１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは、１μｍ以上４μｍ以下である。第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂの表面抵抗は、０．１〜１００オーム／ｓｑ．の範囲にあることが好ましい。下限値は、１オーム／ｓｑ．以上、３オーム／ｓｑ．以上、５オーム／ｓｑ．以上、１０オーム／ｓｑ．以上であることが好ましい。上限値は、７０オーム／ｓｑ．以下、５０オーム／ｓｑ．以下であることが好ましい。

【0097】

上述した第１端子配線部４６ａ、第２端子配線部４６ｂ、第１端子部５０ａ、第２端子部５０ｂ等を構成する金属配線、並びに第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂを構成する金属細線は、それぞれ単一の導電性素材にて構成されているのが好ましい。単一の導電性素材は、銀、銅、金、アルミニウムのうちの１種類からなる金属、もしくはこれらの少なくとも１つを含む合金からなるのが好ましい。

【0098】

本実施の形態における導電性フィルム２６は、可視光透過率の点から少なくとも第１センサ領域４０Ａの開口率が８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがさらに好ましく、９５％以上であることが最も好ましい。開口率とは、金属細線３８を除いた透光性部分が全体に占める割合であり、例えば、線幅６μｍ、細線ピッチ２４０μｍの正方形の格子状の開口率は、９５％である。

【0099】

上述の例では、導電性フィルム２６を投影型静電容量方式のタッチパネル１０に適用した例を示したが、その他、表面型静電容量方式のタッチパネルや、抵抗膜式のタッチパネルにも適用することができる。

【0100】

なお、筐体１４は、電子機器１２のタッチパネル１０のほか、表示装置の電磁波シールドフィルムや、表示装置の表示パネルに設置される光学フィルムとしても利用することができる。表示装置としては液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ、無機ＥＬ等が挙げられる。

【0101】

導電性フィルム２６を製造する方法としては、例えば可撓性基板３０に感光性ハロゲン化銀塩を含有する乳剤層を有する感光材料を露光し、現像処理を施すことによって、露光部及び未露光部にそれぞれ金属部及び光透過性部を形成して第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂを形成するようにしてもよい。なお、さらに金属部に物理現像及び／又はめっき処理を施すことによって金属部に導電性金属を担持させるようにしてもよい。

【0102】

あるいは、可撓性基板３０上にめっき前処理材を用いて感光性被めっき層を形成し、その後、露光、現像処理した後にめっき処理を施すことにより、露光部及び未露光部にそれぞれ金属部及び光透過性部を形成して第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂを形成してもよい。なお、さらに金属部に物理現像及び／又はめっき処理を施すことによって金属部に導電性金属を担持させるようにしてもよい。

【0103】

めっき前処理材を用いる方法のさらに好ましい形態としては、次の２通りの形態が挙げられる。なお、下記のより具体的な内容は、特開２００３−２１３４３７号公報、特開２００６−６４９２３号公報、特開２００６−５８７９７号公報、特開２００６−１３５２７１号公報等に開示されている。

【0104】

（ａ） 可撓性基板３０上に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用する官能基を含む被めっき層を塗布し、その後、露光・現像した後にめっき処理して金属部を被めっき材料上に形成させる態様。

【0105】

（ｂ） 可撓性基板３０上に、ポリマー及び金属酸化物を含む下地層と、めっき触媒又はその前駆体と相互作用する官能基を含む被めっき層とをこの順に積層し、その後、露光・現像した後にめっき処理して金属部を被めっき材料上に形成させる態様。

【0106】

その他の方法としては、可撓性基板３０上に形成された金属箔上のフォトレジスト膜を露光、現像処理してレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出する金属箔をエッチングすることによって、第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂを形成するようにしてもよい。

【0107】

あるいは、可撓性基板３０上に金属微粒子を含むペーストを印刷し、ペーストに金属めっきを行うことによって、メッシュパターン３６を形成するようにしてもよい。

【0108】

あるいは、可撓性基板３０上に、メッシュパターン３６をスクリーン印刷版又はグラビア印刷版によって印刷形成するようにしてもよい。

【0109】

あるいは、可撓性基板３０上に、第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂをインクジェットにより形成するようにしてもよい。

【0110】

あるいは、フィルム上に樹脂層を形成し、エンボスパターンが形成されたモールドを樹脂層に圧着させて樹脂層に陰刻パターンを形成した後、樹脂層の陰刻パターンを含む全面に電極材料を塗布する。その後、樹脂層の表面上の電極材料を除去することによって、樹脂層の陰刻パターンに充填された電極材料によるメッシュパターンを形成するようにしてもよい。

【0111】

次に、本実施の形態に係る導電性フィルム２６において、特に好ましい態様であるハロゲン化銀写真感光材料を用いる方法を中心にして述べる。

【0112】

本実施の形態に係る導電性フィルム２６の製造方法は、感光材料と現像処理の形態によって、次の３通りの形態が含まれる。

【0113】

（１） 物理現像核を含まない感光性ハロゲン化銀黒白感光材料を化学現像又は熱現像して金属銀部を該感光材料上に形成させる態様。

【0114】

（２） 物理現像核をハロゲン化銀乳剤層中に含む感光性ハロゲン化銀黒白感光材料を溶解物理現像して金属銀部を該感光材料上に形成させる態様。

【0115】

（３） 物理現像核を含まない感光性ハロゲン化銀黒白感光材料と、物理現像核を含む非感光性層を有する受像シートを重ね合わせて拡散転写現像して金属銀部を非感光性受像シート上に形成させる態様。

【0116】

上記（１）の態様は、一体型黒白現像タイプであり、感光材料上に光透過性導電性膜等の透光性導電性膜が形成される。得られる現像銀は化学現像銀又は熱現像銀であり、高比表面のフィラメントである点で後続するめっき又は物理現像過程で活性が高い。

【0117】

上記（２）の態様は、露光部では、物理現像核近縁のハロゲン化銀粒子が溶解されて現像核上に沈積することによって感光材料上に光透過性導電性膜等の透光性導電性膜が形成される。これも一体型黒白現像タイプである。現像作用が、物理現像核上への析出であるので高活性であるが、現像銀は比表面の小さい球形である。

【0118】

上記（３）の態様は、未露光部においてハロゲン化銀粒子が溶解されて拡散して受像シート上の現像核上に沈積することによって受像シート上に光透過性導電性膜等の透光性導電性膜が形成される。いわゆるセパレートタイプであって、受像シートを感光材料から剥離して用いる態様である。

【0119】

いずれの態様もネガ型現像処理及び反転現像処理のいずれの現像を選択することもできる（拡散転写方式の場合は、感光材料としてオートポジ型感光材料を用いることによってネガ型現像処理が可能となる）。

【0120】

ここでいう化学現像、熱現像、溶解物理現像、拡散転写現像は、当業界で通常用いられている用語どおりの意味であり、写真化学の一般教科書、例えば菊地真一著「写真化学」（共立出版社、１９５５年刊行）、Ｃ．Ｅ．Ｋ．Ｍｅｅｓ編「Ｔｈｅ Ｔｈｅｏｒｙ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ， ４ｔｈ ｅｄ．」（Ｍｃｍｉｌｌａｎ社、１９７７年刊行）に解説されている。本件は液処理に係る発明であるが、その他の現像方式として熱現像方式を適用する技術も参考にすることができる。例えば、特開２００４−１８４６９３号、同２００４−３３４０７７号、同２００５−０１０７５２号の各公報、特願２００４−２４４０８０号、同２００４−０８５６５５号の各明細書に記載された技術を適用することができる。

【0121】

ここで、本実施の形態に係る導電性フィルム２６の各層の構成について、以下に詳細に説明する。

【0122】

［可撓性基板３０］
可撓性基板３０としては、例えば光ディスクの基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。具体的には、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；ＣＯＣ（シクロオレフィン共重合体）；ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）等を挙げることができ、所望によりこれらを併用してもよい。これらの材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び低価格等の点から、アモルファスポリオレフィン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂が好ましい。また、例えばインサート成形で可撓性基板３０を作製する場合は、ポリカーボネート、ＣＯＣ、ＣＯＰ等が好ましく、その中でも、薄肉形成において有利な流動性の高いポリカーボネートが特に好ましい。

【0123】

［銀塩乳剤層］
導電性フィルム２６の金属細線３８となる銀塩乳剤層は、銀塩とバインダーの他、溶媒や染料等の添加剤を含有する。

【0124】

本実施の形態に用いられる銀塩としては、ハロゲン化銀等の無機銀塩及び酢酸銀等の有機銀塩が挙げられる。本実施の形態においては、光センサーとしての特性に優れるハロゲン化銀を用いることが好ましい。

【0125】

銀塩乳剤層の塗布銀量（銀塩の塗布量）は、銀に換算して１〜３０ｇ／ｍ²が好ましく、１〜２５ｇ／ｍ²がより好ましく、５〜２０ｇ／ｍ²がさらに好ましい。この塗布銀量を上記範囲とすることで、導電性フィルム２６とした場合に所望の表面抵抗を得ることができる。

【0126】

本実施の形態に用いられるバインダーとしては、例えば、ゼラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、澱粉等の多糖類、セルロース及びその誘導体、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルアミン、キトサン、ポリリジン、ポリアクリル酸、ポリアルギン酸、ポリヒアルロン酸、カルボキシセルロース等が挙げられる。これらは、官能基のイオン性によって中性、陰イオン性、陽イオン性の性質を有する。

【0127】

本実施の形態の銀塩乳剤層中に含有されるバインダーの含有量は、特に限定されず、分散性と密着性を発揮し得る範囲で適宜決定することができる。銀塩乳剤層中のバインダーの含有量は、銀／バインダー体積比で１／４以上が好ましく、１／２以上がより好ましい。銀／バインダー体積比は、１００／１以下が好ましく、５０／１以下がより好ましい。また、銀／バインダー体積比は１／１〜４／１であることがさらに好ましい。１／１〜３／１であることが最も好ましい。銀塩乳剤層中の銀／バインダー体積比をこの範囲にすることで、塗布銀量を調整した場合でも抵抗値のばらつきを抑制し、均一な表面抵抗を有する導電性フィルム２６を得ることができる。なお、銀／バインダー体積比は、原料のハロゲン化銀量／バインダー量（重量比）を銀量／バインダー量（重量比）に変換し、さらに、銀量／バインダー量（重量比）を銀量／バインダー量（体積比）に変換することで求めることができる。

【0128】

＜溶媒＞
銀塩乳剤層の形成に用いられる溶媒は、特に限定されるものではないが、例えば、水、有機溶媒（例えば、メタノール等のアルコール類、アセトン等のケトン類、ホルムアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、酢酸エチル等のエステル類、エーテル類等）、イオン性液体、及びこれらの混合溶媒を挙げることができる。

【0129】

＜その他の添加剤＞
本実施の形態に用いられる各種添加剤に関しては、特に制限は無く、公知のものを好ましく用いることができる。

【0130】

［その他の層構成］
銀塩乳剤層の上に図示しない保護層を設けてもよい。また、銀塩乳剤層よりも下に、例えば下塗り層を設けることもできる。

【0131】

次に、導電性フィルム２６の作製方法の各工程について説明する。

【0132】

［露光］
本実施の形態では、第１感知電極３２ａ等を印刷方式によって施す場合を含むが、印刷方式以外は、第１感知電極３２ａ等を露光と現像等によって形成する。すなわち、可撓性基板３０上に設けられた銀塩含有層を有する感光材料又はフォトリソグラフィ用フォトポリマーを塗工した感光材料への露光を行う。露光は、電磁波を用いて行うことができる。電磁波としては、例えば、可視光線、紫外線等の光、Ｘ線等の放射線等が挙げられる。さらに露光には波長分布を有する光源を利用してもよく、特定の波長の光源を用いてもよい。

【0133】

［現像処理］
本実施の形態では、乳剤層を露光した後、さらに現像処理が行われる。現像処理は、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる通常の現像処理の技術を用いることができる。本発明における現像処理は、未露光部分の銀塩を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を含むことができる。本発明における定着処理は、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる定着処理の技術を用いることができる。

【0134】

現像、定着処理を施した感光材料は、水洗処理や安定化処理を施されるのが好ましい。

【0135】

現像処理後の露光部に含まれる金属部の質量は、露光前の露光部に含まれていた金属の質量に対して５０質量％以上の含有率であることが好ましく、８０質量％以上であることがさらに好ましい。露光部に含まれる金属の質量が露光前の露光部に含まれていた金属の質量に対して５０質量％以上であれば、高い導電性を得ることができるため好ましい。

【0136】

以上の工程を経て導電性フィルム２６は得られる。現像処理後の導電性フィルム２６に対しては、さらにカレンダー処理を行ってもよく、カレンダー処理により各透明導電層の表面抵抗を所望の表面抵抗（０．１〜１００オーム／ｓｑ．の範囲）に調整することができる。

【0137】

［物理現像及びめっき処理］
本実施の形態では、露光及び現像処理により形成された金属部の導電性を向上させる目的で、金属部に導電性金属粒子を担持させるための物理現像及び／又はめっき処理を行ってもよい。本発明では物理現像又はめっき処理のいずれか一方のみで導電性金属粒子を金属銀部に担持させてもよく、物理現像とめっき処理とを組み合わせて導電性金属粒子を金属部に担持させてもよい。なお、金属部に物理現像及び／又はめっき処理を施したものを含めて「導電性金属部」と称する。

【0138】

本実施の形態における「物理現像」とは、金属や金属化合物の核上に、銀イオン等の金属イオンを還元剤で還元して金属粒子を析出させることをいう。この物理現象は、インスタントＢ＆Ｗフィルム、インスタントスライドフィルムや、印刷版製造等に利用されており、本発明ではその技術を用いることができる。また、物理現像は、露光後の現像処理と同時に行っても、現像処理後に別途行ってもよい。

【0139】

本実施の形態において、めっき処理は、無電解めっき（化学還元めっきや置換めっき）、電解めっき、又は無電解めっきと電解めっきの両方を用いることができる。本実施の形態における無電解めっきは、公知の無電解めっき技術を用いることができ、例えば、プリント配線板等で用いられている無電解めっき技術を用いることができ、無電解めっきは無電解銅めっきであることが好ましい。

【0140】

［酸化処理］
本実施の形態では、現像処理後の金属部、並びに、物理現像及び／又はめっき処理によって形成された導電性金属部には、酸化処理を施すことが好ましい。酸化処理を行うことにより、例えば、光透過性部に金属が僅かに沈着していた場合に、該金属を除去し、光透過性部の透過性をほぼ１００％にすることができる。

【0141】

［可撓性基板等の厚み］
本実施の形態に係る導電性フィルム２６における可撓性基板３０の厚さは、５〜３５０μｍであることが好ましく、３０〜１５０μｍであることがさらに好ましい。５〜３５０μｍの範囲であれば所望の可視光の透過率が得られ、且つ、取り扱いも容易である。

【0142】

可撓性基板３０上に設けられる金属部（金属細線等）の厚さは、可撓性基板３０上に塗布される銀塩含有層用塗料の塗布厚みに応じて適宜決定することができる。金属部の厚さは、０．０１〜２００μｍから選択可能であるが、３０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましく、０．０１〜９μｍであることがさらに好ましく、０．０５〜５μｍであることが最も好ましい。また、金属部はパターン状であることが好ましい。金属部は１層でもよく、２層以上の重層構成であってもよい。

【0143】

本実施の形態に係る導電性フィルム２６の製造方法では、めっき等の工程は必ずしも行う必要はない。本実施の形態に係る導電性フィルム２６の製造方法では銀塩乳剤層の塗布銀量、銀／バインダー体積比を調整することで所望の表面抵抗を得ることができるからである。なお、必要に応じてカレンダー処理等を行ってもよい。また、金属細線とした後に、該金属細線には、少なくとも金属粒子とバインダーを含むようにしてもよい。この場合、金属細線にて構成される第１感知電極３２ａ及び第２感知電極３２ｂを、金属細線の断線をほとんど引き起こすことなく、可撓性基板３０の三次元形状に追従して変形させることができる。

【0144】

［現像処理後の硬膜処理］
銀塩乳剤層に対して現像処理を行った後に、硬膜剤に浸漬して硬膜処理を行うことが好ましい。硬膜剤としては、例えば、グルタルアルデヒド、アジポアルデヒド、２，３−ジヒドロキシ−１，４−ジオキサン等のジアルデヒド類及びほう酸等の特開平２−１４１２７９号公報に記載のものを挙げることができる。

【0145】

本実施の形態に係る導電性フィルム２６には、反射防止層等の機能層を付与してもよい。

【0146】

［カレンダー処理］
金属部にカレンダー処理を施して平滑化するようにしてもよい。これによって金属部の導電性が顕著に増大する。カレンダー処理は、カレンダーロールにより行うことができる。カレンダーロールは通常一対のロールからなる態様が好ましい。

【0147】

カレンダー処理に用いられるロールとしては、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド等のプラスチックロール又は金属ロールが好適に用いられる。特に、両面に乳剤層を有する場合は、金属ロール同士で処理することが好ましい。片面に乳剤層を有する場合は、シワ防止の点から金属ロールとプラスチックロールの組み合わせとすることもできる。線圧力の上限値は１９６０Ｎ／ｃｍ（２００ｋｇｆ／ｃｍ、面圧に換算すると６９９．４ｋｇｆ／ｃｍ²）以上、さらに好ましくは２９４０Ｎ／ｃｍ（３００ｋｇｆ／ｃｍ、面圧に換算すると９３５．８ｋｇｆ／ｃｍ²）以上である。線圧力の上限値は、６８８０Ｎ／ｃｍ（７００ｋｇｆ／ｃｍ）以下である。

【0148】

カレンダーロールで代表される平滑化処理の適用温度は１０℃（温調なし）〜１００℃が好ましく、より好ましい温度は、金属メッシュパターンや金属配線パターンの画線密度や形状、バインダー種によって異なるが、おおよそ１０℃（温調なし）〜５０℃の範囲にある。

【0149】

なお、本発明は、下記表１及び表２に記載の公開公報及び国際公開パンフレットの技術と適宜組合わせて使用することができる。「特開」、「号公報」、「号パンフレット」等の表記は省略する。

【0150】

【表1】

【0151】

【表2】

【0152】

なお、本発明に係るタッチパネルは、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

【符号の説明】

【0153】

１０、１０Ａ〜１０Ｎ…タッチパネル １２…電子機器
１４…筐体 １６ａ、３０ａ…表面
１６ｂ、３０ｂ…裏面 １８ａ〜１８ｄ…側面
２４…カバー層 ２６…導電性フィルム
３０…可撓性基板 ３２ａ…第１感知電極
３２ｂ…第２感知電極 ３４…セル
３６…メッシュパターン ３８…金属細線
４０Ａ〜４０Ｅ…第１センサ領域〜第５センサ領域
４２Ａ〜４２Ｅ…第１タッチパネル部〜第５タッチパネル部
４４Ａ〜４４Ｅ…第１端子配線領域〜第５端子配線領域
４６ａ、４６ｂ…第１端子配線部、第２端子配線部
５２…稜線 ５４…シールド膜
５６…スルーホール ５８…絶縁層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】