技術分野
基板に対してめっきを施すめっき処理方法、めっき処理システムおよび記憶媒体
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
上述のようにCu拡散防止膜としてのバリア膜は、めっき処理により形成され、その後に焼きしめられて、内部の水分除去および金属間結合が強化される。
上述のように、基板は凹部を有し、Cu拡散防止膜としてのバリア膜は、基板のうち凹部内面および凹部外側の基板外面に形成される。しかしながら基板外面に形成されたバリア膜は、基板処理時に基板に対して働く外力等により剥離されてしまうことがあり、この場合は製造された多層基板に不具合が生じてしまう。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、基板上にめっき処理によりバリア膜等のめっき層を形成した場合、とりわけ凹部外側の基板外面に形成されためっき層が基板から剥離することのないめっき処理方法、めっき処理システム、および記憶媒体を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、基板に形成された凹部に対してめっき処理を施すめっき処理方法において、前記凹部が形成された基板を準備する工程と、基板に対して真空蒸着処理を施して、基板の前記凹部の外側の基板外面および前記凹部の内面の上部のみ、または前記凹部の外側の基板外面のみに金属の真空蒸着処理層を形成する工程と、基板に対してめっき液を用いて無電解めっき処理を施して、真空蒸着処理層上および前記凹部の前記内面に特定機能・・・ 続きを
知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、基板に対して真空蒸着処理を施して基板上に真空蒸着処理層を形成し、基板に対してめっき処理を施して、この真空蒸着処理層上にめっき層を形成したので、真空蒸着処理層が基板上に下地層として形成され、この下地層としての真空蒸着処理層によって基板の表面が平滑化される。このため下地層としての真空蒸着処理層によって、めっき層を密着性良く基板上に形成することができ、基板処理時に基板に対して働く外力等によりめっき層が脱落したり剥離されことを防止することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)
この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】 図1は、本発明の実施の形態におけるめっき処理システムを示すブロック図。
【図2】 図2は、本発明の実施の形態におけるめっき処理方法を示すフローチャート。
【図3】 図3(a)〜(g)は、本発明の実施の形態におけるめっき処理方法が施される基板を示す図。
【図4】 図4は、Cu拡散防止膜としてのめっき層積層体を示す断面図。
【図5】 図5は、めっき層形成部を示す側断面図。
【図6】 図6は、めっき層形成部を示す平面図。
【図7】 図7は、めっき層焼きしめ部を示す側断面図。
【図8】 図8は、真空蒸着処理層形成部を示す側断面図。
【図9】 図9は、本発明の変形例を示すシード膜としてのめっき層積層体を示す断面図。
【図10】 図10(a)(b)は、基板上に形成された真空蒸着処理層を示す図。
【図11】 図11は、本発明の変形例を示すめっき処理方法が施される基板を示す図。
2 基板
2A 真空蒸着処理層
2a 凹部
10 めっき処理システム
11 基板搬送アーム
12 密着層形成部
13 触媒吸着層形成部
14 めっき層形成部
15 めっき層焼きしめ部
15A ホットプレート
15a 密閉ケーシング
15b 排気口
15c N2ガス供給口
16 無電解Cuめっき層形成部
17 電解Cuめっき層形成部
18 カセットステーション
19 制御部
19A 記憶媒体
21 密着層
22 触媒吸着層
23 めっき層積層体
23a 第1めっき層
23b 第2めっき層
24 無電解Cuめっき層
25 電解Cuめっき層
27 真空蒸着処理層形成部
全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録