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特許 6054213出願番号 特願 2013-47514
支持部材及び半導体製造装置
出願人 東京エレクトロン株式会社（識別番号 219967）
2026年 特許公開件数ランキング 36位 485件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 25位 519件（※）
公報発行日 2016年12月27
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6054213 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかし、支持部材の表面と裏面とに２枚の基板を貼り合わせ、一般的な縦型炉の基板支持部材にシリコン基板を設置し、熱処理を行うと、シリコン基板の熱膨張の影響で反りが発生しまう場合がある。特に、基板支持部材の下側に設けられた基板では、シリコン基板の自重の影響も加わり、より強い反り（基板の垂れ）が発生しやすい。さらに、このように反った基板の裏面に、成膜の回り込みが発生してしまうという問題がある。 本発明は、問題に鑑みてなされたものであり、熱処理時、特に、成膜時の基板の反りを抑制することが可能な支持部材、及び、これを有する半導体製造装置を提供することを目的とする。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】本発明の実施の形態の半導体製造装置を示す図である。
【図2】ウエハボートの構造を示す図である。
【図3】本実施の形態の支持部材の一例を示す平面図である。
【図4】図３に示すＩＢ−ＩＢ線断面図である。
【図5】ウエハボートと本発明の実施の形態の支持部材との位置関係を説明する図である。
【図6】ウエハボートにウエハ及び支持部材が保持された状態を示す図である。
【図7】制御部の構成を示す図である。
【図8A】本実施の形態の支持部材と、壁を設けない支持部材とにおける、表面の成膜量に対する裏面の成膜量の比率を示すグラフである。
【図8B】図８Ａの一部を拡大したグラフである。
【図9A】本実施の形態の支持部材と、内周面をテーパー状に形成していない壁を有する支持部材とにおける、表面の成膜量に対する裏面の成膜量の比率を示すグラフである。
【図9B】図９Ａの一部を拡大したグラフである。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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