特許6054279IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

基板に対して金属配線層を形成する金属配線層形成方法、金属配線層形成装置および記憶媒体

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、基板の凹部内にめっき処理により金属配線層を容易かつ簡単に形成することができ、凹部内に形成された金属配線層は凹部の外方に形成されることがない金属配線層形成方法、金属配線層形成装置、および記憶媒体を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、基板に対して金属配線層を形成する金属配線層形成方法において、絶縁層を含む凹部を有するとともに、凹部の底面にタングステン層が形成された基板を準備する工程と、凹部の絶縁層の表面に触媒層を形成することなく、凹部の底面のタングステン層上に触媒層を形成する工程と、凹部内の触媒層上に金属配線層をめっき処理により形成する工程とを備えたことを特徴とする金属配線層形成方法である。
【発明の効果】
本発明によれば、基板の凹部内に金属配線層を容易かつ簡単に形成することができ、形成された金属配線層が凹部外方に形成されることがない。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】図1は、本発明の第1の実施の形態における金属配線層形成方法を示すフローチャート。

【図2】図2は、本発明の第1の実施の形態における金属配線層形成方法を示す模式図。

【図3】図3(a)〜(e)は、本発明の第1の実施の形態における金属配線層形成方法が施される基板を示す図。

【図4】図4は、本発明の第1の実施の形態における金属配線層形成装置を示すブロック図。

【図5】図5は、本発明の第2の実施の形態における金属配線層形成方法を示すフローチャート。

【図6】図6は、本発明の第2の実施の形態における金属配線層形成装置を示すブロック図。

【図7】図7は、比較例としての金属配線層形成方法を示すフローチャート。

【図8】図8は、比較例としての金属配線層形成方法を示す模式図。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

2 基板   3 凹部   3a 底面   3b 表面   5 触媒層   7 金属配線層   10 金属配線層形成装置   11 酸化膜除去部   12 触媒層形成部   13 触媒層焼成部   14 金属配線層形成部   16 シリル化剤付与部   17 密着層形成部   20 制御装置   21 記憶媒体   W タングステン層

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