特許6054343IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

開示の基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、特許文献1に記載の技術のように物理力を利用してパーティクルを除去する手法では、基板の表面に形成されたパターンが物理力によって倒壊するおそれがあった。 また、特許文献2に記載の技術のように、薬液の化学的作用を利用してパーティクルを除去する手法では、たとえばエッチング作用等によって基板の下地膜が侵食されるおそれがあった。 実施形態の一態様は、パターン倒れや下地膜の侵食を抑えつつ、基板に付着したパーティクルを除去することのできる基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

実施形態の一態様に係る基板洗浄装置は、第1の液供給部と、第2の液供給部とを備える。第1の液供給部は、揮発成分と固化または硬化する際に体積が収縮する性質を有する合成樹脂とを含み基板上に膜を形成するための処理液を基板へ供給する。第2の液供給部は、第1の液供給部によって基板に供給され、揮発成分が揮発することによって基板上で硬化した処理液に対して処理液の全てを溶解させる除去液を供給し、基板上に残存す・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
実施形態の一態様によれば、パターン倒れや下地膜の侵食を抑えつつ、基板に付着したパーティクルを除去することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】図1は、第1の基板洗浄システムの概略構成を示す模式図である。

【図2A】図2Aは、基板洗浄方法の説明図である。

【図2B】図2Bは、基板洗浄方法の説明図である。

【図2C】図2Cは、基板洗浄方法の説明図である。

【図3】図3は、第1の基板洗浄装置の構成を示す模式図である。

【図4】図4は、基板洗浄装置が実行する基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。

【図5A】図5Aは、基板洗浄装置の動作説明図である。

【図5B】図5Bは、基板洗浄装置の動作説明図である。

【図5C】図5Cは、基板洗浄装置の動作説明図である。

【図5D】図5Dは、基板洗浄装置の動作説明図である。

【図5E】図5Eは、基板洗浄装置の動作説明図である。

【図5F】図5Fは、基板洗浄装置の動作説明図である。

【図6】図6は、第2の基板洗浄装置の構成を示す模式図である。

【図7】図7は、第3の基板洗浄装置の構成を示す模式図である。

【図8】図8は、第3の基板洗浄装置の動作説明図である。

【図9】図9は、第4の基板洗浄装置の構成を示す模式図である。

【図10A】図10Aは、第5の回転保持機構の構成を示す模式図である。

【図10B】図10Bは、第5の回転保持機構の構成を示す模式図である。

【図11A】図11Aは、ウェハの持ち替えタイミングを示す図である。

【図11B】図11Bは、ウェハの持ち替えタイミングの他の例を示す図である。

【図12A】図12Aは、本洗浄方法と2流体洗浄との比較条件の説明図である。

【図12B】図12Bは、本洗浄方法と2流体洗浄との比較条件の説明図である。

【図13】図13は、本洗浄方法と2流体洗浄との比較結果を示す図である。

【図14】図14は、本洗浄方法と薬液洗浄との比較結果を示す図である。

【図15】図15は、本洗浄方法と薬液洗浄との比較結果を示す図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

W ウェハ   5 基板洗浄装置   6 制御装置   9 減圧装置   10 チャンバ   11 排気口   20 基板保持部   21 回転保持機構   22 気体供給部   30A,30B 液供給部   31A〜31E ノズル   40 回収カップ   41 排液口   42 排気口   50 気流形成ユニット   100 基板洗浄システム

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