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特許 6054695出願番号 特願 2012-216043
成膜装置
出願人 東京エレクトロン株式会社（識別番号 219967）
2026年 特許公開件数ランキング 37位 499件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 25位 531件（※）
公報発行日 2016年12月27
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6054695 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
ところが，ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスは，温度が低いと常温でも非常に反応し易いので，従来のようにチャンバ外において共通配管を通して他のガスと混合させると，これらのガスが反応して反応副生成物が生成されて配管の内壁に付着して堆積し，パーティクル発生の原因になり易い。 このため，ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスは他のガスと同時に導入せず，パージしながら交互に導入したり，チャンバ外の共通配管を加熱したりすることも考えられる。 しかしながら，チャンバ外においては共通配管のすべての部分を加熱するのは構造上難しい場合も多く，共通配管に常温の部分が残っているとそこで反応してパーティクルが発生する虞がある。また，ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスは非常に反応し易いため，パージしても配管内に残留していると他のガスと反応してパーティクルが発生してしまう。特にＳｉＨ２Ｃｌ２ガスはＮＨ３ガスと非常に反応し易いので，僅かでもＳｉＨ２Ｃｌ２ガスが残留していると，ＮＨ３ガスを通したときに反応副生成物が生成されて配管内に付着し，パーティクルが発生してしまう。 この場合，共通配管にできるだけガスを残留させないようにパージ時間を長くすることも可能であるが，パージ時間を長くするほどスループットが低下してしまうため，好ましくない。 そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，少なくともチャンバ外においては，ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスが他の処理ガスと混合しないようにすることができ，これらのガスの反応副生成物によるパーティクルの発生を抑制できる成膜装置を提供することにある。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】本発明の実施形態にかかる成膜装置の構成例を説明するための図である。
【図2】同実施形態にかかる成膜装置の他の構成例を説明するための図である。
【図3】同実施形態におけるチャンバの構成例を示す断面図である。
【図4】同実施形態におけるチャンバの他の構成例を示す断面図である。
【図5】同実施形態にかかる成膜装置を用いて実行される成膜処理の具体例を説明するためのタイミングチャートである。
【図6】同実施形態にかかる載置台にリング状部材を設けた場合を説明するための斜視図である。
【図7】リング状部材を設けた載置台を上方から見た斜視図である。
【図8A】リング状部材を設けない載置台上の周方向のガス速度を示す図である。
【図8B】リング状部材を設けた載置台上の周方向のガス速度を示す図である。
【図9】図７に示すリング状部材の変形例を示す平面図である。
【図10】図３に示すシャワーヘッドにおいてコンダクタンスを調整したガス吐出孔の配置例を示す平面図である。
【図11】図１０に示すシャワーヘッドの効果を確認する実験を行った結果をグラフに示した図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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