特許6054856IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

絶縁領域の形成方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

方法では、絶縁領域の高さが形成位置に応じてばらつく場合がある。このばらつきが大きくなると、絶縁領域の高さが部分的に不足するおそれがある。 そこで本発明は、基板の表面の凹部ごとに絶縁領域を形成する際に、形成位置に応じた絶縁領域の高さのばらつきを抑制できる方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明者等は、絶縁領域の高さが形成位置に応じてばらつく現象について詳細に調査研究を行った結果、凹部の幅に応じて絶縁領域の高さに差異が生じる傾向を見出した。具体的に、幅が狭い凹部内では、幅が広い凹部内に比べ、絶縁領域の高さが低くなる傾向がある。この要因として、凹部の幅が狭くなるのに応じて、焼成時に絶縁材料に生じる応力が大きくなり、エッチング液に対する絶縁体の耐性が低下することが考えられる。
【発明の効果】
本発明によれば、基板の表面の凹部ごとに絶縁領域を形成する際に、形成位置に応じた絶縁領域の高さのばらつきを抑制できる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】第1形成手順を示すフローチャートである。

【図2】第1形成手順に応じた絶縁領域の形成過程を示す模式図である。

【図3】第1基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。

【図4】図3中のIV−IV線に沿う断面図である。

【図5】図4中のV−V線に沿う断面図である。

【図6】図4中のVI−VI線に沿う断面図である。

【図7】第2形成手順を示すフローチャートである。

【図8】第2形成手順に応じた絶縁領域の形成過程を示す模式図である。

【図9】第2塗布・エッチング装置の断面図である。

【図10】第3形成手順を示すフローチャートである。

【図11】第3形成手順に応じた絶縁領域の形成過程を示す模式図である。

【図12】第3基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。

【図13】比較例に係る絶縁領域の電子顕微鏡写真である。

【図14】実施例に係る絶縁領域の電子顕微鏡写真である。

【図15】実施例及び比較例に係る絶縁領域の電子顕微鏡写真である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

F…表面、F1…中央部分、F2…側縁部分、IA…絶縁領域、IB1…絶縁体、IB2…絶縁体、IM…絶縁材料、W…ウェハ、Wa…表面、Wt…トレンチ。

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

[広告欄]

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります