特許6055387IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

基板上に複数のチップを接合する接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、上述した特許文献1に記載された方法によれば、チップの接合が1枚ずつ行われるため、複数のチップを接合するのに多大な時間を要し、半導体デバイスの製造のスループット向上に改善の余地があった。 そこで発明者らは、ウェハ上に複数のチップを配置した後、一度にウェハと複数のチップを加熱しながら押圧することを試みた。しかしながら、ウェハ上のバンプやチップ上のバンプの高さが異なる場合がある。また、ウェハの裏面は研磨処理されているが、当該研磨処理によりウェハの厚みがウェハ面内で均一でない場合もある。かかる場合、ウェハ上に複数のチップを配置した際、複数のチップの高さがばらつき、ウェハと複数のチップを均一に押圧することができない。例えばウェハとチップを押圧する際の圧力が小さ過ぎると、当該ウェハとチップの接合強度が不十分になる。一方、例えばウェハとチップを押圧する際の圧力が大き過ぎると、バンプが変形するおそれがあり、さらには半導体デバイスが損傷を被るおそれもある。このようにウェハと複数のチップを適切に接合することができなかった。 本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板上に複数のチップを効率よく接合すると共に、当該接合を適切に行うことを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

前記の目的を達成するため、本発明は、基板上に複数のチップを接合する接合方法であって、基板上に前記複数のチップが配置された状態で、当該チップ上に熱硬化性膜を形成する熱硬化性膜形成工程と、第1の支持部で基板を保持し、前記熱硬化性膜が硬化しない第1の温度で当該基板を熱処理しながら、前記複数のチップ上の前記熱硬化性膜に第2の支持部を当接させる配置工程と、前記第1の温度より高い第2の温度で基板を熱処理・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、基板上に複数のチップを効率よく接合すると共に、当該接合を適切に行うことができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】本実施の形態にかかる接合システムの構成の概略を示す平面図である。

【図2】本実施の形態にかかる接合システムの内部構成の概略を示す側面図である。

【図3】ウェハと複数のチップの斜視図である。

【図4】ウェハとチップの側面図である。

【図5】接合装置の構成の概略を示す縦断面図である。

【図6】接合装置において処理容器が密閉された様子を示す説明図である。

【図7】熱硬化性膜除去装置の構成の概略を示す縦断面図である。

【図8】熱硬化性膜形成装置の構成の概略を示す縦断面図である。

【図9】熱硬化性膜形成装置の構成の概略を示す横断面図である。

【図10】塗布ノズルの構成の概略を示す斜視図である。

【図11】接合処理の主な工程を示すフローチャートである。

【図12】接合システムに搬送されるウェハと複数のチップを示す説明図である。

【図13】複数のチップ上に剥離膜が形成された様子を示す説明図である。

【図14】複数のチップ(剥離膜)上に熱硬化性剤が塗布される様子を示す説明図である。

【図15】複数のチップ(剥離膜)上に熱硬化性膜が形成された様子を示す説明図である。

【図16】複数の熱硬化性膜が変形した様子を示す説明図である。

【図17】複数の熱硬化性膜が硬化した様子を示す説明図である。

【図18】ウェハと複数のチップが接合される様子を示す説明図である。

【図19】第2の保持部に複数の熱硬化性膜が吸着保持された様子を示す説明図である。

【図20】熱硬化性膜が連続的に剥離される様子を示す説明図である。

【図21】複数の熱硬化性膜が剥離された様子を示す説明図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

1 接合システム   2 搬入出ステーション   3 搬入出ステーション   30、31 接合装置   32、33 熱硬化性膜除去装置   40、41 剥離膜形成装置   42、43 熱硬化性膜形成装置   44〜49 熱処理装置   120 減圧機構   130 第1の支持部   131 第2の支持部   141 第1の加熱機構   170 第2の加熱機構   190 押圧機構   322 塗布ノズル   322a 吐出口   323 ノズル駆動部   400 制御部   Bw、Bc バンプ   C チップ   D 剥離膜   S 熱硬化性剤   T 熱硬化性膜   W ウェハ

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