特許6055537IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

被処理基板にプラズマ処理を施す技術に係り、特に処理容器内に供給される高周波のパワーをパルスに変調するパワー変調方式の容量結合型プラズマ処理方法

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】本発明の一実施形態におけるプラズマ処理方法を実施するのに好適な容量結合型プラズマ処理装置の構成を示す断面図である。

【図2A】プラズマ処理装置におけるパワー変調の一例を示す高周波の波形図である。

【図2B】プラズマ処理装置におけるパワー変調の別の例を示す高周波の波形図である。

【図3A】パワー変調をかけられる側の高周波およびその側波帯(変調分)のスペクトルを示す図である。

【図3B】整合がとれている場合の反射波のスペクトルを示す図である。

【図4A】パワー変調をかけられない側の高周波およびその側波帯(変調分)のスペクトルを示す図である。

【図4B】整合がとれている場合の反射波のスペクトルを示す図である。

【図5】プラズマ生成用の高周波電源および整合器の構成を示すブロック図である。

【図6】図5の整合器内の構成を示すブロック図である。

【図7】イオン引き込み用高周波電源および整合器の構成を示すブロック図である。

【図8】図7の整合器内の構成を示すブロック図である。

【図9】実施形態における整合器の作用を説明するための各部の波形図である。

【図10】実施形態における移動平均値演算の作用を説明するための図である。

【図11】実施形態における移動平均値演算の作用を説明するための図である。

【図12】実施形態におけるスミスチャート上の整合動作点の分布(一例)を示す図である。

【図13】一変形例におけるインピーダンスセンサの構成を示すブロック図である。

【図14】一変形例におけるインピーダンスセンサの構成を示すブロック図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

10 チャンバ   16 サセプタ(下部電極)   36 (プラズマ生成用)高周波電源   38 (イオン引き込み用)高周波電源   40,42 整合器   43,45 高周波給電ライン   46 上部電極(シャワーヘッド)   56 処理ガス供給源   72 主制御部   88A,88B 整合回路   94A,94B マッチングコントローラ   96A,96B インピーダンスセンサ   100A,100B RF電圧検出器   102A,102B 電圧検知信号生成回路   104A,104B,112A,112B サンプリング平均値演算回路    106A,106B,114A,114B 移動平均値演算回路    116A,116B 負荷インピーダンス測定値演算回路   120A,120B 負荷インピーダンス測定値演算回路   122A,122B サンプリング平均値演算回路    124A,124B 移動平均値演算回路   

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