【図1】一プラズマ処理装置の構成を示す概略断面図である。

【図2】ベベルカバーリングの周辺を拡大して模式的に示す断面図である。

【図3】静電チャックにウェハが支持される際の、ウェハ及びベベルカバーリングの状態を模式的に示す断面図（その１）である。

【図4】静電チャックにウェハが支持される際の、ウェハ及びベベルカバーリングの状態を模式的に示す断面図（その２）である。

【図5】静電チャックにウェハが支持される際の、ウェハ及びベベルカバーリングの状態を模式的に示す断面図（その３）である。

【図6】静電チャックにウェハが支持される際の、ウェハ及びベベルカバーリングの状態を模式的に示す断面図（その４）である。

【図7】上側リング部材の庇部により覆われた状態で静電チャックに支持されているウェハの状態を拡大して示す断面図である。

【図8】ウェハの外周部を覆う上側カバー部材が設けられていない場合に、ウェハの外周部においてウェハの基体表面に表面荒れが生ずる様子を説明するための断面図である。

【図9】ウェハに形成される貫通孔が傾斜する様子を説明するための断面図である。

【図10】エッチングにより形成された貫通孔の中心軸の垂直方向からの傾斜角を、ウェハの外縁からの距離の異なる各点で測定した結果を示すグラフである。

【図11】実験例１、２の異なる条件を用いてアッシングしたときのレジストのアッシングレートを、ウェハの外縁からの距離の異なる各点で測定した結果を示すグラフである。

【図12】アッシングの前後におけるレジスト膜の厚さを、ウェハの外縁からの距離の異なる各点で測定した結果を示すグラフである。

【図13】貼り合わせウェハの構成を模式的に示す断面図である。

【図14】貼り合わせウェハの製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その１）である。

【図15】貼り合わせウェハの製造方法を説明するための図であり、各工程におけるウェハの状態を模式的に示す断面図（その２）である。

【図16】イオンとラジカルの振る舞いの違いを説明する概要図である。

【図17】エッチングレート及びアッシングレートのクリアランス長依存性を示すグラフである。

【図18】図１７の一部の範囲を示すグラフである。

【図19】ベベルカバーリングの高さ位置（クリアランスの長さ）を調整したプラズマ処理のフローチャートである。

【図20】ベベルカバーリングの高さ位置（クリアランスの長さ）を説明する概要図である。

【図21】ベベルカバーリングの高さ位置を調整しない場合における、エッチングレート及びアッシングレートの面内位置依存性を示すグラフである。

【図22】ベベルカバーリングの高さ位置を調整した場合における、エッチングレート及びアッシングレートの面内位置依存性を示すグラフである。

【図23】Ｓｉ基板面内温度のシミュレーション結果である。（ａ）は比較例１の基板載置台に載置した場合のシミュレーション結果、（ｂ）は実施例１の基板載置台に載置した場合のシミュレーション結果である。

【図24】ＳｉＯ_２基板面内温度のシミュレーション結果である。（ａ）は比較例２の基板載置台に載置した場合のシミュレーション結果、（ｂ）は実施例２の基板載置台に載置した場合のシミュレーション結果である。

【図25】比較例３の基板載置台及び実施例３の基板載置台における中心位置に依存した電界のシミュレーション結果である。

【図26】比較例４の基板載置台及び実施例４，５の基板載置台に載置された基板にホールを形成する際の条件である。

【図27】比較例４の基板載置台に載置された基板に形成されたホールの断面ＳＥＭ像である。

【図28】図２７に示すホールのデータである。

【図29】実施例４の基板載置台に載置された基板に形成されたホールの断面ＳＥＭ像である。

【図30】図２９に示すホールのデータである。

【図31】実施例５の基板載置台に載置された基板に形成されたホールの断面ＳＥＭ像である。

【図32】図３１に示すホールのデータである。