特許 6077822 ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6077822

(24)【登録日】2017年1月20日

(45)【発行日】2017年2月8日

(54)【発明の名称】ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法

(51)【国際特許分類】

   H05G 2/00 20060101AFI20170130BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20170130BHJP

   G21K 5/08 20060101ALN20170130BHJP

【ＦＩ】

   H05G2/00 K

   H01L21/30 531S

   !G21K5/08 X

【請求項の数】4

【全頁数】30

(21)【出願番号】特願2012-232890(P2012-232890)

(22)【出願日】2012年10月22日

(65)【公開番号】特開2013-179029(P2013-179029A)

(43)【公開日】2013年9月9日

【審査請求日】2015年9月10日

(31)【優先権主張番号】特願2012-27609(P2012-27609)

(32)【優先日】2012年2月10日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】300073919

【氏名又は名称】ギガフォトン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100083116

【弁理士】

【氏名又は名称】松浦 憲三

(74)【代理人】

【識別番号】110000383

【氏名又は名称】特許業務法人 エビス国際特許事務所

(74)【代理人】

【識別番号】110000637

【氏名又は名称】特許業務法人樹之下知的財産事務所

(72)【発明者】

【氏名】薮 隆之

(72)【発明者】

【氏名】若林 理

【審査官】 遠藤 直恵

(56)【参考文献】

【文献】 特表２００８−５３２２２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２００８−５３２２９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−１９３０１４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｇ ２／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光装置で用いられるターゲット供給装置であって、
タンクと、
貫通孔を備えたノズルであって、当該貫通孔と前記タンク内部とが連通するように設置されたノズルと、
前記タンクの壁に沿って設置された少なくともヒータと、
前記タンクの内部においてタンクの内壁から離れた位置に設けられた弱加熱部と、
前記少なくともヒータの温度が、前記弱加熱部の温度よりも高くなるように、前記少なくともヒータと弱加熱部とを制御するように構成された制御部と、
を含むターゲット供給装置。

【請求項2】

ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光装置で用いられるターゲット供給方法であって、
前記請求項１記載のターゲット供給装置、を用い、
前記ヒータの温度が、前記弱加熱部の温度より高い状態を維持するよう前記ヒータおよび前記弱加熱部を制御してターゲット物質を溶融するステップと、
前記ヒータの温度が、前記弱加熱部の温度より高い状態を維持するよう前記ヒータおよび前記弱加熱部を制御してターゲット物質の温度を所定温度範囲に保持するステップと、
前記ヒータの温度が、前記弱加熱部の温度より高い状態を維持するよう前記ヒータおよび前記弱加熱部を制御してターゲット物質を固化するステップと、
のいずれかを含むターゲット供給方法。

【請求項3】

前記タンクに温度センサをさらに備え、
前記制御部は、前記温度センサからの信号に基づいて、前記ヒータおよび前記弱加熱部を制御する、
前記請求項１記載のターゲット供給装置。

【請求項4】

ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光装置で用いられるターゲット供給方法であって、
前記請求項３記載のターゲット供給装置、を用い、
前記温度センサからの信号に基づいて、前記ヒータの温度が、前記弱加熱部の温度より高い状態を維持するよう前記ヒータおよび前記弱加熱部を制御してターゲット物質を溶融するステップと、
前記温度センサからの信号に基づいて、前記ヒータの温度が、前記弱加熱部の温度より高い状態を維持するよう前記ヒータおよび前記弱加熱部を制御してターゲット物質の温度を所定温度範囲に保持するステップと、
前記温度センサからの信号に基づいて、前記ヒータの温度が、前記弱加熱部の温度より高い状態を維持するよう前記ヒータおよび前記弱加熱部を制御してターゲット物質を固化するステップと、
のいずれかを含むターゲット供給方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

【0003】

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】米国特許第７４０５４１６号明細書

【概要】

【0005】

本開示の一態様によるターゲット供給装置は、タンクと、貫通孔を備えたノズルであって、当該貫通孔とタンク内部とが連通するように設置されたノズルと、タンクの壁に沿って設置された少なくとも第１ヒータと、タンクの壁に沿って第１ヒータよりもノズルから遠い位置に設置された少なくとも第２ヒータと、第１ヒータの温度が、第２ヒータの温度よりも高くなるように、第１ヒータおよび第２ヒータを制御するように構成された制御部と、を含んでもよい。

【0006】

本開示の他の態様によるターゲット供給装置は、タンクと、貫通孔を備えたノズルであって、当該貫通孔とタンク内部とが連通するように設置されたノズルと、タンクの壁に沿って設置された少なくともヒータと、タンクの内部においてタンクの内壁から離れた位置に設けられた弱加熱部と、少なくともヒータの温度が、弱加熱部の温度よりも高くなるように、少なくともヒータと弱加熱部とを制御するように構成された制御部と、を含んでもよい。本明細書において「弱加熱」という言葉は、明細書記載の他のいずれのヒータよりも加熱効果が低いことを意味する。

【0007】

本開示の一態様によるターゲット供給方法は、タンクと、貫通孔を備えたノズルであって、当該貫通孔とタンク内部とが連通するように設置されたノズルと、タンクの壁に沿って設置された少なくとも第１ヒータと、タンクの壁に沿って第１ヒータよりもノズルから遠い位置に設置された少なくとも第２ヒータと、第１ヒータの温度が、第２ヒータの温度よりも高くなるように、第１ヒータおよび第２ヒータを制御するように構成された制御部と、を含むターゲット供給装置を用い、第１ヒータの温度が、第２ヒータの温度より高い状態を維持するよう第１ヒータおよび第２ヒータを制御してターゲット物質を溶融するステップと、第１ヒータの温度が、第２ヒータの温度より高い状態を維持するよう第１ヒータおよび第２ヒータを制御してターゲット物質の温度を所定温度範囲に保持するステップと、第１ヒータの温度が、第２ヒータの温度より高い状態を維持するよう第１ヒータおよび第２ヒータを制御してターゲット物質を固化するステップと、のいずれかを含んでもよい。

【0008】

本開示の他の態様によるターゲット供給方法は、タンクと、貫通孔を備えたノズルであって、当該貫通孔とタンク内部とが連通するように設置されたノズルと、タンクの壁に沿って設置された少なくともヒータと、タンクの内部においてタンクの内壁から離れた位置に設けられた弱加熱部と、少なくともヒータの温度が、弱加熱部の温度よりも高くなるように、少なくともヒータと弱加熱部とを制御するように構成された制御部と、を含むターゲット供給装置を用い、ヒータの温度が、弱加熱部の温度より高い状態を維持するようヒータおよび弱加熱部を制御してターゲット物質を溶融するステップと、ヒータの温度が、弱加熱部の温度より高い状態を維持するようヒータおよび第弱加熱部を制御してターゲット物質の温度を所定温度範囲に保持するステップと、ヒータの温度が、弱加熱部の温度より高い状態を維持するようヒータおよび弱加熱部を制御してターゲット物質を固化するステップと、のいずれかを含んでもよい。

【図面の簡単な説明】

【0009】

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。

【図1】図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。

【図2】図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。

【図3】図３は、スズに対する酸素原子の溶解度を示すグラフ。

【図4】図４は、第２実施形態に係るターゲット供給装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。

【図5】図５は、ＥＵＶ光の生成処理を示すフローチャートである。

【図6】図６は、ターゲット物質昇温サブルーチンを示すフローチャートである。

【図7】図７は、第１〜第５ヒータの目標温度をグラフ形式で示す。

【図8】図８は、ターゲット物質出力サブルーチンを示すフローチャートである。

【図9】図９は、ターゲット物質冷却サブルーチンを示すフローチャートである。

【図10】図１０は、第３実施形態に係るターゲット供給装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。

【図11】図１１は、ターゲット物質昇温サブルーチンを示すフローチャートである。

【図12】図１２は、第１〜第３ヒータおよび弱加熱部の目標温度をグラフ形式で示す。

【図13】図１３は、ターゲット物質冷却サブルーチンを示すフローチャートである。

【図14】図１４は、第４実施形態に係るターゲット供給装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示し、オンデマンド方式でドロップレットが生成される状態を示す。

【図15】図１５は、第４実施形態に係るターゲット供給装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示し、コンティニュアスジェット方式でジェットが生成される状態を示す。

【図16】図１６は、第５実施形態に係るターゲット供給装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。

【実施形態】

【0010】

内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．ターゲット供給装置を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１ 用語の説明
３．２ 第１実施形態
３．２．１ 概略
３．２．２ 構成
３．２．３ スズに対する酸素原子の溶解度
３．２．４ 動作
３．３ 第２実施形態
３．３．１ 概略
３．３．２ 構成
３．３．３ 動作
３．４ 第３実施形態
３．４．１ 概略
３．４．２ 構成
３．４．３ 動作
３．５ 第４実施形態
３．５．１ 概略
３．５．２ 構成
３．５．３ 動作
３．６ 第５実施形態
３．６．１ 概略
３．６．２ 構成
３．６．３ 動作

【0011】

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

【0012】

１．概要
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、ターゲット生成器と、複数のヒータと、制御部とを備えてもよい。ターゲット生成器は、ターゲット物質を収容するためのタンクと、タンク内のターゲット物質をチャンバ内に出力するためのノズルと、を含んでもよい。複数のヒータは、タンクの壁に沿って設置された少なくとも第１ヒータと、タンクの壁に沿って第１ヒータよりもノズルから遠い位置に設置された少なくとも第２ヒータとを備えてもよい。制御部は、第１ヒータの温度が第２ヒータの温度よりも高くなるように、第１ヒータおよび第２ヒータを制御してもよい。

【0013】

ここで、ターゲット生成器に収容されたターゲット物質中には、酸素原子が溶解し得る。ターゲット物質中の酸素原子の溶解度は、ターゲット物質の温度が低くなるほど小さくなり得る。このため、以下のような現象が生じ得る。
すなわち、所定温度（第１溶融温度という場合がある）まで加熱されて溶融しているターゲット物質には、当該第１溶融温度に対応する量（第１溶解量という場合がある）の酸素原子が溶解し得る。このターゲット物質の温度が下がると、ターゲット物質は、第１溶解量の酸素原子を含んだまま固化し得る。この後、ＥＵＶ光の生成に用いるために、ターゲット物質を第１溶融温度よりも低い第２溶融温度で溶融すると、当該溶融したターゲット物質には、第２溶融温度に対応する量（第２溶解量という場合がある）の酸素原子が溶解し得る。上述のように、ターゲット物質の温度が低いほど酸素原子の溶解度が小さくなるため、第２溶解量は第１溶解量よりも少なくなり得る。したがって、第２溶融温度で溶融しているターゲット物質には、第１溶解量から第２溶解量を減じた量の酸素原子が溶解できないこととなり得る。その結果、この溶解できない酸素原子がターゲット物質と結合して、ターゲット物質の酸化物が析出し得る。この析出した酸化物は、ノズルのノズル孔で詰まり得る。また、析出した酸化物がノズル孔に集積すると、ターゲット物質の出力方向が変化し得る。
本開示の実施形態のターゲット供給装置では、ターゲット生成器内のターゲット物質の温度が、ノズルの先端に近い側の方が遠い方よりも高くなるように、第１ヒータおよび第２ヒータを制御してもよい。このような構成によって、ターゲット生成器のタンクの上端側の位置と比べて、ノズル付近でのターゲット物質の酸化物の析出を抑制し得る。すなわち、ターゲット物質の酸化物の析出を適切に制御し得る。したがって、酸化物がノズル孔に詰まる可能性が低減し得る。さらには、酸化物がノズル孔に集積する可能性が低減し、ターゲット物質の出力方向の変化を抑制し得る。

【0014】

また、本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、ターゲット生成器と、第１ヒータと、弱加熱部と、制御部とを備えてもよい。ターゲット生成器は、ターゲット物質を収容可能な筒状のタンクを備え、ターゲット物質をチャンバ内に出力してもよい。第１ヒータは、タンクの壁に沿って設置されてもよい。弱加熱部は、タンクの内部においてタンクの内壁から離れた位置に設けられ、ターゲット生成器内のターゲット物質を弱加熱してもよい。制御部は、第１ヒータの温度が、弱加熱部の温度よりも高くなるように、第１ヒータおよび弱加熱部を制御してもよい。

【0015】

ここで、上述したように、ターゲット物質の温度が低くなると、ターゲット物質に溶解できない量の酸素原子は、ターゲット物質の酸化物として析出し得る。ターゲット物質の出力を停止する場合等、ターゲット物質の温度を下げて固化する際、ターゲット生成器の内壁とターゲット物質との界面の温度が、他の部分と比べて低い時間が長くなり得る。このため、ターゲット生成器の内壁には、ターゲット物質の酸化物が堆積し得る。
本開示の実施形態のターゲット供給装置では、ターゲット物質が溶融している間、第１ヒータの温度が弱加熱部の温度よりも高くなるように、すなわちターゲット生成器内のターゲット物質の温度が、ターゲット生成器の内壁から中央に向かうに従って低くなるように、第１ヒータおよび弱加熱部を制御してもよい。このような構成によって、弱加熱部の近傍と比べて、ターゲット生成器の内壁でのターゲット物質の酸化物の堆積を抑制し得る。

【0016】

２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１を参照に、以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置７をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置７は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、またはそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。

【0017】

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。あるいは、チャンバ２には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウインドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１焦点および第２焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンあるいはタングステンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１焦点がプラズマ生成位置またはその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）中間焦点２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過するための貫通孔２４が設けられてもよい。

【0018】

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでいてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。

【0019】

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させるための接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２焦点位置に位置するように配置されてもよい。

【0020】

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収装置２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。

【0021】

２．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。

【0022】

ターゲット供給装置７からは、ドロップレット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶを含む光２５１（以下、「ＥＵＶ光を含む光」を「ＥＵＶ光」と表現する場合がある）が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。

【0023】

ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレット２７を出力するタイミングやドロップレット２７の出力速度等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。

【0024】

３．ターゲット供給装置を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１ 用語の説明
以下、ノズルの先端に近い側の方の温度を遠い方の温度よりも高くすることを、「軸方向に温度勾配を与える」と説明し得る。また、ターゲット生成器の内壁から中央に向かうに従って温度を低くすることを、「径方向に温度勾配を与える」と説明し得る。

【0025】

３．２ 第１実施形態
３．２．１ 概略
本開示の第１実施形態によれば、ターゲット供給装置は、ターゲット生成器内のターゲット物質の温度がノズルの先端に向かうに従って高くなるように、ノズルに設けられた複数のヒータを制御してもよい。

【0026】

以上のような構成によって、ターゲット生成器のノズル付近でのターゲット物質の酸化物の析出を抑制し得る。したがって、酸化物がノズル孔に詰まる可能性が低減し得る。さらには、酸化物がノズル孔に析出する可能性が低減し、ターゲット物質の出力方向の変化を抑制し得る。

【0027】

３．２．２ 構成
図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。

【0028】

ＥＵＶ光生成装置１Ａは、図２に示すように、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成部７０と、ターゲット制御装置８０とを備えてもよい。
ターゲット生成部７０は、ターゲット生成器７１と、圧力調整器７２とを備えてもよい。ターゲット生成器７１は、内部にターゲット物質２７０を収容するためのタンク７１１を備えてもよい。タンク７１１は、筒状であってもよい。タンク７１１には、当該タンク７１１内のターゲット物質２７０を、ドロップレット２７としてチャンバ２内に出力するためのノズル７１２が設けられていてもよい。ノズル７１２の先端部には、タンク７１１内部とチャンバ２内部を連通する貫通孔であるノズル孔が設けられていてもよい。ターゲット生成器７１は、タンク７１１がチャンバ２外部に位置し、ノズル７１２がチャンバ２内部に位置するように設けられてもよい。圧力調整器７２は、タンク７１１に連結されてもよい。また、圧力調整器７２は、ターゲット制御装置８０に電気的に接続されてもよい。

【0029】

３．２．３ スズに対する酸素原子の溶解度
図３は、スズに対する酸素原子の溶解度を示すグラフを示す。
ターゲット生成器７１に収容されたターゲット物質２７０中には、酸素原子が溶解し得る。ターゲット物質２７０がスズの場合には、スズに対する酸素原子の溶解度は、図３に示すように、スズの温度が低くなるほど小さくなり得る。このため、第１溶融温度まで加熱した後に固化したスズを、第１溶融温度よりも低い第２溶融温度で再度溶融した場合には、第１溶解量（第１溶融温度のスズに溶解可能な酸素原子の量）から第２溶解量（第２溶融温度のスズに溶解可能な酸素原子の量）を減じた量の酸素原子がスズに溶解できないこととなる。その結果、この溶解できない酸素原子がスズと結合して酸化スズとして析出し得る。

【0030】

チャンバ２の設置形態によっては、予め設定されるターゲット物質２７０の出力方向は、必ずしも重力方向１０Ｂと一致するとは限らない。予め設定されるターゲット物質２７０の出力方向はノズル７１２の軸方向と同一であってもよく、以下、設定出力方向１０Ａと称する場合がある。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向や水平方向に、ターゲット物質２７０が出力されるよう構成されてもよい。なお、第１実施形態および後述する第２〜第５実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置される場合について説明する。

【0031】

また、ターゲット供給装置７Ａは、第１ヒータ９１Ａと、第２ヒータ９２Ａと、第３ヒータ９３Ａと、第４ヒータ９４Ａと、第５ヒータ９５Ａと、制御部としての温度分布制御部９６Ａとを備えてもよい。
第１ヒータ９１Ａは、ノズル７１２の先端側の外周面に設けられてもよい。第２ヒータ９２Ａは、ノズル７１２における第１ヒータ９１Ａよりも上側（例えば重力方向１０Ｂと反対側）の外周面に設けられてもよい。第３ヒータ９３Ａは、タンク７１１の下端側（ノズル７１２側）の外周面に設けられてもよい。第４ヒータ９４Ａは、タンク７１１における第３ヒータ９３Ａよりも上に設けられてもよい。第５ヒータ９５Ａは、タンク７１１における第４ヒータ９４Ａよりも上に設けられてもよい。このように、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａは、ターゲット物質２７０の設定出力方向１０Ａに対してターゲット物質２７０の進行方向下流から上流側に並ぶように設けられてもよい。第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａの間隔は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａは、温度分布制御部９６Ａにそれぞれ電気的に接続されてもよい。第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａはセラミックヒータ等、電気抵抗によって発熱する発熱体を利用するものであってよい。しかし、これに限らず赤外線ヒータ等でもよい。また、発熱量の制御は、電流制御型、電圧制御型、あるいは周波数制御型であってもよい。以下、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａは、電流制御型のセラミックヒータとして説明するがこれに限られない。

【0032】

温度分布制御部９６Ａは、ターゲット制御装置８０と電気的に接続されてもよい。温度分布制御部９６Ａは、ターゲット物質２７０に軸方向の温度勾配を与えてもよい。温度分布制御部９６Ａは、ターゲット制御装置８０が送信する信号に基づいて、例えば、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａ個別に設定された電流を、各ヒータに供給する制御を行ってもよい。その結果、ターゲット物質２７０の温度がノズル７１２の先端に向かうに従って高い状態となってもよい。

【0033】

３．２．４ 動作
ターゲット物質２７０に軸方向の温度勾配を与える制御は、以下の期間で行ってもよい。
期間１：パルス状のＥＵＶ光２５１の継続生成を開始するために、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０を溶融する場合。
期間２：パルス状ＥＵＶ光２５１の継続生成中。
期間３：パルス状ＥＵＶ光２５１の継続生成を終了するために、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０を固化する場合。

【0034】

ＥＵＶ光生成制御システム５は、上述の期間１，２，３を監視、管理して、ターゲット制御装置８０に温度分布制御信号を送信してもよい。ターゲット制御装置８０は、ＥＵＶ光生成制御システム５から受信した温度分布制御信号をターゲット供給装置７Ａの温度分布制御部９６Ａに送信してもよい。温度分布制御部９６Ａは、温度分布制御信号を受信したときに、ターゲット物質２７０に軸方向の温度勾配を与えるように、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａを制御してもよい。
温度分布制御部９６Ａは、以下の式（１）の関係を満たすように、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａを制御してもよい。なお、期間１および期間３においては、Ｔ１ｔ〜Ｔ５ｔは変数であってもよく、期間２においては定数であってもよい。
Ｔ１ｔ＞Ｔ２ｔ＞Ｔ３ｔ＞Ｔ４ｔ＞Ｔ５ｔ … （１）
Ｔ１ｔ：第１ヒータ９１Ａの目標温度
Ｔ２ｔ：第２ヒータ９２Ａの目標温度
Ｔ３ｔ：第３ヒータ９３Ａの目標温度
Ｔ４ｔ：第４ヒータ９４Ａの目標温度
Ｔ５ｔ：第５ヒータ９５Ａの目標温度
例えば、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａが全て同性能のヒータである場合、式（１）の関係を満たすように、温度分布制御部９６Ａは、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａに供給する電流を以下の式（２）の関係を満たすようにしてもよい。温度分布制御部９６Ａは、期間１、期間２、および期間３について、以下の式（２）の関係を維持するように第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａに電流を供給してもよい。なお、期間１および期間３においては、Ｉ１ｔ〜Ｉ５ｔは変数であってもよく、期間２においては定数であってもよい。
Ｉ１ｔ＞Ｉ２ｔ＞Ｉ３ｔ＞Ｉ４ｔ＞Ｉ５ｔ … （２）
Ｉ１ｔ：第１ヒータ９１Ａに供給する電流
Ｉ２ｔ：第２ヒータ９２Ａに供給する電流
Ｉ３ｔ：第３ヒータ９３Ａに供給する電流
Ｉ４ｔ：第４ヒータ９４Ａに供給する電流
Ｉ５ｔ：第５ヒータ９５Ａに供給する電流
一方、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａの何れかが他と異なる性能のヒータである場合、温度分布制御部９６Ａは、式（１）を満たすように設定された電流を各ヒータに個別に供給するようにしてもよい。この際、式（１）を満たすような電流は事前の実験結果等に基づいて設定されてもよい。

【0035】

温度分布制御部９６Ａが期間１において、上記式（１）の関係を満たすように温度を上げる制御を行うと、ターゲット物質２７０は、ノズル７１２の先端に向かうに従って温度が高くなる状態が維持されたまま加熱され得る。そして、ターゲット物質２７０は、当該ターゲット物質２７０の融点以上となるまで加熱されると、溶融し得る。この加熱処理の進行に伴い、ターゲット物質２７０は、ターゲット生成器７１の下端側（ノズル７１２の先端側）が最初に溶融し、上端側が最後に溶融し得る。

【0036】

また、温度分布制御部９６Ａが期間２において、上記式（１）の関係を満たすように温度を維持する制御を行うと、ターゲット物質２７０の温度は、ノズル７１２の先端に向かうに従って温度が高くなる状態で維持され得る。そして、この状態が維持されたまま、ターゲット物質２７０がドロップレット２７として出力して、ＥＵＶ光２５１が生成され得る。

【0037】

ここで、期間１および期間２においては、ターゲット物質２７０がスズの場合、目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ５ｔ（Ｔ１ｔ，Ｔ２ｔ，Ｔ３ｔ，Ｔ４ｔ，Ｔ５ｔ）は、スズの融点である２３１．９℃以上であってもよい。また、ターゲット生成器７１のスズに接する部分がモリブデンあるいはタングステンで形成されている場合、目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ５ｔは、３７０℃未満であってもよい。３７０℃以上となると、スズとモリブデンあるいはタングステンの合金が生成し得る。
また、ターゲット生成器７１がグラファイトやＰＢＮ（気相成長法（ＣＶＤ法）によって生成された窒化ホウ素）の場合、目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ５ｔは、１０００℃以下であってもよい。グラファイトやＰＢＮは、１０００℃でも化学的に比較的安定であってよい。また、１０００℃はスズの蒸発温度より低いため、スズは、１０００℃に加熱されても蒸発が抑制され得る。

【0038】

また、温度分布制御部９６Ａが期間３において、上記式（１）の関係を満たすように各ヒータの温度を低下させる制御を行うと、ターゲット物質２７０は、ノズル７１２の先端に向かうに従って温度が高くなる状態が維持されたまま冷却され得る。そして、ターゲット物質２７０は、当該ターゲット物質２７０の融点未満となるまで冷却されると、固化し得る。このとき、ターゲット物質２７０は、ターゲット生成器７１の上端側にあるものが最初に固化し、下端側にあるものが最後に固化し得る。

【0039】

上述のように、ターゲット供給装置７Ａの温度分布制御部９６Ａは、上述の期間１，２，３において、ターゲット物質２７０に軸方向の温度勾配を与えるように、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａを制御してもよい。
これにより、ターゲット生成器７１のノズル７１２内部の貫通孔付近におけるターゲット物質２７０の酸化物の析出および集積を抑制し得る。したがって、酸化物が当該貫通孔内に詰まる可能性が低減し得る。さらには、ドロップレット２７の出力方向の変化を抑制し得る。

【0040】

なお、ターゲット物質２７０に軸方向の温度勾配を与えることができれば、ヒータの数は、２個〜４個、あるいは、５個以上であってもよい。

【0041】

３．３ 第２実施形態
３．３．１ 概略
本開示の第２実施形態によれば、ターゲット供給装置は、複数のヒータ用温度センサを備えてもよい。複数のヒータ用温度センサは、複数のヒータがそれぞれ加熱した部分あるいはその周辺の温度を検出してもよい。ヒータ用温度センサは、各ヒータに対して少なくとも１個設けられてもよい。すなわち、ヒータ用温度センサの個数は、ヒータの個数と同じであってもよいし、ヒータの個数より多くてもよい。そして、制御部は、ヒータ用温度センサが検出した温度に基づいて、複数のヒータを制御してもよい。

【0042】

以上のような構成により、ターゲット物質が加熱されている状態に応じて、軸方向の温度勾配を付けるようにヒータの温度を制御してもよく、ターゲット物質の温度を調節し得る。また、ターゲット物質の全体が溶融したことを検出することが可能となり、適切なタイミングでＥＵＶ光の生成を開始し得る。さらに、ターゲット物質の全体が固化したことを検出することが可能となり、適切なタイミングでヒータを停止し得る。

【0043】

３．３．２ 構成
図４は、第２実施形態に係るターゲット供給装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の一部構成を概略的に示す。なお、ＥＵＶ光生成装置のその他の部分の構成は図２に示したものと同等であってよい。

【0044】

第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｂを構成するターゲット供給装置７Ｂと、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａのターゲット供給装置７Ａとの相違点は、図４に示すように、ターゲット制御装置８０Ｂおよび温度分布制御部９６Ｂの構成が異なる点と、第１〜第５ヒータ用温度センサ１０１Ｂ〜１０５Ｂ（第１ヒータ用温度センサ１０１Ｂ、第２ヒータ用温度センサ１０２Ｂ、第３ヒータ用温度センサ１０３Ｂ、第４ヒータ用温度センサ１０４Ｂ、第５ヒータ用温度センサ１０５Ｂ）を新たに設けた点であってもよい。

【0045】

ターゲット供給装置７Ｂは、ターゲット生成器７１と、圧力調整器７２と、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａと、制御部としての温度分布制御部９６Ｂと、第１〜第５ヒータ用温度センサ１０１Ｂ〜１０５Ｂとを備えてもよい。
圧力調整器７２には、不活性ガスボンベ７２１が接続されてもよい。圧力調整器７２には、ターゲット制御装置８０Ｂが電気的に接続されてもよい。圧力調整器７２は、不活性ガスボンベ７２１から供給される不活性ガスの圧力を制御して、タンク７１１内の圧力を調節するよう構成されてもよい。

【0046】

第１ヒータ用温度センサ１０１Ｂは、ノズル７１２における第１ヒータ９１Ａよりも下側（ノズル７１２の先端側）に設けられてもよい。第１ヒータ用温度センサ１０１Ｂは、チャンバ２に設けられた導入端子９６０Ｂを介して、温度分布制御部９６Ｂの第１温度コントローラ９７１Ｂに電気的に接続されてもよい。第１ヒータ用温度センサ１０１Ｂは、第１ヒータ９１Ａが加熱した部分の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を第１温度コントローラ９７１Ｂに送信してもよい。
第２ヒータ用温度センサ１０２Ｂは、ノズル７１２における第２ヒータ９２Ａよりも下側に設けられ、導入端子９６０Ｂを介して、温度分布制御部９６Ｂの後述する第２温度コントローラ９７２Ｂに電気的に接続されてもよい。第２ヒータ用温度センサ１０２Ｂは、第２ヒータ９２Ａが加熱した部分の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を第２温度コントローラ９７２Ｂに送信してもよい。

【0047】

第３ヒータ用温度センサ１０３Ｂは、タンク７１１における第３ヒータ９３Ａよりも下側に設けられ、温度分布制御部９６Ｂの後述する第３温度コントローラ９７３Ｂに電気的に接続されてもよい。第３ヒータ用温度センサ１０３Ｂは、第３ヒータ９３Ａが加熱した部分の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を第３温度コントローラ９７３Ｂに送信してもよい。
第４ヒータ用温度センサ１０４Ｂおよび第５ヒータ用温度センサ１０５Ｂは、タンク７１１における第４ヒータ９４Ａおよび第５ヒータ９５Ａのそれぞれの下側に設けられてもよい。第４ヒータ用温度センサ１０４Ｂおよび第５ヒータ用温度センサ１０５Ｂは、温度分布制御部９６Ｂの後述する第４温度コントローラ９７４Ｂおよび第５温度コントローラ９７５Ｂにそれぞれ電気的に接続されてもよい。第４ヒータ用温度センサ１０４Ｂおよび第５ヒータ用温度センサ１０５Ｂは、第４ヒータ９４Ａおよび第５ヒータ９５Ａがそれぞれ加熱した部分の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を第４温度コントローラ９７４Ｂおよび第５温度コントローラ９７５Ｂにそれぞれ送信してもよい。

【0048】

温度分布制御部９６Ｂは、第１〜第５ヒータ電源９６１Ｂ〜９６５Ｂ（第１ヒータ電源９６１Ｂ、第２ヒータ電源９６２Ｂ、第３ヒータ電源９６３Ｂ、第４ヒータ電源９６４Ｂ、第５ヒータ電源９６５Ｂ）と、第１〜第５温度コントローラ９７１Ｂ〜９７５Ｂ（第１温度コントローラ９７１Ｂ、第２温度コントローラ９７２Ｂ、第３温度コントローラ９７３Ｂ、第４温度コントローラ９７４Ｂ、第５温度コントローラ９７５Ｂ）とを備えてもよい。
第１，第２ヒータ電源９６１Ｂ，９６２Ｂは、導入端子９６０Ｂを介して、第１，第２ヒータ９１Ａ，９２Ａにそれぞれ電気的に接続されてもよい。また、第１，第２ヒータ電源９６１Ｂ，９６２Ｂは、第１，第２温度コントローラ９７１Ｂ，９７２Ｂにそれぞれ電気的に接続されてもよい。第１ヒータ電源９６１Ｂは、第１温度コントローラ９７１Ｂからの信号に基づいて、第１ヒータ９１Ａに電力を供給して第１ヒータ９１Ａを発熱させてもよい。それにより、ノズル７１２内のターゲット物質２７０が加熱され得る。第２ヒータ電源９６２Ｂは、第２温度コントローラ９７２Ｂからの信号に基づいて、第２ヒータ９２Ａを発熱させてもよい。
第３〜第５ヒータ電源９６３Ｂ〜９６５Ｂは、第３〜第５ヒータ９３Ａ〜９５Ａと、第３〜第５温度コントローラ９７３Ｂ〜９７５Ｂとにそれぞれ電気的に接続されてもよい。第３〜第５ヒータ電源９６３Ｂ〜９６５Ｂは、第３〜第５温度コントローラ９７３Ｂ〜９７５Ｂからのそれぞれの信号に基づいて、第３〜第５ヒータ９３Ａ〜９５Ａをそれぞれ発熱させてもよい。

【0049】

第１〜第５温度コントローラ９７１Ｂ〜９７５Ｂは、ターゲット制御装置８０Ｂに電気的に接続されてもよい。第１〜第５温度コントローラ９７１Ｂ〜９７５Ｂは、第１〜第５ヒータ用温度センサ１０１Ｂ〜１０５Ｂからのそれぞれの信号に基づいて、ターゲット生成器７１の温度を判定し、ターゲット生成器７１のターゲット物質２７０に軸方向の温度勾配を与えるための信号を第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａにそれぞれ送信してもよい。

【0050】

３．３．３ 動作
図５は、ＥＵＶ光の生成処理を示すフローチャートである。図６は、ターゲット物質昇温サブルーチンを示すフローチャートである。図７は、第１〜第５ヒータの目標温度をグラフ形式で示す。図８は、ターゲット物質出力サブルーチンを示すフローチャートである。図９は、ターゲット物質冷却サブルーチンを示すフローチャートである。

【0051】

図５に示すように、ターゲット制御装置８０Ｂは、ＥＵＶ光生成制御システム５からターゲット生成器７１の立ち上げ信号を受信したか否かを判定してもよい（ステップＳ１）。この立ち上げ信号は、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０の溶融を開始するための信号であってもよい。
ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１において立ち上げ信号を受信していないと判定した場合、所定時間経過後にステップＳ１の処理を再度行ってもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１において立ち上げ信号を受信したと判定した場合、ターゲット物質昇温サブルーチンに基づく処理を行ってもよい（ステップＳ２）。このステップＳ２の処理によって、ターゲット生成器７１内の固化しているターゲット物質２７０が溶融し、ノズル７１２からターゲット物質２７０を出力することが可能となり得る。あるいは、ターゲット生成器７１内の十分に高温になっていないターゲット物質２７０の温度が必要温度まで上昇し、ノズル７１２からターゲット物質２７０を出力することが可能となり得る。

【0052】

具体的に、ターゲット制御装置８０Ｂは、図６に示すように、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａの目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ５ｔを、それぞれ温度Ｔ１ｔ０〜Ｔ５ｔ０（Ｔ１ｔ０，Ｔ２ｔ０，Ｔ３ｔ０，Ｔ４ｔ０，Ｔ５ｔ０）に設定してもよい（ステップＳ１１）。この温度Ｔ１ｔ０〜Ｔ５ｔ０は、図７に示すように、温度Ｔ１ｔ０が最も高く、温度Ｔ５ｔ０が最も低くてもよい。また、温度Ｔ１ｔ０〜Ｔ５ｔ０は、ターゲット物質２７０の融点Ｔｍ以上であってもよい。温度Ｔ１ｔ０〜Ｔ５ｔ０のそれぞれ温度差は、例えばおよそ１０℃であってもよい。例えば、温度Ｔ１ｔ０，Ｔ２ｔ０，Ｔ３ｔ０，Ｔ４ｔ０，Ｔ５ｔ０は、それぞれおよそ３７０℃，３６０℃，３５０℃，３４０℃，３３０℃であってもよい。

【0053】

次に、ターゲット制御装置８０Ｂは、図６に示すように、第１〜第５温度コントローラ９７１Ｂ〜９７５Ｂに、目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ５ｔを設定して、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａを駆動してもよい（ステップＳ１２）。
このステップＳ１２の処理によって、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａは、軸方向に温度勾配が付くように、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０を加熱してもよい。そして、第１〜第５ヒータ用温度センサ１０１Ｂ〜１０５Ｂは、ターゲット物質２７０における第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａが加熱した部分の温度を検出して、当該温度に対応する信号を第１〜第５温度コントローラ９７１Ｂ〜９７５Ｂにそれぞれ送信してもよい。第１〜第５温度コントローラ９７１Ｂ〜９７５Ｂは、第１〜第５ヒータ用温度センサ１０１Ｂ〜１０５Ｂから受信した信号をターゲット制御装置８０Ｂに送信してもよい。

【0054】

この後、ターゲット制御装置８０Ｂは、第１〜第５温度コントローラ９７１Ｂ〜９７５Ｂから受信した信号に基づいて、以下の式（３）〜（７）の条件を全て満たすか否かを判断してもよい（ステップＳ１３）。
ΔＴｒ１≧｜Ｔ１ｔ−Ｔ１｜ … （３）
ΔＴｒ２≧｜Ｔ２ｔ−Ｔ２｜ … （４）
ΔＴｒ３≧｜Ｔ３ｔ−Ｔ３｜ … （５）
ΔＴｒ４≧｜Ｔ４ｔ−Ｔ４｜ … （６）
ΔＴｒ５≧｜Ｔ５ｔ−Ｔ５｜ … （７）
Ｔ１：第１ヒータ用温度センサ１０１Ｂが検出した温度
Ｔ２：第２ヒータ用温度センサ１０２Ｂが検出した温度
Ｔ３：第３ヒータ用温度センサ１０３Ｂが検出した温度
Ｔ４：第４ヒータ用温度センサ１０４Ｂが検出した温度
Ｔ５：第５ヒータ用温度センサ１０５Ｂが検出した温度
ΔＴｒ１，ΔＴｒ２，ΔＴｒ３，ΔＴｒ４，ΔＴｒ５：制御された結果の温度の許容範囲

【0055】

ここで、許容範囲ΔＴｒ１〜ΔＴｒ５（ΔＴｒ１，ΔＴｒ２，ΔＴｒ３，ΔＴｒ４，ΔＴｒ５）は、例えば、１℃以上３℃以下の範囲内のいずれかの温度であってもよい。また、許容範囲ΔＴｒ１〜ΔＴｒ５は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。
ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１３において、式（３）〜（７）の条件のうち、少なくとも１つの条件を満たしていないと判定した場合、所定時間経過後にステップＳ１３の処理を再度行ってもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ１３において、式（３）〜（７）の条件を全て満たすと判定した場合、ＥＵＶ光生成制御システム５にターゲット生成器７１の昇温完了信号を送信して（ステップＳ１４）、ターゲット物質昇温サブルーチンに基づく処理を終了してもよい。すなわち、ターゲット制御装置８０Ｂは、第１〜第５ヒータ用温度センサ１０１Ｂ〜１０５Ｂが検出した温度Ｔ１〜Ｔ５が、それぞれの目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ５ｔに対して許容範囲にあると判定した場合、昇温完了信号を送信してもよい。
以上の処理によって、ターゲット物質２７０は、ノズル７１２の先端側から徐々に溶融し、目標温度に近づき得る。

【0056】

ターゲット制御装置８０Ｂは、昇温完了信号を送信した後、図５に示すように、ターゲット物質出力サブルーチンに基づく処理を行ってもよい（ステップＳ３）。このステップＳ３の処理によって、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ２で溶融したターゲット物質２７０を出力し得る。これにより、ＥＵＶ光を生成し得る。なお、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ３の処理中において、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０に軸方向の温度勾配を与える制御を継続してもよい。

【0057】

具体的に、ターゲット制御装置８０Ｂは、図８に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５からターゲット出力停止信号を受信したか否かを判定してもよい（ステップＳ２１）。ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ２１においてターゲット出力停止信号を受信したと判定した場合、ターゲット物質出力サブルーチンの処理を終了し、図５に示すステップＳ４の処理に移行してもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ２１においてターゲット出力信停止号を受信していないと判定した場合、ＥＵＶ光生成制御システム５からターゲット出力信号を受信したか否かを判定してもよい（ステップＳ２２）。
ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ２２においてターゲット出力信号を受信していないと判定した場合、ステップＳ２１の処理を再度行ってもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ２２においてターゲット出力信号を受信したと判定した場合、ターゲット生成器７１内部の圧力が所定の圧力となるように、圧力調整器７２に信号を送信してもよい（ステップＳ２３）。
圧力調整器７２は、この信号を受信したときに、タンク７１１内の圧力を、ターゲット物質２７０が出力され得る圧力に調節してもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｂは、ノズル７１２の先端付近に設置された図示しない圧電素子を振動させてもよい。これにより、ターゲット物質２７０はドロップレット２７１として出力され得る。
出力されたドロップレット２７１の位置、速度、大きさ、進行方向、所定位置における通過タイミングおよび通過周期、それらの安定性等を示す情報は、ターゲットセンサ４（図２参照）によって検出されてもよい。この検出された情報は、それぞれ信号として、ターゲット制御装置８０Ｂが受信してもよい。

【0058】

そして、ターゲット制御装置８０Ｂは、ドロップレット２７１の位置安定性が所定範囲となったか否か、すなわちドロップレット２７１が出力された位置が所定範囲内にあるか否かを判定してもよい（ステップＳ２４）。このステップＳ２４において、ターゲット制御装置８０Ｂは、所定範囲となっていないと判定した場合、次に出力されたドロップレット２７１に対して、あるいは、所定個数出力された後に出力されたドロップレット２７１に対して、ステップＳ２３の処理を行ってもよい。一方、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ２４において、所定範囲となったと判定した場合、ＥＵＶ光生成制御システム５にターゲット生成ＯＫ信号を送信してもよい（ステップＳ２５）。

【0059】

ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット生成ＯＫ信号を受信すると、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５（図２参照）に到達したときにドロップレット２７１にパルスレーザ光が照射されるように、レーザ装置３（図２参照）にパルスレーザ光の発振トリガを出力するよう構成されてもよい。
レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光は、ひとつまたは複数のドロップレット２７１に照射されてもよい。ドロップレット２７１にパルスレーザ光が照射されると、ドロップレット２７１はプラズマ化し、ＥＵＶ光を含む電磁波が放射され得る。
そして、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光の生成を終了する場合、レーザ装置３からのパルスレーザ光の出力を終了するとともに、ターゲット制御装置８０Ｂにターゲット出力停止信号を送信してもよい。

【0060】

ターゲット制御装置８０Ｂは、ＥＵＶ光生成制御システム５からターゲット出力停止信号を受信したか否かを判定してもよい（ステップＳ２６）。ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ２５において、受信していないと判定した場合、ステップＳ２６の処理を再度行ってもよい。一方、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ２６において、受信したと判定した場合、ターゲット生成器７１内部の圧力をドロップレット２７１が出力しない圧力とするような信号を圧力調整器７２に送信して（ステップＳ２７）、ターゲット物質出力サブルーチンに基づく処理を終了してもよい。
以上の処理によって、圧力調整器７２がターゲット生成器７１内部の圧力を調整し、ターゲット生成器７１からターゲット物質２７０が出力しなくなり得る。

【0061】

この後、ターゲット制御装置８０Ｂは、図５に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５からターゲット生成器７１の立ち下げ信号を受信したか否かを判定してもよい（ステップＳ４）。この立ち下げ信号は、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０の固化を開始するための信号であってもよい。
ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ４において立ち下げ信号を受信していないと判定した場合、ステップＳ３の処理を行ってもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ４において立ち下げ信号を受信したと判定した場合、ターゲット物質冷却サブルーチンに基づく処理を行い（ステップＳ５）、ＥＵＶ光の生成処理を終了してもよい。このステップＳ５の処理によって、ターゲット生成器７１内の溶融しているターゲット物質２７０が固化し得る。

【0062】

具体的に、ターゲット制御装置８０Ｂは、図９に示すように、第１ヒータ９１Ａに対して設定中の目標温度Ｔ１ｔから温度ΔＴだけ減算した温度を、新しい目標温度Ｔ１ｔとして設定してもよい。同様に、ターゲット制御装置８０Ｂは、第２〜第５ヒータ９２Ａ〜９５Ａに対して設定中の目標温度Ｔ２ｔ〜Ｔ５ｔから、それぞれ温度ΔＴだけ減算した温度を、新しい目標温度Ｔ２ｔ〜Ｔ５ｔとして設定してもよい（ステップＳ３１）。この温度ΔＴは、例えば、５℃以上１０℃以下の範囲内のいずれかの温度であってもよい。

【0063】

次に、ターゲット制御装置８０Ｂは、第１〜第５温度コントローラ９７１Ｂ〜９７５Ｂに、新しい目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ５ｔを設定してもよい（ステップＳ３２）。このステップＳ３２の処理が行われると、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａの発熱量が減少し、ターゲット物質２７０の温度が、例えば自然放熱等により下がり得る。
そして、第１〜第５ヒータ用温度センサ１０１Ｂ〜１０５Ｂは、検出した温度に対応する信号を第１〜第５温度コントローラ９７１Ｂ〜９７５Ｂにそれぞれ送信してもよい。第１〜第５温度コントローラ９７１Ｂ〜９７５Ｂは、第１〜第５ヒータ用温度センサ１０１Ｂ〜１０５Ｂから受信した信号をターゲット制御装置８０Ｂに送信してもよい。

【0064】

この後、ターゲット制御装置８０Ｂは、以下の式（８）〜（１２）の条件を全て満たすか否かを判定してもよい（ステップＳ３３）。
ΔＴｒ１１≧｜Ｔ１ｔ−Ｔ１｜ … （８）
ΔＴｒ１２≧｜Ｔ２ｔ−Ｔ２｜ … （９）
ΔＴｒ１３≧｜Ｔ３ｔ−Ｔ３｜ … （１０）
ΔＴｒ１４≧｜Ｔ４ｔ−Ｔ４｜ … （１１）
ΔＴｒ１５≧｜Ｔ５ｔ−Ｔ５｜ … （１２）
ΔＴｒ１１，ΔＴｒ１２，ΔＴｒ１３，ΔＴｒ１４，ΔＴｒ１５：制御された結果の温度制御の許容範囲

【0065】

すなわち、ターゲット制御装置８０Ｂは、第１〜第５ヒータ用温度センサ１０１Ｂ〜１０５Ｂが検出した温度Ｔ１〜Ｔ５が、目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ５ｔとほぼ等しくなったか否かを判定してもよい。
ここで、許容範囲ΔＴｒ１１〜ΔＴｒ１５（ΔＴｒ１１，ΔＴｒ１２，ΔＴｒ１３，ΔＴｒ１４，ΔＴｒ１５）は、１℃以上３℃以下の範囲内のいずれかの温度であってもよい。また、許容範囲ΔＴｒ１１〜ΔＴｒ１５は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。さらに、許容範囲ΔＴｒ１１〜ΔＴｒ１５は、上述のΔＴｒ１〜ΔＴｒ５のいずれかと同じであってもよいし、異なっていてもよい。

【0066】

ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ３３において、式（８）〜（１２）の条件のうち、少なくとも１つの条件を満たしていないと判定した場合、所定時間経過後にステップＳ３３の処理を再度行ってもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｂは、ステップＳ３３において、式（８）〜（１２）の条件を全て満たすと判定した場合、第１ヒータ用温度センサ１０１Ｂが検出した温度Ｔ１がターゲット物質２７０の融点Ｔｍ未満か否かを判断してもよい（ステップＳ３４）。すなわち、ターゲット制御装置８０Ｂは、ノズル７１２の先端に収容されたターゲット物質２７０の温度Ｔ１が、融点Ｔｍ未満か否かを判定してもよい。
ターゲット生成器７１に収容されたターゲット物質２７０のうち、温度が最も高い部分周辺の温度Ｔ１が融点Ｔｍ未満ということは、当該ターゲット物質２７０全体の温度が融点Ｔｍ未満であることを意味してよい。この場合、ターゲット物質２７０全体が固化したと判定し得る。

【0067】

このステップＳ３４において、ターゲット制御装置８０Ｂは、温度Ｔ１が融点Ｔｍ未満でないと判定した場合、ステップＳ３１の処理を行ってもよい。ステップＳ３１〜ステップＳ３４の処理を繰り返し行うことによって、目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ５ｔが、徐々に低くなり得る。そして、ターゲット物質２７０は、ノズル７１２の先端に向かうに従って温度が高くなる状態が維持されたまま冷却され得る。
一方で、ターゲット制御装置８０Ｂは、温度Ｔ１が融点Ｔｍ未満であると判定した場合、第１〜第５温度コントローラ９７１Ｂ〜９７５Ｂを制御することで、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａを停止して（ステップＳ３５）。ターゲット物質冷却サブルーチンに基づく処理を終了してもよい。
以上の処理によって、ターゲット物質２７０は、タンク７１１の上端側から順に固化し得る。

【0068】

上述のように、第１〜第５ヒータ用温度センサ１０１Ｂ〜１０５Ｂは、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０のうち、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａがそれぞれ加熱した部分の温度Ｔ１〜Ｔ５を検出してもよい。温度分布制御部９６Ｂは、第１〜第５ヒータ用温度センサ１０１Ｂ〜１０５Ｂが検出した温度Ｔ１〜Ｔ５に基づいて、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａを制御してもよい。

【0069】

以上のような構成により、ターゲット物質２７０の温度に応じて、段階的に第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａの温度を制御することが可能となり、ターゲット物質２７０の温度を適切に調節し得る。例えば、ターゲット供給装置７Ｂは、目標温度Ｔ１ｔ〜Ｔ５ｔを段階的に低くすることが可能となり、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａを同時に停止する場合と比べて、ターゲット物質２７０の急冷を抑制し得る。このため、ノズル７１２の先端での酸化物の析出、集積を抑制し得る。また、ターゲット供給装置７Ｂは、ターゲット物質２７０の全体が溶融したことを検出することが可能となり、適切なタイミングでＥＵＶ光の生成を開始し得る。さらに、ターゲット供給装置７Ｂは、ターゲット物質２７０の全体が固化したことを検出することが可能となり、適切なタイミングで第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａを停止し得る。

【0070】

３．４ 第３実施形態
３．４．１ 概略
本開示の第３実施形態によれば、ターゲット供給装置は、ヒータと、ターゲット生成器の内部において内壁から離れた位置に設けられた弱加熱部とを備えてもよい。そして、ターゲット供給装置は、ターゲット生成器内のターゲット物質の温度が、ターゲット生成器の内壁から離れるに従って低くなるように、ヒータおよび弱加熱部を制御してもよい。
以上のような構成によって、ターゲット生成器の内壁でのターゲット物質の酸化物の堆積を抑制し得る。

【0071】

３．４．２ 構成
図１０は、第３実施形態に係るターゲット供給装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の一部構成を概略的に示す。なお、ＥＵＶ光生成装置のその他の部分の構成は図２に示したものと同等であってよい。

【0072】

第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｃを構成するターゲット供給装置７Ｃと、第２実施形態のターゲット供給装置７Ｂとの相違点は、図１０に示すように、ターゲット制御装置８０Ｃおよび温度分布制御部９６Ｃの構成が異なる点と、第１〜第５ヒータ用温度センサ１０１Ｂ〜１０５Ｂの代わりに第１〜第３ヒータ用温度センサ１０１Ｃ〜１０３Ｃ（第１ヒータ用温度センサ１０１Ｃ、第２ヒータ用温度センサ１０２Ｃ、第３ヒータ用温度センサ１０３Ｃ）、弱加熱部用温度センサ１０４Ｃを設けた点と、第１〜第５ヒータ９１Ａ〜９５Ａの代わりに第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃ（第１ヒータ９１Ｃ，第２ヒータ９２Ｃ、第３ヒータ９３Ｃ）、弱加熱部９４Ｃを設けた点とであってもよい。

【0073】

ターゲット供給装置７Ｃは、第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃと、弱加熱部９４Ｃと、制御部としての温度分布制御部９６Ｃと、第１〜第３ヒータ用温度センサ１０１Ｃ〜１０３Ｃと、弱加熱部用温度センサ１０４Ｃとを備えてもよい。
第１，第２ヒータ９１Ｃ，９２Ｃは、第２実施形態の第１，第２ヒータ９１Ａ，９２Ａとそれぞれ同じ位置に設けられてもよい。第３ヒータ９３Ｃは、第２実施形態の第３〜第５ヒータ９３Ｂ〜９５Ｂの設置範囲を包含するような位置に設けられてもよい。第３ヒータ９３Ｃは、タンク７１１外壁をほぼ全周に渡って覆うように配置されてもよい。

【0074】

弱加熱部９４Ｃは、良好な伝熱性を有し、少なくとも表面がターゲット物質２７０と反応しにくい物質で構成されているとよい。弱加熱部９４Ｃは、例えば良好な伝熱性を有するモリブデンあるいはタングステンにより棒状に形成されてもよい。また、弱加熱部９４Ｃは、例えば銅製のヒートパイプの表面に、ターゲット物質２７０と反応しにくい物質をコートしたものであってもよい。銅製のヒートパイプの表面にコートする物質としては、ターゲット物質２７０がスズの場合、モリブデンあるいはタングステンであってもよい。また、弱加熱部９４Ｃの先端は、ノズル７１２の先端よりも若干上方に位置してもよい。弱加熱部９４Ｃとノズル７１２との間には、ターゲット物質２７０を出力するための隙間が形成されてもよい。弱加熱部９４Ｃの先端の形状は、ノズル７１２の内壁面を反映した形状でもよく、ノズル７１２内壁面から略一定の距離を離間して存在するような形状でもよい。
弱加熱部９４Ｃは、タンク７１１の上面板を貫通して設けられた絶縁部７１４Ｃを介して、ターゲット生成器７１の径方向の略中央に設置されてもよい。絶縁部７１４Ｃはタンク７１１の上面板に比べて熱伝達率が低いとよい。絶縁部７１４Ｃを介して弱加熱部９４Ｃを設けることで、弱加熱部９４Ｃとターゲット生成器７１との熱伝導が抑制され得る。
弱加熱部９４Ｃが良好な伝熱性を有するため、弱加熱部９４Ｃの温度は、当該弱加熱部９４Ｃに接触しているターゲット物質２７０の温度、すなわちターゲット生成器７１の径方向の略中央に位置するターゲット物質２７０の温度とほぼ同じとなり得る。

【0075】

第３ヒータ用温度センサ１０３Ｃは、タンク７１１において第３ヒータ９３Ｃよりも下側に設けられ、温度分布制御部９６Ｃの第３温度コントローラ９７３Ｃに電気的に接続されてもよい。第３ヒータ用温度センサ１０３Ｃは、タンク７１１の温度を検出して、その温度をタンク７１１に収容されたターゲット物質２７０の温度として当該検出した温度に対応する信号を第３温度コントローラ９７３Ｃに送信してもよい。
弱加熱部用温度センサ１０４Ｃは、弱加熱部９４Ｃにおけるターゲット生成器７１から露出している部分に設けられ、温度分布制御部９６Ｃの弱加熱部用温度コントローラ９７４Ｃに電気的に接続されてもよい。弱加熱部用温度センサ１０４Ｃは、弱加熱部９４Ｃの温度を検出する。その温度を、ターゲット生成器７１の径方向の略中央に位置するターゲット物質２７０の温度として当該検出した温度に対応する信号を弱加熱部用温度コントローラ９７４Ｃに送信してもよい。

【0076】

温度分布制御部９６Ｃは、第１〜第３ヒータ電源９６１Ｃ〜９６３Ｃ（第１ヒータ電源９６１Ｃ、第２ヒータ電源９６２Ｃ、第３ヒータ電源９６３Ｃ）と、チラー９６４Ｃと、熱交換器９６５Ｃと、第１〜第３温度コントローラ９７１Ｃ〜９７３Ｃ（第１温度コントローラ９７１Ｃ、第２温度コントローラ９７２Ｃ、第３温度コントローラ９７３Ｃ）と、弱加熱部用温度コントローラ９７４Ｃと、を備えてもよい。
第１〜第３ヒータ電源９６１Ｃ〜９６３Ｃは、第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃと、第１〜第３温度コントローラ９７１Ｃ〜９７３Ｃとにそれぞれ電気的に接続されてもよい。
第１〜第３ヒータ電源９６１Ｃ〜９６３Ｃは、第１〜第３温度コントローラ９７１Ｃ〜９７３Ｃからのそれぞれの信号に基づいて、第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃをそれぞれ発熱させてもよい。
第１〜第３温度コントローラ９７１Ｃ〜９７３Ｃは、ターゲット制御装置８０Ｃに電気的に接続されてもよい。第１〜第３温度コントローラ９７１Ｃ〜９７３Ｃは、第１〜第３ヒータ用温度センサ１０１Ｃ〜１０３Ｃからの信号に基づいて、タンク７１１の温度を検知し、各ヒータの温度制御のための信号を第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃにそれぞれ送信してもよい。

【0077】

熱交換器９６５Ｃは、弱加熱部９４Ｃの上端に設けられてもよい。
チラー９６４Ｃは、配管を介して熱交換器９６５Ｃに接続されてもよい。また、チラー９６４Ｃは、弱加熱部用温度コントローラ９７４Ｃに電気的に接続されてもよい。チラー９６４Ｃは、配管を介して熱交換器９６５Ｃとの間で熱媒体を循環させてもよい。これにより弱加熱部９４Ｃは、ターゲット物質２７０を加熱してもよい。熱媒体は、ターゲット物質２７０の融点以上においても安定なものであってもよい。例えば、熱媒体は、油であってもよい。
弱加熱部用温度コントローラ９７４Ｃは、ターゲット制御装置８０Ｃに電気的に接続されてもよい。弱加熱部用温度コントローラ９７４Ｃは、弱加熱部用温度センサ１０４Ｃからの信号に基づいて、弱加熱部９４Ｃに接するターゲット物質２７０の温度を検知してもよい。次いで、弱加熱部用温度コントローラ９７４Ｃは、ターゲット物質２７０に径方向の温度勾配を与えるための信号をチラー９６４Ｃに送信してもよい。
ここで、弱加熱部用温度コントローラ９７４Ｃが設定する弱加熱部９４Ｃの目標温度は、第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃの目標温度よりも低く設定され得る。このため、ターゲット物質２７０は、ターゲット生成器７１の径方向外側から高い温度で加熱され、ターゲット生成器７１の径方向の略中央から外側よりも低い温度で加熱され得る。その結果、ターゲット生成器７１の径方向の略中央に位置するターゲット物質２７０は、径方向外側に位置するターゲット物質２７０に対して、相対的に低い温度に維持され得る。つまり、弱加熱部９４Ｃは、第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃよりも低い温度でターゲット物質２７０を加熱し得る。

【0078】

３．４．３ 動作
図１１は、ターゲット物質昇温サブルーチンを示すフローチャートである。図１２は、第１〜第３ヒータおよび弱加熱部の目標温度をグラフ形式で示す。図１３は、ターゲット物質冷却サブルーチンを示すフローチャートである。
なお、第３実施形態では、ＥＵＶ光の生成処理およびターゲット物質出力サブルーチンとして、図５および図８に示すような第２実施形態と同様の処理を行ってもよい。

【0079】

図５に示すステップＳ２において、第３実施形態では、図１１のターゲット物質昇温サブルーチンに基づく処理を行ってもよい。
具体的に、ターゲット制御装置８０Ｃは、図１１に示すように、第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃ、弱加熱部９４Ｃの各目標温度Ｔ２１ｔ〜Ｔ２３ｔ（Ｔ２１ｔ，Ｔ２２ｔ，Ｔ２３ｔ），ＴＣｔを、温度Ｔ２１ｔ０〜Ｔ２３ｔ０（Ｔ２１ｔ０，Ｔ２２ｔ０，Ｔ２３ｔ０），ＴＣｔ０に設定してもよい（ステップＳ４１）。この温度Ｔ２１ｔ０〜Ｔ２３ｔ０，ＴＣｔ０は、図１２に示すように、温度Ｔ２１ｔ０が最も高く、温度ＴＣｔ０が最も低くてもよい。また、温度Ｔ２１ｔ０〜Ｔ２３ｔ０，ＴＣｔ０は、ターゲット物質２７０の融点Ｔｍ以上であってもよい。温度Ｔ２１ｔ０〜Ｔ２３ｔ０，Ｔｃｔ０のそれぞれ温度差は、例えば１０℃であってもよい。例えば、温度Ｔ２１ｔ０，Ｔ２２ｔ０，Ｔ２３ｔ０，ＴＣｔ０は、それぞれ３７０℃，３６０℃，３５０℃，３４０℃であってもよい。

【0080】

次に、ターゲット制御装置８０Ｃは、図１１に示すように、第１〜第３温度コントローラ、弱加熱部用温度コントローラ９７１Ｃ〜９７４Ｃに、目標温度Ｔ２１ｔ〜Ｔ２３ｔ，ＴＣｔを設定して、第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃ、チラー９６４Ｃを駆動してもよい（ステップＳ４２）。
このステップＳ４２の処理によって、第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃは、ノズル７１２の先端に向かうに従って温度が高くなるように、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０を加熱してもよい。一方で、弱加熱部９４Ｃは、チラー９６４Ｃの駆動により、ターゲット生成器７１の内壁７１３から離れるに従ってターゲット物質２７０の温度が低くなるように、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０を弱加熱してもよい。このような第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃ、チラー９６４Ｃの駆動により、ターゲット物質２７０に、軸方向の温度勾配と径方向の温度勾配とが付き得る。
そして、第１〜第３ヒータ用温度センサ、弱加熱部用温度センサ１０１Ｃ〜１０４Ｃは、タンク７１１における第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃが加熱した部分の温度、および、弱加熱部９４Ｃが弱加熱したターゲット物質２７０の温度をそれぞれ検出してもよい。第１〜第３ヒータ用温度センサ，弱加熱部用温度センサ１０１Ｃ〜１０４Ｃは、この検出した温度に対応する信号を、第１〜第３ヒータ用温度コントローラ，弱加熱部用温度コントローラ９７１Ｃ〜９７４Ｃを介して、ターゲット制御装置８０Ｃに送信してもよい。

【0081】

この後、ターゲット制御装置８０Ｃは、第１〜第３ヒータ用温度コントローラ、弱加熱部用温度コントローラ９７１Ｃ〜９７４Ｃから受信した信号に基づいて、以下の式（１３）〜（１６）の条件を全て満たすか否かを判定してもよい（ステップＳ４３）。
ΔＴｒ２１≧｜Ｔ２１ｔ−Ｔ１｜ … （１３）
ΔＴｒ２２≧｜Ｔ２２ｔ−Ｔ２｜ … （１４）
ΔＴｒ２３≧｜Ｔ２３ｔ−Ｔ３｜ … （１５）
ΔＴｒＣ１≧｜ＴＣｔ−ＴＣ｜ … （１６）
Ｔ１：第１ヒータ用温度センサ１０１Ｃが検出した温度
Ｔ２：第２ヒータ用温度センサ１０２Ｃが検出した温度
Ｔ３：第３ヒータ用温度センサ１０３Ｃが検出した温度
ＴＣ：弱加熱部用温度センサ１０４Ｃが検出した温度
ΔＴｒ２１，ΔＴｒ２２，ΔＴｒ２３，ΔＴｒＣ１：温度制御の制御結果の許容範囲

【0082】

ここで、許容範囲ΔＴｒ２１〜ΔＴｒ２３（ΔＴｒ２１，ΔＴｒ２２，ΔＴｒ２３），ΔＴｒＣ１は、例えば、１℃以上３℃以下の範囲内のいずれかの温度であってもよい。また、許容範囲ΔＴｒ２１〜ΔＴｒ２３，ΔＴｒＣ１は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。
ターゲット制御装置８０Ｃは、ステップＳ４３において、式（１３）〜（１６）の条件のうち、少なくとも１つの条件を満たしていないと判定した場合、所定時間経過後にステップＳ４３の処理を再度行ってもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｃは、ステップＳ４３において、上記式（１３）〜（１６）の条件を全て満たすと判定した場合、ＥＵＶ光生成制御システム５に昇温完了信号を送信して（ステップＳ４４）、ターゲット物質昇温サブルーチンに基づく処理を終了してもよい。すなわち、ターゲット制御装置８０Ｃは、第１〜第３ヒータ用温度センサ，弱加熱部用温度センサ１０１Ｃ〜１０４Ｃが検出した温度Ｔ１〜Ｔ３，ＴＣが、目標温度Ｔ２１ｔ〜Ｔ２３ｔ、ＴＣｔとほぼ等しくなったと判断した場合、昇温完了信号を送信してもよい。
以上の処理によって、ターゲット物質２７０は、ノズル７１２の先端側から、かつ、径方向外側から、徐々に溶融し得る。

【0083】

ターゲット制御装置８０Ｃは、昇温完了信号を送信した後、図５に示すように、ステップＳ３において、ターゲット物質出力サブルーチンに基づく処理を行い、ＥＵＶ光を生成してもよい。具体的には、ターゲット制御装置８０Ｃは、図８に示すような処理を行ってもよい。なお、ターゲット制御装置８０Ｃは、ステップＳ３の処理中において、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０に軸方向の温度勾配と径方向の温度勾配とを付ける制御を継続してもよい。

【0084】

この後、ターゲット制御装置８０Ｃは、ステップＳ４において、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０の固化を開始するための立ち下げ信号を受信したと判定した場合、ステップＳ５のターゲット物質冷却サブルーチンに基づく処理を行い（ステップＳ５）、ＥＵＶ光の生成処理を終了してもよい。このステップＳ５の処理において、第３実施形態では、図１３のターゲット物質冷却サブルーチンに基づく処理を行ってもよい。

【0085】

具体的に、ターゲット制御装置８０Ｃは、図１３に示すように、第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃ、弱加熱部９４Ｃに対して設定中の目標温度Ｔ２１ｔ〜Ｔ２３ｔ，ＴＣｔから温度ΔＴだけ減算した温度を、新しい目標温度Ｔ２１ｔ〜Ｔ２３ｔ，ＴＣｔとして設定してもよい（ステップＳ５１）。この温度ΔＴは、例えば、５℃以上１０℃以下の範囲内のいずれかの温度であってもよい。

【0086】

次に、ターゲット制御装置８０Ｃは、第１〜第３ヒータ用，弱加熱部用温度コントローラ９７１Ｃ〜９７４Ｃに、新しい目標温度Ｔ２１ｔ〜Ｔ２３ｔ，ＴＣｔを設定して（ステップＳ５２）、第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃ、弱加熱部９４Ｃの発熱量を減少させてもよい。
そして、第１〜第３ヒータ用，弱加熱部用温度センサ１０１Ｃ〜１０４Ｃは、検出した温度に対応する信号を、第１〜第３ヒータ用，弱加熱部用温度コントローラ９７１Ｃ〜９７４Ｃを介してターゲット制御装置８０Ｃに送信してもよい。

【0087】

この後、ターゲット制御装置８０Ｃは、以下の式（１７）〜（２０）の条件を全て満たすか否かを判定してもよい（ステップＳ５３）。
ΔＴｒ３１≧｜Ｔ２１ｔ−Ｔ１｜ … （１７）
ΔＴｒ３２≧｜Ｔ２２ｔ−Ｔ２｜ … （１８）
ΔＴｒ３３≧｜Ｔ２３ｔ−Ｔ３｜ … （１９）
ΔＴｒＣ２≧｜ＴＣｔ−ＴＣ｜ … （２０）
ΔＴｒ３１，ΔＴｒ３２，ΔＴｒ３３，ΔＴｒＣ２：温度制御の制御結果の許容範囲

【0088】

すなわち、ターゲット制御装置８０Ｃは、第１〜第３ヒータ用，弱加熱部用温度センサ１０１Ｃ〜１０４Ｃが検出した温度Ｔ１〜Ｔ３，ＴＣが、目標温度Ｔ２１ｔ〜Ｔ２３ｔ，ＴＣｔとほぼ等しくなったか否かを判定してもよい。
ここで、許容範囲ΔＴｒ３１〜ΔＴｒ３３，ΔＴｒＣ２は、１℃以上３℃以下の範囲内のいずれかの温度であってもよい。また、許容範囲ΔＴｒ３１〜ΔＴｒ３３，ΔＴｒＣ２は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。さらに、許容範囲ΔＴｒ３１〜ΔＴｒ３３，ΔＴｒＣ２は、ΔＴｒ２１〜ΔＴｒ２３，ΔＴｒＣ１のいずれかと同じであってもよいし、異なっていてもよい。

【0089】

ターゲット制御装置８０Ｃは、ステップＳ５３において、式（１７）〜（２０）の条件のうち、少なくとも１つの条件を満たしていないと判定した場合、所定時間経過後にステップＳ５３の処理を再度行ってもよい。一方で、ターゲット制御装置８０Ｃは、ステップＳ５３において、上記の条件を全て満たすと判定した場合、第１ヒータ用温度センサ１０１Ｃが検出した温度Ｔ１がターゲット物質２７０の融点Ｔｍ未満か否かを判定してもよい（ステップＳ５４）。このステップＳ５４の条件を満たす場合、ターゲット物質２７０全体が固化したと判定し得る。

【0090】

このステップＳ５４において、ターゲット制御装置８０Ｃは、温度Ｔ１が融点Ｔｍ未満でないと判定した場合、ステップＳ５１の処理を行う。ステップＳ５１〜ステップＳ５４の処理を繰り返し行うことによって、目標温度Ｔ２１ｔ〜Ｔ２３ｔ，ＴＣｔが、徐々に低くなり、ターゲット物質２７０は、ノズル７１２の先端に近い側の方が遠い方よりも温度が高くなる状態が維持され、かつ、内壁７１３から近い側よりも遠い側のターゲット物質の温度が低くなる状態が維持されたまま弱加熱され得る。
一方で、ターゲット制御装置８０Ｃは、温度Ｔ１が融点Ｔｍ未満であると判定した場合、第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃ、弱加熱部９４Ｃを停止して（ステップＳ５５）。ターゲット物質冷却サブルーチンに基づく処理を終了してもよい。
以上の処理によって、ターゲット物質２７０は、タンク７１１の上端側から、かつ、ターゲット生成器７１の径方向中央から、徐々に固化し得る。

【0091】

上述のように、ターゲット供給装置７Ｃの温度分布制御部９６Ｃは、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０に径方向の温度勾配を与えるように、第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃ、弱加熱部９４Ｃを制御してもよい。
これにより、内壁７１３でのターゲット物質２７０の酸化物の堆積を抑制し得る。

【0092】

また、温度分布制御部９６Ｃは、第１〜第３ヒータ用，弱加熱部用温度センサ１０１Ｃ〜１０４Ｃが検出した温度Ｔ１〜Ｔ３，ＴＣに基づいて、第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃ、弱加熱部９４Ｃを制御してもよい。
これにより、第２実施形態と同様の効果を奏し得る。

【0093】

なお、目標温度Ｔ２１ｔ〜Ｔ２３ｔは、目標温度ＴＣｔよりも高ければ、同じであってもよい。この場合、ターゲット物質２７０に、径方向の温度勾配のみが付き得る。

【0094】

３．５ 第４実施形態
３．５．１ 概略
本開示の第４実施形態によれば、オンデマンド方式でドロップレットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置、あるいは、コンティニュアスジェット方式でジェットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置において、ターゲット物質の温度がノズルの先端に近い側の方が遠い方よりも高くなるように、複数のヒータを制御してもよい。
これにより、ターゲット生成器のノズル付近でのターゲット物質の酸化物の析出を抑制し、酸化物がノズル孔に詰まる可能性が低減し得る。さらには、酸化物がノズル孔に析出する可能性が低減し、ターゲット物質の出力方向の変化を抑制し得る。

【0095】

３．５．２ 構成
図１４は、第４実施形態に係るターゲット供給装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の一部構成を概略的に示し、オンデマンド方式でドロップレットが生成される状態を示す。図１５は、第４実施形態に係るターゲット供給装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の一部構成を概略的に示し、コンティニュアスジェット方式でジェットが生成される状態を示す。なお、図１３および図１４において、ＥＵＶ光生成装置のその他の部分の構成は図２に示したものと同等であってよい。

【0096】

第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｄを構成するターゲット供給装置７Ｄと、第３実施形態のターゲット供給装置７Ｃとの相違点は、図１４および図１５に示すように、ターゲット生成部７０Ｄ、ターゲット制御装置８０Ｄおよび温度分布制御部９６Ｄの構成が異なる点と、弱加熱部９４Ｃを設けない点であってもよい。

【0097】

ターゲット供給装置７Ｄは、ターゲット生成部７０Ｄと、第１〜第３ヒータ９１Ｄ〜９３Ｄ（第１ヒータ９１Ｄ、第２ヒータ９２Ｄ、第３ヒータ９３Ｄ）と、制御部としての温度分布制御部９６Ｄと、第１〜第３ヒータ用温度センサ１０１Ｄ〜１０３Ｄ（第１ヒータ用温度センサ１０１Ｄ、第２ヒータ用温度センサ１０２Ｄ、第３ヒータ用温度センサ１０３Ｄ）とを備えてもよい。
ターゲット生成部７０Ｄは、ターゲット生成器７１と、圧力調整器７２と、ピエゾ押出部７４Ｄとを備えてもよい。ピエゾ押出部７４Ｄは、ピエゾ素子７４１Ｄと、ピエゾ素子電源７４２Ｄとを備えてもよい。ピエゾ素子７４１Ｄは、チャンバ２内において、ノズル７１２の外周面に設けられてもよい。ピエゾ素子７４１Ｄの代わりに、高速でノズル７１２に押圧力を加えることが可能な機構が設けられてもよい。ピエゾ素子電源７４２Ｄは、チャンバ２の壁部を貫通して設けられた導入端子７４３Ｄを介して、ピエゾ素子７４１Ｄに接続されてもよい。ピエゾ素子電源７４２Ｄは、ターゲット制御装置８０Ｄに接続されてもよい。

【0098】

第１〜第３ヒータ９１Ｄ〜９３Ｄ、第１〜第３ヒータ用温度センサ１０１Ｄ〜１０３Ｄは、第３実施形態の第１〜第３ヒータ９１Ｃ〜９３Ｃ、第１〜第３ヒータ用温度センサ１０１Ｄ〜１０３Ｄとそれぞれ同じ位置に設けられてもよい。
温度分布制御部９６Ｄは、第２実施形態の第１〜第３ヒータ電源９６１Ｃ〜９６３Ｃ、第１〜第３温度コントローラ９７１Ｃ〜９７３Ｃとそれぞれ同様の機能を有する第１〜第３ヒータ電源９６１Ｄ〜９６３Ｄ（第１ヒータ電源９６１Ｄ，第２ヒータ電源９６２Ｄ，第３ヒータ電源９６３Ｄ）と、第１〜第３温度コントローラ９７１Ｃ〜９７３Ｃ（第１温度コントローラ９７１Ｃ、第２温度コントローラ９７２Ｃ，第３温度コントローラ９７３Ｃ）とを備えてもよい。

【0099】

３．５．３ 動作
ターゲット制御装置８０Ｄは、図５〜図９に示す処理と同様の処理を行い、軸方向の温度勾配を付けるようにターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０を加熱して、ノズル７１２の先端側からターゲット物質２７０を徐々に溶融させてもよい。また、ターゲット制御装置８０Ｄは、ノズル７１２の先端に近い側の方が遠い方よりも温度が高くなる状態を維持したままターゲット物質２７０を放熱させて、タンク７１１の上端側からターゲット物質２７０を徐々に固化させてもよい。

【0100】

また、図５に示すステップＳ３におけるＥＵＶ光生成時には、ターゲット制御装置８０Ｄは、圧力調整器７２に信号を送信して、タンク７１１内の圧力を所定の圧力に調節するよう構成されてもよい。この所定の圧力とは、ノズル孔にターゲット物質２７０によるメニスカス面（例えば、球面状の凸面）が形成される程度の圧力でよく、この状態ではドロップレット２７２は出力されなくともよい。

【0101】

その後、ターゲット制御装置８０Ｄは、図１４に示すように、オンデマンド方式でドロップレット２７２を生成するためのドロップレット生成信号１２Ｄをピエゾ素子電源７４２Ｄに送信してもよい。ドロップレット生成信号１２Ｄを受信したピエゾ素子電源７４２Ｄは、ピエゾ素子７４１Ｄに対して所定のパルス状の電力を供給してもよい。
電力の供給を受けたピエゾ素子７４１Ｄは、電力の供給タイミングに合わせて変形し得る。これにより、ノズル７１２が高速で押圧され、ドロップレット２７２が出力され得る。タンク７１１内が所定の圧力に維持されていれば、電力供給のタイミングに合わせてドロップレット２７２が出力され得る。ドロップレット２７２出力直後に、再び所定の圧力によってノズル孔にターゲット物質２７０によるメニスカス面が形成され得る。

【0102】

ターゲット制御装置８０Ｄは、図１５に示すように、コンティニュアスジェット方式でジェット２７３を生成するよう、タンク７１１内の圧力を調節するよう構成されてもよい。このときのタンク７１１内の圧力は上述の所定の圧力よりも高い圧力であってもよい。
そして、ターゲット制御装置８０Ｄは、ドロップレット２７２を生成するための振動信号１３Ｄをピエゾ素子電源７４２Ｄに送信してもよい。振動信号１３Ｄを受信したピエゾ素子電源７４２Ｄは、ピエゾ素子７４１Ｄに対して当該ピエゾ素子７４１Ｄを振動させるための電力を供給してもよい。
電力の供給を受けたピエゾ素子７４１Ｄは、ノズル７１２を高速で振動させ得る。これにより、ジェット２７３は、一定周期で分断され、ドロップレット２７２として出力され得る。そして、このように出力されたドロップレット２７２にパルスレーザ光が照射されることで、ＥＵＶ光が生成されてもよい。

【0103】

上述のように、ターゲット供給装置７Ｄにおいて、オンデマンド方式またはコンティニュアスジェット方式でドロップレット２７２が生成される場合でも、ターゲット物質２７０に軸方向の温度勾配を与えるように、第１〜第３ヒータ９１Ｄ〜９３Ｄを制御してもよい。
これにより、ノズル７１２付近でのターゲット物質２７０の酸化物の析出を抑制し、酸化物がノズル孔に詰まる可能性が低減し得る。さらには、酸化物がノズル孔に析出、集積する可能性が低減し、ドロップレット２７２の出力方向の変化を抑制し得る。

【0104】

なお、ターゲット供給装置７Ｄに、第３実施形態と同様の弱加熱部９４Ｃ、弱加熱部用温度センサ１０４Ｃ、チラー９６４Ｃ、熱交換器９６５Ｃ、弱加熱部用温度コントローラ９７４Ｃを適用して、ターゲット物質２７０に径方向の温度勾配を与えてもよい。この場合、ターゲット物質２７０に、径方向と軸方向の両方の温度勾配を与えるようにしてもよいし、径方向の温度勾配のみを与えるようにしてもよい。

【0105】

３．６ 第５実施形態
３．６．１ 概略
本開示の第５実施形態によれば、静電引出方式でドロップレットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置において、ターゲット物質の温度がノズルの先端に近い側の方が遠い方よりも高くなるように、複数のヒータを制御してもよい。
これにより、ターゲット生成器のノズル付近でのターゲット物質の酸化物の析出を抑制し、酸化物がノズル孔に詰まる可能性が低減し得る。さらには、酸化物がノズル孔に析出する可能性が低減し、ターゲット物質の出力方向の変化を抑制し得る。

【0106】

３．６．２ 構成
図１６は、第５実施形態に係るターゲット供給装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の一部構成を概略的に示す。なお、ＥＵＶ光生成装置のその他の部分の構成は図２に示したものと同等であってよい。

【0107】

第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｅを構成するターゲット供給装置７Ｅと、第４実施形態のターゲット供給装置７Ｄとの相違点は、図１６に示すように、ターゲット生成部７０Ｅ、ターゲット制御装置８０Ｅの構成が異なる点であってもよい。

【0108】

ターゲット供給装置７Ｅは、ターゲット生成部７０Ｅと、第１〜第３ヒータ９１Ｅ〜９３Ｅ（第１ヒータ９１Ｅ、第２ヒータ９２Ｅ、第３ヒータ９３Ｅ）と、温度分布制御部９６Ｄと、第１〜第３ヒータ用温度センサ１０１Ｅ〜１０３Ｅ（第１ヒータ用温度センサ１０１Ｅ、第２ヒータ用温度センサ１０２Ｅ、第３ヒータ用温度センサ１０３Ｅ）とを備えてもよい。
ターゲット生成部７０Ｅは、ターゲット生成器７１Ｅと、圧力調整器７２と、静電引出部７５Ｅとを備えてもよい。

【0109】

ターゲット生成器７１Ｅは、タンク７１１と、ノズル７１２Ｅとを備えてもよい。ノズル７１２Ｅは、ノズル本体７１３Ｅと、先端保持部７１４Ｅと、出力部７１５Ｅとを備えてもよい。ノズル本体７１３Ｅは、タンク７１１の下面からチャンバ２内に突出するように設けられてもよい。先端保持部７１４Ｅは、ノズル本体７１３Ｅの先端に設けられてもよい。先端保持部７１４Ｅは、ノズル本体７１３Ｅよりも直径が大きい円筒状に形成されてもよい。先端保持部７１４Ｅは、ノズル本体７１３Ｅとは別体として構成され、ノズル本体７１３Ｅに固定されてもよい。

【0110】

出力部７１５Ｅは、略円板状に形成されてもよい。出力部７１５Ｅは、ノズル本体７１３Ｅの先端面に密着するように、先端保持部７１４Ｅによって保持されてもよい。出力部７１５Ｅの中央部分には、チャンバ２内に突出する円錐台状の突出部７１６Ｅが設けられてもよい。突出部７１６Ｅは、そこに電界が集中し易いようにするために設けられてもよい。突出部７１６Ｅには、突出部７１６Ｅにおける円錐台上面部を構成する先端部の略中央部に開口するノズル孔が設けられてもよい。ノズル孔はタンク７１１内部とチャンバ２内部とを連通する貫通孔であってよい。出力部７１５Ｅは、出力部７１５Ｅに対するターゲット物質２７０の濡れ性が低い材料で構成されるのが好ましい。出力部７１５Ｅが、出力部７１５Ｅに対するターゲット物質２７０の濡れ性が低い材料で構成されていない場合には、出力部７１５Ｅの少なくとも表面が、当該濡れ性が低い材料でコーティングされてもよい。

【0111】

タンク７１１と、ノズル７１２Ｅと、出力部７１５Ｅとは、電気絶縁材料で構成されてもよい。これらが、電気絶縁材料ではない材料、例えばモリブデンあるいはタングステンなどの金属材料で構成される場合には、チャンバ２とターゲット生成器７１Ｅとの間や、出力部７１５Ｅと引出電極７５１Ｅとの間に電気絶縁材料が配置されてもよい。この場合、タンク７１１と後述するパルス電圧生成器７５３Ｅとが電気的に接続されてもよい。

【0112】

静電引出部７５Ｅは、引出電極７５１Ｅと、電極７５２Ｅと、パルス電圧生成器７５３Ｅとを備えてもよい。引出電極７５１Ｅは、略円板状に構成されてもよい。引出電極７５１Ｅの中央には、ドロップレットが通過するための円形状の貫通孔７５４Ｅが形成されてもよい。引出電極７５１Ｅは、出力部７１５Ｅとの間に隙間が形成されるように、先端保持部７１４Ｅによって保持されてもよい。引出電極７５１Ｅは、貫通孔７５４Ｅの中心軸と、円錐台状の突出部７１６Ｅの回転対称軸とが一致するように保持されるのが好ましい。引出電極７５１Ｅは、導入端子７５５Ｅを介してパルス電圧生成器７５３Ｅに接続されてもよい。

【0113】

電極７５２Ｅは、タンク７１１内のターゲット物質２７０中に配置されてもよい。電極７５２Ｅは、フィードスルー７５６Ｅを介してパルス電圧生成器７５３Ｅに接続されてもよい。パルス電圧生成器７５３Ｅは、ターゲット制御装置８０Ｅに接続されてもよい。パルス電圧生成器７５３Ｅは、タンク７１１内のターゲット物質２７０と引出電極７５１Ｅとの間に電圧を印加するよう構成されてもよい。これにより、ターゲット物質２７０が静電気力によってドロップレットの形状で引き出され得る。

【0114】

第１ヒータ９１Ｅは、出力部７１５Ｅの下面であって突出部７１６Ｅを囲むように設けられてもよい。第２ヒータ９２Ｅは、ノズル本体７１３Ｅにおいて先端保持部７１４Ｅから離れた位置に設けられてもよい。第３ヒータ９３Ｅは、第４実施形態の第３ヒータ９３Ｄと同じ位置に設けられてもよい。
第１ヒータ用温度センサ１０１Ｅは、出力部７１５Ｅに接して設けられてもよい。好ましくは、第１ヒータ用温度センサ１０１Ｅは、出力部７１５Ｅの内部であって、第１ヒータ９１Ｅに対向する位置に設けられてもよい。第１ヒータ用温度センサ１０１Ｅは、出力部７１５Ｅの温度を検出してもよい。第２ヒータ用温度センサ１０２Ｅは、ノズル本体７１３Ｅにおける第２ヒータ９２Ｅと先端保持部７１４Ｅとの間に設けられてもよい。第３ヒータ用温度センサ１０３Ｅは、第４実施形態の第３ヒータ用温度センサ１０３Ｄと同じ位置に設けられてもよい。

【0115】

３．６．３ 動作
ターゲット制御装置８０Ｅは、図５〜図９に示す処理と同様の処理を行い、ノズル７１２Ｅの先端に近い側の方が遠い方よりも温度が高くなるようにターゲット生成器７１Ｅ内のターゲット物質２７０を加熱して、ノズル７１２Ｅの先端側からターゲット物質２７０を徐々に溶融させてもよい。また、ターゲット制御装置８０Ｅは、ノズル７１２Ｅの先端に近い側の方が遠い方よりも温度が高くなる状態を維持したままターゲット物質２７０を放熱させて、タンク７１１の上端側からターゲット物質２７０を徐々に固化させてもよい。

【0116】

上述のように、いわゆる静電引出型のターゲット供給装置７Ｅによってドロップレットが生成される場合であっても、ターゲット物質２７０に軸方向の温度勾配を与えるように、第１〜第３ヒータ９１Ｅ〜９３Ｅを制御してもよい。
これにより、ノズル７１２Ｅ付近でのターゲット物質２７０の酸化物の析出、集積を抑制し、酸化物がノズル孔に詰まる可能性が低減し得る。さらには、酸化物がノズル孔に析出する可能性が低減し、ターゲット物質の出力方向の変化を抑制し得る。

【0117】

なお、ターゲット供給装置７Ｅに、第３実施形態と同様の弱加熱部９４Ｃ、弱加熱部用温度センサ１０４Ｃ、チラー９６４Ｃ、熱交換器９６５Ｃ、弱加熱部用温度コントローラ９７４Ｃを適用して、ターゲット物質２７０に径方向の温度勾配を与えてもよい。この場合、ターゲット物質２７０に、径方向と軸方向の両方の温度勾配を与えるようにしてもよいし、径方向の温度勾配のみを与えるようにしてもよい。

【0118】

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

【0119】

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

【符号の説明】

【0120】

７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ…ターゲット供給装置、７１１…タンク、７１２，７１２Ｅ…ノズル、７１，７１Ｅ…ターゲット生成器、９１Ａ，９２Ａ，９３Ａ，９４Ａ，９５Ａ，９１Ｃ，９２Ｃ，９３Ｃ，９１Ｄ，９２Ｄ，９３Ｄ，９１Ｅ，９２Ｅ，９３Ｅ…ヒータ、９４Ｃ…弱加熱部、９６Ａ，９６Ｂ，９６Ｃ，９６Ｄ…制御部としての温度分布制御部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】