特許第6095417号(P6095417)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6095417縦型JFET制限型シリコンカーバイドパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタおよび縦型JFET制限型シリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを製造する方法