特許 6096413 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6096413

(24)【登録日】2017年2月24日

(45)【発行日】2017年3月15日

(54)【発明の名称】配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/48 20100101AFI20170306BHJP

【ＦＩ】

   H01L33/48

【請求項の数】11

【全頁数】27

(21)【出願番号】特願2012-13243(P2012-13243)

(22)【出願日】2012年1月25日

(65)【公開番号】特開2013-153069(P2013-153069A)

(43)【公開日】2013年8月8日

【審査請求日】2014年12月5日

(73)【特許権者】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(72)【発明者】

【氏名】村松 茂次

(72)【発明者】

【氏名】清水 浩

(72)【発明者】

【氏名】堀川 泰愛

【審査官】 村井 友和

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−００９７９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１２９８８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−０１８８０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−１５１２４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−００９４４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−１５１３２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−２９４８９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１０５３７９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ３３／００−３３／６４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

放熱板と、
前記放熱板の上面に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の上面に、互いに離間して形成された複数の配線パターンと、
前記配線パターンの上面に、互いに離間して形成された複数の金属層と、
前記配線パターンの上面の一部に形成され、発光素子搭載領域として隣接する前記配線パターンの一端を露出するとともに、前記隣接する配線パターンの間の前記絶縁層の上面を露出する第１開口部を有し、且つ、前記第１開口部に露出する絶縁層以外の前記絶縁層の上面を被覆する第１反射層と、
前記発光素子搭載領域内において、前記隣接する配線パターンの間の前記絶縁層の上面を被覆する第２反射層とを備え、
前記金属層の最表層はＡｕ層又はＡｇ層であり、
前記金属層は、前記第１開口部から露出された前記配線パターンの上面及び側面を覆うように形成され、
前記第１反射層は、前記配線パターンの上面において、前記配線パターンの上面に離間して形成された複数の前記金属層の外周の上面及び側面を覆うように形成され、
前記第２反射層は、前記第１開口部から露出された前記配線パターンの側面を覆う前記金属層の側面の一部を覆うように形成され、
前記絶縁層の上面から前記第２反射層の上面までの前記第２反射層の厚さが、前記絶縁層の上面から前記第１反射層の上面までの前記第１反射層の厚さよりも薄く形成され、
前記第２反射層の上面が前記配線パターンの上面よりも低くなるように形成されていることを特徴とする配線基板。

【請求項2】

前記第１反射層は、第２開口部をさらに有し、
前記第２開口部は、前記複数の配線パターンのうち、最も外側に配置された前記配線パターンの一部のみを露出し、前記一部を外部接続端子用パッドとして露出することを特徴とする請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

放熱板と、
前記放熱板の上面に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の上面に、互いに離間して形成された複数の配線パターンと、
前記配線パターンの上面に、互いに離間して形成された複数の金属層と、
前記配線パターンの上面の一部に形成され、発光素子搭載領域として隣接する前記配線パターンの一端を露出するとともに、前記隣接する配線パターンの間の前記絶縁層の上面を露出する第１開口部を有し、且つ、前記第１開口部に露出する絶縁層以外の前記絶縁層の上面を被覆する第１反射層と、
前記発光素子搭載領域内において、前記隣接する配線パターンの間の前記絶縁層の上面を被覆する第２反射層と、
前記発光素子搭載領域に搭載された発光素子と、
前記発光素子を封止するように形成された封止樹脂とを備え、
前記金属層の最表層はＡｕ層又はＡｇ層であり、
前記金属層は、前記第１開口部から露出された前記配線パターンの上面及び側面を覆うように形成され、
前記第１反射層は、前記配線パターンの上面において、前記配線パターンの上面に離間して形成された複数の前記金属層の外周の上面及び側面を覆うように形成され、
前記第２反射層は、前記第１開口部から露出された前記配線パターンの側面を覆う前記金属層の側面の一部を覆うように形成され、
前記絶縁層の上面から前記第２反射層の上面までの前記第２反射層の厚さが、前記絶縁層の上面から前記第１反射層の上面までの前記第１反射層の厚さよりも薄く形成され、
前記第２反射層の上面が前記配線パターンの上面よりも低くなるように形成されていることを特徴とする発光装置。

【請求項4】

前記発光素子は、前記第２反射層を跨るように、前記第２反射層の両側に形成された前記金属層上にフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。

【請求項5】

前記発光素子は、前記金属層に接続されるバンプが形成されたバンプ形成面を有し、
前記配線パターンの上面に形成される前記第１反射層の上面は、前記バンプ形成面よりも低くなるように形成されていることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。

【請求項6】

前記第１反射層の上面は、前記発光素子の前記配線パターンに対向する面よりも高くなるように形成されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の発光装置。

【請求項7】

放熱板の上面に形成された絶縁層の上面に複数の配線パターンを離間して形成する工程と、
前記配線パターンの上面に互いに離間して形成され、発光素子搭載領域となる前記配線パターンの上面及び側面を被覆する複数の金属層を形成する工程と、
前記配線パターンの上面の一部に形成され、前記発光素子搭載領域として隣接する前記配線パターンの一端を被覆する前記金属層を露出するとともに、前記隣接する配線パターンの側面を被覆する前記金属層の間の前記絶縁層の上面を露出する第１開口部を有し、且つ、前記第１開口部に露出する絶縁層以外の前記絶縁層の上面を被覆する第１反射層と、前記発光素子搭載領域内において、前記隣接する配線パターンの側面を被覆する前記金属層の間の前記絶縁層の上面を被覆する第２反射層とを形成する工程と、を備え、
前記金属層の最表層はＡｕ層又はＡｇ層であり、
前記第１反射層は、前記配線パターンの上面において、前記配線パターンの上面に離間して形成された複数の前記金属層の外周の上面及び側面を覆うように形成され、
前記第２反射層は、前記第１開口部から露出された前記配線パターンの側面を覆う前記金属層の側面の一部を覆うように形成され、
前記絶縁層の上面から前記第２反射層の上面までの前記第２反射層の厚さが、前記絶縁層の上面から前記第１反射層の上面までの前記第１反射層の厚さよりも薄くなるように形成され、
前記第２反射層の上面は、前記配線パターンの上面よりも低くなるように形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。

【請求項8】

前記第１反射層及び前記第２反射層を形成する工程は、
前記絶縁層の上面に、スクリーン印刷法により前記第１反射層を形成する工程と、
前記第１開口部から露出された前記絶縁層の上面に、スクリーン印刷法により前記第２反射層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。

【請求項9】

前記第１反射層及び前記第２反射層を形成する工程は、
前記絶縁層の上面に、前記第１反射層と、前記第１開口部から露出される前記絶縁層を被覆し、前記第１反射層と同じ厚さの第２反射層とを形成する工程と、
前記第２反射層を薄化する工程と、
を有することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。

【請求項10】

前記第２反射層を薄化する工程では、ブラスト処理により、前記第２反射層の上面が前記配線パターンの上面よりも低くなるまで薄化することを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。

【請求項11】

前記配線パターンを形成する工程は、
前記絶縁層の上面に、前記複数の配線パターンと、電解めっき用の給電ラインと、前記各配線パターンと前記給電ラインを接続する接続部とを含む配線層を形成する工程と、
前記配線層を給電層とする電解めっき法により、前記金属層を形成する工程と、
前記金属層を形成した後に、前記給電ライン及び前記接続部の少なくとも一方を除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来、発光素子が基板に実装されてなる発光装置には、様々な形状のものが提案されている。この種の発光装置としては、金属製の基板に形成された絶縁層上に配線層を形成し、その配線層上に発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）などの発光素子を実装した構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００３−０９２０１１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、上記発光装置では、発光素子で発光した光を効率良く使用するために素子実装表面には反射率の高い反射層が形成される。このような反射層を高く形成するほど、発光素子からの光の反射率を高めることができる。しかし、反射層が高く形成されると、その反射層と発光素子とが干渉（接触）しやすくなるという問題がある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一観点によれば、放熱板と、前記放熱板の上面に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上面に、互いに離間して形成された複数の配線パターンと、前記配線パターンの上面に、互いに離間して形成された複数の金属層と、前記配線パターンの上面の一部に形成され、発光素子搭載領域として隣接する前記配線パターンの一端を露出するとともに、前記隣接する配線パターンの間の前記絶縁層の上面を露出する第１開口部を有し、且つ、前記第１開口部に露出する絶縁層以外の前記絶縁層の上面を被覆する第１反射層と、前記発光素子搭載領域内において、前記隣接する配線パターンの間の前記絶縁層の上面を被覆する第２反射層とを備え、前記金属層の最表層はＡｕ層又はＡｇ層であり、前記金属層は、前記第１開口部から露出された前記配線パターンの上面及び側面を覆うように形成され、前記第１反射層は、前記配線パターンの上面において、前記配線パターンの上面に離間して形成された複数の前記金属層の外周を覆うように形成され、前記第２反射層は、前記第１開口部から露出された前記配線パターンの側面を覆う前記金属層の側面の一部を覆うように形成され、前記金属層の一部を覆うように形成され、前記絶縁層の上面から前記第２反射層の上面までの前記第２反射層の厚さが、前記絶縁層の上面から前記第１反射層の上面までの前記第１反射層の厚さよりも薄く形成され、前記第２反射層の上面が前記配線パターンの上面よりも低くなるように形成されている。

【発明の効果】

【0006】

本発明の一観点によれば、反射層と発光素子との干渉を抑制することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】（ａ）は、一実施形態の配線基板を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す配線基板のＡ−Ａ概略断面図。

【図2】一実施形態の配線パターン及び金属層を示す概略平面図。

【図3】（ａ）は、一実施形態の発光装置を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す発光装置のＢ−Ｂ概略断面図。

【図4】一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略平面図。

【図5】（ａ）〜（ｃ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｄ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。なお、（ａ）〜（ｃ）は、（ｄ）のＣ−Ｃ線位置における配線基板の断面構造を示している。

【図6】（ａ）〜（ｃ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｄ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。なお、（ａ）〜（ｃ）は、（ｄ）のＤ−Ｄ線位置における配線基板の断面構造を示している。

【図7】（ａ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。なお、（ａ）は、（ｂ）のＥ−Ｅ線位置における配線基板の断面構造を示している。

【図8】（ａ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｂ）、（ｃ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。

【図9】（ａ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）のＦ−Ｆ線位置における配線基板の製造過程の状態を示す概略断面図、（ｃ）は、一実施形態の配線基板の製造に用いられるスクリーンマスクを示す概略平面図。

【図10】（ａ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造に用いられるスクリーンマスクを示す概略平面図。

【図11】（ａ）、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｃ）、（ｄ）は、一実施形態の発光装置の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）、（ｂ）は、図９（ａ）のＦ−Ｆ線位置における配線基板の断面構造を示しており、（ｃ）、（ｄ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ線位置における発光装置の断面構造を示している。

【図12】（ａ）は、変形例の配線基板の製造に用いられるスクリーンマスクを示す概略平面図、（ｂ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ｂ）は、図９（ａ）のＦ−Ｆ線位置における配線基板の断面構造を示している。

【図13】（ａ）〜（ｄ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｄ）は、図９（ａ）のＦ−Ｆ線位置における配線基板の断面構造を示している。

【図14】（ａ）〜（ｄ）は、変形例の配線基板及び発光装置の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｄ）は、図９（ａ）のＦ−Ｆ線位置における配線基板及び発光装置の断面構造を示している。

【図15】（ａ）〜（ｃ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。

【図16】（ａ）、（ｂ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図、（ｃ）は、（ｂ）のＧ−Ｇ線位置における配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。

【図17】（ａ）、（ｂ）は、変形例の配線基板を示す概略断面図。

【図18】変形例の発光装置を示す概略断面図。

【図19】（ａ）、（ｂ）は、変形例の配線パターン及び金属層を示す概略平面図。

【図20】変形例の配線パターン及び金属層を示す概略平面図。

【図21】発光装置の適用例を示す概略断面図。

【図22】（ａ）、（ｂ）は、発光装置の実装例を示す概略断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを省略している。

【0009】

（一実施形態）
以下、一実施形態を図１〜図１１に従って説明する。
（配線基板の構造）
図１（ｂ）に示すように、配線基板１は、放熱板１０と、放熱板１０の上面を覆う絶縁層２０と、絶縁層２０上に形成された配線パターン３０と、配線パターン３０上に形成された金属層４０，４１と、配線パターン３０等を覆う第１反射層５０と、配線パターン３０間に形成された第２反射層６０とを有している。この配線基板１は、例えば発光装置に適用される配線基板である。

【0010】

放熱板１０は、例えば平面視して略矩形状の薄板である。放熱板１０の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などの熱伝導性に優れた金属又はこれらの金属を少なくとも一種以上含む合金を用いることができる。また、放熱板１０の材料としては、例えば窒化アルミニウムやアルミナ等の熱伝導性に優れたセラミック材を用いることもできる。放熱板１０の厚さは、例えば０．５〜１．０ｍｍ程度とすることができる。

【0011】

絶縁層２０は、放熱板１０の上面全面を覆うように形成されている。絶縁層２０の材料としては、例えば熱伝導率の高い（例えば、１〜１０Ｗ／ｍＫ程度）絶縁性樹脂を用いることができる。具体的には、絶縁層２０の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。絶縁層２０の厚さは、例えば５０〜８０μｍ程度とすることができる。この絶縁層２０は、放熱板１０と配線パターン３０とを絶縁する機能と、放熱板１０と配線パターン３０とを接着する機能とを有する。なお、絶縁層２０の絶縁性が高い場合には、放熱性の観点から、絶縁層２０を薄く形成することが好ましい。

【0012】

配線パターン３０は、絶縁層２０の上面２０Ａ上に形成されている。この配線パターン３０は、図２に示すように、絶縁層２０の上面２０Ａの中央部を全体的に覆うように形成されている。具体的には、平面視帯状（平面視長方形状）の複数（図２では、５つ）の配線パターン３０が平行に隣接して配置されている。そして、隣接する配線パターン３０間には、下層の絶縁層２０を露出する溝状の開口部３０Ｘが形成されている。この開口部３０Ｘによって、複数の配線パターン３０は互いに離間されている。なお、配線パターン３０の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。配線パターン３０の厚さは、例えば３５〜１０５μｍ程度とすることができる。また、各配線パターン３０間の幅（開口部３０Ｘの幅）は、例えば０．１〜０．３ｍｍ程度とすることができる。

【0013】

配線パターン３０の上面３０Ａには、平面視略半円状の金属層４０が多数形成されている。これら金属層４０は、上記開口部３０Ｘを挟んで半円の直線部が互いに対向するように形成された２つの金属層４０で一つの組（一対）になるように形成されている。すなわち、一対の金属層４０は、互いに異なる配線パターン３０の上面３０Ａに形成され、全体的には平面視略円状になるように形成されている。そして、このような一対の金属層４０が配線パターン３０上にマトリクス状（図２では４×４）に形成されている。各金属層４０は、発光素子７０（図３参照）が接合されるパッド４０Ｐを有している。また、図１（ｂ）に示すように、各金属層４０は、開口部３０Ｘにおいて配線パターン３０の側面を覆うように形成されている。金属層４０の例としては、銀（Ａｇ）層や、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。また、金属層４０の例としては、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ／Ａｕ（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）なども挙げることができる。なお、金属層４０が例えばＮｉ／Ａｕ層である場合には、Ｎｉ層の厚さを１〜１０μｍ程度とすることができ、Ａｕ層の厚さを０．０５〜２μｍ程度とすることができる。

【0014】

図２に示すように、配線パターン３０の上面３０Ａには、平面視略円状の金属層４１が一対形成されている。この金属層４１は、上記金属層４０よりも外側の配線パターン３０の上面３０Ａに形成されている。具体的には、一対の金属層４１は、５つの配線パターン３０のうち最も外側に配置された２つの配線パターン３０上であって、それら配線パターン３０に形成された金属層４０よりも外側に形成されている。このような金属層４１は、外部から給電される外部接続端子用パッド４１Ｐを有している。金属層４１の例としては、上記金属層４０と同様に、Ａｇ層や、Ｎｉ／Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｇ層や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ層や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ／Ａｕ層などを挙げることができる。なお、金属層４１が例えばＮｉ／Ａｕ層である場合には、Ｎｉ層の厚さを１〜１０μｍ程度とすることができ、Ａｕ層の厚さを０．０５〜２μｍ程度とすることができる。

【0015】

図１（ｂ）に示すように、第１反射層５０は、配線パターン３０の上面３０Ａ、絶縁層２０の上面２０Ａ及び金属層４０の一部を被覆するように形成されている。この第１反射層５０によって、金属層４０から露出された配線パターン３０の上面３０Ａが被覆されている。

【0016】

第１反射層５０は、配線パターン３０又は配線パターン３０及び金属層４０の上面に形成され、発光素子７０（図３参照）を搭載するための発光素子搭載領域ＣＡとして金属層４０の一部及び絶縁層２０を露出する開口部５０Ｘ（第１開口部）を有する。また、第１反射層５０は、絶縁層２０上に形成されると共に、複数の配線パターン３０のうち、最も外側に配置された配線パターン３０に形成され、外部接続端子用パッド４１Ｐとして金属層４１の一部を露出する開口部５０Ｙ（第２開口部）を有する。具体的には、図３に示すように開口部５０Ｘ内に発光素子７０が金属層４０上に電気的に搭載される。ここで、図１（ａ）に示すように、発光素子搭載領域ＣＡの平面形状は、例えば円形状に形成されている。この発光素子搭載領域ＣＡは、配線基板１上にマトリクス状（図１（ａ）では、４×４）に配列されている。各発光素子搭載領域ＣＡでは、溝状の開口部３０Ｘによって分離された２つの配線パターン３０上に形成された金属層４０の一部が開口部５０Ｘから露出されている。

【0017】

また、上記開口部５０Ｙの平面形状は例えば円形状に形成されている。具体的には、各開口部５０Ｙは、その平面形状が各金属層４１の平面形状よりも小さく形成されている。このため、開口部５０Ｙからは金属層４１の一部が露出され、その露出された金属層４１が外部接続端子用パッド４１Ｐとして機能する。この外部接続端子用パッド４１Ｐには、外部の電源から実装基板の配線等を介して給電される。なお、絶縁層２０の上面２０Ａから第１反射層５０の上面５０Ａまでの厚さは、例えば５０〜１５０μｍ程度とすることができる。また、配線パターン３０の上面３０Ａ上に形成された第１反射層５０の配線パターン３０の上面３０Ａから第１反射層５０の上面５０Ａまでの厚さは、例えば２０〜５０μｍ程度とすることができる。

【0018】

第２反射層６０は、隣接する配線パターン３０間、具体的には、開口部３０Ｘにおいて、配線パターン３０の側面を覆う金属層４０の間に露出する絶縁層２０を覆うように形成されている。すなわち、第２反射層６０は、第１反射層５０の開口部５０Ｘ内に露出する絶縁層２０を覆うように形成されている。この第２反射層６０によって、金属層４０の側面の一部が被覆される。また、この第２反射層６０は、上記第１反射層５０よりも薄く形成されている。具体的には、第２反射層６０は、その上面６０Ａが第１反射層５０の上面５０Ａよりも低くなるように形成されている。より具体的には、第２反射層６０は、その上面６０Ａが金属層４０の上面４０Ａよりも低くなるように形成されている。さらに、第２反射層６０は、その上面６０Ａが配線パターン３０の上面３０Ａよりも低くなるように形成されている。この第２反射層６０（絶縁層２０の上面２０Ａから第２反射層６０の上面６０Ａまで）の厚さは、例えば３０〜１００μｍ程度とすることができる。

【0019】

これら第１及び第２反射層５０，６０は、高い反射率を有する。具体的には、第１及び第２反射層５０，６０は、波長が４５０ｎｍ〜７００ｎｍの間で５０％以上（好適には８０％以上）の反射率を有する。このような第１及び第２反射層５０，６０は、白色レジスト層とも呼ばれる。この第１及び第２反射層５０，６０の材料としては、例えば白色の絶縁性樹脂を用いることができる。白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂やオルガノポリシロキサン系樹脂に白色の酸化チタン（ＴｉＯ_２）や硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）からなるフィラーや顔料を含有した樹脂材を用いることができる。このような第１及び第２反射層５０，６０（白色レジスト層）により配線基板１の最表面を覆うことにより、配線パターン３０の保護に加えて、当該配線基板１に実装される発光素子からの光の反射率を高め、発光素子の光量ロスを低減させることができる。

【0020】

（発光装置の構造）
次に、発光装置２の構造について説明する。
図３（ｂ）に示すように、発光装置２は、上記配線基板１と、その配線基板１に実装された複数（図３（ａ）では１６個）の発光素子７０と、発光素子７０等を封止する封止樹脂７５とを有している。

【0021】

各発光素子７０は、各発光素子搭載領域ＣＡに形成された一対のパッド４０Ｐ上に実装されている。具体的には、各発光素子７０は、上記一対のパッド４０Ｐ間に形成された第２反射層６０、つまり開口部３０Ｘに形成された第２反射層６０を跨るように、その第２反射層６０の両側に形成された２つのパッド４０Ｐ上にフリップチップ実装されている。より具体的には、発光素子７０の一方の面（図３（ｂ）では、下面）に形成された一方のバンプ７１が上記２つのパッド４０Ｐのうちの一方のパッド４０Ｐにフリップチップ接合され、他方のバンプ７１が他方のパッド４０Ｐにフリップチップ接合されている。これにより、各発光素子７０の各バンプ７１は、パッド４０Ｐを介して配線パターン３０と電気的に接続されている。また、図３（ａ）に示すように、発光素子７０は、配線基板１上にマトリクス状（図３（ａ）では、４×４）に配列されている。このため、発光装置２では、一対の外部接続端子用パッド４１Ｐ間に４個の発光素子７０が直列に接続されるとともに、それら直列に接続された発光素子７０群が４つ並列に接続されることになる。そして、これら発光素子７０は、外部の電源（図示略）から金属層４１や配線パターン３０を介して給電されて発光する。なお、発光素子７０の平面形状は例えば矩形状に形成されており、そのサイズは例えば０．３〜０．５ｍｍ^２程度である。また、バンプ７１の高さは、例えば３０〜１００μｍ程度とすることができる。

【0022】

上記発光素子７０としては、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）や面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。バンプ７１としては、例えば金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）とＡｕの合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。

【0023】

図３（ｂ）に示すように、封止樹脂７５は、発光素子７０及びバンプ７１等を封止するように配線基板１の上面に設けられている。この封止樹脂７５の材料としては、例えばシリコーン樹脂に蛍光体を含有させた樹脂材を用いることができる。このような蛍光体を含有させた樹脂材を発光素子７０上に形成することにより、発光素子７０の発光と蛍光体の発光の混色を用いることが可能となり、発光装置２の発光色を様々に制御することができる。

【0024】

（作用）
本実施形態の配線基板１では、パッド４０Ｐ間に形成される第２反射層６０を、他の第１反射層５０よりも低くなるように形成した。これにより、発光素子７０と干渉するおそれのある第２反射層６０が薄く形成されるため、その第２反射層６０と発光素子７０との干渉（接触）が好適に抑制される。

【0025】

（配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板１の製造方法について図４〜図１１に従って説明する。
まず、配線基板１を製造するためには、図４に示すように、多数個取り基板（以下、単に「基板」ともいう。）１０Ａを用意する。基板１０Ａは、配線基板１が形成される領域である配線基板形成領域Ｃ１がマトリクス状（図４では、３×３）に形成された区画を複数（図４では、３つ）有している。この基板１０Ａは、配線基板形成領域Ｃ１に配線基板１に対応する構造体が形成された後、切断線Ｄ１に沿ってダイシングブレード等によって切断される。これにより、配線基板１に対応する構造体が個片化され、複数の配線基板１が製造されることになる。このとき、各配線基板１において、基板１０Ａは図１に示した放熱板１０となる。このため、基板１０Ａの材料としては、放熱板１０と同様に、例えば銅、アルミニウムや鉄などの熱伝導性に優れた金属又はこれらの金属を少なくとも一種以上含む合金を用いることができる。なお、以下に示す図５〜図１１においては、説明の便宜上、一つの配線基板形成領域Ｃ１の構造を示している。

【0026】

次に、図５（ａ）に示す工程では、基板１０Ａの上面全面を覆うように絶縁層２０を形成するとともに、絶縁層２０の上面２０Ａ全面を覆うように銅箔３０Ｂを形成する。例えば絶縁層２０（絶縁基板）の片面に銅箔３０Ｂが被着された片面銅張り基板を基板１０Ａに接着することにより、基板１０Ａ上に絶縁層２０及び銅箔３０Ｂを形成する。また、例えば銅箔付き絶縁樹脂フィルムを基板１０Ａ上に積層することにより、基板１０Ａ上に絶縁層２０及び銅箔３０Ｂを形成するようにしてもよい。

【0027】

次に、図５（ｂ）に示す工程では、銅箔３０Ｂの上面に、所定の箇所に開口部８０Ｘを有するレジスト層８０を形成する。このレジスト層８０は、所要の配線パターン３０、めっき給電用の給電ライン３１及び接続部３２（図５（ｃ）、（ｄ）参照）に対応する部分の銅箔３０Ｂを被覆するように形成される。レジスト層８０の材料としては、耐エッチング性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層８０の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、銅箔３０Ｂの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層８０を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８０を形成することができる。

【0028】

次に、図５（ｃ）に示す工程では、図５（ｂ）に示したレジスト層８０をエッチングマスクとして銅箔３０Ｂをエッチングし、銅箔３０Ｂを所定形状にパターニングする。これにより、図５（ｄ）に示すように、絶縁層２０の上面２０Ａに、所要の配線パターン３０と、給電ライン３１と、接続部３２とが形成される。具体的には、並設された複数の帯状の配線パターン３０と、外周領域に枠状に形成された給電ライン３１と、その給電ライン３１と配線パターン３０とを電気的に接続する接続部３２とが形成される。これにより、全ての配線パターン３０が接続部３２を介して給電ライン３１に電気的に接続されることになる。また、上記エッチングにより、配線パターン３０間に溝状の開口部３０Ｘが形成される。本工程では、例えばエッチング液として塩化第二鉄水溶液を用いることができ、基板１０Ａの上面側からスプレーエッチングにより上記パターニングを実施することができる。なお、以下の説明では、配線パターン３０、給電ライン３１及び接続部３２をまとめて配線層３３とも称する。また、図５（ｄ）は、上記銅箔３０Ｂのパターニング終了後に、図５（ｃ）に示したレジスト層８０が例えばアルカリ性の剥離液により除去された後の状態を示している。

【0029】

次に、図６（ａ）に示す工程では、配線パターン３０上に、所定の箇所に開口部８１Ｘ，８１Ｙを有するレジスト層８１を形成する。この開口部８１Ｘは、金属層４０の形成領域に対応する部分の配線パターン３０を露出するように形成される。また、開口部８１Ｙは、金属層４１の形成領域に対応する部分の配線パターン３０を露出するように形成される。なお、上記給電ライン３１及び接続部３２は、レジスト層８１によって被覆される。レジスト層８１の材料としては、耐めっき性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層８１の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。

【0030】

続いて、図６（ｂ）に示す工程では、上記レジスト層８１をめっきマスクとして、配線パターン３０の表面（上面及び側面）に、配線層３３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層８１の開口部８１Ｘから露出された配線パターン３０の上面３０Ａ及び側面に電解めっき法を施すことにより、金属層４０を形成する。この金属層４０は、開口部８１Ｘから露出された配線パターン３０の上面３０Ａ及び側面を覆うように形成される。また、レジスト層８１の開口部８１Ｙから露出された配線パターン３０の上面３０Ａに電解めっき法を施すことにより、その配線パターン３０上に金属層４１を形成する。この金属層４１は、開口部８１Ｙから露出された配線パターン３０の上面３０Ａを覆うように形成される。なお、例えば金属層４０，４１がＮｉ／Ａｕ層である場合には、電解めっき法により、レジスト層８１の開口部８１Ｘ，８１Ｙから露出された配線パターン３０の表面にＮｉ層とＡｕ層を順に積層する。

【0031】

次いで、図６（ｃ）に示す工程では、図６（ｂ）に示したレジスト層８１を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。これにより、図６（ｄ）に示すように、配線パターン３０の上面３０Ａに、平面視略半円状の金属層４０が複数形成され、平面視略円状の金属層４１が複数形成される。

【0032】

次に、図７（ａ）、（ｂ）に示す工程では、絶縁層２０及び配線パターン３０上に、配線パターン３０を覆うようにレジスト層８２を形成する。このレジスト層８２は、給電ライン３１及び接続部３２を露出するように形成されるとともに、配線パターン３０よりも外側に形成された絶縁層２０を露出するように形成される。レジスト層８２の材料としては、耐エッチング性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層８２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。

【0033】

続いて、図８（ａ）、（ｂ）に示す工程では、レジスト層８２をエッチングマスクとして配線層３３をエッチングし、給電ライン３１及び接続部３２を除去する。これにより、図８（ｃ）に示すように、複数の配線パターン３０が互いに電気的に分離される。なお、本工程では、エッチング液として例えば塩化第二鉄水溶液を用いることができ、基板１０Ａの上面側からスプレーエッチングにより給電ライン３１及び接続部３２の除去を実施することができる。その後、図８（ｃ）に示す工程では、図８（ｂ）に示したレジスト層８２を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。

【0034】

次に、図９（ａ）、（ｂ）に示す工程では、配線パターン３０よりも外側の領域に露出された絶縁層２０上、配線パターン３０上及び金属層４０，４１上に開口部５０Ｘ，５０Ｙを有する第１反射層５０を形成する。この開口部５０Ｘは、発光素子搭載領域ＣＡとなる金属層４０及び絶縁層２０を露出するように形成され、開口部３０Ｘから露出される絶縁層２０の一部を露出するように形成される。この開口部５０Ｘから露出された金属層４０はパッド４０Ｐとして機能する。また、開口部５０Ｙは、金属層４１の一部を外部接続端子用パッド４１Ｐとして露出するように形成される。この第１反射層５０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。具体的には、このスクリーン印刷法は、例えば図９（ｃ）に示すスクリーンマスク８３を使用して実施される。このスクリーンマスク８３は、枠状のフレーム８４に金属メッシュ８５を張設し、その金属メッシュ８５に乳剤などの感光性樹脂８６をパターニングしたものである。感光性樹脂８６は、金属メッシュ８５を被覆する状態で所定の位置に設けられており、感光性樹脂８６が設けられていない部分が印刷パターンに対応した開口部となる。すなわち、第１反射層５０となる樹脂ペーストを吐出させたい部分には感光性樹脂８６が設けられていない。詳述すると、スクリーンマスク８３では、第１反射層５０の開口部５０Ｘ，５０Ｙに対応する位置に感光性樹脂８６が設けられている。具体的には、スクリーンマスク８３では、外部接続端子用パッド４１Ｐに対応する位置、発光素子搭載領域ＣＡに対応する位置及び開口部３０Ｘに対応する位置に感光性樹脂８６が設けられており、その他の部分が開口部となっている。そして、このスクリーンマスク８３を介して、スキージを滑動（スキージング）させることにより樹脂ペーストを絶縁層２０、配線パターン３０及び金属層４０上に転写させる。その後、樹脂ペーストの溶剤を蒸発させて、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、所望の形状の第１反射層５０を形成する。すなわち、金属層４０の一部をパッド４０Ｐとして露出させ開口部３０Ｘに形成された絶縁層２０の一部を露出させる開口部５０Ｘと、金属層４１の一部を外部接続端子用パッド４１Ｐとして露出させる開口部５０Ｙとを有する第１反射層５０が形成される。

【0035】

このように、第１反射層５０の形成によって、金属層４０の一部がパッド４０Ｐとして開口部５０Ｘから露出される。このため、第１反射層５０の形成後に、コンタクト性を向上させるために配線パターン３０上に電解めっき等を施す必要がない。これにより、上記金属層４０を形成する際に使用されるめっき液の劣化を抑制することができる。詳述すると、第１反射層５０を形成した後に、開口部５０Ｘから露出された配線パターン３０に対してめっき法（電解めっき法又は無電解めっき法）を施す場合には、そのときに使用されるめっき液に対して第１反射層５０に含まれる樹脂材等が溶出する。このため、めっき液の劣化とそれによる液寿命の短縮化を引き起こすという問題がある。これに対し、本実施形態の製造方法によれば、電解めっき法を実施する際には、第１反射層５０が形成されていないため、上述したような問題の発生を未然に防止することができる。すなわち、本実施形態の製造方法によれば、めっき液の劣化を抑制することができるため、めっき液の液寿命の短縮化を抑制することができる。

【0036】

次に、図１０（ａ）に示す工程では、隣り合うパッド４０Ｐ間に第２反射層６０を形成する。この第２反射層６０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。具体的には、このスクリーン印刷法は、例えば図１０（ｂ）に示したスクリーンマスク８７を使用して実施される。このスクリーンマスク８７は、枠状のフレーム８８に金属メッシュ８９を張設し、その金属メッシュ８９に乳剤などの感光性樹脂９０をパターニングしたものである。スクリーンマスク８７では、開口部３０Ｘに対応する部分以外の位置に感光性樹脂９０が設けられており、開口部３０Ｘに対応する部分が当該スクリーンマスク８７の開口部８７Ｘとなっている。但し、この開口部８７Ｘの幅は、上記開口部３０Ｘ（パッド４０Ｐ間）以外に樹脂が漏れないように開口部３０Ｘの幅よりも狭くなるように設定される。具体的には、開口部８７Ｘの幅は、マスクや位置合わせ精度に応じて適宜設定可能であるが、例えば開口部３０Ｘの幅よりも１０〜２０μｍ程度狭く設定される。そして、このスクリーンマスク８７を介して、スキージを滑動させることにより樹脂ペーストを絶縁層２０上に転写させる。その後、樹脂ペーストの溶剤を蒸発させて、図１１（ａ）に示すように、所望の形状の第２反射層６０を形成する。すなわち、第２反射層６０は、配線パターン３０間及びパッド４０Ｐ間に形成された絶縁層２０の上面２０Ａを被覆するように形成される。このとき、第２反射層６０は、その上面６０Ａが配線パターン３０の上面３０Ａよりも低くなるように形成される。なお、例えば絶縁層２０上に転写させる樹脂ペーストの量を調整することにより、第２反射層６０の厚さを調整することができる。

【0037】

続いて、図１１（ａ）に示す工程では、第１反射層５０及び第２反射層６０を１５０℃程度の温度雰囲気でキュア（熱硬化処理）を行うことにより硬化させる。
次いで、図１１（ａ）に示す工程では、同図に示す構造体を切断線Ｄ１に沿って切断する。これにより、図１１（ｂ）に示すように配線基板１が個片化され、複数の配線基板１が製造される。

【0038】

（発光装置の製造方法）
次に、発光装置２の製造方法を図１１（ｃ）、（ｄ）に従って説明する。
図１１（ｃ）に示す工程では、上記配線基板１の各発光素子搭載領域ＣＡ内に形成されたパッド４０Ｐ上に発光素子７０を実装する。具体的には、隣り合うパッド４０Ｐの各々の上面に、発光素子７０のバンプ７１をフリップチップ接合する。例えばバンプ７１が金バンプである場合には、そのバンプ７１をパッド４０Ｐ上に超音波接合することにより固定する。

【0039】

次に、図１１（ｄ）に示す工程では、配線基板１上に実装された複数の発光素子７０及びバンプ７１を封止する封止樹脂７５を形成する。例えば封止樹脂７５として熱硬化性を有する樹脂を用いる場合には、図１１（ｃ）に示した構造体を金型内に収容し、金型内に圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ）を印加し、流動化した樹脂を導入する。その後、樹脂を例えば１８０℃程度で加熱して硬化させることで、封止樹脂７５を形成する。なお、封止樹脂７５は、液状の樹脂のポッティングにより形成することもできる。以上の製造工程により、図３に示した発光装置２が製造される。

【0040】

（効果）
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）パッド４０Ｐ間に形成される第２反射層６０を、発光素子搭載領域ＣＡ以外の領域に形成される第１反射層５０よりも低くなるように形成した。これにより、発光素子７０と干渉するおそれのある第２反射層６０が薄く形成されるため、その第２反射層６０と発光素子７０との干渉（接触）が好適に抑制される。このため、発光素子７０のバンプ７１が微細化し、発光素子７０とパッド４０Ｐ間の隙間が狭くなった場合であっても、第２反射層６０と発光素子７０との干渉を好適に抑制することができる。したがって、微細化されたバンプ７１による発光素子７０の実装が可能となるため、発光装置２全体の小型化を図ることができる。

【0041】

（２）また、発光素子搭載領域ＣＡの周辺領域と併せて、発光素子７０の直下にも反射層を形成することができるため、発光素子７０からの光の反射率を高めることができる。さらに、発光素子７０との干渉のおそれがない第１反射層５０を、金属層４０上に厚く（高く）形成することができる。このため、例えば第２反射層６０に合わせて第１反射層５０を薄く（低く）形成する場合に比べて、発光素子７０からの光の反射率を高めることができる。したがって、発光素子７０の光量ロスを好適に低減させることができる。

【0042】

（３）パッド４０Ｐ間に形成される第２反射層６０を、その上面６０Ａが金属層４０の上面４０Ａよりも低くなるように形成した。これにより、発光素子７０とパッド４０Ｐ間の隙間が狭くなった場合であっても、第２反射層６０と発光素子７０との干渉を防止することができる。

【0043】

（４）パッド４０Ｐ間に形成される第２反射層６０を、その上面６０Ａが配線パターン３０の上面３０Ａよりも低くなるように形成した。これにより、発光素子７０と第２反射層６０間の隙間を広く確保することができるため、発光素子７０からの光を第１反射層５０に向かって効率良く反射させることができる。したがって、発光素子７０からの光の反射率を更に高めることができ、発光素子７０の光量ロスを好適に低減させることができる。

【0044】

（５）スクリーン印刷法により第１反射層５０を形成した後に、スクリーン印刷法により第２反射層６０を形成するようにした。このように第１反射層５０及び第２反射層６０を別工程で形成するようにしたため、第１反射層５０と第２反射層６０を異なる厚さに容易に設定することができる。具体的には、第１反射層５０を形成する際の樹脂ペーストの量と、第２反射層６０を形成する際の樹脂ペーストの量とを個別に調整することができるため、第１反射層５０及び第２反射層６０をそれぞれ所望の厚さに容易に調整することができる。

【0045】

（６）配線パターン３０上に電解めっき法により金属層４０を形成した後に、それら配線パターン３０及び金属層４０の一部を覆う第１反射層５０を形成するようにした。この場合には、電解めっき法により金属層４０を形成する際には、第１反射層５０が形成されていないため、その第１反射層５０の存在に起因してめっき液が劣化することを未然に防止することができる。これにより、めっき液の液寿命を延ばすことができ、そのめっき液を継続的に使用することができる。この結果、コスト削減に貢献することができる。

【0046】

（７）金属層４０を電解めっき法により形成するようにした。これにより、金属層４０を無電解めっき法により形成する場合よりも製造コストを低減することができる。
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。

【0047】

・上記実施形態では、第１反射層５０を形成した後に、第２反射層６０を形成するようにした。これに限らず、第２反射層６０を形成した後に、第１反射層５０を形成するようにしてもよい。

【0048】

・上記実施形態では、第１反射層５０と第２反射層６０とを別工程で形成するようにした。すなわち、スクリーンマスク８３を使用したスクリーン印刷法により第１反射層５０を形成し、スクリーンマスク８７を使用したスクリーン印刷法により第２反射層６０を形成するようにした。これに限らず、第１反射層５０と第２反射層６０とを同時に形成するようにしてもよい。例えば図１２（ａ）に示したスクリーンマスク９１を使用したスクリーン印刷法により、第１反射層５０と第２反射層６０とを同時に形成することができる。このスクリーンマスク９１は、枠状のフレーム９２に金属メッシュ９３を張設し、その金属メッシュ９３に乳剤などの感光性樹脂９４をパターニングしたものである。スクリーンマスク９１では、第１及び第２反射層５０，６０の形成領域に対応する部分以外の位置に感光性樹脂９４が設けられている。また、スクリーンマスク９１では、第１反射層５０の形成領域に対応する部分が当該スクリーンマスク９１の開口部９１Ｘとなっており、第２反射層６０の形成領域に対応する部分が当該スクリーンマスク９１の開口部９１Ｙとなっている。但し、開口部９１Ｙの幅は、上記開口部３０Ｘ（パッド４０Ｐ間）以外に樹脂が漏れないように、且つ第２反射層６０を第１反射層５０よりも薄く形成するために開口部３０Ｘの幅よりも狭くなるように設定される。具体的には、開口部９１Ｙの幅は、マスクや位置合わせ精度に応じて適宜設定可能であるが、例えば開口部３０Ｘの幅よりも１０〜２０μｍ程度狭く設定される。そして、このスクリーンマスク９１を介して、スキージを滑動させることにより樹脂ペーストを絶縁層２０上、配線パターン３０上及び金属層４０，４１上に転写させる。その後、樹脂ペーストの溶剤を蒸発させて、図１２（ｂ）に示すように、所望の形状の第１及び第２反射層５０，６０を形成する。詳述すると、金属層４０の一部をパッド４０Ｐとして露出させる開口部５０Ｘと、金属層４１の一部を外部接続端子用パッド４１Ｐとして露出させる開口部５０Ｙとを有する第１反射層５０が形成される。また、第２反射層６０は、配線パターン３０間及びパッド４０Ｐ間に形成された絶縁層２０の上面２０Ａを被覆するように形成される。このとき、第２反射層６０は、その上面６０Ａが配線パターン３０の上面３０Ａよりも低くなるように形成される。なお、スクリーンマスク９１の配線パターン３０間及びパッド４０Ｐ間に吐出される樹脂ペーストの量を少なくする、例えば上述のようにスクリーンマスク９１の開口部９１Ｙを小さく形成することで、第２反射層６０を第１反射層５０よりも薄く形成することができる。

【0049】

・上記実施形態では、第１及び第２反射層５０，６０をスクリーン印刷法により形成するようにした。これに限らず、例えば第１反射層５０の材料として感光性の絶縁性樹脂を用いる場合には、絶縁層２０、配線パターン３０及び金属層４０を覆うように第１反射層５０となるレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィ法によりレジスト層を露光・現像して上記開口部５０Ｘ，５０Ｙを形成することで、上記第１反射層５０を形成することもできる。なお、第２反射層６０についても同様である。

【0050】

・図１３に示される製造方法により、第１及び第２反射層５０，６０を形成するようにしてもよい。詳述すると、先の図４〜図８（ｃ）に示した工程と同様の製造工程により、基板１０Ａ上に形成あれた絶縁層２０の上面２０Ａ上に配線パターン３０を形成し、その配線パターン３０の表面（上面３０Ａ及び側面）の一部を覆うように金属層４０，４１を形成する。

【0051】

次に、図１３（ｂ）に示す工程では、絶縁層２０上、配線パターン３０上及び金属層４０上に、開口部５０Ｘ，５０Ｙを有する第１反射層５０と、発光素子搭載領域ＣＡ内に露出された絶縁層２０を被覆する第２反射層６０Ｃとを形成する。これら第１反射層５０及び第２反射層６０Ｃは、略同じ高さとなるように形成される。また、第２反射層６０Ｃは、図示のように、パッド４０Ｐの一部を被覆するように形成されてもよい。このような第１反射層５０及び第２反射層６０Ｃは、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。そして、第１反射層５０及び第２反射層６０Ｃを１５０℃程度の温度雰囲気でキュアを行うことにより硬化させる。

【0052】

次いで、図１３（ｃ）に示す工程では、金属層４０上及び第１反射層５０上に、所定パターンの開口部９５Ｘを有するブラスト保護用のマスク９５を形成する。開口部９５Ｘは、上記第２反射層６０Ｃのみを露出するように形成される。マスク９５の材料としては、耐ブラスト処理の特性を有する材料を用いることができる。また、マスク９５の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、金属層４０上、第１反射層５０上及び第２反射層６０Ｃ上にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記マスク９５を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、マスク９５を形成することができる。

【0053】

次に、マスク９５の開口部９５Ｘを通じて上記第２反射層６０Ｃにブラスト処理を施す。すなわち、マスク９５の開口部９５Ｘに砥粒９６を吹き付けて第２反射層６０Ｃを所定の厚さまで薄化する（開口部９５Ｘから露出された第２反射層６０Ｃの厚さを全体的に減少させる）。具体的には、図１３（ｄ）に示すように、上記薄化によって形成される第２反射層６０の上面６０Ａが配線パターン３０の上面３０Ａよりも低くなるように、マスク９５の開口部９５Ｘを通じて第２反射層６０Ｃを削る。なお、第２反射層６０Ｃの薄化が進み、金属層４０の一部が露出されると、この金属層４０にも砥粒９６が吹き付けられる。但し、金属層４０は、相対的に脆性の小さい材料（金属）からなるため、相対的に脆性の大きい材料（硬化した樹脂など）からなる第２反射層６０Ｃよりも加工レートが小さくなる。このため、金属層４０は第２反射層６０Ｃよりも削られにくく、上記ブラスト処理による形状の変化は小さい。

【0054】

そして、上記ブラスト処理により、配線パターン３０間及びパッド４０Ｐ間に、第１反射層５０よりも薄く、配線パターン３０よりも薄く形成された第２反射層６０Ｃが形成される。

【0055】

ここで、第１反射層５０及び第２反射層６０Ｃは、その特性から熱硬化性の絶縁性樹脂であることが多く、上述のようにスクリーン印刷法により形成されることが多い。しかしながら、スクリーン印刷法は、フォトリソグラフィ法などと比べて位置合わせ精度が低く、滲みが発生しやすい。このため、配線パターン３０間及びパッド４０Ｐ間に第２反射層６０Ｃを形成すると、位置ずれや滲みに起因して、図１３（ｂ）に示すように第２反射層６０Ｃがパッド４０Ｐの一部を被覆するように形成される場合がある。この場合には、発光素子７０の直下に形成された第２反射層６０Ｃがパッド４０Ｐよりも高く形成されることになるため、発光素子７０と第２反射層６０Ｃとが干渉しやすくなる。これに対して、上記製造方法では、ブラスト処理により、パッド４０Ｐの一部を被覆するように形成された第２反射層６０Ｃを除去することができるため、発光素子７０と第２反射層６０Ｃとの干渉を好適に抑制することができる。

【0056】

なお、上記ブラスト処理としては、例えばウェットブラスト処理やドライブラスト処理を用いることができる。但し、高い加工精度が得られる点や作業効率に優れている点などから、ウェットブラスト処理を用いることが好ましい。

【0057】

・あるいは、上記薄化処理を例えば樹脂エッチングやレーザ加工によって行うようにしてもよい。
・上記実施形態では、配線基板１を個片化した後に、その配線基板１のパッド４０Ｐ上に発光素子７０を実装するようにした。これに限らず、図１４に示すように、配線基板１の個片化の前にパッド４０Ｐ上に発光素子７０を実装し、その後、切断線Ｄ１に沿って切断して個々の発光装置２を得るようにしてもよい。詳述すると、図１４（ａ）に示すように第１及び第２反射層５０，６０を形成した後に切断線Ｄ１で切断せずに、図１４（ｂ）に示すように、パッド４０Ｐ上に発光素子７０を実装する。次に、図１４（ｃ）に示すように発光素子７０を封止樹脂７５で封止した後に、切断線Ｄ１に沿って切断して、図１４（ｄ）に示すように個々の発光装置２を得るようにしてもよい。なお、上記封止樹脂７５は、一括モールディング方式により配線基板形成領域Ｃ１がマトリクス状（図４では、３×３）に形成された区画毎に形成するようにしてもよいし、個別モールディング方式により各配線基板形成領域Ｃ１毎に形成するようにしてもよい。

【0058】

・上記実施形態では、配線パターン３０の一部を覆うように金属層４０を形成した後に、配線パターン３０及び金属層４０全面をマスクして給電ライン３１及び接続部３２をエッチングにより除去するようにした。これに限らず、例えば図１５及び図１６に示す製造工程に変更してもよい。詳述すると、図１５（ａ）に示すように、先の図５に示した工程と同様に、絶縁層２０上に配線パターン３０、給電ライン３１及び接続部３２を形成する。次に、図１５（ｂ）に示す工程では、接続部３２上に、配線層３３のうち接続部３２のみを覆うレジスト層９７を形成する。レジスト層９７の材料としては、耐めっき性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層９７の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。

【0059】

続いて、上記レジスト層９７をめっきマスクとして、配線パターン３０及び給電ライン３１の表面（上面及び側面）に、配線層３３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。これにより、図１５（ｃ）に示すように、配線パターン３０の表面全面を覆うように金属層４２が形成され、給電ライン３１の表面全面を覆うように金属層４３が形成される。

【0060】

次いで、図１６（ａ）に示す工程では、図１５（ｃ）に示したレジスト層９７を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。その後、図１５（ｂ）に示す工程では、金属層４２，４３に対して接続部３２を選択的に除去する。例えば金属層４２，４３がＮｉ／Ａｕ層である場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより、金属層４２，４３に対して銅からなる接続部３２を選択的に除去することができる。これにより、図１６（ｃ）に示すように、表面（上面及び側面）が金属層４２によって覆われた配線パターン３０と、表面（上面及び側面）が金属層４３によって覆われた給電ライン３１とが除去されずに残る。

【0061】

このような構造によれば、配線基板１の外周領域に剛性の比較的高い給電ライン３１及び金属層４３が形成されるため、配線基板１の剛性を高めることができる。したがって、熱収縮などに伴って配線基板１に反りや変形が発生することを好適に抑制することができる。すなわち、上記構造によれば、給電ライン３１及び金属層４３を補強層として使用することができる。なお、個片化された配線基板１に給電ライン３１及びそれを覆う金属層４３が残っていても、それら給電ライン３１と複数の配線パターン３０とは互いに分離されるため、配線基板１の特性上、何ら支障はない。

【0062】

あるいは、先の図１５（ｂ）に示した工程において、配線層３３のうち給電ライン３１及び接続部３２を覆うレジスト層９７を形成するようにしてもよい。これによれば、配線層３３のうち配線パターン３０の表面全面のみに金属層４２が形成され、図１６（ｂ）に示した工程で給電ライン３１及び接続部３２が選択的に除去される。

【0063】

・上記実施形態では、金属層４０を電解めっき法により形成するようにしたが、これに限らず、例えば金属層４０を無電解めっき法により形成するようにしてもよい。この場合には、銅箔３０Ｂをパターニングする際に、給電ライン３１及び接続部３２の形成を省略することができる。このため、これら給電ライン３１及び接続部３２を除去する工程（図７及び図８に示した工程）についても省略することができる。

【0064】

・上記実施形態における発光素子７０は、各発光素子搭載領域ＣＡに形成された２つのパッド４０Ｐのうちの一方のパッド４０Ｐに１つのバンプ７１をフリップチップ接合し、他方のパッド４０Ｐに別の１つのバンプ７１をフリップチップ接合するようにした。これに限らず、例えば一方のパッド４０Ｐに複数のバンプ７１をフリップチップ接合し、他方のパッド４０Ｐに複数のバンプ７１をフリップチップ接合するようにしてもよい。

【0065】

ところで、１つのパッド４０Ｐに対して１つのバンプ７１が接合される場合には、各パッド４０Ｐ上での接続箇所が１箇所になるため、配線基板１上に実装された発光素子７０に傾きが生じるおそれがある。これに対し、上記変形例の構造では、１つのパッド４０Ｐに対して複数のバンプ７１が接合されるため、各パッド４０Ｐ上の接続箇所が複数箇所になる。これにより、配線基板１上に発光素子７０を安定して実装することができる。

【0066】

・上記実施形態では、配線基板１の上面に形成されたパッド４０Ｐ上に発光素子７０をフリップチップ実装するようにした。これに限らず、例えば上記パッド４０Ｐ上に発光素子をワイヤボンディング実装するようにしてもよい。この場合、例えば発光素子が各発光素子搭載領域ＣＡに形成された一方のパッド４０Ｐ上に接着剤を介して接合され、発光素子の一方の電極がボンディングワイヤを介して一方のパッド４０Ｐに電気的に接続され、他方の電極がボンディングワイヤを介して他方のパッド４０Ｐに電気的に接続される。このような構造であっても、発光素子搭載領域ＣＡに形成される第２反射層６０を配線パターン３０よりも薄く形成したことにより、その第２反射層６０とボンディングワイヤとの干渉（接触）を抑制することができる。

【0067】

・図１７（ａ）に示されるように、上記実施形態における第１反射層５０を、その上面５０Ａが、発光素子７０がパッド４０Ｐにフリップチップ実装されたときに該発光素子７０のパッド４０Ｐに対向する面（ここでは、バンプ７１の形成面７０Ａ）よりも高くなるように形成してもよい。このように、発光素子搭載領域ＣＡ以外の領域に形成された第１反射層５０を高く形成することにより、発光素子７０からの光を上方に効率良く反射させることができる。

【0068】

・図１７（ｂ）に示されるように、上記実施形態における第１反射層５０の側壁、具体的には第１反射層５０の開口部５０Ｘの側壁５０Ｂが傾斜面となるように形成してもよい。より具体的には、開口部５０Ｘの形状を、下部から上部に向かうにつれて径が大きくなるテーパ形状としてもよい。

【0069】

・図１８に示されるように、配線基板１の発光素子搭載領域ＣＡに凹部１０Ｘを形成し、その凹部１０Ｘ内に発光素子７０を実装するようにしてもよい。この場合には、凹部１０Ｘに絶縁層２０及び配線パターン３０が形成され、その配線パターン３０の表面上に金属層４０が形成され、その金属層４０間に配線パターン３０よりも薄い第２反射層６０が形成される。そして、凹部１０Ｘの底面に形成された金属層４０（パッド４０Ｐ）上に発光素子７０が実装される。なお、図１７では、発光素子７０をフリップチップ実装するようにしているが、発光素子をワイヤボンディング実装するようにしてもよい。

【0070】

・上記実施形態における放熱板１０が例えばセラミック材などの絶縁材料により形成されている場合には、絶縁層２０を省略するようにしてもよい。この場合には、放熱板１０上に配線パターン３０を直接形成するようにしてもよい。

【0071】

・上記実施形態では、配線基板１上に実装された複数の発光素子７０をまとめて封止樹脂７５で封止するようにした。これに限らず、各発光素子搭載領域ＣＡに実装された発光素子７０を個別に封止樹脂で封止するようにしてもよい。

【0072】

・上記実施形態では、金属層４０，４１を形成した後に第１及び第２反射層５０，６０を形成するようにした。これに限らず、例えば開口部５０Ｘ，５０Ｙを有する第１反射層５０及び第２反射層６０を形成した後に、それら開口部５０Ｘ，５０Ｙから露出される配線パターン３０上に金属層４０，４１をそれぞれ形成するようにしてもよい。具体的には、第１及び第２反射層５０，６０を形成した後に、開口部５０Ｘ，５０Ｙから露出する配線パターン３０に電解めっき法を施して金属層４０，４１を形成するようにしてもよい。

【0073】

・上記実施形態における開口部５０Ｘや金属層４０の平面形状は、特に限定されない。
・上記実施形態における開口部５０Ｙや金属層４１の平面形状は、円状に限らず、例えば矩形状や五角形状などの多角形状、半円状、楕円状や半楕円状であってもよい。

【0074】

・上記実施形態では、多数個取りの製造方法に具体化したが、単数個取り（一個取り）の製造方法に具体化してもよい。すなわち、多数個取り基板１０Ａの代わりに、１個の配線基板１となるサイズの基材を用いて、配線基板１及び発光装置２の製造を行うようにしてもよい。

【0075】

・上記実施形態における配線基板１及び発光装置２の平面形状は、矩形状に限らず、例えば三角形や五角形以上の多角形状であってもよく、円形状であってもよい。
・上記実施形態における配線基板１に搭載される発光素子７０の個数や配置は、特に限定されない。

【0076】

・上記実施形態における配線パターン３０の形状は、特に限定されない。例えば図１９（ａ）に示されるような配線パターンに変更してもよい。すなわち、平面視略矩形状の複数の配線パターン３５を平面視略Ｗ字状に配置するようにしてもよい。この場合には、図中の左右方向に隣接する配線パターン３５間には、図中の上下方向に延在された溝状の開口部３５Ｘが形成されている。また、図中の上下方向に隣接する配線パターン３５間には、図中の左右方向に延在された帯状の開口部３５Ｙが形成されている。これら開口部３５Ｘ，３５Ｙによって、複数の配線パターン３５は互いに分離されている。配線パターン３５上には、パッド４０Ｐとして機能する金属層が形成されている。この配線パターン３５は、マトリクス状（ここでは、４×４）に配列された発光素子搭載領域ＣＡ（破線円参照）を有している。また、配線パターン３５上には、外部接続端子用パッド４１Ｐとして機能する一対の金属層が形成されている。これら一対の外部接続端子用パッド４１Ｐは、略Ｗ字状に配置された複数の配線パターン３５のうちＷ字の始点と終点に位置する配線パターン３５上に形成されている。このような配線パターン３５及び外部接続端子用パッド４１Ｐを有する配線基板に発光素子を実装した場合には、一方の外部接続端子用パッド４１Ｐから他方の外部接続端子用パッド４１Ｐまでの間に複数（ここでは、１６個）の発光素子が直列に接続されることになる。

【0077】

・あるいは、図１９（ｂ）に示されるような配線パターンに変更してもよい。すなわち、平面視略帯状の配線パターン３６を配置し、その配線パターン３６に平行に隣接して配置された平面視略矩形状の複数の配線パターン３７をマトリクス状（ここでは、６×２）に配置するようにしてもよい。すなわち、配線パターン３６は、隣接する２列の配線パターン３７に対して共通に設けられている。この場合には、図中の左右方向に隣接する配線パターン３６，３７間及び各配線パターン３７間には、図中の上下方向に延在された溝状の開口部３７Ｘが形成されている。また、図中の上下方向に隣接する配線パターン３７間には、図中の左右方向に延在された帯状の開口部３７Ｙが形成されている。これら開口部３７Ｘ，３７Ｙによって、配線パターン３６，３７間、及び配線パターン３７同士は互いに分離されている。配線パターン３６，３７上には、パッド４０Ｐとして機能する金属層が形成されている。これら配線パターン３６，３７は、マトリクス状（ここでは、６×６）に配列された発光素子搭載領域ＣＡ（破線円参照）を有している。また、配線パターン３７は、一対の外部接続端子用パッド３７Ｐを有している。これら一対の外部接続端子用パッド３７Ｐは、配線パターン３６から最も離れた２つの配線パターン３７に形成されている。このような配線パターン３６，３７及び外部接続端子用パッド３７Ｐを有する配線基板に発光素子を実装した場合には、配線パターン３６と一方の外部接続端子用パッド３７Ｐとの間にマトリクス状（ここでは、６×３）に配列される発光素子が並列及び直列に接続される。また、配線パターン３６と他方の外部接続端子用パッド３７Ｐとの間にマトリクス状に配列される発光素子が並列及び直列に接続される。さらに、それら並列及び直列に接続された発光素子群が直列に接続されることになる。

【0078】

・あるいは、図２０に示されるような配線パターンに変更してもよい。すなわち、平面視略櫛状の一対の配線パターン３８を形成するようにしてもよい。詳述すると、配線パターン３８は、平面視長方形状に形成され、その上面に外部接続端子用パッド４１Ｐとして機能する金属層が形成される電極部３８Ａと、該電極部３８Ａから内側に向かって延在される櫛歯状の複数（図２０では２つ）の延在部３８Ｂとを有している。これら一対の配線パターン３８は、互いの延在部３８Ｂが交互に入り組むように配置されている。この場合には、各配線パターン３８間には、平面視略己字状の開口部３８Ｘが形成されている。そして、この開口部３８Ｘによって、一対の配線パターン３８は互いに分離されている。延在部３８Ｂ上には、パッド４０Ｐとして機能する金属層が形成されている。これら配線パターン３８は、マトリクス状（ここでは、３×２）に配列された発光素子搭載領域ＣＡを有している。この発光素子搭載領域ＣＡは、開口部３８Ｘによって分離された一対の配線パターン３８上に形成されたパッド４０Ｐを有している。このような配線パターン３８及び外部接続端子用パッド４１Ｐを有する配線基板に発光素子を実装した場合には、一方の外部接続端子用パッド４１Ｐから他方の外部接続端子用パッド４１Ｐまでの間に複数の発光素子が直列及び並列に接続されることになる。

【0079】

（発光装置の適用例）
図２１は、上記実施形態の発光装置２を照明装置３に適用した場合の断面構造を示している。

【0080】

照明装置３は、発光装置２と、発光装置２が実装された実装基板１００と、実装基板１００が装着された装置本体１２０とを有している。また、照明装置３は、装置本体１２０に装着されて発光装置２を覆うカバー部材１３０と、装置本体１２０を保持するホルダ１４０と、ホルダ１４０に取着されて発光素子７０を点灯させる点灯回路１５０とを有している。

【0081】

装置本体１２０は、外観視略円錐台状に形成されている。この装置本体１２０は、実装基板１００及びカバー部材１３０が装着される大径の端面１２０Ａと、小径の端面１２０Ｂとを有している。装置本体１２０は、例えば熱伝導性に優れたアルミニウムなどにより形成されている。装置本体１２０の端面１２０Ａには、実装基板１００が周知の装着手段（ここでは、ねじ）により装着されている。また、装置本体１２０には、端面１２０Ａと端面１２０Ｂとの間を貫通する貫通孔１２０Ｘが形成されている。貫通孔１２０Ｘには、実装基板１００を介して発光装置２の発光素子７０と電気的に接続される配線１６０が配設されている。この配線１６０は、端面１２０Ａ側から貫通孔１２０Ｘを介して端面１２０Ｂ側へ導出されている。

【0082】

装置本体１２０の端面１２０Ａには、外観視略半球のドーム状に形成されたカバー部材１３０がシリコーン樹脂等の接着剤によってカバー部材１３０の内部が気密状態となるように固着されている。なお、カバー部材１３０は、例えば硬質ガラスにより形成されている。

【0083】

ホルダ１４０は、例えばポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂やポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）樹脂により形成されている。ホルダ１４０は、装置本体１２０の端面１２０Ｂに周知の装着手段（接着剤やねじ等）により装着されている。このホルダ１４０には、図示しない口金が取着される。ホルダ１４０及び口金の内部には、点灯回路１５０が格納されている。点灯回路１５０は、例えば回路部品を実装した回路基板（図示略）がホルダ１４０に取着されてなる。この点灯回路１５０は、口金から供給される交流電圧を直流電圧に変換し、その直流電圧を上記配線１６０を介して発光素子７０に供給することで、発光素子７０を発光させる回路である。

【0084】

次に、発光装置２を実装基板１００に実装した具体例を説明する。
（発光装置の実装例１）
図２２（ａ）は、発光装置２を実装基板１００Ａに実装した場合の断面構造を示している。

【0085】

実装基板１００Ａは、金属板１０１と、金属板１０１の上面に形成された絶縁層１０２と、絶縁層１０２の上面に形成された配線パターン１０３とを有している。金属板１０１の材料としては、例えばアルミニウム、銅などの熱伝導性に優れた金属を用いることができる。絶縁層１０２の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。配線パターン１０３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。

【0086】

絶縁層１０２には、金属板１０１の一部を発光装置２の搭載領域として露出する開口部１０２Ｘが形成されている。そして、この搭載領域、つまり開口部１０２Ｘから露出された金属板１０１上に発光装置２が搭載されている。具体的には、発光装置２は、その下面に形成された放熱板１０が上記金属板１０１上に熱伝導部材１０４により熱的に接合されている。なお、熱伝導部材１０４としては、例えばインジウム（Ｉｎ）、シリコーン（又は炭化水素）グリース、金属フィラー、グラファイトなどの高熱伝導性物質を樹脂バインダでシート状に成形したものを用いることができる。

【0087】

また、実装基板１００Ａに搭載された発光装置２の外部接続端子用パッド４１Ｐは、ばね状の接続端子１０５（ここでは、リードピン）を介して実装基板１００Ａの配線パターン１０３と電気的に接続されている。

【0088】

このような構造によれば、発光装置２の放熱板１０が実装基板１００Ａの金属板１０１上に接合されるため、発光装置２から発生した熱を金属板１０１に放熱することができる。

【0089】

（発光装置の実装例２）
図２２（ｂ）は、発光装置２を実装基板１００Ｂに実装した場合の断面構造を示している。

【0090】

実装基板１００Ｂは、金属板１１１と、金属板１１１の上面に形成された絶縁層１１２と、絶縁層１１２の上面に形成された配線パターン１１３とを有している。金属板１１１の材料としては、例えばアルミニウム、銅などの熱伝導性に優れた金属を用いることができる。絶縁層１１２の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。配線パターン１１３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。

【0091】

発光装置２は、配線パターン１１３上に搭載されている。具体的には、発光装置２は、その下面に形成された放熱板１０が配線パターン１１３上に熱伝導部材１１４により熱的に接合されている。なお、熱伝導部材１１４としては、例えばインジウム、シリコーン（又は炭化水素）グリース、金属フィラー、グラファイトなどの高熱伝導性物質を樹脂バインダでシート状に成形したものを用いることができる。

【0092】

また、実装基板１００Ｂに搭載された発光装置２の外部接続端子用パッド４１Ｐは、ボンディングワイヤ１１５を介して実装基板１００Ｂの配線パターン１１３と電気的に接続されている。

【0093】

このような構造によれば、発光装置２の放熱板１０が熱伝導部材１１４を介して配線パターン１１３に熱的に接合されているため、発光装置２から発生した熱を放熱板１０から配線パターン１１３及び絶縁層１１２を通じて金属板１１１に放熱することができる。すなわち、上記配線パターン１１３のうち放熱板１０と熱的に接合された配線パターン１１３は、放熱用の配線層として機能する。なお、本実装例では、絶縁層１１２に金属板１１１を露出させるための開口部を設けていないが、絶縁層１１２が薄い場合には、発光装置２から発生した熱を絶縁層１１２を通じて金属板１１１に放熱することができる。

【符号の説明】

【0094】

１ 配線基板
２ 発光装置
１０ 放熱板
１０Ａ 基板
２０ 絶縁層
２０Ａ 上面
３０，３５，３６，３７，３８ 配線パターン
３０Ａ 上面
３１ 給電ライン
３２ 接続部
３３ 配線層
４０，４２ 金属層
４０Ａ 上面
４０Ｐ パッド
４１Ｐ 外部接続端子用パッド
５０ 第１反射層
５０Ａ 上面
５０Ｘ 開口部（第１開口部）
５０Ｙ 開口部（第２開口部）
６０ 第２反射層
６０Ａ 上面
６０Ｃ 第２反射層
７０ 発光素子
７５ 封止樹脂
ＣＡ 発光素子搭載領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】