特許第6102631号(P6102631)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6102631Grown−in欠陥形成のシミュレーション方法及び該シミュレーション方法をもとにしたシリコン単結晶製造方法
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  • 特許6102631-Grown−in欠陥形成のシミュレーション方法及び該シミュレーション方法をもとにしたシリコン単結晶製造方法 図000002
  • 特許6102631-Grown−in欠陥形成のシミュレーション方法及び該シミュレーション方法をもとにしたシリコン単結晶製造方法 図000003
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