特許 6118540 放熱部品及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6118540

(24)【登録日】2017年3月31日

(45)【発行日】2017年4月19日

(54)【発明の名称】放熱部品及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 18/52 20060101AFI20170410BHJP

   C25D 15/02 20060101ALI20170410BHJP

   C01B 32/152 20170101ALN20170410BHJP

   C01B 32/158 20170101ALN20170410BHJP

【ＦＩ】

   C23C18/52 A

   C25D15/02 F

   !C01B31/02 101F

【請求項の数】5

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2012-246630(P2012-246630)

(22)【出願日】2012年11月8日

(65)【公開番号】特開2014-95117(P2014-95117A)

(43)【公開日】2014年5月22日

【審査請求日】2015年10月14日

(73)【特許権者】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】504180239

【氏名又は名称】国立大学法人信州大学

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】諏訪 順之

(72)【発明者】

【氏名】川村 賢二

(72)【発明者】

【氏名】新井 進

【審査官】 伊藤 寿美

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００５−０８９８３６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００５／０９１３４５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００６−０５７１２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−１５６０７４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ２３Ｃ １８／００−２０／０８

Ｃ２５Ｄ １５／００−１５／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材と、
前記基材上に形成された複合めっき層と、を有し、
前記複合めっき層は、金属中に互いに直径の異なる２種類以上の炭素材料が分散された層であり、
前記２種類以上の炭素材料は、直径が１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、長さが前記複合めっき層の厚さよりも長い多層カーボンナノチューブと、直径が０．８ｎｍ以上２０ｎｍ以下である単層カーボンナノチューブと、を含み、
前記多層カーボンナノチューブの少なくとも一部は、一端が前記基材の表面に接し、他端が前記金属の表面から突出している放熱部品。

【請求項2】

前記単層カーボンナノチューブは、前記多層カーボンナノチューブよりも短い請求項１記載の放熱部品。

【請求項3】

基材上に、金属中に互いに直径の異なる２種類以上の炭素材料が分散された複合めっき層を形成する工程を有し、
前記工程では、前記２種類以上の炭素材料のうちの１つとして、直径が１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、長さが前記複合めっき層の厚さよりも長い多層カーボンナノチューブと、直径が０．８ｎｍ以上２０ｎｍ以下である単層カーボンナノチューブと、を前記金属中に分散させ、
前記多層カーボンナノチューブの少なくとも一部が、一端が前記基材の表面に接し、他端が前記金属の表面から突出するように形成する放熱部品の製造方法。

【請求項4】

前記単層カーボンナノチューブは、前記多層カーボンナノチューブよりも短い請求項３記載の放熱部品の製造方法。

【請求項5】

無電解めっき法により前記複合めっき層を形成する請求項３又は４記載の放熱部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体素子等の発する熱を放熱する放熱部品及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、金属内に２種類以上のカーボンナノチューブを分散させた複合金属体が知られている。このような複合金属体は、例えば、２種類以上のカーボンナノチューブを分散した電解液を電解してカソード電極上にカーボンナノチューブが混入した金属粒子を析出させる工程と、析出した金属粒子をカソード電極上から分離する工程とを含む方法で製造できる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００６−５７１２９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、上記製造方法では、析出した金属粒子をカソード電極上から分離する工程において、分離した金属粒子は回収、洗浄、乾燥し成形に入るため、製造工程が複雑化する問題がある。又、カソード電極上にカーボンナノチューブが混入した金属粒子を析出させる工程において、電気伝導率の低い金属では金属粒子を析出させることが困難であるため、金属の選択が制限される問題がある。又、金属粒子を成形して作製する複合金属体であるため、放熱部品を考えたときに、適応箇所が限定される問題がある。

【0005】

従って、上記製造方法を用いて、ヒートスプレッダやヒートパイプ等の放熱部品の表面に複合金属体を形成することは困難である。

【0006】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、２種類以上の炭素材料を分散させた複合めっき層が形成された放熱部品及びその製造方法を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本放熱部品は、基材と、前記基材上に形成された複合めっき層と、を有し、前記複合めっき層は、金属中に互いに直径の異なる２種類以上の炭素材料が分散された層であり、前記２種類以上の炭素材料は、直径が１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、長さが前記複合めっき層の厚さよりも長い多層カーボンナノチューブと、直径が０．８ｎｍ以上２０ｎｍ以下である単層カーボンナノチューブと、を含み、前記多層カーボンナノチューブの少なくとも一部は、一端が前記基材の表面に接し、他端が前記金属の表面から突出していることを要件とする。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、２種類以上の炭素材料を分散させた複合めっき層が形成された放熱部品及びその製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】第１の実施の形態に係る放熱部品を例示する部分断面模式図である。

【図2】第２の実施の形態に係る放熱部品を例示する部分断面模式図である。

【図3】複合めっき層表面のＳＥＭ写真である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0012】

〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る放熱部品の構造］
まず、第１の実施の形態に係る放熱部品の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る放熱部品を例示する部分断面模式図である。図１を参照するに、放熱部品１は、基材１０と、複合めっき層２０とを有する。

【0013】

基材１０は、複合めっき層２０が積層形成される部分である。基材１０は、熱伝導率が良好な金属から構成することが好ましく、具体的には、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、又はこれらの合金等を用いることができる。但し、基材１０は、樹脂やシリコン等であっても構わない。

【0014】

複合めっき層２０は、基材１０上に形成された、金属２３中に第１カーボンナノチューブ２１及び第２カーボンナノチューブ２２（以降、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２とする）が分散された層である。複合めっき層２０の厚さＴ_１は、例えば、５〜２０μｍ程度とすることができる。

【0015】

第１ＣＮＴ２１と第２ＣＮＴ２２とは、互いに直径が異なるカーボンナノチューブである。第１ＣＮＴ２１の直径は、例えば、１００〜１５０ｎｍ程度とすることができる。第２ＣＮＴ２２の直径は、例えば、０．８〜２０ｎｍ程度とすることができる。

【0016】

第１ＣＮＴ２１の長さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。第２ＣＮＴ２２の長さは、例えば、１〜１０μｍ程度とすることができる。但し、第１ＣＮＴ２１と第２ＣＮＴ２２とは、同じ長さであっても構わない。第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の本数は、例えば、各々数万本程度とすることができる。

【0017】

第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２は、各々単層カーボンナノチューブであってもよいし、多層カーボンナノチューブであってもよい。又、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２のうち何れか一方が単層カーボンナノチューブで、他方が多層カーボンナノチューブであってもよい。

【0018】

但し、大径の第１ＣＮＴ２１を多層カーボンナノチューブとし、小径の第２ＣＮＴ２２を単層カーボンナノチューブとすると好適である。単層カーボンナノチューブは多層カーボンナノチューブよりも熱伝導率が高いため、大径の第１ＣＮＴ２１間に小径の第２ＣＮＴ２２として単層カーボンナノチューブを多数分散させることにより、複合めっき層２０の熱放射性の更なる向上が期待できるからである。

【0019】

又、多層カーボンナノチューブは単層カーボンナノチューブよりも剛性が高く直線性に優れている。そのため、大径の第１ＣＮＴ２１として多層カーボンナノチューブを用い、ある程度の長さで金属２３中に分散させると、基材１０の熱を複合めっき層２０の表面に伝達し易くなる。例えば、一端が基材１０の表面に接し、他端が複合めっき層２０の表面から突出する第１ＣＮＴ２１が多数存在することにより、複合めっき層２０の熱放射性の更なる向上が期待できる。

【0020】

第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２は、基材１０の表面に対してランダムな方向に配されており、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の一部は、金属２３の表面から突出している。以降、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の金属２３の表面から突出している部分を、第１ＣＮＴ２１の突出部及び第２ＣＮＴ２２の突出部と称する。

【0021】

第１ＣＮＴ２１の突出部の金属２３の表面からの突出量Ｌは、第１ＣＮＴ２１ごとに異なるが、例えば、１０μｍ程度とすることができる。第１ＣＮＴ２１の突出部の投影面積は、複合めっき層２０の表面に対して３％以上とすることができる。第２ＣＮＴ２２の突出部の金属２３の表面からの突出量、及び第２ＣＮＴ２２の突出部の投影面積は、第１ＣＮＴ２１の場合と同程度とすることができる。但し、第２ＣＮＴ２２の突出部の金属２３の表面からの突出量を、第１ＣＮＴ２１の突出部の金属２３の表面からの突出量より小さくしても構わない。

【0022】

第２ＣＮＴ２２の直径は第１ＣＮＴ２１の直径よりも小さいため、隣接する第１ＣＮＴ２１の形成する隙間に第２ＣＮＴ２２が入り込むことが可能となり、金属２３中に分散する第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の密度を向上できる。特に、小径の第２ＣＮＴ２２の長さを大径の第１ＣＮＴ２１の長さよりも短くすることにより、隣接する第１ＣＮＴ２１の形成する隙間に第２ＣＮＴ２２が入り込み易くなり、いっそう密度を向上できる。

【0023】

金属２３は、熱伝導率が良好で錆び難い金属から構成することが好ましく、具体的には、例えば、ニッケル（Ｎｉ）とリン（Ｐ）との合金（Ｎｉ−Ｐ合金）等を用いることができる。

【0024】

なお、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２に代えて、フッ素化カーボンナノチューブ等を含むカーボンナノチューブの誘導体、カーボンナノファイバ、グラファイト、カーボンブラック等の炭素材料を用いても構わない。又、これらの炭素材料が混合したものを用いても構わない。

【0025】

なお、放熱部品１は、例えば、ベーパーチャンバー、ヒートパイプ、ヒートスプレッダ、ＬＥＤの筺体等に適用することができる。つまり、放熱部品１の基材１０は半導体素子等の発熱体に取り付けられ、半導体素子等の発する熱を基材１０を介して複合めっき層２０の表面に迅速に伝達する。

【0026】

金属２３中には互いに直径の異なる第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２が高密度に分散され、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の一部が金属２３の表面から突出している。そのため、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部からは、基材１０から伝熱された熱が直ちに放熱され、複合めっき層２０の熱放射性を向上できる。

【0027】

なお、本実施の形態では、金属中に直径の異なる２種類のカーボンナノチューブを分散させる例を示したが、金属中に直径の異なる３種類以上のカーボンナノチューブを分散させてもよい。金属中に直径の異なる複数種類のカーボンナノチューブを分散させることにより、金属中に分散するカーボンナノチューブを高密度化できるため、放熱部品の熱放射性を向上可能となる。

【0028】

［第１の実施の形態に係る放熱部品の製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る放熱部品の製造方法について説明する。まず、基材１０を準備する。基材１０は、熱伝導率が良好な金属から構成することが好ましく、具体的には、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、又はこれらの合金等を用いることができる。但し、基材１０は、樹脂やシリコン等であっても構わない。

【0029】

そして、準備した基材１０の表面に、金属２３中に第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２が分散されためっき液を用いて無電解めっきを施す。これにより、金属２３中に第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２が分散された複合めっき層２０を形成できる。複合めっき層２０は、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の一部が金属２３の表面から突出した複数の突出部を含むように形成する。

【0030】

複合めっき層２０の厚さは、例えば、５〜２０μｍ程度とすることができる。第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の直径、長さ、突出量、投影面積等は前述の通りであるため、説明は省略する。

【0031】

本実施の形態で用いる無電解めっき液としては、例えば、Ｎｉ−Ｐめっき液を用いることができる。以下、無電解めっき液としてＮｉ−Ｐめっき液を用いる場合を例にして説明する。

【0032】

Ｎｉ−Ｐめっき液は、カチオン系の界面活性剤であるトリメチルセチルアンモニウム塩を含むと好適である。トリメチルセチルアンモニウム塩の添加量は、めっき浴中の第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の濃度に応じた最適な添加量とすることができる。例えば、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の濃度が２ｇ／ｌである場合には、トリメチルセチルアンモニウム塩の添加量を０．５〜１．０ｇ／ｌ程度とすると好適である。トリメチルセチルアンモニウム塩としては、例えば、トリメチルセチルアンモニウムクロリドを用いることができる。

【0033】

Ｎｉ−Ｐめっき液がトリメチルセチルアンモニウム塩を含むことにより、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２を、無電解めっき液であるＮｉ−Ｐめっき液中に良好に分散させることができる。カチオン系の界面活性剤であるトリメチルセチルアンモニウム塩はＮｉ−Ｐめっき液中で正に帯電し、直鎖状の長い分子で第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２によく絡みつき、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２を正に帯電させる。そして、正に帯電した第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２はＮｉ−Ｐめっき皮膜に強く吸着され、この状態で更にＮｉ−Ｐめっき皮膜が積み上がっていくため、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２がＮｉ−Ｐめっき皮膜中に良好に取り込まれると考えられる。

【0034】

なお、正に帯電した第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２は、一端においてＮｉ−Ｐめっき皮膜に強く吸着され、この状態でＮｉ−Ｐめっき皮膜が積み上がっていく。このことから、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２は、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜中で斜めに取り込まれるものが多くなる。又、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２は、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の表面では、先端が突出した状態となる。

【0035】

以上のように、第１の実施の形態によれば、基材１０上に、金属２３中に互いに直径の異なる第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２を高密度に分散させ、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の一部を金属２３の表面から突出させた複合めっき層２０を形成する。これにより、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部からは、基材１０から伝熱された熱が直ちに放熱され、複合めっき層２０の熱放射性を向上できる。

【0036】

なお、本実施の形態では、無電解めっき法を用いて複合めっき層を形成する例を示した。これは、無電解めっき法を用いることにより、電解めっき法を用いた場合よりも均一な膜厚で複合めっき層を形成できるからである。この点は、特に複雑な形状物に対して複合めっき層を形成する際に有利である。

【0037】

又、無電解めっき法を用いることにより、導電性のない試料に対しても複合めっき層を形成できる。例えば、基材１０が金属ではなく、樹脂やシリコン等であっても、その上に無電解めっき法により複合めっき層を形成できる。しかしながら、電解めっき法を用いても膜厚均一性に対する要求仕様を満足できる場合や、導電性のある試料に対して複合めっき層を形成する場合等には、電解めっき法を用いて複合めっき層を形成してもよい。

【0038】

〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、複合めっき層上に触媒層を介して表面めっき層を積層形成する例を示す。

【0039】

［第２の実施の形態に係る放熱部品の構造］
まず、第２の実施の形態に係る放熱部品の構造について説明する。図２は、第２の実施の形態に係る放熱部品を例示する部分断面模式図である。図２を参照するに、放熱部品２は、複合めっき層２０上に触媒層（図示せず）を介して表面めっき層３０が積層形成されている点が放熱部品１（図１参照）と相違する。

【0040】

触媒層（図示せず）は、複合めっき層２０の表面（すなわち、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部の表面及び金属２３の表面）を覆うように形成されている。触媒層は、表面めっき層３０を形成する前に触媒として付与される触媒物質からなる層であり、隣接する突出部間を充填しない程度の層厚に制御されている。

【0041】

触媒層の材料としては、例えば、パラジウム（Ｐｄ）を用いることができる。触媒層の材料として、銀（Ａｇ）やＳｎ／Ｐｄ（錫とパラジウムを混合したもの）等を用いても構わない。触媒層は、存在することにより所定の効果が得られ、特にその厚さは問題とならないが、触媒層の厚さは、例えば、１０〜４０ｎｍ程度とすることができる。

【0042】

表面めっき層３０は、触媒層の表面（すなわち、触媒層が形成された第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部の表面及び金属２３の表面）を覆うように形成されている。表面めっき層３０は、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部の脱落を防止するために設けられている。表面めっき層３０を、触媒層が形成された第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部全体を覆うように形成すると熱放射性が低下する。そこで、表面めっき層３０は触媒層が形成された隣接する突出部間を充填しない程度の層厚に制御されている。

【0043】

但し、少なくとも大径の第１ＣＮＴ２１の隣接する突出部間を充填しない程度に表面めっき層３０の層厚を制御すれば、一定の熱放射性を確保できる。つまり、小径の第２ＣＮＴ２２の隣接する突出部間は、表面めっき層３０により充填されてもよい。

【0044】

なお、触媒層及び表面めっき層３０は、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部の表面及び金属２３の表面に一様に付着しなくてもよい。例えば、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部の表面及び金属２３の表面に、触媒層を介さずに表面めっき層３０が直接形成されている部分が存在してもよい。部分的にこのような形態となっても、全体的にみれば触媒層が形成された第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部の表面及び金属２３の表面を覆うように表面めっき層３０が形成されているため、熱放射性の向上という所定の効果が得られるからである。

【0045】

なお、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２等の炭素材料は親水性が悪く、触媒層との密着不良を起こす虞があるため、触媒層は、所定の表面処理が施されて親水化された複合めっき層２０の表面上に形成されている。所定の表面処理については、後述する。

【0046】

表面めっき層３０は、例えば電解めっき法により形成することができ、その材料としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）を用いることができる。表面めっき層３０として電解めっき法により形成されたニッケル（Ｎｉ）を用いた場合、表面めっき層３０の厚さＴ_２は、０．５μｍ以上２μｍ以下とすることが好ましい。表面めっき層３０の厚さＴ_２が０．５μｍよりも薄いと、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の脱落を防止することが困難となる。一方、表面めっき層３０の厚さＴ_２が２μｍよりも厚いと、熱放射性が低下する。

【0047】

表面めっき層３０を、電解めっき法により形成された銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）としても構わない。表面めっき層３０として電解めっき法により形成された銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）を用いた場合、表面めっき層３０の厚さＴ_２は、０．５μｍ以上２μｍ以下とすることが好ましい。表面めっき層３０の厚さＴ_２が０．５μｍよりも薄いと、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の脱落を防止することが困難となる。一方、表面めっき層３０の厚さＴ_２が２μｍよりも厚いと、熱放射性が低下する。

【0048】

このように、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部を極薄の触媒層及び表面めっき層３０で覆うことにより、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の突出部の脱落による熱放射性の低下を防止できる。

【0049】

［第２の実施の形態に係る放熱部品の製造方法］
次に、第２の実施の形態に係る放熱部品の製造方法について説明する。まず、第１の実施の形態と同様にして、基材１０上に、金属２３中に第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２を分散させ、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の一部を金属２３の表面から突出させた複合めっき層２０を形成する。

【0050】

次に、触媒層を形成する前に、複合めっき層２０の表面に表面処理を施す。表面処理を施す理由は、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２は親水性が悪く、触媒層と第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部との間で密着不良を起こす虞があるためである。複合めっき層２０の表面に表面処理を施すことにより第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部は親水化するため、触媒層との密着性を大幅に向上することができる。表面処理には、例えば、２−アミノエタノール、ポリオキシエチレン−オクチルフェニルエーテルを主成分とする界面活性剤を用いると好適である。

【0051】

次に、表面処理が施された複合めっき層２０上に、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部の表面及び金属２３の表面を覆うように、触媒層を形成する。触媒層は隣接する突出部間を充填しない程度の層厚に制御する。そして、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部の表面を覆う触媒層及び金属２３の表面を覆う触媒層上に、例えば電解めっき法により表面めっき層３０を形成する。表面めっき層３０は触媒層が形成された隣接する第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部間を充填しない程度の層厚に制御する。触媒層や２めっき層３０の材料や厚さ等は、前述の通りである。

【0052】

なお、触媒層を形成する工程よりも前に、酸浸漬工程を設け、触媒層を形成する工程と表面めっき層３０を形成する工程（電解めっき工程）との間に、還元処理工程を設けてもよい。酸浸漬工程は、被めっき面を活性化させ、触媒層を付き易くする工程である。酸浸漬工程では、例えば、塩酸を主成分とする溶液を用いることができる。還元処理工程は、被めっき面に付与された触媒物質（触媒層を構成する物質）を還元して金属化する工程である。還元処理工程では、例えば、還元剤である次亜リン酸ナトリウムを主成分とする溶液を用いることができる。

【0053】

以上のように、第２の実施の形態によれば、複合めっき層２０上に触媒層を介して表面めっき層３０を積層形成する。これにより、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部は極薄の触媒層及び表面めっき層３０で覆われるため、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の各々の突出部の脱落による熱放射性の低下を防止できる。

【0054】

なお、表面めっき層３０は、無電解めっき法により形成してもよい。この場合、表面めっき層３０の材料としては、例えば、Ｎｉ−Ｐを用いることができる。無電解めっき法により表面めっき層３０を形成しても、上記と同様の効果を奏する。

【0055】

〈実施例〉
実施例では、第１の実施の形態に係る製造方法で放熱部品１を作製した。具体的には、基材１０として銅板を用い、その上に、無電解めっき液としてＮｉ−Ｐめっき液を用いて膜厚５μｍの複合めっき層２０を形成した。以下に詳細を示す。

【0056】

Ｎｉ−Ｐめっき液の組成は表１の通りとし、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の直径、長さ、濃度は表２の通りとした。なお、表１に示すように、Ｎｉ−Ｐめっき液には、界面活性剤（分散剤）として、トリメチルセチルアンモニウムクロリド（ＴＭＳＡＣ）を１．７×１０^−３ｍｏｌ／ｌ添加した。

【0057】

【表1】

【0058】

【表2】

【0059】

被めっき物（基材１０）、めっき条件、及び熱処理条件を以下に示す。

【0060】

［基材１０］
銅板（３ｃｍ×３ｃｍ×０．３ｃｍ）
［前処理］
通常法（感受性化＋活性化）
［めっき条件］
温度：４０℃
時間：１０〜２４０分
ｐＨ：９
かく拌：スターラーかく拌（かく拌スピード１５００ｒｐｍ）
以上の条件で基材１０上に作製した複合めっき層２０の表面のＳＥＭ写真を図３（（ａ）は低倍率、（ｂ）は高倍率）に示す。図３に示すように、第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２が金属２３（Ｎｉ−Ｐめっき皮膜）中に良好に分散している。又、大径の第１ＣＮＴ２１間に、小径の第２ＣＮＴ２２が多数入り込み、金属２３中に分散する第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２の密度が向上している。

【0061】

このように、本実施例によれば、第１の実施の形態に係る製造方法で放熱部品１を製造することにより、金属２３中に互いに直径の異なる第１ＣＮＴ２１及び第２ＣＮＴ２２が高密度に分散されることが確認された。

【0062】

以上、好ましい実施の形態及び実施例について詳説したが、上述した実施の形態及び実施例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0063】

１、２ 放熱部品
１０ 基材
２０ 複合めっき層
２１ 第１カーボンナノチューブ
２２ 第２カーボンナノチューブ
２３ 金属
３０ 表面めっき層
Ｌ 突出量
Ｔ_１、Ｔ_２ 厚さ

【図1】

【図2】

【図3】