特許 6120368 多数個取り配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6120368

(24)【登録日】2017年4月7日

(45)【発行日】2017年4月26日

(54)【発明の名称】多数個取り配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20170417BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20170417BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20170417BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20170417BHJP

【ＦＩ】

   H05K1/02 G

   H01L23/12 D

   H05K1/02 J

   H05K3/00 X

   H05K3/46 Q

【請求項の数】2

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2013-127199(P2013-127199)

(22)【出願日】2013年6月18日

(65)【公開番号】特開2015-2307(P2015-2307A)

(43)【公開日】2015年1月5日

【審査請求日】2016年4月29日

(73)【特許権者】

【識別番号】391039896

【氏名又は名称】ＮＧＫエレクトロデバイス株式会社

(72)【発明者】

【氏名】阿野 清治

【審査官】 内田 勝久

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００６−１０８４８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１０−００４１５３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−０１２９８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１９４０００（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−０５７２４９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｋ １／００ 〜 １／０２

Ｈ０５Ｋ ３／００

Ｈ０５Ｋ ３／４６

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の絶縁層が積層された多層基板と、
上記多層基板の中央部に位置し、境界線によって区切られた配線基板領域が縦横に配列された製品領域と、
上記製品領域の外周に位置し、めっき電極を有する捨て代領域と、
上記絶縁層のうちの第１絶縁層上に形成されて、上記境界線の左右に交互に連続して配置された折り返しパターンからなる蛇行領域を有すると共に、少なくとも一端が上記めっき電極に接続された第１連結導体と、
上記絶縁層のうちの第２絶縁層上に形成されて、上記境界線の左右に交互に連続して配置された折り返しパターンからなる蛇行領域を有すると共に、少なくとも一端が上記めっき電極に接続された第２連結導体と、
上記第１絶縁層上に形成されて一端が上記第１連結導体の折り返しパターンの１つに接続された配線導体と、
上記第２絶縁層上に形成されて一端が上記第２連結導体の折り返しパターンの１つに接続された配線導体とを有する多数個取り配線基板において、
上記第１連結導体と第２連結導体のうちの少なくとも一方は上記配線導体に接続されない折り返しパターンを有し、
上記配線導体に接続されない折り返しパターンは同一配線基板領域内の異なる絶縁層上に形成された折り返しパターンにビアで接続されていることを特徴とする多数個取り配線基板。

【請求項2】

上記第１連結導体を、上記蛇行領域と、上記第１絶縁層上の縦の境界線と横の境界線の交点を囲むループとで形成し、
上記第２連結導体を、上記蛇行領域と、上記第２絶縁層上の縦の境界線と横の境界線の交点を囲むループとで形成し、
上記第１連結導体のループと第２連結導体のループとをビアで接続したことを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体素子や水晶振動子などの電子部品を収容するための配線基板となる領域が複数個配列された多数個取り配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

図９は、半導体素子や水晶振動子等の電子部品を収容するための電子部品収納用パッケージに用いられる小型の配線基板５０を示しており、酸化アルミニウム等のセラミックスからなる絶縁層５１ａ乃至５１ｄを複数積層して成り、上面に電子部品５２を収容するためのキャビティ５３を有する略四角形状の絶縁基体５１と、キャビティ５３内の段差５４上に設けられた複数の配線導体５５と、絶縁層５１ａ乃至５１ｃを貫通し一端が段差５４上の配線導体５５に接続されたビア５６と、ビア５６を介して段差上の配線導体５５に接続された絶縁基体５１の下面５７の配線導体５５とを有している。
なお、近似の電子装置の配線密度向上の要求に伴い、キャビティ５３内に複数の段差５４を設け、それぞれの段差５４上に複数の配線導体５５を設けることが行われている。キャビティ５３内に配線導体形成用の段差５４を複数設けることにより、より多くの配線導体５５を絶縁基体５１内に形成することができる。
このような段差５４上の配線導体５５の露出表面には、配線導体５５が酸化腐食するのを防止するとともに配線導体５５と電子部品５２との電気的な接続を良好なものとするために、例えば厚みが１〜１０μｍ程度のニッケルめっきと厚みが０．１〜３μｍ程度の金めっきとからなるめっき層５８が電解めっき法により被着されている。この段差５４上の配線導体５５とめっき層５８とで内部電極５９を構成している。
同様に、下面５７の配線導体５５にも、配線導体５５が酸化腐食するのを防止するとともに外部電気回路基板６５の実装パッド６６との電気的な接続を良好なものとするために、例えば厚みが１〜１０μｍ程度のニッケルめっきと厚みが０．１〜３μｍ程度の金めっきとからなるめっき層５８が電解めっき法により被着されている。この下面５７の配線導体５５とめっき層５８とで外部電極６０を構成している。

【0003】

この配線基板５０によれば、絶縁基体５１のキャビティ５３内に電子部品５２を収容するとともに、電子部品５２の電極６１をキャビティ５３内の内部電極５９にボンディングワイヤ６２を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁基体５１上面のキャビティ外周６３に蓋体６４を接合させて電子部品５２を気密に収容することによって製品としての電子装置となり、この電子装置は、外部電極６０を外部電気回路基板６５の実装パッド６６に半田を介して接続することにより外部電気回路基板６６に実装されるとともに電子部品５２の電極６１が外部電気回路に電気的に接続される。

【0004】

このような配線基板５０は近時の電子装置の小型化の要求に伴い、その大きさが小さなものとなってきており、多数個の配線基板の取り扱いを容易とするために、一枚の広面積のセラミック多層基板に多数個の配線基板を縦横に配置した、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作されている。

【0005】

図１０及び図１１は多数個取り配線基板の例を示し図１０は平面図、図１１は図１０のＡ−Ａ線に沿った断面図である。多数個取り配線基板７０は複数の絶縁層７１ａ乃至７１ｄを積層して成るセラミック多層基板７１で構成される。セラミック多層基板７１の中央部には分割後に配線基板となる複数の配線基板領域７２が縦横に配され、外周には分割時に配線基板領域７２から切り離される捨て代領域８５が形成されている。
配線基板領域７２は各々がその上面に電子部品を収容するためのキャビティ７３を有するとともに、キャビティ７３内に複数の段差７４が設けられ、各々の段差７４上に複数の配線導体７５が設けられている。配線導体７５は絶縁層７１ａ乃至７１ｃを貫通するビア７６を介して配線基板領域７２の下面７７の配線導体７５に接続されている。なお、図１０、図１１の多数個取り配線基板７０では、キャビティ７３内に２つの段差７４を設け、各々の段差７４上にそれぞれ配線導体７５を設けている。
捨て代領域８５の側面には切り欠き８６が形成され、切り欠き８６の内壁に沿って導体層からなるめっき電極８７が形成されている。このめっき電極８７をめっき用電源に接続することにより、めっき層を被着させるすべての配線導体７５に電解めっきのための電荷が印加される。

【0006】

各配線導体７５の露出表面に電解めっき法によりニッケルめっき層や金めっき層を被着させるには、めっき層を被着させるすべての配線導体７５をめっき電極８７に接続させる必要がある。
すべての配線導体７５をめっき電極８７に接続させる例として、特許文献１の図２および図３には、すねいく配線１６（千鳥配線）等の技術を駆使し、各電極部の入出力端子１４を連１２のまま同時にめっきを施してから、連１２をブレイクあるいは切断により単品２０とすることで、このすねいく配線１６を分断する技術が記載されている。

【0007】

図１２は、特許文献１のすねいく配線を用いて多数個取り配線基板７０の各配線導体７５をめっき電極８７に接続する方法を説明する平面図で、図１２（ａ）は絶縁層７１ｂ上の配線導体７５と絶縁層７１ｂ上の配線導体７５に接続される下面７７の配線導体７５をめっき電極８７に接続する方法を説明するための部分平面図、図１２（ｂ）は絶縁層７１ｃ上の配線導体７５と絶縁層７１ｃ上の配線導体７５に接続される下面７７の配線導体７５をめっき電極８７に接続する方法を説明する部分平面図である。
図１２（ａ）において、絶縁層７１ｂ外周の捨て代領域８５には、四角枠状のめっき用共通導体枠９０が形成されている。このめっき用共通導体枠９０はめっき電極８７に接続されている。隣接する配線基板領域７２と配線基板領域７２の間には、境界線８４の左右に交互に折り返しパターンを描きながら蛇行し、両端がめっき用共通導体枠９０に接続された連結導体９１が形成されている。
各配線基板領域７２の中央には、キャビティ７３を形成するための開口９２が形成され、開口９２の周囲から配線基板領域７２の境界線８４に伸びる配線導体７５が形成されている。配線導体７５のうち、捨て代領域８５との境界線８４に伸びるものは引出し線９３を介してめっき用共通導体枠９０に接続されている。配線導体７５のうち、隣接する配線基板領域７２と配線基板領域７２との境界線８４に伸びるものは、連結導体９１に接続されている。
このようにして、絶縁層７２ｂ上の配線導体７５は、引出し線９３、連結導体９１、めっき用共通導体枠９０を介してめっき電極８７に接続される。同様に、図１２（ｂ）に示す絶縁層７１ｃ上の配線導体７５も引出し線９３、めっき用連結導体９１、めっき用共通導体枠９０を介してめっき電極８７に接続される。
また、下面７７の配線導体７５は、ビア７６を介して絶縁層７２ｂ上の配線導体７５か絶縁層７２ｃ上の配線導体７５のいずれかに接続されていることより、めっき電極８７に接続されることになる。このめっき電極８７をめっき用電源に接続することにより、配線導体７５の露出面に電解めっきによるめっき金属層が被着される。

【0008】

なお、連結導体９１を介して電気的に接続されている各配線基板領域７２の隣接する配線導体７５同士は、セラミック多層基板７１を各配線基板領域７２に分割した後、連結導体９１が折り返しパターン単位に分断されることにより、それぞれが互いに電気的に独立することとなる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【特許文献1】特開平１１−２１４８３２

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

絶縁層７１ｂ上の配線導体７５と絶縁層７１ｃ上の配線導体７５とでは、通常配線導体の数、幅、長さ等が異なる。このため、絶縁層７１ｂ上の連結導体９１とそれに接続される配線導体７５で構成される絶縁層７１ｂのめっき用回路の電気抵抗と、絶縁層７１ｃ上の連結導体９１とそれに接続される配線導体７５で構成される絶縁層７１ｃのめっき用回路の電気抵抗とは異なったものとなる。この電気抵抗の差は１つの配線基板領域単位では小さいものであっても、近年の生産効率を向上させる目的で多数の配線基板領域が形成された多数個取り配線基板では、絶縁層７１ｂのめっき用回路の電気抵抗と絶縁層７１ｃのめっき用回路の電気抵抗との差は大きなものになってしまう。
そして、この多数個取り配線基板７０を電解めっき浴に浸漬するとともにめっき電極８７をめっき用電源に接続することによって、全ての配線導体７５にめっき金属層を被着させると、絶縁層７１ｂ上の連結導体９１に接続された配線導体７５に被着されるめっき金属層の厚みと、絶縁層７１ｃ上の連結導体９１に接続された配線導体７５に被着されるめっき金属層の厚みの差が大きなものとなってしまい、全ての配線導体７５に所定の厚みのめっき金属層を被着させることが困難であるという問題点を有していた。

【0011】

本発明はかかる従来の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、各配線導体に被着されるめっき金属層の厚みのばらつきを小さいものとして、全ての配線導体に所定の厚みのめっき金属層を電解めっき法により被着させることが可能な多数個取り配線基板を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0012】

上記課題を解決するための本発明の請求項１に記載の多数個取り配線基板は、
複数の絶縁層が積層された多層基板と、
上記多層基板の中央部に位置し、境界線によって区切られた配線基板領域が縦横に配列された製品領域と、
上記製品領域の外周に位置し、めっき電極を有する捨て代領域と、
上記絶縁層のうちの第１絶縁層上に形成されて、上記境界線の左右に交互に連続して配置された折り返しパターンからなる蛇行領域を有すると共に、少なくとも一端が上記めっき電極に接続された第１連結導体と、
上記絶縁層のうちの第２絶縁層上に形成されて、上記境界線の左右に交互に連続して配置された折り返しパターンからなる蛇行領域を有すると共に、少なくとも一端が上記めっき電極に接続された第２連結導体と、
上記第１絶縁層上に形成されて一端が上記第１連結導体の折り返しパターンの１つに接続された配線導体と、
上記第２絶縁層上に形成されて一端が上記第２連結導体の折り返しパターンの１つに接続された配線導体とを有する多数個取り配線基板において、
上記第１連結導体と第２連結導体のうちの少なくとも一方は上記配線導体に接続されない折り返しパターンを有し、
上記配線導体に接続されない折り返しパターンは同一配線基板領域内の異なる絶縁層上に形成された折り返しパターンにビアで接続されていることを特徴とする多数個取り配線基板である。

【0013】

また、上記課題を解決するための本発明の請求項２に記載の多数個取り配線基板は、
上記第１連結導体を、上記蛇行領域と、上記第１絶縁層上の縦の境界線と横の境界線の交点を囲むループとで形成し、
上記第２連結導体を、上記蛇行領域と、上記第２絶縁層上の縦の境界線と横の境界線の交点を囲むループとで形成し、
上記第１連結導体のループと第２連結導体のループとをビアで接続したことを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板である。

【発明の効果】

【0014】

本発明の請求項１に記載の多数個取り配線基板によれば、第１連結導体と第２連結導体のうちの少なくとも一方は配線導体に接続されない折り返しパターンを有し、上記配線導体に接続されない折り返しパターンは同一配線基板領域内の異なる絶縁層上に形成された折り返しパターンにビアで接続されている。
このため、第１連結導体とそれに接続される配線導体とで構成されるめっき用回路の電気抵抗と、第２連結導体とそれに接続される配線導体とで構成されるめっき用回路の電気抵抗との差をきわめて小さいものとすることができる。したがって、第１絶縁層上の配線導体に被着されるめっき厚みと第２絶縁層上の配線導体に被着されるめっき厚みの差をきわめて小さいものとすることができる。
また、ビアで接続されている第１絶縁層上の折り返しパターンと第２絶縁層上の折り返しパターンの両方に配線導体が接続されていると、多層基板を各配線基板領域に分割した後も、上記ビアを介して同一配線基板領域内の異なる絶縁層上の配線導体同士が分断されず短絡されたままとなる。このためビアで互いに接続される折り返しパターンの少なくとも一方には配線導体を接続させないようにすることにより、多層基板を各配線基板領域に分割した後に上記ビアを介して同一配線基板領域内の異なる絶縁層上の配線導体同士が短絡されたままにならないようにしている。

【0015】

本発明の請求項２に記載の多数個取り配線基板によれば、請求項１に記載の第１連結導体と第２連結導体のそれぞれにループを形成するとともに、第１連結導体のループと第２連結導体のループをビアで接続している。
このため、第１連結導体とそれに接続される第１配線導体とで構成されるめっき用回路の電気抵抗と、第２連結導体とそれに接続される第２配線導体とで構成されるめっき用回路の電気抵抗との差をさらに小さいものとすることができる。したがって、第１絶縁層上の配線導体に被着されるめっき厚みと第２絶縁縁層上の配線導体に被着されるめっき厚みの差をさらに小さいものとすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の実施形態１に係る多数個取り配線基板の平面図

【図2】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図

【図3】図３（ａ）は図１の多数個取り配線基板１０の絶縁層１ｂの部分平面図、図３（ｂ）は図１の多数個取り配線基板１０の絶縁層１ｃの部分平面図

【図4】図４（ａ）は図３（ａ）の第１連結導体２１−１の構成を説明するための部分拡大図、図４（ｂ）は図３（ｂ）の第２連結導体２１−２の構成を説明するための部分拡大図

【図5】図５（ａ）は本発明の実施形態２に係る多数個取り配線基板１０の絶縁層１ｂの部分平面図、図５（ｂ）は絶縁層１ｃの部分平面図

【図6】図６（ａ）は図５（ａ）の第１連結導体２１−１の構成を説明するための部分拡大図、図６（ｂ）は図５（ｂ）の第２連結導体２１−２の構成を説明するための部分拡大図

【図7】本発明の実施形態３に係る多数個取り配線基板の部分拡大図

【図8】本発明の実施形態１の変形例を示す部分拡大図

【図9】電子部品収納用パッケージに用いられる小型の配線基板の断面図

【図10】従来の多数個取り配線基板の平面図

【図11】図１０のＡ−Ａ線に沿った断面図

【図12】図１２（ａ）は図１０の多数個取り配線基板７０の絶縁層７１ｂの部分平面図、図１２（ｂ）は図１０の多数個取り配線基板７０の絶縁層７１ｃの部分平面図

【発明を実施するための形態】

【0017】

[実施形態１]
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態の一例を説明する。図１は本発明の多数個取り配線基板の平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、アルミナ等のセラミックス焼結体からなる複数の絶縁層１ａ乃至１ｄが積層されたセラミック多層基板１で構成される。セラミック多層基板１の中央部には分割後に配線基板となる複数の配線基板領域２が縦横に配され、外周には分割時に配線基板領域２から切り離される捨て代領域１５が形成されている。配線基板領域２の各々はその上面に電子部品を収容するためのキャビティ３を有するとともに、キャビティ３内に複数の段差４が設けられている。各々の段差４上には、タングステンやモリブデン等の導体ペーストの印刷・焼付けによって形成される複数の配線導体５が設けられている。配線導体５は絶縁層１ａ乃至１ｃを貫通するビア６を介して配線基板領域２の下面７の配線導体５に接続されている。
そして、各配線導体５の露出表面には例えば厚みが１〜１０μｍ程度のニッケルめっき層と厚みが０．１〜３μｍ程度の金めっき層とからなるめっき層８が電解めっき法により被着されている。
なお、図１、図２の多数個取り配線基板１０では、キャビティ３内に２つの段差４―１、４−２を設け、各々の段差上にそれぞれ第１配線導体５−１、第２配線導体５−２を設けている。
捨て代領域１５の側面には切り欠き１６が形成され、切り欠き１６の内壁に沿って導体層からなるめっき電極１７が形成されている。このめっき電極１７をめっき用電源に接続することにより、すべての配線導体の露出面に電解めっきのための電荷が印加される。

【0018】

次に、各配線導体５に電解めっき法によりニッケルめっき層や金めっき層を被着させるためにすべての配線導体５をめっき電極１７に接続させる本実施例の手順について、図３、図４を用いて説明する。図３（ａ）は本実施例に係る多数個取り配線基板１０の絶縁層１ｂの部分平面図、図３（ｂ）は絶縁層１ｃの部分平面図、図４（ａ）は第１連結導体２１−１の構成を説明するための部分拡大図、図４（ｂ）は第２連結導体２１−２の構成を説明するための部分拡大図である。
図３（ａ）において、絶縁層１ｂ外周の捨て代領域１５には、四角枠状のめっき用共通導体枠２０が形成されている。このめっき用共通導体枠２０はめっき電極１７に接続されている。隣接する配線基板領域２と配線基板領域２の間には、境界線１４の左右に交互に連続して配置された略コの字状の折り返しパターン２４からなる蛇行領域を有する第１連結導体２１−１が形成され、第１連結導体２１−１の両端は引出し線２３を介してめっき用共通導体枠２０に接続されている。尚、引出し線２３の数は図３に示すように１本でも構わないし、図６のように２本に分岐する形状でも構わない。
各配線基板領域２の中央には、キャビティ３を形成するための開口２２が形成され、開口２２の周囲から配線基板領域２の境界線１４に伸びる第１配線導体５−１が形成されている。第１配線導体５−１はビア６を介して配線基板領域２の下面７の配線導体５に接続されている。
第１配線導体５−１のうち、捨て代領域１５との境界線１４に伸びるものは引出し線２３を介してめっき用共通導体枠２０に接続されている。第１配線導体５−１のうち、隣接する配線基板領域２と配線基板領域２との境界線１４に伸びるものは、第１連結導体２１−１の折り返しパターン２４ａ（図４参照）の内の１つに接続されている。
このようにして、第１配線導体５−１と、第１配線導体５−１にビア６を介して接続される下面７の配線導体５とは、引出し線２３、第１連結導体２１−１、めっき用共通導体枠２０を介してめっき電極１７に接続される。
同様に、図３（ｂ）に示す第２配線導体５−２と、第２配線導体５−２にビア６を介して接続される下面７の配線導体５とは、引出し線２３、第２連結導体２１−２、めっき用共通導体枠２０を介してめっき電極１７に接続される。
このめっき電極１７をめっき用電源に接続することにより、配線導体５の露出面に電解めっきによるめっき層８が被着される。そして、連結導体２１−１、２１−２を介して電気的に接続されている各配線基板領域２の隣接する配線導体５同士は、セラミック多層基板１を各配線基板領域２に分割した後、連結導体２１−１、２１−２が折り返しパターン単位に分断されることにより、それぞれが互いに電気的に独立することとなる。

【0019】

多数個取り配線基板１０は、図４（ａ）に示すように、第１連結導体２１−１が、第１配線導体５−１に接続される折り返しパターン２４ａと、第１配線導体５−１に接続されない折り返しパターン２４ｂを有している。同様に、図４（ｂ）に示すように、第２連結導体２１−２が、第２配線導体５−２に接続される折り返しパターン２４ｃと、第２配線導体５−２に接続されない折り返しパターン２４ｄを有している。そして、第１配線導体５−１に接続されない折り返しパターン２４ｂと第２配線導体５−２に接続されない折り返しパターン２４ｄとは平面視で略同位置に形成されるとともに、ビア２５で接続されている。
このため、第１連結導体２１−１とそれに接続される第１配線導体５―１とで構成されるめっき用回路と、第２連結導体２１−２とそれに接続される第２配線導体５−２とで構成されるめっき用回路をビア２５で短絡させているので、上記２つのめっき用回路の電気抵抗の差をきわめて小さいものとすることができる。したがって、第１配線導体５−１に被着されるめっき厚みと第２配線導体５−２に被着されるめっき厚みの差をきわめて小さいものとすることができる。
また、ビア２５で接続されている折り返しパターン２４ｂと折り返しパターン２４ｄに配線導体５（５−１、５−２）が接続されていると、セラミック多層基板１を各配線基板領域２に分割した後も、ビア２５を介して同一配線基板領域内の異なる絶縁層上の配線導体５−１、５−２同士が分断されず短絡されたままとなる。このためビア２５で互いに接続される折り返しパターン２４ｂ、２４ｄには配線導体５−１、５−２を接続させないようにすることにより、多層基板１を各配線基板領域２に分割した後にビア２５を介して同一配線基板領域内の異なる絶縁層上の配線導体５−１、５−２同士が短絡されたままにならないようにしている。

【0020】

[実施形態２]
実施形態１では、第１連結導体２１−１と第２連結導体２１−２の両方に、配線導体５に接続されない折り返しパターン２４ｂ、２４ｄを形成し、折り返しパターン２４ｂ、２４ｄ同士をビア２５で接続していた。これに対して実施形態２では、図５乃至図６のように、第１連結導体２１−１は、第１配線導体５−１に接続される折り返しパターン２４ａと、第１配線導体５−１に接続されない折り返しパターン２４ｂを有しているのに対して、第２連結導体２１−２は、第２配線導体５−２に接続される折り返しパターン２４ｃのみを有している。そして、第１配線導体５−１に接続されない折り返しパターン２４ｂは第２配線導体５−２に接続されている折り返しパターン２４ｃにビア２５で接続されている。
本実施形態においても、第１連結導体２１−１とそれに接続される第１配線導体５―１とで構成されるめっき用回路と、第２連結導体２１−２とそれに接続される第２配線導体５−２とで構成されるめっき用回路の電気抵抗の差をきわめて小さいものとすることができ、第１配線導体５−１に被着されるめっき厚みと第２配線導体５−２に被着されるめっき厚みの差をきわめて小さいものとすることができる。
また、本実施形態のように、ビア２５で互いに接続される折り返しパターンの一方２４ｂのみに配線導体５−１を接続させないようにすることによっても、多層基板１を各配線基板領域２に分割した後にビア２５を介して同一配線基板領域内の異なる絶縁層上の配線導体５−１、５−２同士が短絡されたままにならないようにすることができる。

【0021】

[実施形態３]
実施形態１と実施形態２では、第１連結導体２１−１と第２連結導体２１−２は、全領域が蛇行領域で形成されていた。これに対して本実施形態では、第１連結導体２１−１と第２連結導体２１−２を、図７のように第１蛇行領域２６−１、第２蛇行領域２６−２と、縦の境界線１４ｙと横の境界線１４ｘの交点２７を囲むループ２８−１、２８−２とで構成し、第１連結導体２１−１の第１ループ２８−１と第２連結導体２１−２の第２ループ２８−２をビア２９で接続している。
このため、第１連結導体２１−１とそれに接続される第１配線導体５−１とで構成されるめっき用回路の電気抵抗と、第２連結導体２１−２とそれに接続される第２配線導体５−２とで構成されるめっき用回路の電気抵抗との差をさらに小さいものとすることができる。したがって、第１配線導体５−１に被着されるめっき厚みと第２配線導体５−２に被着されるめっき厚みの差をさらに小さいものとすることができる。

【0022】

（実施例）
まず、図１乃至図４に示すめっき前の多数個取り配線基板１０を作成した。次に、作成した多数個取り配線基板１０の任意の配線基板領域２について、第１内部電極１１−１からめっき電極１７までの抵抗値と第２内部電極１１−２からめっき電極１７までの抵抗値を測定した。次に、めっき電極１７にめっき用電源を接続して電解めっき法でニッケルめっきを施した後、上記抵抗値を測定した内部電極１１−１、１１−２に形成されたニッケルめっきの厚みを測定した。結果を表１に示す。
比較例として図１０乃至図１２に示すめっき前の多数個取り配線基板７０を作成し、上記の抵抗値を測定した配線基板領域２と同じ位置の配線基板領域７２について、絶縁層７１ｂ上の内部電極８１（第１内部電極１１−１に対応）からめっき電極８７までの抵抗値と、絶縁層７１ｃ上の内部電極８１（第２内部電極１１−２に対応）からめっき電極８７までの抵抗値を測定した。次に、めっき電極８７にめっき用電源を接続して電解めっき法でニッケルめっきを施した後、上記抵抗値を測定した内部電極８１に形成されたニッケルめっきの厚みを測定した。結果を表１に示す。

【0023】

【表1】

【0024】

表１に示すように、実施例の多数個取り配線基板は、比較例に比べて第１内部電極と第２内部電極の抵抗値の差が減少し、第１内部電極に被着されたニッケルめっきの厚みと第２電極に形成されたニッケルめっきの厚みの差が減少していることが確認できた。

【0025】

本実施例ではニッケルめっきを行ったときの厚みばらつきについて説明したが、ニッケルめっきの上に金めっきを行った場合の金めっきの厚みばらつきも低減できる事はいうまでも無い。

【符号の説明】

【0026】

１…セラミック多層基板 １ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ…絶縁層 ２…配線基板領域
３…キャビティ ４、４−１、４−２…段差 ５…配線導体 ５−１…第１配線導体
５−２…第２配線導体 ６…ビア ７…下面 ８…めっき層 １０…多数個取り配線基板
１１−１…第１内部電極 １１−２…第２内部電極 １２…外部電極
１４…境界線 １５…捨て代領域 １６…切り欠き １７…めっき電極
２０…めっき用共通導体枠 ２１−１…第１連結導体 ２１−２…第２連結導体
２２…開口 ２３…引出し線 ２４、２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ…折り返しパターン
２５…ビア ２６−１…第１蛇行領域 ２６−２…第２蛇行領域 ２７…交点
２８−１…第１ループ ２８−２…第２ループ ２９…ビア

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】