特許 6147631 加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6147631

(24)【登録日】2017年5月26日

(45)【発行日】2017年6月14日

(54)【発明の名称】加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20170607BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/78 M

   H01L21/78 Q

   H01L21/78 V

   H01L21/78 B

   H01L21/78 F

   H01L21/78 X

【請求項の数】5

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2013-199624(P2013-199624)

(22)【出願日】2013年9月26日

(65)【公開番号】特開2015-65385(P2015-65385A)

(43)【公開日】2015年4月9日

【審査請求日】2016年7月19日

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110001014

【氏名又は名称】特許業務法人東京アルパ特許事務所

(74)【代理人】

【識別番号】100087099

【弁理士】

【氏名又は名称】川村 恭子

(74)【代理人】

【識別番号】100063174

【弁理士】

【氏名又は名称】佐々木 功

(74)【代理人】

【識別番号】100124338

【弁理士】

【氏名又は名称】久保 健

(72)【発明者】

【氏名】淀 良彰

【審査官】 梶尾 誠哉

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００８−６３８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−１７６０６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−２４５５７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１５３８１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第７０１５０６４（ＵＳ，Ｂ１）

【文献】 特開２０１１−２５３８７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１４−５２６１４３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−２０９３８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−８６１１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−１２９５５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−１５６３７７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイスウェーハの加工方法であって、
デバイスウェーハの表面に耐熱性のプレートを配設するプレート配設ステップと、
該プレート配設ステップを実施した後、デバイスウェーハの裏面を研削して所定の厚みに薄化する薄化ステップと、
該薄化ステップを実施した後、デバイスウェーハの裏面に補強フィルムを貼着する補強フィルム貼着ステップと、
該補強フィルム貼着ステップを実施した後、該プレートが配設され該補強フィルムが貼着されたデバイスウェーハを加熱して該補強フィルムを硬化させる硬化ステップと、
該硬化ステップを実施した後、デバイスウェーハを補強フィルムとともに該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備える加工方法。

【請求項2】

少なくとも前記補強フィルム貼着ステップを実施する前に、デバイスウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をデバイスウェーハ内部に位置付けた状態で前記分割予定ラインに沿って該レーザビームをデバイスウェーハの裏面に向かって照射してデバイスウェーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップを備え、
前記分割ステップでは、デバイスウェーハの裏面に貼着された前記補強フィルムの上面に拡張シートを貼着するとともに前記プレートをデバイスウェーハの表面から剥離した後、該拡張シートを拡張することによりデバイスウェーハに外力を付与して該分割予定ラインに沿って該補強フィルムとともにデバイスウェーハを個々のチップへと分割する、請求項１に記載の加工方法。

【請求項3】

前記分割ステップでは、デバイスウェーハの裏面に貼着された前記補強フィルムの上面に拡張シートを貼着するとともに前記プレートをデバイスウェーハの表面から剥離した後、前記分割予定ラインに沿って切削ブレードまたはレーザビームでデバイスウェーハを該補強フィルムとともにダイシングして個々のチップへと分割する、請求項１に記載の加工方法。

【請求項4】

前記硬化ステップを実施した後、前記分割ステップを実施する前に前記補強フィルムの前記分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ識別マークを形成するマーク形成ステップを備える、請求項１，２または３に記載の加工方法。

【請求項5】

デバイスウェーハは表面に前記分割予定ラインで区画された各領域において突起電極を有し、
前記分割ステップで形成された個々のチップを、該突起電極を介して基板に実装する実装ステップを有する請求項１，２，３または４に記載の加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、デバイスウェーハの加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

電子機器の薄型化を可能とするために、フリップチップ実装が広く採用されている。フリップチップ実装は、デバイスウェーハの表面にバンプと称される突起電極を形成し、バンプを介して実装基板にデバイスウェーハのチップを接続する実装技術である。

【0003】

特に近年においては、フリップチップ実装を行う際に、バンプと実装基板との間にのみ封止樹脂であるアンダーフィルを充填して固定し、チップの裏面が露出した形態も増えている（例えば、下記の特許文献１を参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開平０９−２５２０２７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかし、上記のようなフリップチップ実装では、チップの裏面が露出した状態となるため、チップの強度に不安があるという問題がある。この問題は、特にチップ厚みが薄い場合に顕著となっており、デバイスウェーハの加工時に、例えばチップに割れや欠けなどが発生することがある。

【0006】

本発明は，上記の事情にかんがみてなされたものであり、チップの強度不安を解消しうるデバイスウェーハの加工方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明は、デバイスウェーハの加工方法であって、デバイスウェーハの表面に耐熱性のプレートを配設するプレート配設ステップと、該プレート配設ステップを実施した後、デバイスウェーハの裏面を研削して所定の厚みに薄化する薄化ステップと、該薄化ステップを実施した後、デバイスウェーハの裏面に補強フィルムを貼着する補強フィルム貼着ステップと、該補強フィルム貼着ステップを実施した後、該プレートが配設され該補強フィルムが貼着されたデバイスウェーハを加熱して該補強フィルムを硬化させる硬化ステップと、該硬化ステップを実施した後、デバイスウェーハを補強フィルムとともに該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備える。

【0008】

少なくとも上記補強フィルム貼着ステップを実施する前に、デバイスウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をデバイスウェーハ内部に位置付けた状態で上記分割予定ラインに沿って該レーザビームをデバイスウェーハの裏面に向かって照射してデバイスウェーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップを備え、上記分割ステップでは、デバイスウェーハの裏面に貼着された上記補強フィルムの上面に拡張シートを貼着するとともに上記プレートをデバイスウェーハの表面から剥離した後、該拡張シートを拡張することによりデバイスウェーハに外力を付与して該分割予定ラインに沿って該補強フィルムとともにデバイスウェーハを個々のチップへと分割することができる。

【0009】

上記分割ステップでは、デバイスウェーハの裏面に貼着された上記補強フィルムの上面に拡張シートを貼着するとともに上記プレートをデバイスウェーハの表面から剥離した後、該分割予定ラインに沿って切削ブレードまたはレーザビームでデバイスウェーハを該補強フィルムとともにダイシングして個々のチップへと分割することができる。

【0010】

本発明では、上記硬化ステップを実施した後、上記分割ステップを実施する前に上記補強フィルムの上記分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ識別マークを形成するマーク形成ステップを実施することができる。

【0011】

さらに、本発明では、デバイスウェーハは表面に上記分割予定ラインで区画された各領域において突起電極を有しており、上記分割ステップで形成された個々のチップを、該突起電極を介して基板に実装する実装ステップを実施することができる。

【発明の効果】

【0012】

本発明にかかる加工方法では、補強フィルム貼着ステップ及び硬化ステップを実施してデバイスウェーハの裏面に補強フィルムを貼着し補強フィルムを熱硬化させた後、分割ステップを実施するため、補強フィルムごとデバイスウェーハを個々のチップに分割することができ、個々のチップの裏面には補強フィルムが貼着されている。したがって、チップに欠けや割れが発生することを防止し、チップの強度不安を解消することができる。
また、プレート配設ステップを薄化ステップの前に実施して耐熱性のプレートを薄化前のデバイスウェーハの表面に配設するため、薄化後のデバイスウェーハのハンドリングを容易にすることができる上、硬化ステップにおいてデバイスウェーハを加熱して補強フィルムを硬化させることが可能となり、容易に補強フィルムを硬化させることができる。

【0013】

本発明にかかる加工方法では、少なくとも補強フィルム貼着ステップを実施する前に改質層形成ステップを実施するため、デバイスウェーハにレーザビームを照射するにあたって補強フィルムが障害になることはなく、デバイスウェーハの内部にレーザビームを照射して容易に改質層を形成することができる。このように改質層が内部に形成されデバイスウェーハの強度が低下しても、デバイスウェーハの表面にはプレートが固定されているため、改質層形成ステップ実施後のデバイスウェーハのハンドリングが容易となる。

【0014】

さらに、本発明にかかる加工方法では、デバイスウェーハの裏面に貼着された補強フィルムに識別マークを形成するマーク形成ステップを実施するため、デバイスウェーハの裏面に直接レーザマーキングする必要がなく、それぞれのチップの裏面に対応する位置の補強フィルムに識別マークを形成することができる。これにより、チップの抗折強度が低下するのを防止できる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】デバイスウェーハの一例を示す斜視図である。

【図2】デバイスウェーハの構成を示す断面図である。

【図3】（ａ）はプレート配設ステップを示す斜視図、（ｂ）は同ステップ実施後のデバイスウェーハ及びプレートを示す断面図である。

【図4】改質層形成ステップを示す断面図である。

【図5】薄化ステップを示す斜視図である。

【図6】補強フィルム貼着ステップ及び硬化ステップの実施後のデバイスウェーハ、プレート及び補強フィルムを示すを示す断面図である。

【図7】マーク形成ステップを示す断面図である。

【図8】分割ステップにおいてデバイスウェーハを拡張シートに貼着する状態を示す断面図である。

【図9】分割ステップにおいて拡張シートをエキスパンドしてデバイスウェーハを個々のチップに分割する状態を示す断面図である。

【図10】実装ステップを示す断面図である。

【図11】補強フィルムの貼着されたデバイスウェーハに改質層を形成する状態を示す断面図である。

【図12】切削ブレードで分割ステップを行う状態を示す斜視図である。

【図13】切削ブレードで分割ステップを行う状態を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

図１に示すデバイスウェーハＷは、個々のチップに分割される円形の被加工物であって、例えばＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level‐Chip Size Package）ウェーハである。ＷＬ−ＣＳＰウェーハとは、ウェーハ表面に再配線層や突起電極であるバンプが形成され表面側が樹脂封止されて形成されたものを指す。デバイスウェーハＷは、例えばシリコン基板１を備え、シリコン基板１の表面１ａには、格子状の分割予定ライン２によって区画されたそれぞれの領域において図２に示すデバイス３を複数有している。表面１ａと反対側の面となる裏面１ｂには、デバイス３を有していない。

【0017】

図２に示すように、シリコン基板１の表面１ａ上には、再配線層４が形成されており、再配線層４には、デバイス３の電極５に接続される導電ポスト６が複数配設されている。導電ポスト６の先端部には、実装基板に接続されるボール状のバンプ７が形成されている。シリコン基板１の表面１ａ側は、導電ポスト６が埋設された封止樹脂層８で封止されている。以下では、このように構成されるデバイスウェーハＷの加工方法について説明する。

【0018】

（１）プレート配設ステップ
図３（ａ）に示すように、円形のプレート９をデバイスウェーハＷの表面１ａに対面させ、図３（ｂ）に示すように、耐熱性の接着剤１０によってデバイスウェーハＷの表面１ａにプレート９を貼着し配設する。その結果、デバイスウェーハＷの封止樹脂層８上において接着剤１０を介してプレート９が強固に固定される。プレート９は、例えばガラスやシリコンにより形成されており、剛性及び耐熱性を有する。このように構成されるプレート９をデバイスウェーハＷの保護部材として使用することにより、接着テープをデバイスウェーハＷに貼着するのに比べて、デバイスウェーハＷの表面１ａに形成されたバンプ７の凹凸を吸収して平坦にすることができる。

【0019】

（２）改質層形成ステップ
プレート配設ステップを実施した後、図４に示すレーザビーム照射ヘッド３０からデバイスウェーハＷの内部にレーザビームを集光して破断起点となる改質層１１を形成する。まず、デバイスウェーハＷをレーザビーム照射ヘッド３０の下方に移動させる。レーザビーム照射ヘッド３０は、レーザビームの集光点３２をデバイスウェーハＷの内部に位置付ける。そして、デバイスウェーハＷを例えば矢印Ｘ方向に水平移動させつつ、レーザビーム照射ヘッド３０は、図１に示した分割予定ライン２に沿ってデバイスウェーハＷに対し透過性を有する波長のレーザビーム３１をデバイスウェーハＷの裏面１ｂに向けて照射し、デバイスウェーハＷの内部に改質層１１を形成する。第一の実施例では、改質層形成ステップは、少なくとも後述する補強フィルム貼着ステップの前に実施する。そして、デバイスウェーハＷのすべての分割予定ライン２に沿ってレーザビーム３１を照射し改質層１１を形成したら、改質層形成ステップを終了する。

【0020】

（３）薄化ステップ
改質層形成ステップを実施した後、図５に示す研削手段２０によってデバイスウェーハＷを薄化する。研削手段２０は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル２１と、スピンドル２１の下端においてマウント２２を介して連結された研削ホイール２３と、研削ホイール２３の下部に環状に固着された研削砥石２４とを少なくとも備えている。図示しないモータによってスピンドル２１を回転させると、研削ホイール２３を所定の回転速度で回転させることができる。

【0021】

デバイスウェーハＷを薄化するために、図５に示すように、保持テーブル２５の上面にプレート９側を載置してデバイスウェーハＷの裏面１ｂを上向きに露出させ、図示しない吸引源によってデバイスウェーハＷを保持テーブル２５で吸引保持する。その後、保持テーブル２５を、例えば矢印Ａ方向に回転させつつ、スピンドル２１を回転させて研削ホイール２３を矢印Ａ方向に回転させながらデバイスウェーハＷの裏面１ｂに接近する方向に研削手段２０を下降させる。そして、研削砥石２４でデバイスウェーハＷの裏面１ｂを押圧しながら所望の厚みに至るまで研削する。

【0022】

なお、図３（ｂ）に示したデバイスウェーハＷの表面１ａには、プレート９が強固に固定されているため、内部に応力を有するデバイスウェーハＷが、図４に示した研削砥石２４による研削にともない薄化されても、デバイスウェーハＷに大きく反りが発生することはない。

【0023】

（４）補強フィルム貼着ステップ
薄化ステップを実施した後、図６に示すように、薄化されたデバイスウェーハＷの裏面１ｂに補強フィルム１２を貼着する。補強フィルム１２としては、例えばリンテック株式会社製のＬＣテープを使用することができ、補強フィルム１２を裏面１ｂに貼着することにより、デバイスウェーハＷを分割する際に裏面１ｂを保護・補強する。

【0024】

（５）硬化ステップ
補強フィルム貼着ステップを実施した後、補強フィルム１２を硬化する。例えばヒータを用いて１３０℃で補強フィルム１２をベークして熱硬化させる。これにより、後の分割ステップにおいて、デバイスウェーハＷの裏面１ｂから補強フィルム１２が剥離しないように固定される。

【0025】

（６）マーク形成ステップ
硬化ステップの実施後、次の分割ステップの実施前に、図７に示すレーザマーキング用照射ヘッド３３により、デバイスウェーハＷの裏面１ｂに貼着された補強フィルム１２に識別マークを形成する。

【0026】

まず、補強フィルム１２が貼着されたデバイスウェーハＷをレーザマーキング用照射ヘッド３３の下方に移動させる。次いで、デバイスウェーハＷを例えば矢印Ｘ方向及び矢印Ｘ方向に対して水平な方向に直交する方向に水平移動させつつ、レーザマーキング用照射ヘッド３３は、図２で示した各デバイス３に対応する位置にある裏面１ｂに貼着された補強フィルム１２にレーザビーム３４を照射して識別情報を含む識別マークを形成する。識別情報は、例えばメーカー名、ロットナンバー、固体識別番号などである。このように、補強フィルム１２にレーザ印字が可能となっているため、デバイスウェーハＷの裏面１ｂに直接レーザ印字しなくて済み、デバイスの抗折強度が低下するのを防止できる。

【0027】

（７）分割ステップ
マーク形成ステップを実施した後、デバイスウェーハＷを個々のチップに分割する。まず、図８に示すように、中央部が開口された環状のフレーム１４の下部に伸縮性を有する拡張シート１３を貼着し、フレーム１４の中央開口部から露出した拡張シート１３にデバイスウェーハＷの裏面１ｂに貼着された補強フィルム１２側を貼着する。そして、上向きに露出したデバイスウェーハＷの表面１ａからプレート９を接着剤１０とともに剥離する。

【0028】

次に、図９に示すように、分割手段４０によってデバイスウェーハＷをエキスパンドして個々のチップに分割する。分割手段４０は、拡張シート１３に貼着された補強フィルム１２及びデバイスウェーハＷを保持する保持部４１と、保持部４１の外周側に連設されフレーム１４が載置される載置部４２と、載置部４２に載置されたフレーム１４をクランプするクランプ部４３と、載置部４２の下方に連結され載置部４２を上下方向に昇降させる移動手段４４と、を少なくとも備えている。移動手段４４は、シリンダ４４ａと、シリンダ４４ａによって駆動されて昇降するピストン４４ｂとを備えており、ピストン４４ｂが上下方向に移動することにより載置部４２及びクランプ部４３を同方向に昇降させることができる。

【0029】

図９（ａ）に示すように、拡張シート１３を下向きにしてデバイスウェーハＷを分割手段４０の保持部４１に載置するとともに、載置部４２にフレーム１４を載置する。その後、クランプ部４３がフレーム１４の上部を押さえてフレーム１４が動かないように固定する。

【0030】

図９（ｂ）に示すように、ピストン４４ｂが下方に移動することにより、載置部４２を下降させる。これにより、拡張シート１３が径方向に拡張し、デバイスウェーハＷの内部に形成された改質層１１が破断起点となってデバイスウェーハＷが個々のチップ１００に分割される。

【0031】

（８）実装ステップ
分割ステップを実施した後、図１０に示すように、個々のチップ１００を実装基板１５に実装する。実装基板１５は、その表面に複数の電極１５ａが形成されている。チップ１００の表裏を反転させ、チップ１００の表面１ａと実装基板１５の電極１５ａとを対面させて個々の電極１５ａ上にそれぞれ各バンプ７を載置し、リフロー炉に投入するなどにより、電極１５ａとバンプ７とを電気的に接続する。このようにしてフリップチップ実装を行う。

【0032】

上記の第一の実施例における分割ステップは、デバイスウェーハＷの裏面１ｂに補強フィルム１２を貼着する前にデバイスウェーハＷの内部に改質層１１をあらかじめ形成してから実施しているが、この順番に限定されるものではない。具体的には、第二の実施例として、補強フィルム貼着ステップ及び硬化ステップを実施後、図１１に示すレーザビーム照射ヘッド３０ａが、レーザビームの集光点３６をデバイスウェーハＷの内部に位置付けて、デバイスウェーハＷ及び補強フィルム１２に対し透過性を有する波長のレーザビーム３５を照射してデバイスウェーハＷの内部に改質層１１ａを形成した後、図９に示した分割手段４０によって改質層１１ａを破断起点としてデバイスウェーハＷを個々のチップ１００に分割してもよい。

【0033】

また、分割ステップは、図９で示したエキスパンドによって実施する場合に限定されるものではない。分割ステップは、改質層形成ステップを実施せずに、図１２に示す切削手段５０によって分割予定ライン２を切削して個々のチップ１００に分割してもよい。また、分割ステップは、改質層形成ステップを実施せずに、レーザビームの照射によりデバイスウェーハＷをフルカットして個々のチップ１００に分割してもよいし、レーザビームの照射によりデバイスウェーハＷをハーフカットして溝を形成した後、図９で示した分割手段４０により拡張シート１３をエキスパンドして当該溝を破断起点としてデバイスウェーハＷを個々のチップ１００に分割してもよい。以下では、図１２に示す切削手段５０によって分割ステップを実施する場合について説明する。

【0034】

図１２に示す切削手段５０は、Ｙ軸方向の軸心を有するスピンドル５１と、スピンドル５１を回転可能に囲繞するハウジング５２と、スピンドル５１の先端に装着された切削ブレード５３と、を少なくとも備えており、スピンドル５１の回転によって切削ブレード５３も回転するようになっている。

【0035】

まず、中央部が開口した環状のフレーム１４ａの下方にテープ１７を貼着し、フレーム１４ａの中央開口部から露出したテープ１７に図６に示した補強フィルム１２が貼着されたデバイスウェーハＷの裏面１ｂ側を貼着する。その後、フレーム１４ａと一体となったデバイスウェーハＷを切削手段５０の下方に移動させる。

【0036】

デバイスウェーハＷをＸ軸方向に移動させながら、Ｙ軸方向を中心として切削ブレード５３を所定の回転速度で回転させつつ切削手段５０をＺ軸方向に下降させ、回転する切削ブレード５３をデバイスウェーハＷの表面１ａに切り込ませる。このとき、切削ブレード５３を、デバイスウェーハＷの裏面１ｂに貼着された補強フィルム１２が切断されるまで切り込ませる。分割予定ライン２に沿ってデバイスウェーハＷの外周の一端から他端に至るまで切削ブレード５３を切り込ませて切削することにより溝１６を形成し、このような切削をすべての分割予定ライン２に沿って行うことにより、デバイスウェーハＷを図１０に示した個々のチップ１００に分割する。

【0037】

分割ステップは、改質層形成ステップを実施せずに、かつ、図１２に示したテープ１７に補強フィルム１２を貼着せずに、図１３に示すように、補強フィルム１２が貼着されたデバイスウェーハＷの裏面１ｂ側から切削して個々のチップ１００に分割してもよい。すなわち、図１３に示すように、スピンドル５１を回転させることにより切削ブレード５３を所定の回転速度で例えば矢印Ｂ方向に回転させながら、切削手段５０をＺ軸方向に下降させ、デバイスウェーハＷの裏面１ｂに貼着された補強フィルム１２側からプレート９に達するまで図１２に示した分割予定ライン２に沿って切削ブレード５３を切り込ませる。このようにして切削することにより所望の深さの溝１６ａを形成し、このような切削をすべての分割予定ライン２に沿って行うことにより、デバイスウェーハＷを個々のチップ１００に分割する。デバイスウェーハＷを個々のチップ１００に分割した後は、補強フィルム１２の上に図示していないシートを貼着し、シートを介してリングフレームに装着する。これにより、デバイスウェーハＷの表面１ａからプレート９を剥離しても、チップ１００がバラバラになることはなくハンドリングが容易になる。

【0038】

なお、補強フィルム１２としてレーザビームを透過させる材質のものを使用する場合には、補強フィルム１２側から照射したレーザビームをデバイスウェーハ１に集光して分割してもよい。

【0039】

以上のとおり、補強フィルム貼着ステップ及び硬化ステップを実施してデバイスウェーハＷの裏面１ｂに補強フィルム１２を貼着し補強フィルム１２を熱硬化させた後、分割ステップを実施するため、補強フィルム１２ごとデバイスウェーハＷを個々のチップ１００に分割することができ、チップ１００に欠けや割れが発生することを防止してチップ１００の強度不安を解消することができる。
また、プレート配設ステップを薄化ステップの前に実施して耐熱性のプレート９を薄化前のデバイスウェーハＷの表面１ａに配設するため、薄化後のデバイスウェーハＷのハンドリングを容易にすることができる上、硬化ステップにおいてデバイスウェーハＷを加熱して補強フィルムを硬化させることが可能となり、容易に補強フィルム１２を硬化させることができる。

【0040】

改質層形成ステップは、少なくとも補強フィルム貼着ステップを実施する前に実施することにより、デバイスウェーハＷにレーザビームを照射するにあたって補強フィルムが障害になることはなく、レーザビーム３１をデバイスウェーハＷの内部に照射して容易に改質層１１を形成することができる。また、補強フィルムにはレーザビームに対する透過性が必要とされず、レーザビームの波長についても補強フィルムに対する透過性を考慮する必要がない。
また、改質層１１が内部に形成されデバイスウェーハＷの強度が低下しても、デバイスウェーハＷの表面１ａにはプレート９に固定されているため、改質層形成ステップ実施後のデバイスウェーハＷのハンドリングが容易となる。

【0041】

さらに、分割ステップの前にマーク形成ステップを実施するため、デバイスウェーハＷの裏面１ｂに直接レーザマーキングする必要がなく、それぞれのチップ１００の裏面に対応する位置の補強フィルム１２に識別マークを形成することができる。これにより、チップ１００の抗折強度が低下するのを防止できる。

【符号の説明】

【0042】

１：デバイスウェーハ １ａ：表面 １ｂ：裏面 ２：分割予定ライン
３：デバイス ４：再配線層 ５：電極 ６：導電ポスト ７：バンプ ８：封止樹脂層
９：プレート １０：接着剤 １１，１１ａ：改質層 １２：補強フィルム
１３：拡張シート １４，１４ａ：フレーム １５：実装基板 １５ａ：電極
１６，１６ａ：溝 １７：テープ
１００：チップ
２０：研削手段 ２１：スピンドル ２２：マウント ２３：研削ホイール
２４：研削砥石 ２５：保持テーブル
３０，３０ａ：レーザビーム照射ヘッド ３１：レーザビーム ３２：集光点
３３：レーザマーキング用照射ヘッド ３４，３５：レーザビーム ３６：集光点
４０：分割手段 ４１：保持部 ４２：載置部 ４３：クランプ部
４４：移動手段 ４４ａ：シリンダ ４４ｂ：ピストン
５０：切削手段 ５１：スピンドル ５２：ハウジング ５３：切削ブレード

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】