特許 6152013 ウェーハの加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6152013

(24)【登録日】2017年6月2日

(45)【発行日】2017年6月21日

(54)【発明の名称】ウェーハの加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20170612BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20170612BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/78 Q

   H01L21/78 B

   H01L21/304 631

【請求項の数】1

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2013-169245(P2013-169245)

(22)【出願日】2013年8月16日

(65)【公開番号】特開2015-37172(P2015-37172A)

(43)【公開日】2015年2月23日

【審査請求日】2016年6月20日

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】100089118

【弁理士】

【氏名又は名称】酒井 宏明

(72)【発明者】

【氏名】田中 圭

【審査官】 中田 剛史

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１３−１５２９６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０２１１１４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−００８８３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−１０４７８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−０１６４８６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第一の方向に延びる複数の第一の分割予定ラインと、前記第一の分割予定ラインと交差する方向に延びる複数の第二の分割予定ラインとが表面に設定されたウェーハを薄化するとともに前記分割予定ラインに沿って分割し所定の仕上げ厚みのチップを複数形成するウェーハの加工方法であって、
前記ウェーハの前記表面側に保護部材を貼着し、前記保護部材を介してチャックテーブルの保持面に前記ウェーハを保持する保持ステップと、
前記保持ステップの後に、前記ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザ光線の集光点を前記ウェーハ内部のチップの仕上げ厚みに至らない領域に位置付けた状態で、前記ウェーハの裏面側から前記レーザ光線を前記分割予定ラインに沿って照射し、前記ウェーハ内部の前記チップの前記仕上げ厚みよりも前記裏面側に前記分割予定ラインに沿った分割起点改質層を形成する改質層形成ステップと、
前記改質層形成ステップの途中に、前記第一の方向および前記第二の方向の前記分割予定ラインのそれぞれ１本以上で、前記レーザ光線の前記集光点を前記ウェーハ内部に位置付けた状態で、前記ウェーハの裏面側から前記レーザ光線を前記分割予定ラインに沿って前記ウェーハの厚さ方向に積み重ねるように複数回照射して分割用改質層を形成して、前記ウェーハの厚さ方向で当該ウェーハを分割する分割加工を施し、前記分割起点改質層の形成によって前記ウェーハに生じる反りを低減させる反り低減分割ステップと、
前記改質層形成ステップと前記反り低減分割ステップとの後に、前記ウェーハの裏面を研削して少なくとも前記分割起点改質層を起点に前記ウェーハを分割できる前記仕上げ厚みへと薄化し、前記分割起点改質層を除去して前記仕上げ厚みのチップを複数形成する研削ステップと、を備えたウェーハの加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、レーザ光線を照射して分割するウェーハの加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

表面にデバイスが形成されたウェーハの分割予定ラインに沿って切削ブレードによりハーフカットした後、ウェーハの裏面を研削して所定の厚みの個々のチップを製造する、いわゆる先ダイシングが知られているが、切削ブレードによるハーフカットに代わり、切り代の狭小化やチップの抗折強度の向上が期待されるレーザ光線を用いてウェーハ内部に改質層を形成した後、ウェーハの裏面を研削して所定の厚みの個々のチップを製造する加工方法が開発されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特願２０１２−３２７５１号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

このようなウェーハの加工方法では、ウェーハの内部に形成される改質層が膨張し、この改質層がウェーハの表面側に集中することから、ウェーハが反りやすかった。ウェーハが反った状態でレーザ光線を照射すると、レーザ光線の集光点に対するウェーハの厚さ方向の相対位置が変化することから、改質層を所定の位置に形成できず、改質層がウェーハの表面に偏ることがある。改質層がウェーハの表面に偏ると、ウェーハが所定の厚みになるまで裏面を研削しても、改質層がチップの側面に残存し、チップの強度が低くなってしまうことがある。また、反った状態のウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置すると、吸引保持できない虞もある。

【0005】

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ウェーハの反りを低減させることができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、第一の方向に延びる複数の第一の分割予定ラインと、前記第一の分割予定ラインと交差する方向に延びる複数の第二の分割予定ラインとが表面に設定されたウェーハを薄化するとともに前記分割予定ラインに沿って分割し所定の仕上げ厚みのチップを複数形成するウェーハの加工方法であって、前記ウェーハの前記表面側に保護部材を貼着し、前記保護部材を介してチャックテーブルの保持面に前記ウェーハを保持する保持ステップと、前記保持ステップの後に、前記ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザ光線の集光点を前記ウェーハ内部のチップの仕上げ厚みに至らない領域に位置付けた状態で、前記ウェーハの裏面側から前記レーザ光線を前記分割予定ラインに沿って照射し、前記ウェーハ内部の前記チップの前記仕上げ厚みよりも前記裏面側に前記分割予定ラインに沿った分割起点改質層を形成する改質層形成ステップと、前記改質層形成ステップの途中に、前記第一の方向および前記第二の方向の前記分割予定ラインのそれぞれ１本以上で、前記レーザ光線の前記集光点を前記ウェーハ内部に位置付けた状態で、前記ウェーハの裏面側から前記レーザ光線を前記分割予定ラインに沿って前記ウェーハの厚さ方向に積み重ねるように複数回照射して分割用改質層を形成して、前記ウェーハの厚さ方向で当該ウェーハを分割する分割加工を施し、前記分割起点改質層の形成によって前記ウェーハに生じる反りを低減させる反り低減分割ステップと、前記改質層形成ステップと前記反り低減分割ステップとの後に、前記ウェーハの裏面を研削して少なくとも前記分割起点改質層を起点に前記ウェーハを分割できる前記仕上げ厚みへと薄化し、前記分割起点改質層を除去して前記仕上げ厚みのチップを複数形成する研削ステップと、を備えたことを特徴とする。

【発明の効果】

【0007】

本発明のウェーハの加工方法によれば、改質層形成ステップの前または途中に、第一の分割予定ラインおよび第二の分割予定ラインのそれぞれ１本以上に対して、ウェーハの厚さ方向で当該ウェーハを分割する分割加工を施すので、第一の分割予定ラインおよび第二の分割予定ラインのそれぞれにおいて、少なくとも１本の分割予定ラインに沿ってウェーハが分割される。このため、ウェーハの加工方法によれば、分割前のウェーハに対して分割後のウェーハの相対的な面積が小さくなり、分割起点改質層によるウェーハ内部の膨張の累積も小さくなるので、分割起点改質層の形成により生じるウェーハの反りを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、実施形態に係るウェーハの加工方法の保持ステップの説明図である。

【図2】図２は、保持ステップによりチャックテーブルに保持されたウェーハの概略構成図である。

【図3】図３は、実施形態に係るウェーハの加工方法の改質層形成ステップの説明図である。

【図4】図４は、実施形態に係るウェーハの加工方法の反り低減分割ステップの説明図である。

【図5】図５は、ウェーハの内部に形成される分割起点改質層および分割用改質層の説明図である。

【図6】図６は、実施形態に係るウェーハの加工方法の研削ステップの説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。更に、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

【0010】

〔実施形態〕
図１は、実施形態に係るウェーハの加工方法の保持ステップの説明図である。図２は、保持ステップによりチャックテーブルに保持されたウェーハの概略構成図である。図３は、実施形態に係るウェーハの加工方法の改質層形成ステップの説明図である。図４は、実施形態に係るウェーハの加工方法の反り低減分割ステップの説明図である。図５は、ウェーハの内部に形成される分割起点改質層および分割用改質層の説明図である。図６は、実施形態に係るウェーハの加工方法の研削ステップの説明図である。

【0011】

本実施形態は、ウェーハの加工方法に関する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、図１に示すように、互いに交差する複数の第一の分割予定ラインＳ１と第二の分割予定ラインＳ２とが表面Ｗａに設定され、第一の分割予定ラインＳ１と第二の分割予定ラインＳ２とで区画された領域の表面ＷａにデバイスＷＤが形成されたウェーハＷの加工方法である。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、保持ステップ、改質層形成ステップ、反り低減分割ステップおよび研削ステップを含んでいる。

【0012】

ここで、加工対象としてのウェーハＷは、特に限定されないが、例えば、シリコン、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等を母材とする板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ、セラミック、ガラス、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）系の板状の無機材料基板、金属や樹脂等の板状の延性材料等、板状の各種加工材料である。ウェーハＷは、図１に示すように、第一の分割予定ラインＳ１と第二の分割予定ラインＳ２とにより区画された領域に、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）やＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスＷＤが形成されている。ウェーハＷは、粘着テープＴを介して、環状フレームＦに支持されている。粘着テープＴは、ダイシングテープとも呼ばれ、ウェーハＷの表面Ｗａに貼着される保護部材である。

【0013】

第一の分割予定ラインＳ１と第二の分割予定ラインＳ２とは、ウェーハＷの表面Ｗａに形成された複数のデバイスＷＤに基づいて、ウェーハＷの表面Ｗａに予め設定されている。第一の分割予定ラインＳ１は、第一の方向Ｘに延びている。第二の分割予定ラインＳ２は、第一の分割予定ラインＳ１と交差する方向に延びており、本実施形態において、第二の方向Ｙに延びている。第一の分割予定ラインＳ１と第二の分割予定ラインＳ２とは、本実施形態において、互いに直交している。第一の分割予定ラインＳ１と第二の分割予定ラインＳ２とにより区画された領域は、本実施形態において、正方形である。

【0014】

（保持ステップ）
保持ステップは、図２に示すように、チャックテーブル１１にウェーハＷを吸引保持させるステップである。保持ステップは、図４に示すレーザ加工装置１０により実施される。

【0015】

ここで、レーザ加工装置１０は、図４に示すように、チャックテーブル１１と、レーザ光線照射手段１２と、撮像手段１３と、図示しない移動手段と、を含んで構成されている。

【0016】

チャックテーブル１１は、ウェーハＷを吸引保持する時に環状フレームＦの外周縁を挟んで固定する図示しないクランプを有している。チャックテーブル１１は、図２に示すように、円盤状に形成され、上面が水平方向と平行に形成されている。チャックテーブル１１は、図３に示すように、上面と面一に形成された保持面１１ａを有している。保持面１１ａは、ポーラスセラミックで構成され、図示しない真空吸引源と接続されている。

【0017】

レーザ光線照射手段１２は、図４に示すように、ウェーハＷに対してレーザ光線Ｌを照射するレーザヘッド１２ａと、図示しないレーザ光線発振手段を収容するケーシング１２ｂと、を備えている。レーザヘッド１２ａは、チャックテーブル１１に吸引保持されたウェーハＷに対して透過性を有する波長のレーザ光線Ｌを照射する。レーザヘッド１２ａは、レーザ光線Ｌの集光点ＰをウェーハＷ内部の厚さ方向に変えることができる。レーザヘッド１２ａは、図３に示すように、ウェーハＷ内部の分割予定ラインＳ１、Ｓ２上の所定の領域に集光点Ｐを位置付けてレーザ光線Ｌを照射することにより、ウェーハＷ内部の表面Ｗａ側に分割起点改質層Ｋｓを形成する。また、レーザヘッド１２ａは、図４に示すように、ウェーハ内部の表面Ｗａ側から裏面Ｗｂ側にかけてウェーハの厚さ方向に集光点Ｐを積み重ねるように位置付けてレーザ光線Ｌを複数回照射することにより、複数の分割用改質層Ｋｄを形成する。なお、本実施形態において、所定の領域は、ウェーハＷの薄化に伴って当該ウェーハＷが個々のチップに分割される厚みよりも裏面Ｗｂ側、すなわちチップの仕上げ厚みｄよりも裏面Ｗｂ側となる領域であり、チップの仕上げ厚みｄに至らない領域である。

【0018】

本実施形態において、分割起点改質層Ｋｓは、図３に示すように、ウェーハＷ内部のチップの仕上げ厚みｄに至らない領域内の表面Ｗａ側の同じ深さにレーザ光線Ｌが照射されて形成されるものである。また、本実施形態において、分割用改質層Ｋｄは、図５に示すように、ウェーハＷ内部のチップの仕上げ厚みｄよりも表面Ｗａ側から裏面Ｗｂ側にかけて、ウェーハＷの厚さ方向に積み重ねるようにレーザ光線Ｌが照射されて形成されるものである。各改質層Ｋｓ、Ｋｄは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態となった領域である。各改質層Ｋｓ、Ｋｄは、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、および、これらの領域が混在した領域等である。

【0019】

撮像手段１３は、例えば、可視光線および赤外線等を捕らえるＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサを用いたカメラ等である。撮像手段１３は、可視光線の他に、ウェーハＷに対して透過性のある赤外線を照射する照射手段を含んでいる。撮像手段１３は、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側から赤外線を照射することにより、ウェーハＷの表面Ｗａ側に設定された第一の分割予定ラインＳ１および第二の分割予定ラインＳ２を検出可能である。撮像手段１３は、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側から撮像し、アライメント調整用画像データを生成する。

【0020】

移動手段は、チャックテーブル１１をＸ軸方向に移動させ、レーザ光線照射手段１２をＹ軸方向およびＺ軸方向に移動させるものである。移動手段は、チャックテーブル１１をその中心軸周りに回転させることも可能である。移動手段は、Ｘ軸方向にチャックテーブル１１を移動させることで、レーザヘッド１２ａから照射されるレーザ光線Ｌを第一の分割予定ラインＳ１に沿って照射させる。なお、本実施形態において、Ｘ軸方向は、鉛直方向と直交する方向である。また、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向および鉛直方向と直交する方向である。Ｚ軸方向は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向と直交する方向であり、鉛直方向である。

【0021】

このように構成されたレーザ加工装置１０においては、フレームカセットからウェーハＷが搬出され、図２に示すように、環状フレームＦの粘着テープＴを介して、チャックテーブル１１の保持面１１ａにウェーハＷの表面Ｗａ側が載置される。次に、レーザ加工装置１０においては、図示しない真空吸引源により、チャックテーブル１１の保持面１１ａにウェーハＷの表面Ｗａ側が吸引保持される。

【0022】

図２に示すように、レーザ加工装置１０により、環状フレームＦの粘着テープＴを介してチャックテーブル１１の保持面１１ａにウェーハＷの表面Ｗａが吸引保持されると、保持ステップは終了する。

【0023】

（改質層形成ステップおよび反り低減分割ステップ）
改質層形成ステップは、図３に示すように、上記保持ステップの後に、第一の分割予定ラインＳ１および第二の分割予定ラインＳ２に沿った分割起点改質層Ｋｓを形成するステップである。反り低減分割ステップは、改質層形成ステップの途中に、ウェーハＷの中心を通る分割予定ラインＳ１、Ｓ２に沿ってウェーハＷを分割して、ウェーハＷに生じる反りを低減させるステップである。改質層形成ステップおよび反り低減分割ステップは、レーザ加工装置１０により実施される。

【0024】

レーザ加工装置１０においては、上記保持ステップの後に、チャックテーブル１１に吸引保持されたウェーハＷに対して、撮像手段１３により裏面Ｗｂ側から赤外線が照射され、アライメント調整用画像が撮像され、アライメント調整用画像データが生成される。次に、レーザ加工装置１０においては、アライメント調整用画像データに基づいてチャックテーブル１１とレーザ光線照射手段１２とのアライメントが調整される。次に、レーザ加工装置１０においては、ウェーハＷの表面に設定された第一の分割予定ラインＳ１においてレーザ光線Ｌの集光点ＰがウェーハＷ内部の仕上げ厚みｄに至らない領域に位置付けられるように、移動手段によりチャックテーブル１１とレーザ光線照射手段１２とが移動される。

【0025】

次に、レーザ加工装置１０においては、レーザ光線Ｌの集光点ＰがウェーハＷ内部の仕上げ厚みｄに至らない領域に位置付けられた状態で、移動手段によりチャックテーブル１１とレーザ光線照射手段１２とが相対移動され、一端側の第一の分割予定ラインＳ１から、ウェーハＷの中心を通る第一の分割予定ラインＳ１の前まで、ウェーハＷに対して透過性を有する波長のレーザ光線ＬがウェーハＷの裏面Ｗｂ側から順次照射される。このとき、第一の分割予定ラインＳ１に沿って、ウェーハＷ内部の表面Ｗａ側でありチップの仕上げ厚みｄに至らない領域内に分割起点改質層Ｋｓが形成される。

【0026】

次に、レーザ加工装置１０においては、図４および図５に示すように、ウェーハＷの中心を通る第一の分割予定ラインＳ１に沿って、ウェーハＷ内部のチップの仕上げ厚みｄよりも表面Ｗａ側から裏面Ｗｂ側にかけて、ウェーハＷの厚さ方向に積み重ねるようにレーザ光線Ｌが複数回繰り返して照射される。このとき、ウェーハＷは、ウェーハＷの中心を通る第一の分割予定ラインＳ１に沿って、ウェーハＷが当該ウェーハＷの厚さ方向で分割される。

【0027】

次に、レーザ加工装置１０においては、移動手段によりチャックテーブル１１とレーザ光線照射手段１２とが相対移動され、他端側の第一の分割予定ラインＳ１まで順次レーザ光線Ｌが照射される。このとき、第一の分割予定ラインＳ１に沿って、ウェーハＷ内部の表面Ｗａ側でありチップの仕上げ厚みｄに至らない領域内に分割起点改質層Ｋｓが形成される。

【0028】

次に、レーザ加工装置１０においては、チャックテーブル１１を９０度回転させた後、第二の分割予定ラインＳ２上においてレーザ光線Ｌの集光点ＰがウェーハＷ内部の仕上げ厚みｄに至らない領域に位置付けられた状態で、第一の分割予定ラインＳ１と同様にレーザ光線Ｌが一端側の第二の分割予定ラインＳ２から、ウェーハの中心を通る第二の分割予定ラインＳ２の前まで順次レーザ光線Ｌが照射される。このとき、第二の分割予定ラインＳ２に沿って、ウェーハＷ内部の表面Ｗａ側でありチップの仕上げ厚みｄに至らない領域内に分割起点改質層Ｋｓが形成される。

【0029】

次に、レーザ加工装置１０においては、図４および図５に示すように、ウェーハＷの中心を通る第二の分割予定ラインＳ２に沿って、ウェーハＷ内部のチップの仕上げ厚みｄよりも表面Ｗａ側から裏面Ｗｂ側にかけて、ウェーハＷの厚さ方向に積み重ねるようにレーザ光線Ｌが複数回繰り返して照射される。このとき、ウェーハＷは、ウェーハＷの中心を通る第二の分割予定ラインＳ２に沿って、ウェーハＷが当該ウェーハＷの厚さ方向で分割される。

【0030】

次に、レーザ加工装置１０においては、移動手段によりチャックテーブル１１とレーザ光線照射手段１２とが相対移動され、他端側の第二の分割予定ラインＳ２まで順次レーザ光線Ｌが照射される。このとき、第二の分割予定ラインＳ２に沿って、ウェーハＷ内部の表面Ｗａ側でありチップの仕上げ厚みｄに至らない領域内に分割起点改質層Ｋｓが形成される。なお、分割予定ラインＳ１、Ｓ２に沿って形成された分割起点改質層Ｋｓは、ウェーハＷの表面Ｗａに形成されたデバイスＷＤよりも裏面Ｗｂ側、かつ、仕上げ厚みｄよりも裏面Ｗｂ側に位置する。また、ウェーハＷは、周方向に等間隔で四分割されているため、分割前のウェーハＷに対して分割後のウェーハＷの相対的な面積が小さくなり、分割起点改質層ＫｓによるウェーハＷ内部の膨張の累積も小さくなり、分割起点改質層Ｋｓの形成により生じるウェーハＷの反りが低減される。

【0031】

次に、レーザ加工装置１０においては、真空吸引源による吸引が停止され、チャックテーブル１１によるウェーハＷの吸引保持が解除された後、フレーム搬送手段により、レーザ加工後のウェーハＷがチャックテーブル１１からフレームカセットに収納される。

【0032】

分割予定ラインＳ１、Ｓ２の全てに沿って分割起点改質層Ｋｓが形成されると、改質層形成ステップは終了する。また、ウェーハＷの中心を通る分割予定ラインＳ１、Ｓ２のそれぞれに沿ってウェーハＷが分割されると、反り低減分割ステップは終了する。

【0033】

（研削ステップ）
研削ステップは、上記改質層形成ステップと上記反り低減分割ステップとの後に、ウェーハＷの裏面を研削し、分割起点改質層Ｋｓを除去して仕上げ厚みｄのチップを複数形成するステップである。研削ステップは、図６に示すように、公知の研削装置２０により実施される。

【0034】

ここで、研削装置２０は、図６に示すように、チャックテーブル２１と、研削手段２２と、を含んで構成されている。

【0035】

チャックテーブル２１は、レーザ加工装置１０のチャックテーブル１１と同様に、円盤状に形成されており、保持面２１ａを有している。保持面２１ａは、ポーラスセラミックで構成され、図示しない真空吸引源と接続されている。

【0036】

研削手段２２は、スピンドル２２ａと、マウンタ２２ｂと、基台部２２ｃと、研削砥石２２ｄと、を備えている。スピンドル２２ａは、図示しない回転駆動機構によって回転自在に支持されている。マウンタ２２ｂは、基台部２２ｃをスピンドル２２ａに着脱可能に取り付ける。基台部２２ｃの下面には、研削砥石２２ｄが配設されている。研削手段２２は、図示しない研削水供給ノズルから研削水を供給しながら、研削砥石２２ｄとチャックテーブル２１とを同方向に回転させつつウェーハＷの裏面Ｗｂ側に研削砥石２２ｄを接触させて、ウェーハＷを研削する。

【0037】

このように構成された研削装置２０においては、上記改質層形成ステップと上記反り低減分割ステップとの後に、図示しないフレーム搬送手段により、レーザ加工後のウェーハＷがフレームカセットから搬出され、環状フレームＦの粘着テープＴを介して、チャックテーブル２１の保持面２１ａにウェーハＷの表面Ｗａ側が載置される。次に、研削装置２０においては、図示しない真空吸引源により、チャックテーブル２１の保持面２１ａにウェーハＷの表面Ｗａ側が吸引保持される。

【0038】

次に、研削装置２０においては、図示しない研削水供給ノズルから研削水が供給され、図６に示すように、研削手段２２のスピンドル２２ａとチャックテーブル２１とが同方向に回転され、ウェーハＷの裏面Ｗｂに研削砥石２２ｄが接触され、ウェーハＷの裏面Ｗｂが研削される。次に、研削装置２０においては、図示しない公知の接触式厚さ測定ゲージによりウェーハＷの厚みが測定され、測定されたウェーハＷの厚みが、少なくとも分割起点改質層Ｋｓを起点にウェーハＷを分割できる仕上げ厚みｄへと薄化されると、研削手段２２による研削が停止される。このとき、分割起点改質層Ｋｓに対して研削砥石２２ｄから研削負荷が加えられるので、分割起点改質層Ｋｓを起点とするクラックがウェーハＷ内部に生じ、分割予定ラインＳ１、Ｓ２に沿ってウェーハＷが分割される。これにより、分割起点改質層Ｋｓが除去されて仕上げ厚みｄのチップが複数形成される。形成された複数のチップは、粘着テープＴにより支持される。このため、環状フレームＦは、粘着テープＴを介してウェーハＷの形態が保たれた複数のチップを支持する。

【0039】

次に、研削装置２０においては、真空吸引源による吸引が停止され、チャックテーブル２１による複数のチップの吸引保持が解除された後、フレーム搬送手段により、図示しない洗浄・乾燥手段に複数のチップが搬送される。次に、研削装置２０においては、洗浄および乾燥された複数のチップがフレーム搬送手段により洗浄・乾燥手段からフレームカセットに収納される。

【0040】

ウェーハＷが仕上げ厚みｄへと薄化され、仕上げ厚みｄのチップが複数形成されると、研削ステップは終了する。

【0041】

以上説明したように、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、改質層形成ステップの途中に、複数の第一の分割予定ラインＳ１のうちの少なくとも１本に沿って分割用改質層Ｋｄを形成し、複数の第二の分割予定ラインＳ２のうちの少なくとも１本に沿って分割用改質層Ｋｄを形成する。また、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、分割予定ラインＳ１、Ｓ２のうちの少なくとも１本はウェーハＷの中心を通るものである。すなわち、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、ウェーハＷの中心を通る第一の分割予定ラインＳ１に沿って少なくとも１回ウェーハＷを分割し、ウェーハＷの中心を通る第二の分割予定ラインＳ２に沿って少なくとも１回ウェーハＷを分割する。したがって、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、ウェーハＷを分割しない場合よりも、分割起点改質層Ｋｓの膨張の累積を低減することができ、ウェーハの反りを低減させることができる。

【0042】

また、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、ウェーハの反りを低減させることができるので、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側に矯正改質部を形成する前に分割予定ラインの全てについて分断起点改質層を形成する従来技術の加工方法よりも、ウェーハＷの反りを低減させることができる。また、従来技術では分断起点改質層に対して矯正改質部を多数設けるのに対して、本実施形態に係るウェーハＷの加工方法では１本であり、加工効率がよい。

【0043】

また、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、ウェーハの反りを低減させることができるので、レーザ光線Ｌの集光点Ｐに対するウェーハＷの厚さ方向の相対位置の変化を抑制することができ、分割起点改質層Ｋｓをチップの仕上げ厚みｄに至らない領域に位置付けることができる。このため、ウェーハの加工方法によれば、少なくとも分割起点改質層Ｋｓを起点にウェーハＷを分割できる仕上げ厚みｄへとウェーハＷを薄化すると、分割起点改質層Ｋｓを除去することができる。

【0044】

また、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、研削ステップの実施により分割起点改質層Ｋｓが除去されるので、チップの側面に分割起点改質層Ｋｓが残存することによる抗折強度の低下を抑制することができる。

【0045】

また、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、ウェーハの反りを低減させることができるので、研削装置２０のチャックテーブル２１に載置して吸引保持させることができる。

【0047】

また、上記反り低減分割ステップにおいてウェーハＷに形成される分割用改質層Ｋｄは、分割予定ラインＳ１、Ｓ２のそれぞれにおいてウェーハＷの中心を通る１本に限定して形成されるものではなく、ウェーハＷの反りを低減させることができる本数が形成されていればよい。すなわち、分割予定ラインＳ１、Ｓ２のそれぞれにおいて１本以上に分割用改質層Ｋｄが形成されていればよい。なお、分割用改質層Ｋｄは、上記反り低減分割ステップにおいて分割用改質層Ｋｄが形成される加工時間を長くしないために、分割予定ラインＳ１、Ｓ２のそれぞれにおいて１本〜２本に形成されていることが好ましい。

【0048】

また、上記反り低減分割ステップにおいて、分割用改質層Ｋｄは、チップの仕上げ厚みｄよりも表面Ｗａ側から形成されているが、所定の領域内、すなわちチップの仕上げ厚みｄよりも裏面Ｗｂ側となる領域の表面Ｗａ側から形成するようにしてもよい。これにより、上記研削ステップにより所定の厚みになるまでウェーハＷの裏面Ｗｂを研削すると、分割用改質層Ｋｄが除去され、分割されたチップの側面に分割用改質層Ｋｄが残存しなくなる。したがって、チップの側面に分割用改質層Ｋｄが残存することによる抗折強度の低下を抑制することができる。

【0050】

また、ウェーハＷは、円形状のものに限定されるものではなく、例えば、四角形状や多角形状等でもよい。

【0051】

また、上記の実施形態において、保持ステップがマウンタ装置およびレーザ加工装置１０、改質層形成ステップおよび反り低減分割ステップがレーザ加工装置１０、研削ステップが研削装置２０により実施されているが、全てのステップが１つの装置で実施されてもよい。この場合、ウェーハＷに対する加工効率を向上させることができる。

【符号の説明】

【0052】

１１ チャックテーブル
１１ａ 保持面
ｄ 仕上げ厚み
Ｌ レーザ光線
Ｔ 粘着テープ（保護部材）
Ｗ 被加工物
Ｗａ 表面
Ｗｂ 裏面
Ｋｓ 分割起点改質層
Ｋｄ 分割用改質層
Ｓ１ 第一の分割予定ライン
Ｓ２ 第二の分割予定ライン
Ｐ 集光点

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】