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特許6153224表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたＧａＳｂ／ＩｎＡｓ／Ｓｉ（１１１）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたＭＯＳデバイスおよび赤外線検出デバイス
発明の名称 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたＧａＳｂ／ＩｎＡｓ／Ｓｉ（１１１）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたＭＯＳデバイスおよび赤外線検出デバイス
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構 （識別番号 301023238）
特許公開件数ランキング 399 位（99件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 282 位（106件）（共同出願を含む）
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所 （識別番号 301021533）
特許公開件数ランキング 187 位（258件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 140 位（270件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-6153224
公報発行日 2017年6月28
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6153224
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