発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

広く開いたスペースの間に孤立して形成されるパターン（アイソパターン）と、大きなパターンの中に孤立して形成されるスペースパターン（アイソスペース）の両方を含むレジストパターンをエキシマレーザー光を用いて形成しようとした場合、光の回折によってマスクに描かれた回路パターンと実際に形成されるレジストパターンには大きな差が生じることはよく知られており、完全な解決は困難な課題の一つである。 ところが、本発明者らが１００ｎｍあるいはそれ以下のレジスト膜を用いて６０ｎｍよりも狭い線幅を持つようなパターンを形成するため、電子線用に開発された上述の特許文献１〜３に提案されたようなレジスト膜を用いて、電子線によるパターン照射を行ってレジストパターンを形成したところ、電子線照射によるパターン形成においても、アイソパターンとアイソスペースパターンとの間に設計寸法に対する開きが生じることが見出された。 上述のような寸法乖離があった場合にも、電子線照射パターンを補正することにより、目的とするレジストパターンを得ることはできるが、パターンに対して多くの補正を加えていくことは、電子線照射パターンの設計を繁雑かつ困難にする。 本発明の目的は、６０ｎｍ以下という高解像性を実現しつつ、電子線やＥＵＶのような高エネルギー線でも生じる、アイソパターンとアイソスペースパターンにおけるパターン照射と形成されるレジスト寸法との乖離を抑制することができる化学増幅ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、本発明のレジスト組成物を用いて膜厚１００ｎｍあるいはそれ以下のレジスト膜を形成し、電子線もしくはＥＵＶによってアイソパターンとアイソスペースパターンの両者を含むパターン露光を行った場合においても、照射されたパターンと形成されるパターン寸法との乖離を強く抑制することができ、かつ、高い解像性と両立することができる。