【図1】レチクルマスキングデバイスを含む照明系を有するマイクロリソグラフィのための走査投影露光系の実施形態の概略図である。

【図2】可動ブレードを有するレチクルマスキングデバイスの実施形態の略軸線方向図である。

【図3-1】図３Ａ〜図３Ｃは、従来の走査作動の異なる位相におけるレチクルマスキングデバイスのブレードと、パターン付きマスクと、基板との相対位置を示す図である。

【図3-2】図３Ｄ〜図３Ｆは、従来の走査作動の異なる位相におけるレチクルマスキングデバイスのブレードと、パターン付きマスクと、基板との相対位置を示す図である。

【図4】本発明の第１の実施形態によるマスクの概略平面図である。

【図5】図５Ａ〜図５Ｃは、本発明の実施形態による走査作動の異なる位相におけるレチクルマスキングデバイスのブレードと、パターン付きマスクと、基板との相対位置を示す図である。

【図6】２つの隣接露光区域を含む基板面上の略斜視図と、走査方向に異なる場所上に受光される放射線線量を示すグラフとを示す図である。

【図7-1】図７Ａ〜図７Ｅは、本発明の実施形態によるステップ−アンド−スキャン手順の作動中に露光される露光区域の行と列を有する基板面の各部分上の平面図の部分図である。

【図7-2】図７Ｆ及び図７Ｇは、本発明の実施形態によるステップ−アンド−スキャン手順の作動中に露光される露光区域の行と列を有する基板面の各部分上の平面図の部分図である。

【図8】本発明の第２の実施形態によるマスクの概略平面図である。

【図9】反射マスクの直前にレチクルマスキングデバイスを含む照明系を有するＥＵＶマイクロリソグラフィのための走査投影露光系の実施形態の概略図である。