特許6169196表層超電導体の製造方法および表層超電導体

発明の名称　表層超電導体の製造方法および表層超電導体

出願人　独立行政法人産業技術総合研究所　（識別番号 301021533）

　　　　特許公開件数ランキング 189 位（261件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 141 位（278件）（共同出願を含む）

出願人　ナンヤン　テクノロジカル　ユニヴァーシティ　（識別番号 506222889）

　　　　特許公開件数ランキング 7094 位（3件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 25211 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6169196

公報発行日　2017年7月26

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6169196

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