特許 6177670 めっきの前処理方法、無電解めっき方法および記憶媒体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6177670

(24)【登録日】2017年7月21日

(45)【発行日】2017年8月9日

(54)【発明の名称】めっきの前処理方法、無電解めっき方法および記憶媒体

(51)【国際特許分類】

   C23C 18/30 20060101AFI20170731BHJP

   C23C 18/31 20060101ALI20170731BHJP

   H05K 3/18 20060101ALI20170731BHJP

【ＦＩ】

   C23C18/30

   C23C18/31 A

   H05K3/18 B

【請求項の数】6

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2013-241080(P2013-241080)

(22)【出願日】2013年11月21日

(65)【公開番号】特開2015-101737(P2015-101737A)

(43)【公開日】2015年6月4日

【審査請求日】2016年1月12日

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100091982

【弁理士】

【氏名又は名称】永井 浩之

(74)【代理人】

【識別番号】100117787

【弁理士】

【氏名又は名称】勝沼 宏仁

(74)【代理人】

【識別番号】100106655

【弁理士】

【氏名又は名称】森 秀行

(72)【発明者】

【氏名】田 中 崇

(72)【発明者】

【氏名】水 谷 信 崇

(72)【発明者】

【氏名】齋 藤 祐 介

(72)【発明者】

【氏名】岩 下 光 秋

【審査官】 伊藤 寿美

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０００−２６４７６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−１９５８９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−２１６７２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０６７８５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０６−１８６４１７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ２３Ｃ １８／００−２０／０８

Ｈ０５Ｋ ３／１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

カップリング剤を基板に供給して、前記基板の表面に結合層を形成するカップリング処理工程と、
前記カップリング処理工程の後に、水を含む溶剤に触媒金属ナノ粒子及び分散剤を分散させてなる触媒粒子溶液を前記基板に供給して、前記結合層の表面に触媒粒子含有膜を形成する触媒粒子含有膜形成工程と、
前記基板を第１の温度で加熱して、少なくとも前記触媒粒子含有膜に含まれる水分を除去する第１加熱工程と、
前記第１加熱工程の後に、前記基板を前記第１の温度よりも高い第２の温度で加熱することによって前記触媒粒子含有膜に含まれていた前記分散剤を重合させてシート化して、これにより、このシート化された分散剤が、前記触媒粒子含有膜に含まれていた前記触媒金属ナノ粒子を覆い、かつ、前記結合層の表面に固着された状態とする第２加熱工程と、を備え、
前記触媒金属ナノ粒子が、パラジウム、金、白金及びルテニウムからなる群から選択された少なくとも一の材料からなる、めっきの前処理方法。

【請求項2】

前記第２加熱工程は、低酸素濃度雰囲気または真空雰囲気にて実行される、請求項１記載のめっきの前処理方法。

【請求項3】

前記第１加熱工程は、低酸素濃度雰囲気または真空雰囲気にて実行される、請求項１または２記載のめっきの前処理方法。

【請求項4】

前記分散剤が、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリアクリル酸（ＰＡＡ）、ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）である、請求項１から３のうちのいずれか一項に記載のめっきの前処理方法。

【請求項5】

請求項１から４のうちのいずれか一項に記載のめっきの前処理方法によりめっき前処理を行った後、無電解めっき処理を行う無電解めっき方法であって、前記第２加熱工程の後に、前記触媒金属ナノ粒子を触媒として無電解めっき処理をすることによりバリア層を形成する無電解めっき方法。

【請求項6】

めっき処理システムに請求項１から４のうちのいずれか一項に記載のめっきの前処理方法または請求項５記載の無電解めっき方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板に形成された凹部をめっきにより埋め込む前に下地処理として行われる前処理を行う方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、ＬＳＩなどの半導体装置は、実装面積の省スペース化や処理速度の改善といった課題に対応するべく、より一層高密度化することが求められている。高密度化を実現する技術の一例として、複数の配線基板を積層することにより三次元ＬＳＩなどの多層基板を作製する多層配線技術が知られている。

【0003】

多層配線技術においては一般に、配線基板間の導通を確保するため、配線基板を貫通するとともに銅などの導電性材料が埋め込まれた貫通ビアホール（ＴＳＶ（Through Silicon Via））が配線基板に設けられている。導電性材料が埋め込まれたＴＳＶを作製するための技術の一例として、無電解めっき法が知られている。

【0004】

無電解めっきにより金属膜を成膜する場合には、下地と金属膜との密着性向上が課題となる。このため、従来から、シランカップリング剤またはチタンカップリング剤などのカップリング剤により下地の上に自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）を形成し、自己組織化単分子膜を介してパラジウム粒子等の触媒金属を下地に定着させている。例えば、特許文献1に記載されたように、ＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）等の分散剤により被覆されたパラジウムナノ粒子を含む触媒粒子溶液を基板に供給することにより、触媒金属を自己組織化単分子膜上に吸着させることができる。

【0005】

しかしながら、パラジウムナノ粒子の定着性は十分ではなく、後工程の無電解めっきによるバリア層形成処理前に行われる洗浄処理等により脱落することがあり、健全なバリア層が形成されないという問題がある。バリア層の健全性が低ければ、その上に形成されるシード層、配線を構成する銅めっき層の健全性も低くなるおそれがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１３−０６７８５６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明は、触媒金属ナノ粒子を下地膜上に良好に定着させ、その上に十分な密着性を有する均一なめっきを形成することを可能とするめっきの前処理方法を提供するものである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明は、水を含む溶剤に触媒金属ナノ粒子及び分散剤を分散させてなる触媒粒子溶液を基板に供給して、基板の表面に触媒粒子含有膜を形成する触媒粒子含有膜形成工程と、前記基板を第１の温度で加熱して、少なくとも前記触媒粒子含有膜に含まれる水分を除去する第１加熱工程と、前記第１加熱工程の後に、前記基板を前記第１の温度よりも高い第２の温度で加熱することによって前記分散剤を重合させてシート化して、これにより、このシート化された分散剤により前記触媒金属ナノ粒子を覆うとともに下地層に固着する第２加熱工程と、を備えたことを特徴とするめっきの前処理方法を提供する。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、第１加熱工程により触媒粒子含有膜から水分を除去した後に、第１加熱工程よりも高温で第２加熱工程を行うことにより、重合反応も促進され、高品質のシート化された分散剤の層が形成される。この層が、触媒金属ナノ粒子を下地に強固に固着させるため、その後に金属ナノ粒子を触媒として行われるめっきにより形成されるめっき膜の品質を向上させることができる。
本発明はさらに、めっき処理システムに上記のめっきの前処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体を提供する。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】シランカップリング処理およびチタンカップリング処理について説明するための、凹部近傍における基板の断面図。

【図2】ＴＳＶの形成工程を説明するための凹部近傍における基板の断面図。

【図3】めっきの前処理に使用する装置の構成を概略的に示す図。

【図4】めっきの前処理を含む一連の処理を実施するためのめっき処理システムの一例を示す概略平面図。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下に図面を参照して、基板に形成された凹部（貫通ビアホール（ＴＳＶ）となる凹部）にＣｕ（銅）を埋め込むための一連の工程について説明する。この一連の工程には、発明の一実施形態に係るめっき前処理方法の各工程が含まれる。

【0012】

予めＴＳＶとなる凹部（孔）２ａが形成された基板（シリコン基板）２が用意される。凹部２ａは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて、公知のドライエッチングプロセス、例えばＩＣＰ−ＲＩＥ（誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング）により形成することができる。

【0013】

以下にめっきの前処理について説明する。

【0014】

［親水化処理］
まず、基板２に対して親水化処理が施される。親水化処理は、ＵＶ（紫外線）照射処理、プラズマ酸化処理、ＳＰＭ処理（ピラニア洗浄）等の任意の公知の方法により実施することができる。この親水化処理により、基板表面が、後述するカップリング剤が結合しやすい状態になる。親水化処理がＳＰＭ処理により行われる場合には、ＳＰＭ処理の後にＤＩＷ（純水）によるリンス処理が施される。

【0015】

［シランカップリング処理］
次に、シランカップリング剤を、凹部２ａの内側表面を含む基板の表面に吸着させてシラン系結合層２１ａ（図１（ａ）参照）を形成するシランカップリング処理が行われる。「シラン系結合層」とは、シランカップリング剤由来の自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）からなる層であって、当該層の下地（ここではシリコン）と上層（後述の触媒粒子含有膜２２）との間に介在して両者の結合を強化する層である。

【0016】

本実施形態では、シランカップリング処理を真空蒸着処理により行う。真空蒸着処理は、例えば図３（ａ）に概略的に示した構成を有する真空蒸着装置３０を用いて行うことができる。この場合、真空（減圧）雰囲気にされた処理チャンバ３１内に設けた載置台３２の上に基板２を載置し、載置台３２の内部に設けたヒータ３３により基板２を例えば１００℃程度に加熱する。この状態で、タンク３４内に貯留された液体状態のシランカップリング剤をヒータ３５により加熱して気化させ、キャリアガス供給源３６から供給されるキャリアガスに乗せて処理チャンバ３１内に供給する。

【0017】

シランカップリング処理は、液処理によって行うことも可能である。液処理としては、後述するチタンカップリング処理で用いるスピナー（回転式液処理装置）を用いたスピンオン（SPIN-ON）処理、シランカップリング剤の浴に基板を浸漬する浸漬処理を用いることができる。なお、液処理によりシランカップリング処理を行った場合には、次のチタンカップリング処理に移行する前に、別途ベーク処理を行う必要がある。

【0018】

凹部２ａのアスペクト比が高い場合（例えば本実施形態のように凹部２ａが高アスペクト比のＴＳＶの場合）には、液処理では凹部２ａの底の部分までシランカップリング剤を到達させることが不可能若しくは困難であるか、あるいは生産技術的に受け入れがたい長時間が必要となるため、真空蒸着処理によりシランカップリング処理を行うことが好ましい。このため、本実施形態ではシランカップリング処理を真空蒸着処理により行っている。

【0019】

シランカップリング処理が終了した時点の状態が、図１（ａ）に示されている。シランカップリング剤由来の膜すなわちシラン系結合層２１ａは、凹部２ａの内側の表面の全体、並びに凹部２ａの外側の基板２の表面（上面）の全体に付着している。

【0020】

［チタンカップリング処理］
次に、チタンカップリング剤を、凹部の内側表面を含む基板の表面に吸着させてチタン系結合層２１ｂ（図１（ｂ）を参照）を形成するチタンカップリング処理が行われる。「チタン系結合層」とは、チタンカップリング剤由来の自己組織化単分子膜からなる層であって、当該層の下地と上層との間に介在して両者の結合を強化する層である。

【0021】

チタンカップリング処理は液処理により行うことができる。液処理としては、チタンカップリング剤の浴に基板を浸漬する浸漬処理、あるいは、図３（ｂ）に概略的に構成を示したスピナー（回転式液処理装置）４０を用いたスピンオン処理などを用いることができる。本実施形態では、チタンカップリング処理をスピンオン処理により行っている。

【0022】

スピンオン処理は、図３（ｂ）に示すように、スピンチャック４１により基板２を水平姿勢に保持して鉛直軸線周りに回転させ、この回転する基板２の表面中央部に向けてノズル４２からチタンカップリング剤を吐出することにより行うことができる。基板２の表面中央部に供給された液状のチタンカップリング剤は遠心力により基板周縁部に向けて広がり、これにより、基板の表面にチタンカップリング剤由来の膜、すなわち、チタン系結合層２１ｂが形成される。この処理は、常温の空気中で行うことができる。

【0023】

チタンカップリング処理が終了したら、凹部２ａの内部及びその周辺には、図１（ｂ）に概略的に示した態様で、シラン系結合層２１ａ及びチタン系結合層２１ｂが形成される。先に形成されたシラン系結合層２１ａのうちのチタンカップリング剤が作用した部分は、チタン系結合層２１ｂに変わっている。本実施形態では、チタンカップリング処理は、比較的短時間で行い、凹部２ａの奥にチタンカップリング剤が入っていかないようにしている。従って、凹部２ａの奥の表面は、シラン系結合層２１ａが残っている。

【0024】

めっきの密着性が特に問題となるのは凹部２ａの入口エッジ部の近傍領域である。この領域にはめっき膜に高い内部応力が発生し、また、後工程のＣＭＰ（化学機械研磨）を行う際に応力集中が生じ易いので、特に高い密着性が望まれる。一方、凹部２ａの内部においては、上記領域ほどの密着性は要求されず、欠陥の無い均一なめっきを形成することが重視される。従って、図１（ｂ）に示すように、応力に耐えねばならない領域に高結合力のチタン系結合層２１ｂを形成し、それ以外の部分は高カバレッジの成膜が可能なシラン系結合層２１ａを形成することにより上記の相反する要求を満足することができる。また、凹部２ａの奥までチタンカップリング剤が入らないということにより、後工程の焼成処理を容易に行うことができるという利点もある。

【0025】

［焼成処理］
チタンカップリング処理が終了したら、チタンカップリング剤の焼成処理を行う。この焼成処理は、低酸素雰囲気例えば窒素ガス雰囲気で基板を加熱することにより行うことができる。具体的には、例えば、図３（ｃ）に概略的に示した構成を有する加熱装置（ベーク装置）５０を用い、窒素ガス雰囲気にされた処理チャンバ５１内に設けた載置台５２の上に基板２を載置し、載置台５２の内部に設けたヒータ５３により基板２を例えば１００℃程度に加熱する。この焼成処理により、チタン系結合層２１ｂが完成する。

【0026】

これ以降の工程については図２を参照して説明する。図２では、図面の簡略化のため、シラン系結合層２１ａとチタン系結合層２１ｂとを区別せず、単一の結合層２１として表記している。図２（ａ）は、上記焼成処理が終了した時点の状態を示している。

【0027】

［触媒粒子含有膜形成処理］
次に、金属触媒粒子としてのＰｄナノ粒子（Ｐｄ−ＮＰｓ）と、Ｐｄナノ粒子を被覆する分散剤としてのポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）を溶媒中に分散させてなるＰｄナノコロイド溶液、すなわち触媒粒子溶液を基板に供給して、触媒粒子含有膜形成処理を行う。

【0028】

触媒粒子含有膜形成処理は、例えば、図３（ｂ）に概略的に示した構成を有するスピナー４０を用い、スピンチャック４１により基板２を水平姿勢に保持して鉛直軸線周りに回転させ、この回転する基板の表面中央部に向けてノズルから触媒粒子溶液を吐出することにより行うことができる。これにより、図２（ｂ）に示すように、凹部２ａの内側の表面及び凹部２ａの外側の基板の表面において、結合層２１の上に、金属触媒粒子を含有する触媒粒子含有膜２２が形成される。

【0029】

［第１加熱処理］
触媒粒子含有膜形成処理が終了したら、第１加熱処理を行う。第１加熱処理は、真空（減圧）雰囲気で基板２を加熱することにより行うことができる。具体的には、例えば、例えば図３（ｃ）に概略的に示す構成を有する加熱装置５０を用いて、真空（減圧）雰囲気にした処理チャンバ５１内（窒素ガスは供給しないで、真空引きするだけ）において、基板２を載置台５２の上に載置して、基板２を１００℃程度の温度で加熱することにより第１加熱処理を行うことができる。

【0030】

［第２加熱処理］
第１加熱処理が終了したら、第１加熱処理の処理温度より高い温度、例えば２００〜２８０℃、ここでは２５０℃で第２加熱処理を行う。第２加熱処理は、低酸素雰囲気（好ましくは酸素濃度１％未満）、例えば窒素ガス雰囲気で基板２を加熱することにより行うことができる。具体的には、例えば、例えば図３（ｃ）に概略的に示す構成を有する加熱装置５０を用いて、窒素ガス雰囲気にした処理チャンバ５１内において、基板２を載置台５２の上に載置して、基板２を２５０℃程度の温度で加熱することにより第２加熱処理を行うことができる。第２加熱処理が終了すると、触媒粒子含有膜２２が下地の結合層２１に強固に結合した状態となる。

【0031】

以上によりめっきの前処理が終了する。

【0032】

［バリア層形成処理］
第２加熱処理が終了したら、図２（ｃ）に示すように、公知の無電解めっき技術により、Ｃｏ−Ｗ系の（コバルト及びタングステンを含むもの）バリア層２３を形成する。このとき、触媒粒子は、無電解めっきの触媒として作用する。

【0033】

［シード層形成処理］
バリア層形成処理が終了したら、図２（ｄ）に示すように、公知の無電解めっき技術により、バリア層２３の上にＣｕシード層２４を形成する。

【0034】

［埋め込み処理］
シード層形成処理が終了したら、公知の電解めっき技術により、図２（ｅ）に示すように、Ｃｕシード層２４の上にＣｕめっき層２５を形成し、このＣｕめっき層２５により凹部２ａを完全に埋め込む。

【0035】

埋め込み処理が終了したら、基板２の裏面をＣＭＰにより削り、Ｃｕめっき層２５が裏面に露出するようにする。以上により、一連のＴＳＶの埋め込み処理が終了する。

【0036】

以下に、本実施形態における触媒粒子含有膜形成処理後の二段階加熱処理（第１加熱処理及び第２加熱処理）ついてさらに詳細に説明する。

【0037】

触媒粒子含有膜形成処理により、Ｐｄナノコロイド溶液（触媒粒子溶液）からなる膜を基板上に付着させた後に、まず比較的低温（本実施形態では１００℃）で加熱し、その後に、比較的高温（本実施形態では２５０℃）で加熱することにより、基板２の表面に固着される触媒金属ナノ粒子（Ｐｄナノ粒子）の数が飛躍的に増大することが実験により確認された。

【0038】

実験では、触媒粒子含有膜形成処理により基板の表面に単位面積当たり２００００個のＰｄナノ粒子を付着させた後に、
条件１：（１００℃加熱無しで２５０℃加熱を実施）、
条件２：（１００℃加熱を実施して２５０℃加熱無し）、
条件３：（１００℃加熱の実施後２５０℃加熱を実施）、
条件４：（１００℃加熱及び２５０℃加熱の両方とも無し）
で加熱処理を行った。
なお１００℃加熱は真空雰囲気中で、２５０℃加熱は窒素ガス雰囲気中で行った。

【0039】

加熱処理後の単位面積当たりのＰｄナノ粒子の数は、条件１で５０００個、条件３で９０００〜１００００個、条件４で０個であった。条件２では、個数のデータは無いが、その後に生成したバリア層（無電解めっきによるＣｏ−Ｗ系の膜）の密度低下が発生したため、条件１と同程度かそれ以下の個数であると考えられる。

【0040】

現状、上記の実験結果についての完全な解析が完了しているわけではないが、発明者は、上記実験結果について下記のように考えている。

【0041】

２５０℃程度の比較的高温で第２加熱工程を行うことにより、有機材料からなる分散剤（ここではポリビニルピロリドン（ＰＶＰ））が重合（Polymerization）して、シート状（フィルム状）のポリマが形成される。このシート化されたポリマが、触媒金属ナノ粒子（ここではＰｄナノ粒子）を覆ってその内部に封じ込めるとともに、下地の結合層（カップリング処理により形成した層）に強固に結合する。このため、シート化されたポリマにより触媒金属ナノ粒子が下地の結合層上に強固に固定されるとともに、後に行われる無電解めっき時における触媒金属ナノ粒子のめっき液に対する耐食性も向上させる。

【0042】

ＰＶＰのような分散剤は水分を吸いやすく、触媒金属分散液が水を含んでいるため、分散剤中には多くの水分が含まれる。分散剤中に含まれる水分は、第２加熱工程中に発生する重合反応を阻害する。また、水分は、下地の結合層の結合基（例えば終端のＮＨ基）と触媒金属ナノ粒子との健全な結合を阻害する。

【0043】

このため、第２加熱工程に先立ち比較的低温で第１加熱工程を行って分散剤中の水分を予め除去しておくことにより、第２加熱工程中に発生する重合反応が円滑に進行するものと考えられる。なお、第２加熱工程に先立ち第１加熱工程を行うことが有利であることの付加的な理由として、比較的低温で第１加熱工程を行うことにより分散剤の流動性が増し、その結果として形成される膜が均一化されるのではないかということも一つの仮説として考えられる。

【0044】

本発明は上記の原理に拘束されるものではないが、いずれにせよ、二段階の加熱処理により、金属ナノ粒子の固着数が著しく改善されることは実験結果より明らかである。

【0045】

上記実施形態においては、触媒粒子溶液に含まれる金属触媒がパラジウム（Ｐｄ）であったが、これに限定されるものではなく、例えば金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒu）であってもよい。

【0046】

上記実施形態においては、触媒粒子溶液に含まれる分散剤がポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）であったが、これに限定されるものではなく、例えばポリアクリル酸（ＰＡＡ）、ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）であってもよい。

【0047】

上記実施形態においては、シランカップリング処理及びチタンカップリング処理の両方を行ったが、いずれか一方のみ、例えばシランカップリング処理のみを行ってもよい。チタンカップリング処理を行わないのであれば、焼成処理を省略して、真空蒸着により行われるシランカップリング処理後に触媒粒子含有膜形成処理に移行してもよい。上記の二段階加熱処理を行えば、めっきの密着性を大幅に向上させることができるため、シランカップリング処理のみであっても、実用上問題無いめっきの密着性を得ることができる。なお、カップリング処理がシランカップリング処理及びチタンカップリング処理のいずれの場合においても、触媒粒子含有膜形成処理後の二段階加熱処理は有益である。

【0048】

上記実施形態においては、加熱工程を低酸素濃度雰囲気または真空雰囲気で行っていたが、大気（空気）雰囲気で行うことも可能である。この場合、低酸素濃度雰囲気または真空雰囲気で加熱処理を行った場合と比較すると密着性が低下する傾向にあるが、低下した密着性のレベルが許容できるのであれば、処理コスト低減の観点から大気（空気）雰囲気での加熱処理を採用してもよい。

【0049】

上記実施形態においては、バリア層２３がＣｏ−Ｗ系のものであったが、これに限定されるものではなく、他の公知の適当なバリア層材料、例えばＮｉ−Ｗ系（ニッケル及びタングステンを含むもの）材料からなるバリア層を形成することもできる。また、バリア層は、本件出願人の先行出願に係る特開２０１３−１９４３０６号に記載されているように、二層に形成してもよい。

【0050】

上記実施形態においては、シード層２４及びめっき層２５が銅（Ｃｕ）であったが、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）またはその合金であってもよい。バリア層２３は、シード層２４及びめっき層２５の材質に応じて適宜変更することができる。

【0051】

上記実施形態においては、凹部２ａはＴＳＶであったが、これに限定されるものではなく、凹部は通常のビア、トレンチ等であってもよい。さらに、処理対象の基板は凹部のあるものに限定されない。

【0052】

上述した一連の処理、すなわち親水化処理、シランカップリング処理、チタンカップリング処理、焼成処理、触媒粒子含有膜形成処理、第１及び第２加熱処理、バリア層形成処理、シード層形成処理及び埋め込み処理は、例えば図４に概略的に示されためっき処理システムにより実行することができる。

【0053】

図４に示すめっき処理システム１００において、搬入出ステーション２００に設けられた基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣから基板２を取り出し、取り出した基板２を受渡部１４に載置する。処理ステーションに設けられた処理ユニット１６は、上記の一連の処理の少なくともいずれか一つを実行しうるように構成されている。すなわち、処理ユニット１６のいくつかは、図３に示した装置３０、４０、５０である。受渡部１４に載置された基板２は、処理ステーション３００の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、上記の処理に対応する処理ユニット１６へ順次搬入されて、各処理ユニット１６で所定の処理が施される。一連の処理が終了した後、基板２は処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済の基板２は、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

【0054】

めっき処理システム１００は、制御装置４００を備える。制御装置４００は、たとえばコンピュータであり、制御部４０１と記憶部４０２とを備える。記憶部４０２には、めっき処理システム１００において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部４０１は、記憶部４０２に記憶されたプログラムを読み出して実行することによってめっき処理システム１００の動作を制御する。すなわち、制御装置４００は、めっきに関連する上述した一連の処理を実施するために、各処理ユニット１６の動作と、基板搬送装置１３，１７による基板２の搬送動作を制御する。

【0055】

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

【符号の説明】

【0056】

２ 基板
２１，２１ａ，２１ｂ 結合層
２２ 触媒粒子含有膜
２３ バリア層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】