特許6179790気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法

発明の名称　気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法

出願人　信越半導体株式会社　（識別番号 190149）

　　　　特許公開件数ランキング 532 位（50件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 391 位（66件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6179790

公報発行日　2017年8月16

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6179790

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