特許 6197752 ウェーハの研磨方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6197752

(24)【登録日】2017年9月1日

(45)【発行日】2017年9月20日

(54)【発明の名称】ウェーハの研磨方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20170911BHJP

   B24B 37/00 20120101ALI20170911BHJP

   B24B 57/02 20060101ALI20170911BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/304 622E

   B24B37/00 K

   B24B57/02

【請求項の数】4

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2014-121772(P2014-121772)

(22)【出願日】2014年6月12日

(65)【公開番号】特開2016-1705(P2016-1705A)

(43)【公開日】2016年1月7日

【審査請求日】2016年6月16日

(73)【特許権者】

【識別番号】000190149

【氏名又は名称】信越半導体株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100102532

【弁理士】

【氏名又は名称】好宮 幹夫

(72)【発明者】

【氏名】上野 淳一

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 三千登

(72)【発明者】

【氏名】石井 薫

【審査官】 中田 剛史

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００６−０９５６７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００８／１４９９３７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００５−０４０９１６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｂ２４Ｂ ３７／００

Ｂ２４Ｂ ５７／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

タンク内に貯蔵された研磨剤を定盤上に貼り付けられた研磨布に供給しながら、研磨ヘッドでウェーハに荷重をかけて、前記ウェーハを前記研磨布に摺接させて研磨し、前記供給した研磨剤を前記タンク内に回収して再利用するウェーハの研磨方法であって、
第１の研磨剤を供給して、該第１の研磨剤で前記ウェーハの粗研磨を行う第１の研磨工程と、前記第１の研磨剤の供給を停止した後に、前記定盤上に残留した前記第１の研磨剤を回収する残留研磨剤回収工程と、前記供給する研磨剤を第２の研磨剤に切り替え、該第２の研磨剤で前記ウェーハの精研磨を行う第２の研磨工程とを有し、
前記第２の研磨工程前に行う、前記残留研磨剤回収工程における前記定盤上に残留した前記第１の研磨剤の回収は、前記定盤の回転数を、前記第１の研磨剤の供給を停止した時点における前記定盤の回転数より高くすることにより行い、その後、前記第２の研磨工程を行うことを特徴とするウェーハの研磨方法。

【請求項2】

前記残留研磨剤回収工程において、
前記定盤の回転数を２５〜３５ｒｐｍの範囲内にすることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの研磨方法。

【請求項3】

前記残留研磨剤回収工程において、
前記研磨ヘッドの回転数を１０〜２０ｒｐｍ、時間を４〜８秒とすることを特徴とする請求項１または２に記載のウェーハの研磨方法。

【請求項4】

前記残留研磨剤回収工程において、
前記研磨ヘッドで前記ウェーハにかける前記荷重を３０〜８０ｇ／ｃｍ^２とすることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のウェーハの研磨方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、研磨剤を供給しながらウェーハを研磨布に摺接させて研磨するウェーハの研磨方法に関する。

【背景技術】

【0002】

一般にシリコンウェーハの製造方法は、シリコンインゴットをスライスして薄円盤状のウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウェーハの割れ、欠けを防止するためにその外周部を面取りする面取り工程と、面取りされたウェーハを平坦化するラッピング工程と、面取りおよびラッピングされたウェーハに残留する加工歪みを除去するエッチング工程と、エッチングされたウェーハの表面を鏡面化する研磨工程と、研磨されたウェーハを洗浄して、これに付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程を有している。

【0003】

以上は、主な工程のみを示したもので、ほかに熱処理工程や平面研削工程、あるいは自動搬送時のウェーハの表面保護のための工程等が加わったり工程の順番が入れ換えられたりする。また同一の工程を複数回実施することもある。その後検査等を行い、デバイス製造工程に送られ、ウェーハの表面上に絶縁膜や金属配線を形成し、メモリー等のデバイスが製造される。

【0004】

上記研磨工程は、研磨剤を供給しながらウェーハを研磨布に摺接させることによって表面を鏡面化する工程である。ウェーハの研磨加工では、通常、粗研磨から精研磨へと複数の段階を経て研磨が行われる。

【0005】

上記研磨工程では、研磨剤を１回しか使わない方法と、特許文献１に開示されているように、研磨剤をタンク内に回収し、再利用する方法とがある。研磨剤を回収し、再利用する方法は、貯蔵された研磨剤を定盤上に貼り付けられた研磨布に供給しながら、研磨ヘッドでウェーハに荷重をかけて、定盤と研磨ヘッドをそれぞれ回転させてシリコンウェーハの表面を研磨布に摺接させて研磨し、供給した研磨剤を前記タンク内に回収して再利用することにより研磨する方法である。

【0006】

このとき、加工効率の向上のために、粗研磨と精研磨を同じ定盤上で実施することがある。この場合、研磨布に供給する研磨剤を、粗研磨用の第１の研磨剤から精研磨用の第２の研磨剤に切り替えることにより、粗研磨から精研磨に切り替えることができる。

【0007】

このように第１の研磨剤から第２の研磨剤に切り替えを行うと、定盤上に残留した第１の研磨剤と、新たに供給された第２の研磨剤が定盤上で混在してしまう。このような両研磨剤が混在したものを回収しても利用することができないため、第１の研磨剤の供給を停止した後、水を定盤上に供給し、供給した水を第１の研磨剤と共に排出することで、第１の研磨剤を定盤上から除去してから第２の研磨剤の供給を開始するという方法がとられていた。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】特開２０１３−５５１４３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

近年では、上記のようなウェーハの研磨方法において、ウェーハ自体の大直径化や、生産性向上のために１バッチ当たりで研磨可能なウェーハ数を増やすなどの目的から、研磨装置の大型化が進んでいる。研磨装置の大型化により定盤の大きさも大きくなり、定盤の中心部から定盤の外周までの距離が長くなるので、定盤上に残留する第１の研磨剤が多くなる。特に中央に開口部のない（中実の）円盤状の定盤の場合、ドーナツ形状の定盤より研磨剤が残留する領域が広くなるので、残留量も増加する。

【0010】

このように定盤上に多量の第１の研磨剤が残留している状態で、定盤上に水を供給し、残留した第１の研磨剤を回収せずに、排水してしまうと、多量の第１の研磨剤が廃棄されてしまうので、第１の研磨剤の回収率が大きく低下してしまう。また、この廃棄される第１の研磨剤の量は定盤サイズが大きくなるほど多くなるため、第１の研磨剤の回収率をますます低下させ、コストを増加してしまう問題があった。

【0011】

本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、第１の研磨剤を回収する際に、第２の研磨剤が混入することを防止しつつ、かつ第１の研磨剤の回収率を高くすることができるウェーハの研磨方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0012】

上記目的を達成するために、本発明によれば、タンク内に貯蔵された研磨剤を定盤上に貼り付けられた研磨布に供給しながら、研磨ヘッドでウェーハに荷重をかけて、前記ウェーハを前記研磨布に摺接させて研磨し、前記供給した研磨剤を前記タンク内に回収して再利用するウェーハの研磨方法であって、
第１の研磨剤を供給して、該第１の研磨剤で前記ウェーハの粗研磨を行う第１の研磨工程と、前記第１の研磨剤の供給を停止した後に、前記定盤上に残留した前記第１の研磨剤を回収する残留研磨剤回収工程と、前記供給する研磨剤を第２の研磨剤に切り替え、該第２の研磨剤で前記ウェーハの精研磨を行う第２の研磨工程とを有し、
前記残留研磨剤回収工程における前記定盤上に残留した前記第１の研磨剤の回収は、前記定盤の回転数を、前記第１の研磨剤の供給を停止した時点における前記定盤の回転数より高くすることにより行うことを特徴とするウェーハの研磨方法を提供する。

【0013】

このような、ウェーハの研磨方法であれば、第１の研磨剤を回収する際に、第２の研磨剤が混入することを防止しつつ、かつ第１の研磨剤の回収率を高くすることができる。

【0014】

このとき、前記残留研磨剤回収工程において、
前記定盤の回転数を２５〜３５ｒｐｍの範囲内にすることが好ましい。
このようにすることで、より確実に第１の研磨剤の回収率を高くすることができる。

【0015】

またこのとき、前記残留研磨剤回収工程において、
前記研磨ヘッドの回転数を１０〜２０ｒｐｍ、時間を４〜８秒とするが好ましい。
このようにすることで、ウェーハの平坦度が悪化してしまうことを防止することができる。

【0016】

またこのとき、前記残留研磨剤回収工程において、
前記研磨ヘッドの前記荷重を３０〜８０ｇ／ｃｍ^２とすることが好ましい。
このようにすることで、ウェーハの平坦度が悪化してしまうことを確実に防止することができる。

【発明の効果】

【0017】

以上のように本発明によれば第１の研磨剤を回収する際に、第２の研磨剤が混入することを防止しつつ、かつ第１の研磨剤の回収率を高くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明が適用される片面研磨装置の一例を示した概略図である。

【図2】実施例における、ウェーハの平坦度の測定結果の度数分布の一例を示したグラフである。

【図3】比較例における、ウェーハの平坦度の測定結果の度数分布の一例を示したグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、本発明について、実施態様の一例として、図や表を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
上記したように、従来のウェーハの研磨方法においては、定盤上に多量の第１の研磨剤が残留している状態でも、これを回収できず定盤上に供給された水とともに廃棄しているため、第１の研磨剤の回収率が大きく低下し、コストが増加してしまうというという問題があった。この廃棄される第１の研磨剤の量は定盤サイズが大きくなるほど多くなる。

【0020】

そこで、本発明者らは前述のような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、ウェーハの研磨方法において、定盤の回転数を、第１の研磨剤の供給を停止した時点における定盤の回転数より高くすることにより、定盤上または研磨布上に残留した第１の研磨剤を、定盤上から振り落としてすばやく配管に集めることができ、これにより回収率を効果的に向上させることができることに想到した。そして、これらを実施するための最良の形態について精査し、本発明を完成させた。

【0021】

本発明のウェーハの研磨方法の実施に用いることができる片面研磨装置について図１を参照して説明する。
図１に示すように、片面研磨装置１は、研磨布２が貼り付けられた定盤３と、ノズル４と、研磨ヘッド５、タンク７ａ、７ｂを有している。タンク７ａには粗研磨に用いられる第１の研磨剤８が貯蔵され、タンク７ｂには、精研磨に用いられる第２の研磨剤１２が貯蔵される。なお、どちらの研磨剤を供給するかは、制御手段１１によって制御することができる。片面研磨装置１では、研磨ヘッド５でウェーハ６を保持し、第１の研磨剤８または第２の研磨剤１２をノズル４を介して研磨布２上に供給とともに、定盤３と研磨ヘッド５をそれぞれ回転させてウェーハ６の表面を研磨布２に摺接させることにより研磨する。

【0022】

また、片面研磨装置１は、ウェーハ６が目標の研磨代となるように、研磨する時間、研磨ヘッド５がウェーハ６にかける荷重、研磨ヘッド５の回転数および定盤３の回転数、さらに第１の研磨剤８および第２の研磨剤１２の供給を制御するための制御手段１１を有している。なお、供給された第１および第２研磨剤８、１２は、例えば、研磨中に一部が飛び散ったり、ミストとして排気されるなどにより回収できない分を除いて、定盤受け９に流れ落ちて配管１０に集められた後、それぞれのタンク７ａ、７ｂ内に回収され、以降の研磨に再利用される。なお、タンク７ａまたはタンク７ｂへそれぞれ第１の研磨剤８または第２の研磨剤１２を回収するか、もしくは排水するかは、セパレータ１３によってそのルートを変更することができる。

【0023】

次に、本発明のウェーハの研磨方法について説明する。ここでは、図１に示すような片面研磨装置１を用いた場合について説明する。

【0024】

まず、研磨する対象となるウェーハ６を準備し、ウェーハ６を研磨ヘッド５で保持する。

【0025】

（第１の研磨工程）
第１の研磨工程ではウェーハ６の粗研磨を行う。
タンク７ａ内に貯蔵された第１の研磨剤８を定盤３上に貼り付けられた研磨布２に供給しながら研磨ヘッド５でウェーハ６を研磨布２に摺接させて粗研磨する。この際に、供給した第１の研磨剤８をタンク７ａ内に回収した後、再び研磨布２上に供給することで、第１の研磨剤８を再利用しながらウェーハ６の研磨を行う。このようにして、ウェーハ６が目標の厚さになるまで研磨を行う。そして、目標の厚さまで達したら第１の研磨剤８の供給を停止する。

【0026】

（残留研磨剤回収工程）
第１の研磨剤８の供給が停止した後に、定盤３上に研磨剤も水も供給しない状態で、定盤３の回転数を、第１の研磨剤８の供給を停止した時点における定盤３の回転数より高くすることで、すばやくかつ簡単に定盤３上および研磨布２上に残留した第１の研磨剤８の回収を行う。

【0027】

このとき、定盤３の回転数を２５〜３５ｒｐｍの範囲内にすることができる。定盤３の回転数を２５ｒｐｍ以上とすれば、定盤３に付着した第１の研磨剤８を定盤３から振り落とすことができ、３５ｒｐｍ以下であればウェーハ６の平坦度の悪化を抑制し、また第１の研磨剤８が周囲に飛散することなく確実に回収できる。

【0028】

残留研磨剤回収工程の際に第１の研磨剤８の供給が停止したことによって、研磨布２とウェーハ６との間に研磨剤がなくなると、ウェーハ６と研磨布２の間で発生する発熱量が増えるが、この工程はすばやく短時間で実施することで発熱がウェーハ６の平坦度に影響を与えないように実施できる。ここでウェーハ６の平坦度は例えばＧＢＩＲ（Ｇｌｏｂａｌ Ｂａｃｋｓｉｄｅ Ｉｄｅａｌ Ｒａｎｇｅ：ウェーハ裏面を平面に矯正した状態で、ウェーハ面内に１つの基準面を持ち、この基準面に対する最大、最小の位置変位の差であり、ウェーハの平坦性を示す指標となる）である。

【0029】

このとき、残留研磨剤回収工程において、研磨ヘッド５の回転数を１０〜２０ｒｐｍとすることができる。また、残留研磨剤回収工程の時間を４〜８秒とすることができる。このようにすることで、研磨時にウェーハ６に異常な発熱が生じるのを抑制できるので、ウェーハ６の平坦度が悪化してしまうことを確実に防止することができる。

【0030】

また、残留研磨剤回収工程において、研磨ヘッド５でウェーハ６にかける荷重を３０〜８０ｇ／ｃｍ^２とすることができる。このようにすることで、より確実に、ウェーハ６の平坦度の悪化を防止することができる。

【0031】

なお、上記の各値の条件については、後述するような実験を行うことで求めた。

【0032】

（第１の研磨剤除去工程）
また、残留研磨剤回収工程の後に、水や親水剤などを供給することによって、定盤３、研磨布２、あるいはウェーハ６上に残った第１の研磨剤８を除去する第１の研磨剤除去工程を実施することができる。この場合、供給した水や親水剤は、残りの第１の研磨剤８と共に排水される。この排水の際、図１に示すように、セパレータ１３によって回収と排出のルートを変更できる。
本発明では第１の研磨剤除去工程を実施する前に、上記の残留研磨剤回収工程において定盤３上または研磨布２上の第１の研磨剤８の大部分を既に回収しているので、第１の研磨剤除去工程で残りの第１の研磨剤８を水と共に排出させたとしても、第１の研磨剤８の回収率を高くすることができる。

【0033】

なお、第１の研磨剤除去工程は必ずしも行わなくても良く、残留研磨剤回収工程に続けて、第２の研磨工程を行うこともでき、適宜選択可能である。

【0034】

（第２の研磨工程）
第２の研磨工程では、ウェーハ６の精研磨を行う。
定盤３上へ貼り付けられた研磨布２へ研磨剤を提供する元のタンクをタンク７ａから、タンク７ｂに切り替え、第２の研磨剤１２を供給しながらウェーハ６を精研磨する。このとき、第１の研磨工程と同様に、供給した第２の研磨剤１２をタンク７ｂ内に回収した後、再び研磨布２上に供給することで、第２の研磨剤１２を再利用しながらウェーハ６の研磨を行っても良い。

【0035】

なお、第２の研磨工程終了後に、ウェーハ６を研磨布２から離して、残留研磨剤回収工程で第１の研磨剤８の回収をしたときと同様にして、定盤３上または研磨布２上に残留した第２の研磨剤１２を回収する工程を行っても良い。このときは、ウェーハ６と研磨布２は摺接していないため、ウェーハ６の平坦度に影響を及ぼすことはない。

【0036】

以上のようなウェーハの研磨方法であれば、第１の研磨工程の末期に第２の研磨剤１２が混入することを防止しつつ、かつ第１の研磨剤８の回収率を高くすることができるので、研磨剤の追加や、交換回数が減り、第１の研磨剤８の使用回数、使用量を減らすこともできる。

【0037】

次に、残留研磨剤回収工程における、各条件の範囲を決定する際に行った実験を示す。
（実験１）
本発明のウェーハの研磨方法で、第１の研磨工程および残留研磨剤回収工程を行った。残留研磨剤回収工程に続けて第１の研磨剤除去工程を行い、表面から第１の研磨剤８を除去したウェーハ６に対して、その平坦度、また、そのときの第１の研磨剤８の回収率の測定を行った。

【0038】

第１の研磨工程において、第１の研磨剤８の供給を停止した時点における定盤３の回転数を１９ｒｐｍ、研磨ヘッド５の回転数を１０ｒｐｍ、研磨ヘッド５の荷重を８０ｇ／ｃｍ^２としたときに、残留研磨剤回収工程で、研磨ヘッド５の回転を１０ｒｐｍ、研磨ヘッド５の荷重は８０ｇ／ｃｍ^２で固定し、時間を２から１２秒の間で変化させ、定盤３の回転数を２０から４０ｒｐｍの間で変化させた。この条件の研磨方法で研磨したウェーハ６のＧＢＩＲ、および第１の研磨剤８の回収率を測定し、表１に示した。なお、第１の研磨剤８の回収率は、１バッチ２枚として１２バッチ、合計２４枚のウェーハ６を研磨した後に、第１の研磨剤８が減少した量を損失量として、計算式は、研磨剤の回収率＝（第１の研磨剤初期量−損失量）／第１の研磨剤初期量として測定を行った。

【0039】

【表1】

【0040】

（実験２）
第１の研磨工程において、第１の研磨剤８の供給を停止した時点における研磨ヘッド５の回転数が２０ｒｐｍ、残留研磨剤回収工程で、研磨ヘッド５の回転が２０ｒｐｍであった以外は実験１と同様にして、時間を２から１２秒の間で変化させ、定盤３の回転数を２０から４０ｒｐｍの間で変化させた。この条件の研磨方法で研磨されたウェーハ６のＧＢＩＲ、および第１の研磨剤８の回収率を測定し、表２に示した。

【0041】

【表2】

【0042】

（実験３）
第１の研磨工程において、第１の研磨剤８の供給を停止した時点における研磨ヘッド５の回転数が３０ｒｐｍ、残留研磨剤回収工程で、研磨ヘッド５の回転数が３０ｒｐｍであった以外は実験１と同様にして、時間を２から１２秒の間で変化させ、定盤３の回転数を２０から４０ｒｐｍの間で変化させた。この条件の研磨方法で研磨されたウェーハ６のＧＢＩＲ、および第１の研磨剤８の回収率を測定し、表３に示した。

【0043】

【表3】

【0044】

表１から３に示したように、定盤３の回転数を高くすれば、第１の研磨剤８の回収率が高くなる傾向があり、特に定盤３の回転数が２５ｒｐｍ以上が好ましいことが分かった。
また、ＧＢＩＲの悪化を抑えるために、定盤３の回転数が３５ｒｐｍ以下、研磨ヘッド５の回転数が２０ｒｐｍ以下が好ましい。

【0045】

さらに、ＧＢＩＲの悪化を抑制するために、残留研磨剤回収工程で発生する熱がＧＢＩＲに影響を与えない条件とするとすることが好ましい。特に、残留研磨剤回収工程の時間を４〜８秒とすることが好ましい。

【0046】

表４に、実験１〜３において、より好ましい条件をまとめたものを示す。このような条件であれば、表４の結果からわかるように、研磨剤回収効果が高く、かつウェーハ６のＧＢＩＲの悪化が抑制された、ウェーハ６を確実に得られることができるが、本発明はこの条件に限定されることはない。

【0047】

【表4】

【0048】

（実験４）
次に、第１の研磨工程において、第１の研磨剤８の供給を停止した時点における定盤３の回転数を１９ｒｐｍ、研磨ヘッド５の回転数を２０ｒｐｍとし、残留研磨剤回収工程においては、研磨ヘッド５の回転を２０ｒｐｍ、時間を８秒、定盤３の回転数を３５ｒｐｍとした。このときに、第１の研磨工程および、残留研磨剤回収工程における、研磨ヘッド５の荷重を３０から１００ｇ／ｃｍ^２で変化させた。この条件における本発明の研磨方法で研磨されたウェーハ６のＧＢＩＲ、および第１の研磨剤８の回収率を測定し、表５に示した。

【0049】

表５に示したように、研磨ヘッド５の荷重が３０から８０ｇ／ｃｍ^２の範囲内であれば、研磨剤回収効果が高く、かつ第１の研磨工程で研磨した後に、ＧＢＩＲが良好なウェーハ６をより確実に得られることが分かった。

【0050】

【表5】

【実施例】

【0051】

以下、本発明の実施例および比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【0052】

（実施例）
片面研磨装置には、不二越機械製片面研磨機ＳＲＥＤを用いた。また、研磨布は軟質不織布を用い、研磨剤はＫＯＨベースのコロイダルシリカを用いた。そして、本発明のウェーハの研磨方法に従って、直径３００ｍｍで、導電型がＰ−、結晶方位＜１１０＞のシリコンウェーハの研磨をバッチ式に繰り返し、１バッチ当たりの研磨枚数を２枚として、１２バッチ、合計２４枚のウェーハの研磨を以下の条件で行った。

【0053】

本発明のウェーハの研磨方法で、第１の研磨工程および残留研磨剤回収工程を行った。残留研磨剤回収工程に続けて第１の研磨剤除去工程を行った。

【0054】

実施例における各値の条件を表６に示す。表６に示すように、第１の研磨工程において、第１の研磨剤の供給を停止した時点における定盤の回転数を１９ｒｐｍ、研磨ヘッドの回転数を２０ｒｐｍ、荷重を８０ｇ／ｃｍ^２とし、残留研磨剤回収工程における研磨ヘッドの回転数を２０ｒｐｍ、研磨ヘッドの荷重を８０ｇ／ｃｍ^２、時間を５秒、定盤の回転数を３０ｒｐｍとした。また、各工程において研磨剤や水、または親水剤の供給の有無（ＯＮ／ＯＦＦ）、さらに、研磨剤の回収もしくは排水のどちらを行っているかについても示した。

【0055】

【表6】

【0056】

このような条件で研磨したときの、第１の研磨剤の回収率を測定し、表７に示した。
また、得られたウェーハのＧＢＩＲを測定し、その測定結果を図２に示した。また、このときの測定結果における、ウェーハのＧＢＩＲの最大値、最小値、平均値、および標準偏差を表８に示した。

【0057】

なおウェーハのＧＢＩＲの測定には、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製平坦度テスターＷａｆｅｒＳｉｇｈｔ２にて行った。

【0058】

【表7】

【表8】

【0059】

表７に示すように実施例における第１の研磨剤の回収率は９６．３％であり、後述する比較例に比べて５．０％第１の研磨剤の回収率が向上した。

【0060】

（比較例）
表９に示すように、残留研磨剤回収工程を行わなかった以外は、実施例と同様にして研磨を行い、１バッチ２枚として１２バッチ、合計２４枚のウェーハを得た。

【0061】

【表9】

【0062】

比較例では、第１の研磨剤の回収率は表７に示すように、９１．３％であり、実施例に比べて５．０％低かった。
さらに、得られたウェーハのＧＢＩＲを、測定装置を用いて測定し、その測定結果のウェーハのＧＢＩＲを図３に示した。また、図３におけるウェーハのＧＢＩＲの平均値、最大値、最小値、標準偏差は表８に示すような結果であった。

【0063】

図２、３および表８に示したように、実施例におけるＧＢＩＲは比較例と比べ、同一水準以下となっていることが分かる。すなわち実施例では回収率の向上に加えて、適切な条件を設定することで、ＧＢＩＲの悪化の抑制効果も実現できることが確認できた。

【0064】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

【符号の説明】

【0065】

１…片面研磨装置、 ２…研磨布、 ３…定盤、 ４…ノズル、 ５…研磨ヘッド、
６…ウェーハ、 ７ａ、７ｂ…タンク、 ８…第１の研磨剤、 ９…定盤受け、
１０…配管、 １１…制御手段、 １２…第２の研磨剤、 １３…セパレータ。

【図1】

【図2】

【図3】