(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
板状ワークを回転可能に保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルが保持した板状ワークを研磨する研磨手段と、該研磨手段と該チャックテーブルとを相対的に該保持面に平行な水平方向に移動させる移動手段と、から少なくとも構成される研磨装置の該研磨手段に回転可能に装着する研磨パッドであって、
該研磨パッドは、一方の面が該研磨手段に着脱可能とし他方の面に研磨部材を装着させる円盤状の円盤基台と、該円盤基台の直径より小さい外径の円盤状の研磨部材が該円盤基台の中央に配設され、該チャックテーブルの保持面全面を覆うことのできる中央研磨部と、該中央研磨部を囲繞するリング状の研磨部材で該中央研磨部より突出した外周研磨部とで構成され、板状ワークの外周の一部を該中央研磨部の外周からはみ出させ該中央研磨部を板状ワークの表面に接触させ板状ワークの中央部分の研磨加工を可能にし、板状ワークの外周部分に該外周研磨部を接触させ板状ワークの外周部分の研磨加工を可能にする隙間が、該中央研磨部と該外周研磨部との間に形成された研磨パッド。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下においては、被加工物を研磨処理する研磨装置に本発明の研磨パッドを適用する例を示すが、本発明の研磨パッドは、研削処理及び研磨処理を行う研削研磨装置や、研磨処理を含む複数の処理を行う複合装置などに使用されても良い。
【0012】
図1は、本実施の形態に係る研磨パッドが装着された研磨装置の構成例を示す斜視図である。
図1に示すように、研磨装置1は、直方体状の基台2を有している。基台2の上部後方には、支柱部3が設けられており、支柱部3の前部には、上下方向(Z方向)に移動可能な研磨ユニット(研磨手段)4が支持されている。また、基台2の上面には、支柱部3の前方に開口部2aが形成されており、開口部2a内には、前後方向(X方向)に移動可能なチャックテーブルユニット5が配置されている。
【0013】
この研磨装置1は、チャックテーブルユニット5に保持される被加工物としてのウェーハ(板状ワーク)Wに、相対回転する研磨ユニット4を接触させて研磨を行う。なお、ウェーハWとしては、シリコンやGaAsなどの半導体材料で構成される半導体基板、セラミック、ガラス、サファイヤなどの無機材料で構成される無機材料基板、金属基板、樹脂基板などが用いられる。
【0014】
チャックテーブルユニット5は、正方形状のチャックテーブル支持台51と、チャックテーブル支持台51に支持されたチャックテーブル52とを備えている。チャックテーブル52は、小径の円盤状に形成されており、上面には、ウェーハWを保持する保持面52aを有している。チャックテーブル52は、基台2内に配置された吸引源(不図示)と接続されており、保持面52aにおいてウェーハWを吸着保持する。また、チャックテーブル52は、回転機構(不図示)と接続されており、保持面52aにウェーハWを保持した状態で鉛直軸(Z軸)周りに回転される。
【0015】
チャックテーブル支持台51の下部には、移動機構(移動手段)(不図示)が設けられている。この移動機構により、チャックテーブル支持台51は、開口部2aに沿って前後に平行移動される。チャックテーブル52は、研磨ユニット4にウェーハWを対向させる研磨位置と、研磨位置から前方に離間され、ウェーハWの搬入又は搬出を行う搬入搬出位置との間で移動される。
【0016】
チャックテーブル支持台51の前部及び後部には、チャックテーブル支持台51の移動に応じて伸縮可能な防塵カバー21が取り付けられている。この防塵カバー21により、基台2の開口部2aは覆われており、ウェーハWの研磨処理によって生じる研磨くずなどの基台2内部への侵入を防止できる。
【0017】
支柱部3は、直方体状に形成されており、前部には、研磨ユニット4を上下動させる研磨ユニット移動機構31が設けられている。研磨ユニット移動機構31は、支柱部3の前面において上下方向(Z方向)に延びる一対のガイドレール32と、ガイドレール32の間に設けられたボールねじ33と、ボールねじ33に連結されたパルスモータ34とを備えている。
【0018】
支柱部3の前方には、Z軸テーブル35が配置されている。Z軸テーブル35は、後方のナット部(不図示)を介してボールねじ33と連結されている。パルスモータ34によりボールねじ33が回転されると、Z軸テーブル35はガイドレール32に沿って上下に移動される。Z軸テーブル35には、前部に設けられた支持部36を介して研磨ユニット4が支持されている。
【0019】
研磨ユニット4は、Z軸周りに回転可能なスピンドル(不図示)を備えている。スピンドルの下端には、円盤状の研磨ホイール41が連結されており、研磨ホイール41の下部には、研磨パッド42が着脱自在に装着されている。チャックテーブル52及びスピンドルを共に回転させた状態で研磨ホイール41を下降させ、ウェーハWに研磨パッド42を接触させれば、ウェーハWは研磨される。
【0020】
図2は、本実施の形態に係る研磨パッドの構成例を示す模式図である。
図2Aは、研磨パッド42の上面形状及び側面形状を示し、
図2Bは、研磨パッド42の下面形状及び側面形状を示し、
図2Cは、研磨パッド42の断面形状を示している。
【0021】
図2に示すように、研磨パッド42は、ステンレスなどの金属材料で形成される円盤基台43を備えている。円盤基台43の上面43aには、研磨ホイール41に設けられた複数の貫通孔(不図示)に対応する複数のネジ孔43bが形成されている。研磨ホイール41の下面に円盤基台43の上面43aを接触させ、研磨ホイール41の貫通孔を通じてネジ孔43bにボルトを締め込むことで、研磨パッド42は研磨ホイール41に固定される。
【0022】
円盤基台43の下部には、中央部43cを囲むリング状の外周部43dが形成されている。リング状の外周部43dは、中央部43cより下方に突出されている。中央部43cの下面43eの高さ及び外周部43dの下面43fの高さは、それぞれ一定である。すなわち、中央部43c及び外周部43dは、それぞれ平坦な下面43e,43fを有している。
【0023】
中央部43cの下面43eには、研磨材をレジンボンドなどで固めた円盤状の研磨部材(中央研磨部)44が取り付けられている。円盤状の研磨部材44は、中央部43cに合致するように円盤基台43より小径に形成されている。また、円盤状の研磨部材44は、チャックテーブル52の保持面52a全面を覆うことができる大きさに形成されている。保持面52aはウェーハWと同程度の径を有しているので、ウェーハWの表面全体に円盤状の研磨部材44を接触させて研磨できる。
【0024】
円盤基台43の外周部43dには、円盤状の研磨部材44を囲むリング状の研磨部材(外周研磨部)45が設けられている。リング状の研磨部材45は、円盤状の研磨部材44と同様の材料で同程度の厚みに形成されている。一方で、外周部43dは、中央部43cより下方に突出されている。このため、リング状の研磨部材45の下面45aは、円盤状の研磨部材44の下面44aより下方に位置付けられる。すなわち、研磨部材45は、研磨部材44より下方に突出されている。
【0025】
図3は、研磨パッドの変形例を示す模式図である。
図3Aは、変形例に係る研磨パッド42aの下面形状及び側面形状を示し、
図3Bは、研磨パッド42aの断面形状を示している。研磨パッド42aの上面形状は、研磨パッド42と同様である。なお、研磨パッド42aの基本的な構成は研磨パッド42の構成と共通しているから、共通の構成には同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
【0026】
図3に示す研磨パッド42aは、円盤基台43の中央部43cより小径な円盤状の研磨部材(中央研磨部)44と、円盤状の研磨部材44を囲むリング状の研磨部材(外周研磨部)45とを備えている。
図2に示す研磨パッド42には、円盤状の研磨部材44とリング状の研磨部材45との間に隙間がないのに対し、
図3に示す研磨パッド42aでは、円盤状の研磨部材44とリング状の研磨部材45との間に隙間が形成されている。よって、研磨パッド42を用いる場合と研磨パッド43aを用いる場合とでは、後述するように異なる表面形状への研磨加工を実現できる。
【0027】
次に、上述の研磨装置1を用いた研磨方法について説明する。
図4は、本実施の形態に係る研磨パッドを用いた研磨方法を説明するための断面模式図である。
図4A及び
図4Bは、研磨パッド42の円盤状の研磨部材44を用いる研磨方法の例を示している。
図4Aに示すように、ウェーハWを保持するチャックテーブル52と研磨パッド42とを回転させた状態で、ウェーハWの表面W1に円盤状の研磨部材44の下面44aを接触させると、ウェーハWは研磨される。ここでは、研磨部材44をウェーハWの表面W1全体に等しく接触させているので、
図4Bに示すように、表面W1を平坦に研磨加工できる。
【0028】
図4C及び
図4Dは、研磨パッド42のリング状の研磨部材45を用いる研磨方法の例を示している。
図4Cに示すように、研磨パッド42及びチャックテーブル52を回転させた状態で、ウェーハWの表面W1の一部にリング状の研磨部材45の下面45aを接触させると、ウェーハWの一部は研磨される。ここでは、
図4C及び
図4Dに示すように、研磨部材45をウェーハWの外周部分W2aに接触させ、ウェーハWの中央部分W2bに接触させないので、ウェーハWは外周部分W2aのみにおいて研磨される。
【0029】
また、リング状の研磨部材45はウェーハWより大径であり、研磨部材45とウェーハWとは回転されているので、ウェーハWと研磨部材45との接触の頻度は、外周部分W2aの内側の領域で高くなり、外周部分W2aの外側の領域で低くなる。そのため、
図4Dに示すように、中央部分W2bが研磨されず、外周部分W2aの内側の領域が深く研磨され、外周部分W2aの外側の領域が浅く研磨された形状に表面W1を加工できる。
【0030】
図4E及び
図4Fは、研磨パッド42のリング状の研磨部材45を用いる研磨方法の別の例を示している。
図4Eに示すように、研磨パッド42及びチャックテーブル52を回転させた状態で、ウェーハWの表面W1の一部にリング状の研磨部材45の下面45aを接触させると、ウェーハWの一部は研磨される。ここでは、
図4E及び
図4Fに示すように、研磨部材45をウェーハWの外周部分W3aに接触させ、ウェーハWの中央部分W3bに接触させないので、ウェーハWは外周部分W3aのみにおいて研磨される。これにより、中央部分W3bが研磨されず、外周部分W3aが研磨された形状に表面W1を加工できる。
【0031】
図5は、変形例に係る研磨パッドを用いた研磨方法を説明するための断面模式図である。
図5A及び
図5Bは、研磨パッド42aの円盤状の研磨部材44を用いる研磨方法の例を示している。
図5Aに示すように、ウェーハWを保持するチャックテーブル52と研磨パッド42aとを回転させた状態で、ウェーハWの表面W1の一部に円盤状の研磨部材44の下面44aを接触させると、ウェーハWの一部は研磨される。
【0032】
ここでは、
図5Aに示すように、ウェーハWの外周の一部が研磨部材44の外周からはみ出るように研磨部材44をウェーハWの表面W1に接触させている。そのため、
図5A及び
図5Bに示すように、ウェーハWと研磨部材44との接触頻度は、外周部分W4aで低くなり、中央部分W4bで高くなる。これにより、中央部分W4bが深く研磨され、外周部分W4aが浅く研磨された形状に表面W1を加工できる。
【0033】
図5C〜
図5Fは、研磨パッド42aの円盤状の研磨部材44及びリング状の研磨部材45を用いる研磨方法の例を示している。この研磨方法では、まず、研磨パッド42a及びチャックテーブル52を回転させた状態で、ウェーハWの表面W1の一部にリング状の研磨部材45の下面45aを接触させる。ここでは、
図5C及び
図5Dに示すように、研磨部材45をウェーハWの外周部分W5aの外側の領域に接触させ、ウェーハWの他の領域に接触させないので、ウェーハWは外周部分W5aの外側の領域のみにおいて研磨される。
【0034】
その後、ウェーハWの表面W1の一部に円盤状の研磨部材44の下面44aを接触させる。ここでは、
図5Eに示すように、ウェーハWの外周の一部が研磨部材44の外周からはみ出るように研磨部材44をウェーハWの表面W1に接触させている。そのため、
図5E及び
図5Fに示すように、ウェーハWと研磨部材44との接触頻度は、外周部分W5aで低くなり、中央部分W5bで高くなる。これにより、中央部分W5bが深く研磨され、外周部分W5aが浅く研磨されるので、
図5Fに示すように、外周部分W5aの外側の領域及び中央部分W5bが深く研磨され、外周部分W5aの内側の領域が浅く研磨された形状に表面W1を加工できる。
【0035】
このように、本実施の形態に係る研磨パッド42,42aは、研磨ユニット(研磨手段)4の研磨ホイール41に接する上面(一方の面)43a、及び研磨部材44,45が取り付けられる下面(他方の面)43e,43fを有する円盤基台43と、円盤基台43の中央部43cに配設された円盤状の研磨部材(中央研磨部)44と、研磨部材44より下方に突出されると共に研磨部材44を囲むリング状の研磨部材(外周研磨部)45とを備えるので、円盤状の研磨部材44とリング状の研磨部材45とでウェーハ(板状ワーク)Wの表面W1を任意の形状に研磨加工できる。
【0036】
なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態では、円盤状の研磨部材の厚みとリング状の研磨部材の厚みとを同程度にしているが、円盤状の研磨部材の厚みとリング状の研磨部材の厚みとは異ならせても良い。また、上記実施の形態では、円盤状の研磨部材とリング状の研磨部材とに同様の材料を用いているが、円盤状の研磨部材とリング状の研磨部材とに異なる材料を用いても良い。
【0037】
また、上記実施の形態では、研磨パッドを用いた複数の研磨方法を例示しているが、本発明の研磨パッドを用いた研磨方法はこれらに限定されない。その他、上記実施の形態に係る構成、方法などは、本発明の目的とする範囲を逸脱しない限りにおいて変更して実施できる。