特許 6222222 キサンテン骨格を有する負の誘電率異方性を示す液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6222222

(24)【登録日】2017年10月13日

(45)【発行日】2017年11月1日

(54)【発明の名称】キサンテン骨格を有する負の誘電率異方性を示す液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子

(51)【国際特許分類】

   C07D 311/82 20060101AFI20171023BHJP

   C07D 407/04 20060101ALI20171023BHJP

   C07D 407/06 20060101ALI20171023BHJP

   C07D 407/12 20060101ALI20171023BHJP

   G02F 1/13 20060101ALI20171023BHJP

   C09K 19/12 20060101ALI20171023BHJP

   C09K 19/18 20060101ALI20171023BHJP

   C09K 19/30 20060101ALI20171023BHJP

   C09K 19/32 20060101ALI20171023BHJP

   C09K 19/34 20060101ALI20171023BHJP

   C09K 19/54 20060101ALI20171023BHJP

【ＦＩ】

   C07D311/82CSP

   C07D407/04

   C07D407/06

   C07D407/12

   G02F1/13 500

   C09K19/12

   C09K19/18

   C09K19/30

   C09K19/32

   C09K19/34

   C09K19/54 B

   C09K19/54 C

   C09K19/54 Z

【請求項の数】14

【全頁数】113

(21)【出願番号】特願2015-512376(P2015-512376)

(86)(22)【出願日】2014年3月25日

(86)【国際出願番号】JP2014058240

(87)【国際公開番号】WO2014171272

(87)【国際公開日】20141023

【審査請求日】2016年11月30日

(31)【優先権主張番号】特願2013-88664(P2013-88664)

(32)【優先日】2013年4月19日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】311002067

【氏名又は名称】ＪＮＣ株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】596032100

【氏名又は名称】ＪＮＣ石油化学株式会社

(72)【発明者】

【氏名】藤森 さや香

【審査官】 齋藤 光介

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００５−３１４４１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１２／１３２７９６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１２／１４４３２１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１２／０８６４３７（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０７Ｄ

Ｃ０９Ｋ

ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

式（１）で表される化合物。

式（１）において、
Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−Ｓ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり、これらの環において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であり；
ａおよびｂは独立して、０または１であり、ａおよびｂの和は、１である。

【請求項2】

式（１−Ａ）または（１−B）で表される、請求項１に記載の化合物。

式（１−Ａ）および（１−B）において、
Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２−である。

【請求項3】

環Ａ^１および環Ａ^２の少なくとも１つの環がテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである、請求項１または２に記載の化合物。

【請求項4】

式（１−Ａ−１）〜（１−Ａ−６）、および式（１−Ｂ−１）〜（１−Ｂ−６）のいずれか１つで表される、請求項２に記載の化合物。

式（１−Ａ−１）〜（１−Ａ−６）、および式（１−Ｂ−１）〜（１−Ｂ−６）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシであり、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、およびＹ^４は独立して、水素またはフッ素である。

【請求項5】

式（１−Ａ−７）〜（１−Ａ−１２）および式（１−Ｂ−７）〜（１−Ｂ−１２）のいずれか１つで表される、請求項２に記載の化合物。

式（１−Ａ−７）〜（１−Ａ−１２）および式（１−Ｂ−７）〜（１−Ｂ−１２）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシである。

【請求項6】

請求項１〜５のいずれかに記載の少なくとも１つの化合物の、液晶組成物の成分としての使用。

【請求項7】

請求項１〜５のいずれかに記載の化合物を少なくとも１つ含有する液晶組成物。

【請求項8】

式（６）〜（１２）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項７に記載の液晶組成物。

式（６）〜（１２）において、
Ｒ^１３は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｒ^１４は、炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｒ^１５は、水素、フッ素、炭素数１〜１０のアルキル、または炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｓ^１１は、水素、またはメチルであり；
Ｘは、−ＣＦ_２−、−Ｏ−、または−ＣＨＦ−であり；
環Ｄ^１、環Ｄ^２、環Ｄ^３、および環Ｄ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
環Ｄ^５および環Ｄ^６は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
Ｚ^１５、Ｚ^１６、Ｚ^１７、およびＺ^１８は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；
Ｌ^１５およびＬ^１６は独立して、フッ素または塩素であり；
ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒおよびｓは独立して、０または１であり、ｋ、ｍ、ｎおよびｐの和は、１または２であり、ｑ、ｒおよびｓの和は、０、１、２または３であり、ｔは、１、２または３である。

【請求項9】

式（１３）〜（１５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項７または８に記載の液晶組成物。

式（１３）〜（１５）において、
Ｒ^１６およびＲ^１７は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
環Ｅ^１、環Ｅ^２、環Ｅ^３、および環Ｅ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１９、Ｚ^２０、およびＺ^２１は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−ＣＯＯ−である。

【請求項10】

式（２）〜（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項７〜９のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（２）〜（３）において、
Ｒ^１１は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
環Ｂ^１、環Ｂ^２、および環Ｂ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり；
Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素である。

【請求項11】

式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（５）において、
Ｒ^１２は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１２は、−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
環Ｃ^１は、１，４−シクロヘキシレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１４は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり；
Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して、水素またはフッ素であり；
ｉは、１、２、３、または４である。

【請求項12】

少なくとも１つの光学活性化合物および／または重合可能な化合物をさらに含有する、請求項７〜１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。

【請求項13】

少なくとも１つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤をさらに含有する、請求項７〜１２のいずれか１項に記載の液晶組成物。

【請求項14】

請求項７〜１３のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子に関する。さらに詳しくはトリフルオロキサンテン骨格と、これに結合した環構造を有し、誘電率異方性が負である化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの組成物を含む液晶表示素子に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶表示素子は、パソコン、テレビなどのディスプレイに広く利用されている。この素子は、液晶性化合物の光学的異方性、誘電率異方性などを利用したものである。液晶表示素子の動作モードとしては、ＰＣ（phase change）モード、ＴＮ（twisted nematic）モード、ＳＴＮ（super twisted nematic）モード、ＢＴＮ（bistable twisted nematic）モード、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）モード、ＯＣＢ（optically compensated bend）モード、ＩＰＳ（in-plane switching）モード、ＶＡ（vertical alignment）モード、ＦＦＳ（Fringe Field Switching)モード、ＰＳＡ（Polymer sustained alignment）などのモードが知られている。

【0003】

これらのうち、ＩＰＳモード、ＦＦＳモードおよびＶＡモードは、ＴＮモード、ＳＴＮモードなどの動作モードの欠点である視野角の狭さを改善できることが知られている。この種のモードを有する液晶表示素子では、負の誘電率異方性を有する液晶組成物が主に使われている。液晶表示素子の特性をさらに向上させるには、この組成物に含まれる液晶性化合物が、下記の（１）〜（８）で示す物性を有することが好ましい。
（１）熱、光などに対する高い安定性、
（２）高い透明点、
（３）液晶相の低い下限温度、
（４）小さな粘度（η）、
（５）適切な光学的異方性（Δｎ）、
（６）大きな負の誘電率異方性（Δε）、
（７）適切な弾性定数（Ｋ_３３：ベンド弾性定数）、
（８）他の液晶性化合物との優れた相溶性。

【0004】

液晶性化合物の物性が素子の特性に及ぼす効果は、次のとおりである。（１）のように、熱、光などに対する高い安定性を有する化合物は、素子の電圧保持率を大きくする。これによって、素子の寿命が長くなる。（２）のように、高い透明点を有する化合物は、素子の使用可能な温度範囲を広げる。（３）のように、ネマチック相、スメクチック相などのような液晶相の低い下限温度、特にネマチック相の低い下限温度を有する化合物も、素子の使用可能な温度範囲を広げる。（４）のように、粘度の小さな化合物は、素子の応答時間を短くする。

【0005】

（５）のように、適切な光学的異方性を有する化合物は、素子のコントラストを向上する。素子の設計に応じて、大きな光学的異方性または小さな光学的異方性、すなわち適切な光学的異方性を有する化合物が必要である。素子のセルギャップを小さくすることにより応答時間を短くする場合には、大きな光学的異方性を有する化合物が適している。（６）のように大きな負の誘電率異方性を有する化合物は、素子のしきい値電圧を下げる。これによって、素子の消費電力が小さくなる。

【0006】

（７）に関しては、大きな弾性定数を有する化合物は、素子の応答時間を短くする。小さな弾性定数を有する化合物は、素子のしきい値電圧を下げる。したがって、向上させたい特性に応じて適切な弾性定数が必要になる。（８）のように他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する化合物が好ましい。これは、異なった物性を有する液晶性化合物を混合して、組成物の物性を調節するからである。

【0007】

これまでに、負の大きな誘電率異方性を有する液晶性化合物が種々合成されてきた（例えば、特許文献１）。特許文献１には、化合物（Ｃ−１）が示されている。しかし、この化合物（Ｃ−１）は、透明点および他の化合物との相溶性が十分に高くない。

【0008】

【0009】

このような状況から、上記の物性（１）〜（８）に関して優れた物性と適切なバランスを有する化合物の開発が望まれている。特に、負の大きな誘電率異方性を有し、かつ透明点と他の化合物との相溶性が高い化合物が求められている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0010】

【特許文献1】特開２００５−３１４４１７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0011】

本発明の第一の課題は、熱、光などに対する高い安定性、高い透明点、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな負の誘電率異方性、適切な弾性定数、他の液晶性化合物との優れた相溶性などの物性の少なくとも１つを充足する液晶性化合物を提供することである。特に、負の大きな誘電率異方性を有し、かつ透明点と他の化合物との相溶性が高い化合物を提供することである。第二の課題は、この化合物を含有し、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな負の誘電率異方性、および適切な弾性定数などの物性の少なくとも１つを充足する液晶組成物を提供することである。この課題は、少なくとも２つの物性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。第三の課題は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する液晶表示素子を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明は、式（１）で表される化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの組成物を含む液晶表示素子に関する。

式（１）において、
Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−Ｓ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり、これらの環において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であり；
ａおよびｂは独立して０、１または２であり、ａまたはｂが２のとき、２つの環Ａ^１、２つの環Ａ^２、２つのＺ^１、および２つのＺ^２は、それぞれ同一であっても、異なっていてもよく、ａおよびｂの和は、１または２である。

【0013】

式（１）で表される化合物は、トリフルオロキサンテン骨格と、これに結合した環構造を有することにより、負の誘電率異方性が大きく、透明点や他の液晶性化合物との相溶性が高い。

【発明の効果】

【0014】

本発明の第一の長所は、熱、光などに対する高い安定性、高い透明点、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな負の誘電率異方性、適切な弾性定数、他の液晶性化合物との優れた相溶性などの物性の少なくとも１つを充足する液晶性化合物を提供することである。この長所は、特に負の大きな誘電率異方性を有し、かつ透明点と他の化合物との相溶性が高い化合物を提供することである。第二の長所は、この化合物を含有し、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな負の誘電率異方性、および適切な弾性定数などの物性の少なくとも１つを充足する液晶組成物を提供することである。第三の長所は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する液晶表示素子を提供することである。

【発明を実施するための形態】

【0015】

この明細書における用語の使い方は次のとおりである。液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物、および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。液晶性化合物、液晶組成物、液晶表示素子をそれぞれ化合物、組成物、素子と略すことがある。液晶表示素子は、液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。透明点は、液晶性化合物における液晶相−等方相の転移温度である。液晶相の下限温度は、液晶性化合物における固体−液晶相（スメクチック相、ネマチック相など）の転移温度である。ネマチック相の上限温度は、液晶組成物におけるネマチック相−等方相の転移温度であり、上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度を下限温度と略すことがある。式（１）で表わされる化合物を化合物（１）と略すことがある。この略記は式（２）などで表される化合物にも適用することがある。式（１）、式（２）などにおいて、六角形で囲んだＡ^１、Ｄ^１などの記号はそれぞれ環Ａ^１、環Ｄ^１などに対応する。複数の環Ａ^１を１つの式または異なった式に記載した。これらの化合物において、任意の２つの環Ａ^１が表わす２つの基は、同一であってもよいし、または異なってもよい。このルールは、環Ａ^２、Ｚ^２などの記号にも適用される。また、ｌが２のときに２つとなる環Ａ^１にも適用される。百分率で表した化合物の量は、組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。

【0016】

「少なくとも１つの“Ａ”は、“Ｂ”で置き換えられてもよい」の表現は、“Ａ”が１つのとき、“Ａ”の位置は任意であり、“Ａ”の数が２つ以上のときも、それらの位置は制限なく選択できることを意味する。「少なくとも１つのＡが、Ｂ、ＣまたはＤで置き換えられてもよい」という表現は、任意のＡがＢで置き換えられる場合、任意のＡがＣで置き換えられる場合、および任意のＡがＤで置き換えられる場合、さらに複数のＡがＢ、Ｃ、Ｄの少なくとも２つで置き換えられる場合を含むことを意味する。例えば、少なくとも１つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよいアルキルには、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアルケニル、アルケニルオキシアルキルが含まれる。なお、連続する２つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられて、−Ｏ−Ｏ−のようになることは好ましくない。アルキルなどにおいて、メチル部分（−ＣＨ_２−Ｈ）の−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられて−Ｏ−Ｈになることも好ましくない。

【0017】

２−フルオロ−１，４−フェニレンは、下記の２つの二価基を意味する。フッ素は左向きであってもよいし、右向きであってもよい。このルールは、テトラヒドロピラン−２，５−ジイルのような、非対称な環の二価基にも適用される。

【0018】

本発明は、下記の項１〜１３に記載された内容を包含する。

【0019】

項１． 式（１）で表される化合物。

式（１）において、
Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−、または−Ｓ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり、これらの環において任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であり；
ａおよびｂは独立して、０、１または２であり、ａまたはｂが２のとき、２つの環Ａ^１、２つの環Ａ^２、２つのＺ^１、および２つのＺ^２は、それぞれ同一であっても、異なっていてもよく、ａおよびｂの和は、１または２である。

【0020】

項２． 式（１−Ａ）〜（１−Ｃ）のいずれか１つで表される、項１に記載の化合物。

式（１−Ａ）〜（１−Ｃ）において、
Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２−である。

【0021】

項３． 式（１−Ｄ）または（１−Ｅ）で表される、項１に記載の化合物。

式（１−Ｄ）および（１−Ｅ）において、
Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２−である。

【0022】

項４． 環Ａ^１および環Ａ^２の少なくとも１つの環がテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである、項１〜３のいずれか１項に記載の化合物。

【0023】

項５． 式（１−Ａ−１）〜（１−Ａ−６）、式（１−Ｂ−１）〜（１−Ｂ−６）、および式（１−Ｃ−１）〜（１−Ｃ−４）のいずれか１つで表される、項２に記載の化合物。

式（１−Ａ−１）〜（１−Ａ−６）、式（１−Ｂ−１）〜（１−Ｂ−６）、および式（１−Ｃ−１）〜（１−Ｃ−４）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシであり、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、およびＹ^４は独立して、水素またはフッ素である。

【0024】

項６． 式（１−Ａ−７）〜（１−Ａ−１２）および式（１−Ｂ−７）〜（１−Ｂ−１２）のいずれか１つで表される、項２に記載の化合物。

式（１−Ａ−７）〜（１−Ａ−１２）および式（１−Ｂ−７）〜（１−Ｂ−１２）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシである。

【0025】

項７． 項１〜６のいずれかに記載の少なくとも１つの化合物の、液晶組成物の成分としての使用。

【0026】

項８． 項１〜６のいずれかに記載の化合物を少なくとも１つ含有する液晶組成物。

【0027】

項９． 式（６）〜（１２）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項８に記載の液晶組成物。

式（６）〜（１２）において、
Ｒ^１３は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｒ^１４は、炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｒ^１５は、水素、フッ素、炭素数１〜１０のアルキル、または炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｓ^１１は、水素、またはメチルであり；
Ｘは、−ＣＦ_２−、−Ｏ−、または−ＣＨＦ−であり；
環Ｄ^１、環Ｄ^２、環Ｄ^３、および環Ｄ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
環Ｄ^５および環Ｄ^６は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
Ｚ^１５、Ｚ^１６、Ｚ^１７、およびＺ^１８は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；
Ｌ^１５およびＬ^１６は独立して、フッ素または塩素であり；
ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒおよびｓは独立して、０または１であり、ｋ、ｍ、ｎおよびｐの和は、１または２であり、ｑ、ｒおよびｓの和は、０、１、２または３であり、ｔは、１、２または３である。

【0028】

項１０． 式（１３）〜（１５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項８または９のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（１３）〜（１５）において、
Ｒ^１６およびＲ^１７は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
環Ｅ^１、環Ｅ^２、環Ｅ^３、および環Ｅ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１９、Ｚ^２０、およびＺ^２１は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−ＣＯＯ−である。

【0029】

項１１． 式（２）〜（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項８〜１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（２）〜（３）において、
Ｒ^１１は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
環Ｂ^１、環Ｂ^２、および環Ｂ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり；
Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素である。

【0030】

項１２． 式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項８〜１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（５）において、
Ｒ^１２は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１２は、−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
環Ｃ^１は、１，４−シクロヘキシレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１４は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり；
Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して、水素またはフッ素であり；
ｉは、１、２、３、または４である。

【0031】

項１３． 少なくとも１つの光学活性化合物および／または重合可能な化合物をさらに含有する、項８〜１２に記載の液晶組成物。

【0032】

項１４． 少なくとも１つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤をさらに含有する項８〜１３に記載の液晶組成物。

【0033】

項１５． 項８〜１４のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

【0034】

本発明の化合物、液晶組成物、液晶表示素子について、順に説明する。
１−１．化合物（１）
本発明の化合物（１）について説明をする。化合物（１）における末端基、環構造、結合基などの好ましい例、およびそれらの基が物性に及ぼす効果は、化合物（１）の下位式にも適用される。

【0035】

式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−Ｓ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよい。これらの基は、直鎖または分岐鎖であり、シクロヘキシルのような環状基を含まない。これらの基において分岐鎖よりも直鎖の方が好ましい。

【0036】

アルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ＝ＣＨＣ_４Ｈ_９、−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５のような奇数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはトランス配置が好ましい。−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、および−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７のような偶数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはシス配置が好ましい。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、高い透明点または液晶相の広い温度範囲を有する。Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 109およびMol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 327、に詳細な説明がある。

【0037】

Ｒ^１およびＲ^２の好ましい例は、アルキル、アルコキシ、アルケニル、およびアルケニルオキシである。Ｒ^１およびＲ^２のさらに好ましい例は、アルキル、アルコキシ、およびアルケニルである。

【0038】

アルキルの例は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−Ｃ_６Ｈ_１３、−Ｃ_７Ｈ_１５、−Ｃ_８Ｈ_１７、−Ｃ_９Ｈ_１９、−Ｃ_１０Ｈ_２１、−Ｃ_１１Ｈ_２３、−Ｃ_１２Ｈ_２５、−Ｃ_１３Ｈ_２７、−Ｃ_１４Ｈ_２９、および−Ｃ_１５Ｈ_３１である。

【0039】

アルコキシの例は、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１１、−ＯＣ_６Ｈ_１３、−ＯＣ_７Ｈ_１５、−ＯＣ_８Ｈ_１７、−ＯＣ_９Ｈ_１９、−ＯＣ_１０Ｈ_２１、−ＯＣ_１１Ｈ_２３、−ＯＣ_１２Ｈ_２５、−ＯＣ_１３Ｈ_２７、および−ＯＣ_１４Ｈ_２９である。

【0040】

アルコキシアルキルの例は、−ＣＨ_２ＯＣＨ_３、−ＣＨ_２ＯＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＯＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_３−ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_４−ＯＣＨ_３、および−（ＣＨ_２）_５−ＯＣＨ_３である。

【0041】

アルケニルの例は、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−（ＣＨ_２）_３−ＣＨ＝ＣＨ_２である。

【0042】

アルケニルオキシの例は、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５である。

【0043】

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたアルキルの例は、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_３、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨＦＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＨ_３、−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−ＣＦ_２（ＣＨ_２）_２ＣＨ_３、−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−（ＣＨ_２）_５−Ｆ、−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨＣｌ_２、−ＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_２−Ｃｌ、−ＣＣｌ_２ＣＨ_３、−ＣＣｌ_２ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＣｌ_２ＣＨＣｌ_２、−ＣＨ_２ＣＣｌ_３、−ＣＣｌ_２ＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_３−Ｃｌ、−ＣＣｌ_２ＣＨ_２ＣＨ_３、−（ＣＣｌ_２）_３−Ｃｌ、−ＣＣｌ_２ＣＨＣｌＣＣｌ_３、−ＣＨＣｌＣＣｌ_２ＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_４−Ｃｌ、−（ＣＣｌ_２）_４−Ｃｌ、−ＣＣｌ_２（ＣＨ_２）_２ＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_５−Ｃｌ、および−（ＣＣｌ_２）_５−Ｃｌである。

【0044】

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシの例は、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＯＣＨ_２ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＯＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−Ｏ（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−Ｏ−（ＣＨ_２）_５−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、−ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＨ_２ＣＨ_３、−ＯＣＨ_２Ｃｌ、−ＯＣＨＣｌ_２、−ＯＣＣｌ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−Ｃｌ、−ＯＣＣｌ_２ＣＨ_２Ｃｌ、−ＯＣＣｌ_２ＣＨＣｌ_２、−ＯＣＨ_２ＣＣｌ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｃｌ、−Ｏ−（ＣＣｌ_２）_３−Ｃｌ、−ＯＣＣｌ_２ＣＨＣｌＣＣｌ_３、−ＯＣＨＣｌＣＣｌ_２ＣＣｌ_３、−Ｏ（ＣＨ_２）_４−Ｃｌ、−Ｏ−（ＣＣｌ_２）_４−Ｃｌ、−Ｏ−（ＣＨ_２）_５−Ｃｌ、および−Ｏ−（ＣＣｌ_２）_５−Ｃｌである。

【0045】

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたアルケニルの例は、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣｌ、−ＣＨ＝ＣＣｌ_２、−ＣＣｌ＝ＣＨＣｌ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨ＝ＣＨＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＣｌ_２、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＣｌ_３、および−ＣＨ＝ＣＨＣＣｌ_２ＣＣｌ_３である。

【0046】

式（１）において、環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり、これらの環において任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよい。

【0047】

環Ａ^１または環Ａ^２の好ましい例は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、およびテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである。さらに好ましい例は、１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレン、およびテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである。１，４−シクロへキシレンには、シスおよびトランスの立体配置が存在する。高い上限温度の観点から、トランス配置が好ましい。

【0048】

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレンの好ましい例は、環（Ａ−１）〜（Ａ−１７）である。負の大きな誘電率異方性を有するためには、基（Ａ−１）、（Ａ−５）、（Ａ−６）、（Ａ−７）、（Ａ−８）、（Ａ−９）、（Ａ−１０）、および（Ａ−１１）がより好ましい。

【0049】

式（１）において、Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＦ＝ＣＦ−である。Ｚ^１およびＺ^２の好ましい例は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２−である。

【0050】

式（１）において、ａおよびｂは独立して、０、１または２である。ａが２のときの、２つの環Ａ^１は、同一であっても、異なっていてもよく、２つのＺ^１は、同一であっても、異なっていてもよい。ｂが２のときの、２つの環Ａ^２は、同一であっても、異なっていてもよく、２つのＺ^２は、同一であっても、異なっていてもよい。ａおよびｂの和は、１または２である。好ましいａおよびｂの組合せは、（ａ＝１、ｂ＝０）、（ａ＝０、ｂ＝１）、（ａ＝２、ｂ＝０）、および（ａ＝１、ｂ＝１）である。さらに好ましいａおよびｂの組合せは、（ａ＝１、ｂ＝０）および（ａ＝０、ｂ＝１）である。

【0051】

１−２．化合物（１）の物性
化合物（１）において、Ｒ^１、Ｒ^２、環Ａ^１、環Ａ^２、Ｚ^１、およびＺ^２の種類、ａおよびｂの組合せを適切に選択することによって、透明点、光学的異方性、誘電率異方性などの物性を任意に調整することが可能である。化合物の物性に大きな差異がないので、化合物（１）は、^２Ｈ（重水素）、^１３Ｃなどの同位体を天然存在比の量より多く含んでもよい。Ｒ^１などの種類が化合物（１）の物性に及ぼす主要な効果を以下に説明する。

【0052】

Ｒ^１またはＲ^２が直鎖であるときは、液晶相の温度範囲が広く、そして粘度が小さい。Ｒ^１またはＲ^２が分岐鎖であるときは、他の液晶性化合物との相溶性がよい。Ｒ^１またはＲ^２が光学活性である化合物は、キラルドーパントとして有用である。この化合物を組成物に添加することによって、液晶表示素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（reverse twisted domain）を防止することができる。Ｒ^１またはＲ^２が光学活性でない化合物は、組成物の成分として有用である。Ｒ^１またはＲ^２がアルケニルであるとき、好ましい立体配置は二重結合の位置に依存する。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、小さい粘度、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。Ｒ^１またはＲ^２がアルコキシであるときは、高い上限温度を有する。

【0053】

環Ａ^１および環Ａ^２が共に１，４−シクロヘキシレンであるときは、透明点が高く、粘度が小さい。環Ａ^１および環Ａ^２の少なくとも１つが１，４−フェニレン、または少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレンであるときは、光学的異方性が比較的大きく、そして配向秩序パラメーター（orientational order parameter）が比較的大きい。環Ａ^１および環Ａ^２が共に１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレン、またはこれらの組み合わせであるときは、光学的異方性が特に大きい。環Ａ^１および環Ａ^２の少なくとも１つが２−フルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジクロロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−３−フルオロ−１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであるときは、負の誘電率異方性が特に大きい。

【0054】

Ｚ^１およびＺ^２の少なくとも１つが、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−であるときは、粘度が小さい。Ｚ^１およびＺ^２の少なくとも１つが、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であるときは、液晶相の温度範囲が広く、そして弾性定数（Ｋ）が大きい。Ｚ^１およびＺ^２の少なくとも１つが、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であるときは、透明点が高い。Ｚ^１およびＺ^２の少なくとも１つが、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であるときは、光学的異方性が大きい。Ｚ^１およびＺ^２の少なくとも１つが、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であるときは、負の誘電率異方性が大きい。Ｚ^１およびＺ^２が共に、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であるときは、化学的安定性が高い。

【0055】

ａおよびｂの組合せが、（ａ＝１、ｂ＝０）であり、Ｚ^１が−ＣＨ_２Ｏ−であるときは、負の誘電率異方性が大きく、他の液晶性化合物との相溶性が良好である。ａおよびｂの組合せが、（ａ＝１、ｂ＝０）であり、Ｚ^１が−ＣＨ_２Ｏ−であり、Ｒ^２がアルコキシであるときは、負の誘電率異方性が特に大きい。ａおよびｂの組合せが、（ａ＝０、ｂ＝１）であり、Ｚ^２が−ＯＣＨ_２−であるときは、負の誘電率異方性が大きい。ａおよびｂの組合せが、（ａ＝１、ｂ＝０）または（ａ＝０、ｂ＝１）であり、Ｚ^１およびＺ^２が単結合であり、Ｒ^１またはＲ^２がアルコキシであるときは、負の大きな誘電率異方性を有する。ａおよびｂの組合せが、（ａ＝２、ｂ＝０）または（ａ＝１、ｂ＝１）であるときは、透明点が高い。

【0056】

１−３．好ましい化合物
好ましい化合物（１）の例として、項２および３に記載した化合物（１−Ａ）〜（１−Ｅ）が挙げられる。

式（１−Ａ）〜（１−Ｅ）において、
Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシであり；
環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２−である。

【0057】

化合物（１）のより好ましい例は、項５および６に記載した化合物（１−Ａ−１）〜（１−Ａ−１２）、化合物（１−Ｂ−１）〜（１−Ｂ−１２）、および化合物（１−Ｃ−１）〜（１−Ｃ−４）が挙げられる。

【0058】

式（１−Ａ−１）〜（１−Ａ−１２）、式（１−Ｂ−１）〜（１−Ｂ−１２）、および式（１−Ｃ−１）〜（１−Ｃ−４）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシであり、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、およびＹ^４は独立して、水素またはフッ素である。

【0059】

１−４．化合物（１）の合成
化合物（１）の合成法について説明する。化合物（１）は、有機合成化学の方法を適切に組み合わせることにより合成できる。出発物に目的の末端基、環、および結合基を導入する方法は、「オーガニックシンセシス」（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、「オーガニック・リアクションズ」（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、「コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス」（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、「新実験化学講座」（丸善）などの成書に記載されている。

【0060】

１−４−１．結合基の生成
化合物（１）における結合基を生成する方法の例は、下記のスキームのとおりである。このスキームにおいて、ＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）は、少なくとも１つの環を有する一価の有機基である。複数のＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）が表す一価の有機基は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）〜（１Ｇ）は、化合物（１）または化合物（１）の中間体に相当する。

【0061】

【0062】

【0063】

【0064】

【0065】

【0066】

【0067】

（Ｉ）単結合の生成
アリールホウ酸（２１）と化合物（２２）を、炭酸塩、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム触媒の存在下で反応させ、化合物（１Ａ）を合成する。この化合物（１Ａ）は、化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム触媒の存在下で化合物（２２）を反応させても合成される。

【0068】

（ＩＩ）−ＣＯＯ−と−ＯＣＯ−の生成
化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで二酸化炭素を反応させ、カルボン酸（２４）を得る。このカルボン酸（２４）と、化合物（２１）から誘導したフェノール（２５）とをＤＣＣ（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）とＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）の存在下で脱水させて−ＣＯＯ−を有する化合物（１Ｂ）を合成する。この方法によって−ＯＣＯ−を有する化合物も合成する。

【0069】

（ＩＩＩ）−ＣＦ_２Ｏ−と−ＯＣＦ_２−の生成
化合物（１Ｂ）をローソン試薬で硫黄化し、化合物（２６）を得る。化合物（２６）をフッ化水素ピリジン錯体とＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）でフッ素化し、−ＣＦ_２Ｏ−を有する化合物（１Ｃ）を合成する。M. Kuroboshi et al., Chem. Lett., 1992，827.を参照。化合物（１Ｃ）は化合物（２６）をＤＡＳＴ（（ジエチルアミノ）サルファートリフルオリド）でフッ素化しても合成される。W. H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.を参照。この方法によって−ＯＣＦ_２−を有する化合物も合成する。

【0070】

（ＩＶ）−ＣＨ＝ＣＨ−の生成
化合物（２２）をｎ−ブチルリチウム、次いでＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）と反応させてアルデヒド（２７）を得る。ホスホニウム塩（２８）とカリウムｔｅｒｔ−ブトキシドを反応させて発生させたリンイリドを、アルデヒド（２７）と反応させて化合物（１Ｄ）を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

【0071】

（Ｖ）−ＣＨ_２ＣＨ_２−の生成
化合物（１Ｄ）をパラジウム炭素触媒の存在下で水素化し、化合物（１Ｅ）を合成する。

【0072】

（ＶＩ）−Ｃ≡Ｃ−の生成
ジクロロパラジウムとヨウ化銅の触媒存在下で、化合物（２３）に２−メチル−３−ブチン−２−オールを反応させたのち、塩基性条件下で脱保護して化合物（２９）を得る。ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下、化合物（２９）を化合物（２２）と反応させて、化合物（１Ｆ）を合成する。

【0073】

（ＶＩＩ）−ＣＨ_２Ｏ−と−ＯＣＨ_２−の生成
化合物（２７）を水素化ホウ素ナトリウムで還元して化合物（３０）を得る。これを臭化水素酸で臭素化して化合物（３１）を得る。炭酸カリウムの存在下、化合物（２５）と化合物（３１）を反応させて、化合物（１Ｇ）を合成する。この方法によって−ＯＣＨ_２−を有する化合物も合成する。

【0074】

（ＶＩＩＩ）−ＣＦ＝ＣＦ−の生成
化合物（２３）をｎ−ブチルリチウムで処理したあと、テトラフルオロエチレンを反応させて化合物（３２）を得る。化合物（２２）をｎ−ブチルリチウムで処理したあと化合物（３２）と反応させて、化合物（１Ｈ）を合成する。

【0075】

１−４−２．環Ａ^１および環Ａ^２の生成
１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルなどの環に関しては出発物が市販されているか、または合成法がよく知られている。

【0076】

１−４−３．合成例
化合物（１）を合成する方法の例は、次のとおりである。これらの化合物において、Ｒ^１、Ｒ^２，環Ａ^１、環Ａ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、ａ、およびｂの定義は、前記の項１と同一である。

【0077】

化合物（１）を合成する方法の例は、次のとおりである。公知の方法によって合成される化合物（５１）に対してｓ−ブチルリチウム、ホウ酸トリイソプロピル、酢酸、および過酸化水素を作用させることによって、化合物（５２）を得る。化合物（５２）に対して水素化ナトリウムおよびクロロメチルメチルエーテルを作用させることによって、化合物（５３）を得る。また、公知の方法によって合成される化合物（５４）に対してｓ−ブチルリチウムおよびＮ，Ｎ’―ジメチルホルムアミドを作用させることによって、化合物（５５）を得る。化合物（５３）に対してｓ−ブチルリチウムおよび化合物（５５）を作用させることによって化合物（５６）を得る。化合物（５６）に対してトリエチルシランおよび三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体を作用させることによって、化合物（５７）を得る。化合物（５７）に対して水素化ナトリウムを作用させることによって、化合物（１）へと導くことができる。

【0078】

【0079】

２．組成物（１）
本発明の液晶組成物（１）について説明をする。この組成物（１）は、少なくとも１つの化合物（１）を成分Ａとして含む。組成物（１）は、２つ以上の化合物（１）を含んでいてもよい。液晶性化合物の成分が化合物（１）のみであってもよい。組成物（１）は、化合物（１）の少なくとも１つを１〜９９重量％の範囲で含有することが、優良な物性を発現させるために好ましい。誘電率異方性が正である組成物において、化合物（１）の好ましい含有量は５〜６０重量％の範囲である。誘電率異方性が負である組成物において、化合物（１）の好ましい含有量は３０重量％以下である。組成物（１）は、化合物（１）と、本明細書中に記載しなかった種々の液晶性化合物とを含んでもよい。

【0080】

好ましい組成物は、以下に示す成分Ｂ、Ｃ、Ｄ、およびＥから選択された化合物を含む。組成物（１）を調製するときには、例えば、化合物（１）の誘電率異方性を考慮して成分を選択することもできる。成分を適切に選択した組成物は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな誘電率異方性、および適切な弾性定数を有する。

【0081】

成分Ｂは、化合物（２）〜（４）である。成分Ｃは化合物（５）である。成分Ｄは、化合物（６）〜（１２）である。成分Ｅは、化合物（１３）〜（１５）である。これらの成分について、順に説明する。

【0082】

成分Ｂは、右末端にハロゲンまたはフッ素含有基を有する化合物である。成分Ｂの好ましい例として、化合物（２−１）〜（２−１６）、化合物（３−１）〜（３−１１３）、化合物（４−１）〜（４−５７）を挙げることができる。

【0083】

【0084】

【0085】

【0086】

【0087】

【0088】

【0089】

これらの化合物（成分Ｂ）において、Ｒ^１１およびＸ^１１の定義は、項１１記載の式（２）〜（４）と同じである。

【0090】

成分Ｂは、誘電率異方性が正であり、熱、光などに対する安定性が非常に優れているので、ＴＦＴモード用またはＰＳＡモード用の組成物を調製する場合に用いられる。成分Ｂの含有量は、組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲が適するが、好ましくは１０〜９７重量％の範囲、より好ましくは４０〜９５重量％の範囲である。この組成物は、化合物（１２）〜（１４）（成分Ｅ）をさらに添加することにより粘度を調整することができる。

【0091】

成分Ｃは、右末端基が−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎである化合物（５）である。成分Ｃの好ましい例として、化合物（５−１）〜（５−６４）を挙げることができる。

【0092】

【0093】

【0094】

これらの化合物（成分Ｃ）において、Ｒ^１２およびＸ^１２の定義は、項１２記載の式（５）と同じである。

【0095】

成分Ｃは、誘電率異方性が正であり、その値が大きいのでＳＴＮモード用、ＴＮモード用またはＰＳＡモード用の組成物を調製する場合に主として用いられる。この成分Ｃを添加することにより、組成物の誘電率異方性を大きくすることができる。成分Ｃは、液晶相の温度範囲を広げる、粘度を調整する、または光学的異方性を調整する、という効果がある。成分Ｃは、素子の電圧−透過率曲線の調整にも有用である。

【0096】

ＳＴＮモード用またはＴＮモード用の組成物を調製する場合には、成分Ｃの含有量は、組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲が適しているが、好ましくは１０〜９７重量％の範囲、より好ましくは４０〜９５重量％の範囲である。この組成物は、成分Ｅを添加することにより液晶相の温度範囲、粘度、光学的異方性、誘電率異方性などを調整できる

【0097】

成分Ｄは、化合物（６）〜（１２）である。これらの化合物は、２、３−ジフルオロ−１，４−フェニレンのように、ラテラル位が２つのハロゲンで置換されたベンゼン環を有する。成分Ｄの好ましい例として、化合物（６−１）〜（６−８）、化合物（７−１）〜（７−１７）、化合物（８−１）、化合物（９−１）〜（９−３）、化合物（１０−１）〜（１０−１１）、化合物（１１−１）〜（１１−３）、および化合物（１２−１）〜（１２−３）を挙げることができる。

【0098】

【0099】

【0100】

これらの化合物（成分Ｄ）において、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５の定義は、項９記載の式（６）〜（１２）と同じである。

【0101】

成分Ｄは、誘電率異方性が負の化合物である。成分Ｄは、主としてＶＡモード用またはＰＳＡモード用の組成物を調製する場合に用いられる。成分Ｄのうち、化合物（６）は２環化合物であるので、主として、粘度の調整、光学的異方性の調整、または誘電率異方性の調整の効果がある。化合物（７）および（８）は３環化合物であるので、上限温度を高くする、光学的異方性を大きくする、または誘電率異方性を大きくするという効果がある。化合物（９）〜（１２）は、誘電率異方性を大きくするという効果がある。

【0102】

ＶＡモード用またはＰＳＡモード用の組成物を調製する場合には、成分Ｄの含有量は、組成物の全重量に対して、好ましくは４０重量％以上であり、より好ましくは５０〜９５重量％の範囲である。成分Ｄを誘電率異方性が正である組成物に添加する場合は、成分Ｄの含有量が組成物の全重量に対して３０重量％以下が好ましい。成分Ｄを添加することにより、組成物の弾性定数を調整し、素子の電圧−透過率曲線を調整することが可能となる。

【0103】

成分Ｅは、２つの末端基がアルキルなどである化合物である。成分Ｅの好ましい例として、化合物（１３−１）〜（１３−１１）、化合物（１４−１）〜（１４−１９）、および化合物（１５−１）〜（１５−７）を挙げることができる。

【0104】

【0105】

これらの化合物（成分Ｅ）において、Ｒ^１６およびＲ^１７の定義は、項１０記載の式（１３）〜（１５）と同じである。

【0106】

成分Ｅは、誘電率異方性の絶対値が小さいので、中性に近い化合物である。化合物（１３）は、主として粘度の調整または光学的異方性の調整の効果がある。化合物（１４）および（１５）は、上限温度を高くすることによってネマチック相の温度範囲を広げる効果、または光学的異方性の調整の効果がある。

【0107】

成分Ｅの含有量を増加させると組成物の粘度が小さくなるが、誘電率異方性が小さくなる。そこで、素子のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は多いほうが好ましい。したがって、ＶＡモード用またはＰＳＡモード用の組成物を調製する場合には、成分Ｅの含有量は、組成物の全重量に対して、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。

【0108】

組成物（１）の調製は、必要な成分を高い温度で溶解させるなどの方法により行われる。用途に応じて、この組成物に添加物を添加してよい。添加物の例は、光学活性化合物、重合可能な化合物、重合開始剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、泡消剤などである。このような添加物は当業者によく知られており、文献に記載されている。

【0109】

組成物（１）は、少なくとも１つの光学活性化合物をさらに含有してもよい。光学活性化合物として、公知のキラルド−プ剤を添加することができる。このキラルド−プ剤は液晶分子にらせん構造を誘起して必要なねじれ角を与えることによって逆ねじれを防ぐ、という効果を有する。キラルド−プ剤の好ましい例として、下記の化合物（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−１８）を挙げることができる。化合物（Ｏｐ−１８）において、環Ｊは１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンであり、Ｒ^２４は炭素数１〜１０のアルキルである。

【0110】

【0111】

組成物（１）は、このような光学活性化合物を添加して、らせんピッチを調整する。らせんピッチは、ＴＦＴモード用およびＴＮモード用の組成物であれば４０〜２００μｍの範囲に調整するのが好ましい。ＳＴＮモード用の組成物であれば６〜２０μｍの範囲に調整するのが好ましい。ＢＴＮモード用の組成物の場合は、１．５〜４μｍの範囲に調整するのが好ましい。らせんピッチの温度依存性を調整する目的で２つ以上の光学活性化合物を添加してもよい。

【0112】

組成物（１）は、重合可能な化合物を添加することによってＰＳＡモード用に使用することもできる。重合可能な化合物の例は、アクリレート、メタクリレート、ビニル化合物、ビニルオキシ化合物、プロペニルエーテル、エポキシ化合物（オキシラン、オキセタン）、ビニルケトンなどであり、好ましい例として、下記の化合物（Ｍ−１）〜（Ｍ−１２）を挙げることができる。重合可能な化合物は、紫外線照射などにより重合する。光重合開始剤などの適切な開始剤の存在下で重合せさてもよい。重合のための適切な条件、開始剤の適切なタイプ、および適切な量は、当業者には既知であり、文献に記載されている。

【0113】

化合物（Ｍ−１）〜（Ｍ−１２）において、Ｒ^２０は水素またはメチルであり；ｓは０または１であり；ｔおよびｕは独立して、１〜１０の整数である。かっこに入れた記号Ｆは、水素またはフッ素を意味する。

【0114】

【0115】

酸化防止剤は、大きな電圧保持率を維持するために有効である。酸化防止剤の好ましい例として、下記の化合物（ＡＯ−１）および（ＡＯ−２）；ＩＲＧＡＮＯＸ ４１５、ＩＲＧＡＮＯＸ ５６５、ＩＲＧＡＮＯＸ １０１０、ＩＲＧＡＮＯＸ １０３５、ＩＲＧＡＮＯＸ ３１１４、およびＩＲＧＡＮＯＸ １０９８（商品名：ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。紫外線吸収剤は、上限温度の低下を防ぐために有効である。紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。具体例として下記の化合物（ＡＯ−３）および（ＡＯ−４）；ＴＩＮＵＶＩＮ ３２９、ＴＩＮＵＶＩＮ Ｐ、ＴＩＮＵＶＩＮ ３２６、ＴＩＮＵＶＩＮ ２３４、ＴＩＮＵＶＩＮ ２１３、ＴＩＮＵＶＩＮ ４００、ＴＩＮＵＶＩＮ ３２８、およびＴＩＮＵＶＩＮ ９９−２（商品名：ＢＡＳＦ社）；および１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）を挙げることができる。

【0116】

立体障害のあるアミンのような光安定剤は、大きな電圧保持率を維持するために好ましい。光安定剤の好ましい例として、下記の化合物（ＡＯ−５）および（ＡＯ−６）；ＴＩＮＵＶＩＮ １４４、ＴＩＮＵＶＩＮ ７６５、およびＴＩＮＵＶＩＮ ７７０ＤＦ（商品名：ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。熱安定剤も大きな電圧保持率を維持するために有効であり、好ましい例としてＩＲＧＡＦＯＳ １６８（商品名：ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。消泡剤は、泡立ちを防ぐために有効である。消泡剤の好ましい例は、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどである。

【0117】

【0118】

化合物（ＡＯ−１）において、Ｒ^２５は炭素数１〜２０のアルキル、炭素数１〜２０のアルコキシ、−ＣＯＯＲ^２６、または−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＲ^２６であり；Ｒ^２６は炭素数１〜２０のアルキルである。化合物（ＡＯ−２）および（ＡＯ−５）において、Ｒ^２７は炭素数１〜２０のアルキルである。化合物（ＡＯ−５）において、環Ｋおよび環Ｌは１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンであり、ｖは０、１、または２であり、Ｒ^２８は水素、メチルまたはＯ^・である。

【0119】

組成物（１）は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系などの二色性色素を添加すれば、ＧＨ（guest host）モード用に使用することもできる。

【0120】

組成物（１）では、成分化合物の種類と割合とを適切に調整することによって上限温度を７０℃以上とすること、下限温度を−１０℃以下とすることができるので、ネマチック相の温度範囲が広い。したがって、この組成物を含む液晶表示素子は広い温度範囲で使用することが可能である。

【0121】

組成物（１）では、成分化合物の種類と割合とを適切に調整することによって、光学異方性を０．１０〜０．１３の範囲、または０．０５〜０．１８の範囲とすることができる。同様にして、誘電率異方性を−５．０〜−２．０の範囲に調整することができる。好ましい誘電率異方性は、−４．５〜−２．５の範囲である。この範囲の誘電率異方性を有する組成物（１）は、ＩＰＳモード、ＶＡモード、またはＰＳＡモードで動作する液晶表示素子に好適に使用することができる。

【0122】

３．液晶表示素子
組成物（１）は、ＡＭ素子への使用が可能である。さらにＰＭ素子への使用も可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＦＦＳ、ＶＡ、ＰＳＡ、ＦＰＡなどのモードを有するＡＭ素子およびＰＭ素子への使用が可能である。ＴＮ、ＯＣＢ、ＩＰＳモードまたはＦＦＳモードを有するＡＭ素子への使用は特に好ましい。ＩＰＳモードまたはＦＦＳモードを有するＡＭ素子において、電圧が無印加状態での液晶分子の配列がパネル基板に対して並行あるいは垂直であってもよい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。透過型の素子への使用は好ましい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）型の素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）型の素子にも使用できる。

【0123】

組成物（１）は、負の誘電率異方性を有するので、ＶＡモード、ＩＰＳモード、またはＰＳＡモードなどの動作モードを有し、ＡＭ方式で駆動する液晶表示素子に好適に用いることができる。この組成物は、ＶＡモードを有し、ＡＭ方式で駆動する液晶表示素子に、特に好適に用いることができる。

【0124】

ＴＮモード、ＶＡモードなどで動作する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して垂直である。一方、ＩＰＳモードなどで動作する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して平行である。ＶＡモードで動作する液晶表示素子の構造は、K. Ohmuro, S. Kataoka, T. Sasaki and Y. Koike, SID ’97 Digest of Technical Papers, 28, 845 (1997) に報告されている。ＩＰＳモードで動作する液晶表示素子の構造は、国際公開９１／１０９３６号パンフレット（ファミリー：米国特許第５５７６８６７明細書）に報告されている。

【実施例】

【0125】

実施例により本発明をさらに詳しく説明する。本発明はこれら実施例によっては制限されない。

【0126】

１−１．化合物（１−１）の実施例
化合物（１−１）は、下記の手順により合成した。合成した化合物は、ＮＭＲ分析などの方法により同定した。化合物の物性は、下記に記載した方法により測定した。

【0127】

ＮＭＲ分析
測定装置は、ＤＲＸ−５００（ブルカーバイオスピン（株）社製）を用いた。^１Ｈ−ＮＭＲの測定では、試料をＣＤＣｌ_３などの重水素化溶媒に溶解させ、測定は、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数１６回の条件で行った。テトラメチルシランを内部標準として用いた。^１９Ｆ−ＮＭＲの測定では、ＣＦＣｌ_３を内部標準として用い、積算回数２４回で行った。核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｑｕｉｎはクインテット、ｓｅｘはセクステット、ｍはマルチプレット、ｂｒはブロードであることを意味する。

【0128】

測定試料
相構造および転移温度を測定するときには、液晶性化合物そのものを試料として用いた。ネマチック相の上限温度、粘度、光学的異方性、誘電率異方性などの物性を測定するときには、化合物を母液晶に混合して調製した組成物を試料として用いた。

【0129】

化合物を母液晶と混合した試料を用いる場合には、次の方法で測定を行った。化合物１５重量％と母液晶８５重量％とを混合して試料を調製した。この試料の測定値から、次の式で表わされる外挿法にしたがって、外挿値を計算し、この値を記載した。〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉）／〈化合物の重量％〉

【0130】

化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、結晶（または、スメクチック相）が２５℃で析出する場合には、化合物と母液晶との割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、結晶（または、スメクチック相）が２５℃で析出しなくなった割合で試料の物性を測定した。なお、特に断りのない限り、化合物と母液晶との割合は、１５重量％：８５重量％である。

【0131】

母液晶としては、下記の母液晶（ｉ）を用いた。母液晶（ｉ）の成分の割合を重量％で示す。

【0132】

【0133】

測定方法
物性の測定は下記の方法で行った。これらの多くは、社団法人電子情報技術産業協会（Japan Electronics and Information Technology Industries Association；以下、ＪＥＩＴＡと略す）で審議制定されるＪＥＩＴＡ規格（ＪＥＩＴＡ・ＥＤ−２５２１Ａ）に記載された方法、またはこれを修飾した方法であった。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

【0134】

（１）相構造
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に試料を置き、３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。

【0135】

（２）転移温度（℃）
パーキンエルマー社製走査熱量計ＤＳＣ−７システム、またはＤｉａｍｏｎｄ ＤＳＣシステムを用いて、３℃／分速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め、転移温度を決定した。化合物が固体からスメクチック相、ネマチック相などの液晶相に転移する温度を「液晶相の下限温度」と略すことがある。化合物が液晶相から液体に転移する温度を「透明点」と略すことがある。

【0136】

結晶はＣと表した。結晶の種類の区別がつく場合は、それぞれＣ_１またはＣ_２と表した。スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＡ相、スメクチックＢ相、スメクチックＣ相、またはスメクチックＦ相の区別がつく場合は、それぞれＳ_Ａ、Ｓ_Ｂ、Ｓ_Ｃ、またはＳ_Ｆと表した。液体（アイソトロピック）はＩと表した。転移温度は、例えば、「Ｃ ５０．０ Ｎ １００．０ Ｉ」のように表記した。これは、結晶からネマチック相への転移温度が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への転移温度が１００．０℃であることを示す。

【0137】

（３）低温相溶性
化合物の割合が、２０重量％、１５重量％、１０重量％、５重量％、３重量％、および１重量％となるように母液晶と化合物とを混合した試料を調製し、試料をガラス瓶に入れた。このガラス瓶を、−１０℃または−２０℃のフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶（または、スメクチック相）が析出しているかどうか観察をした。

【0138】

（４）ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩまたはＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。試料が化合物と母液晶との混合物であるときは、Ｔ_ＮＩの記号で示した。試料が化合物と成分Ｂなどとの混合物であるときは、ＮＩの記号で示した。

【0139】

（５）ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）
ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、Ｔ_Ｃを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

【0140】

（６）粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
Ｅ型回転粘度計を用いて測定した。

【0141】

（７）粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
測定は、M. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料を入れた。この素子に３０ボルト〜５０ボルトの範囲で１ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とＭ．Ｉｍａｉらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算に必要な誘電率異方性は、下記の誘電率異方性の項で測定した値を用いた。

【0142】

（８）光学的異方性（屈折率異方性；２５℃で測定；Δｎ）
測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学的異方性（Δｎ）の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。

【0143】

（９）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。誘電率（ε‖およびε⊥）は次のように測定した。
１）誘電率（ε‖）の測定：よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであるＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。
２）誘電率（ε⊥）の測定：よく洗浄したガラス基板にポリイミド溶液を塗布した。このガラス基板を焼成した後、得られた配向膜にラビング処理をした。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。

【0144】

（１０）弾性定数（Ｋ_１１およびＫ_３３；２５℃で測定；ｐＮ）
測定には株式会社東陽テクニカ製のＥＣ−１型弾性定数測定器を用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである垂直配向素子に試料を入れた。この素子に２０ボルトから０ボルト電荷を印加し、静電容量および印加電圧を測定した。静電容量（Ｃ）と印加電圧（Ｖ）の値を、「液晶デバイスハンドブック」（日刊工業新聞社）、７５頁にある式（２．９８）、式（２．１０１）を用いてフィッティングし、式（２．１００）から弾性定数の値を得た。

【0145】

（１１）しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）
測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード（normally black mode）のＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。この素子に印加する電圧（６０Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから２０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が１０％になったときの電圧である。

【0146】

（１２）電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃で測定；％）
測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線で硬化する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。

【0147】

（１３）電圧保持率（ＶＨＲ−２；８０℃で測定；％）
測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線で硬化する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。

【0148】

［実施例１］
化合物（１−１−１）の合成

【0149】

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−１）（１０．０ｇ）およびＴＨＦ（１４０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、４９．０ｍｌ）をゆっくりと加え２時間攪拌した後、ホウ酸トリイソプロピル（１２．０ｍｌ）のＴＨＦ（１０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え２時間攪拌した。反応混合物を室温まで昇温し、酢酸（３．６０ｍｌ）を加え３０分撹拌した後、３０％過酸化水素水（９．５２ｇ）を加えた。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２：１）で精製して、化合物（Ｓ−２）（１０．７ｇ；１００％）を得た。

【0150】

第２工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（２．２０ｇ）およびＴＨＦ（８０ｍｌ）を反応器に入れて、０℃に冷却した。そこへ化合物（Ｓ−２）（１０．７ｇ）のＴＨＦ（２０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え１時間撹拌した後、クロロメチルメチルエーテル（３．８２ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝９：１）で精製して、化合物（Ｓ−３）（９．６９ｇ；７７％）を得た。

【0151】

第３工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−３）（９．６９ｇ）およびＴＨＦ（８０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、３６．４ｍｌ）をゆっくりと加え１時間攪拌した後、化合物（Ｓ−４）（６．６５ｇ）のＴＨＦ（４０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−５）（１５．７ｇ；１００％）を得た。

【0152】

第４工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−５）（１５．７ｇ）とジクロロメタン（１４０ｍｌ）を反応器に入れて、−６０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（１０．４ｍｌ）のジクロロメタン（１０ｍｌ）溶液を加え３０分攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２４．６ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷水へ注ぎ込み、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−６）（１１．９ｇ；８６％）を得た。

【0153】

第５工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（１．３４ｇ）とジメチルスルホキシド（１８０ｍｌ）を反応器に入れて、化合物（Ｓ−６）（１１．９ｇ）のジメチルスルホキシド（５０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えて、１２０℃に加熱し３時間撹拌した。反応混合物を氷冷した１規定塩酸溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：トルエン＝２：１）で精製した。さらに２−プロパノールと酢酸エチルとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（１−１−１）（５．１１ｇ；４５％）を得た。

【0154】

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：６．８２（ｄｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，１Ｈ）、６．７３（ｄｄ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，１Ｈ）、６．７０−６．６５（ｍ，１Ｈ）、４．１２（ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、３．９４（ｓ，２Ｈ）、２．７７（ｔｔ，Ｊ＝１２．４，Ｊ＝３．１，１Ｈ）、１．９０−１．８２（ｍ，４Ｈ）、１．５０−１．１８（ｍ，１０Ｈ）、１．１３−１．０３（ｍ，２Ｈ）、０．９０（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，３Ｈ）．

【0155】

化合物（１−１−１）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が５重量％：９５重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ １２５．２ （Ｎ ９９．９） Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝９８．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１４３；誘電率異方性（Δε）＝−１２．０；粘度（η）＝８８．７ｍＰａ・ｓ．

【0156】

［実施例２］
化合物（１−２−１）の合成

【0157】

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−１）（１０．０ｇ）およびＴＨＦ（１６０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、４７．１ｍｌ）をゆっくりと加え２．５時間攪拌した後、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド（６．５０ｍｌ）のＴＨＦ（４０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷冷した飽和塩化アンモニウム水溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２：１）で精製して、化合物（Ｓ−７）（１１．２ｇ；１００％）を得た。

【0158】

第２工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（６．０１ｇ）およびＴＨＦ（１５０ｍｌ）を反応器に入れて、０℃に冷却した。そこへ化合物（Ｓ−８）（２０．０ｇ）のＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液をゆっくりと加え１時間撹拌した後、クロロメチルメチルエーテル（１０．５ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層をジエチルエーテルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−９）（２２．５ｇ；９０％）を得た。

【0159】

第３工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−９）（４．０ｇ）およびＴＨＦ（４０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、２０．６ｍｌ）をゆっくりと加え１時間攪拌した後、化合物（Ｓ−７）（５．３７ｇ）のＴＨＦ（２０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−１０）（８．６８ｇ；９８％）を得た。

【0160】

第４工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−１０）（８．６８ｇ）とジクロロメタン（７５ｍｌ）を反応器に入れて、−６０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（５．７１ｍｌ）のジクロロメタン（５ｍｌ）溶液を加え４５分攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（１３．６ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷水へ注ぎ込み、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２：１）で精製して、化合物（Ｓ−１１）（６．６６ｇ；８６％）を得た。

【0161】

第５工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（０．７５ｇ）とジメチルスルホキシド（８０ｍｌ）を反応器に入れて、化合物（Ｓ−１１）（６．６６ｇ）のジメチルスルホキシド（５０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えて、１２０℃に加熱し５時間撹拌した。反応混合物を氷冷した１規定塩酸溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン/トルエン＝１：１）で精製した。さらに２−プロパノールとトルエンとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（１−２−１）（２．５６ｇ；４０％）を得た。

【0162】

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：６．９２−６．８３（ｍ，２Ｈ）、６．５０（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、４．０８（ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、３．９６（ｓ，２Ｈ）、２．８８−２．８１（ｍ，１Ｈ）、１．９０−１．８２（ｍ，４Ｈ）、１．５３−１．１８（ｍ，１０Ｈ）、１．１４−１．０３（ｍ，２Ｈ）、０．９０（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，３Ｈ）．

【0163】

化合物（１−２−１）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が３重量％：９７重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ １６５．１ Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝１０４．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１４７；誘電率異方性（Δε）＝−１１．７；粘度（η）＝９９．９ｍＰａ・ｓ．

【0164】

［実施例３］
化合物（１−５−１）の合成

【0165】

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−１２）（１０．０ｇ）、炭酸カリウム（２１．３ｇ）、およびＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド（１３０ｍｌ）を反応器に入れて、８０℃に加熱し３０分撹拌した。そこへ化合物（Ｓ−１３）（１３．４ｇ）のＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド（２０ｍｌ）溶液を加えた後、１３０℃に加熱し５時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して、化合物（Ｓ−１４）（１７．４ｇ；８５％）を得た。

【0166】

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−１４）（１７．４ｇ）およびＴＨＦ（２３０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０４Ｍ シクロヘキサン溶液、７８．１ｍｌ）をゆっくりと加え２時間攪拌した後、ホウ酸トリイソプロピル（１８．６ｍｌ）のＴＨＦ（２０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え２時間攪拌した。反応混合物を室温まで昇温し、酢酸（５．８５ｍｌ）を加え３０分撹拌した後、３０％過酸化水素水（１４．７ｇ）を加えた。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）で精製した。さらにヘプタンとトルエンとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（Ｓ−１５）（１８．２ｇ；９８％）を得た。

【0167】

第３工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（３．２４ｇ）およびＴＨＦ（１６０ｍｌ）を反応器に入れて、０℃に冷却した。そこへ化合物（Ｓ−１５）（１７．６ｇ）のＴＨＦ（５０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え１時間撹拌した後、クロロメチルメチルエーテル（５．６５ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝５：１）で精製して、化合物（Ｓ−１６）（１８．９ｇ；９３％）を得た。

【0168】

第４工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−１６）（２．０ｇ）およびＴＨＦ（２０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、６．８３ｍｌ）をゆっくりと加え１時間攪拌した後、化合物（Ｓ−４）（１．２５ｇ）のＴＨＦ（１０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−１７）（２．８７ｇ；９２％）を得た。

【0169】

第５工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−１７）（２．８７ｇ）とジクロロメタン（３０ｍｌ）を反応器に入れて、−６０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（１．７８ｍｌ）を加え１時間攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（４．２２ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷水へ注ぎ込み、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２：１）で精製して、化合物（Ｓ−１８）（２．３９ｇ；９４％）を得た。

【0170】

第６工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（０．２５ｇ）とジメチルスルホキシド（３０ｍｌ）を反応器に入れて、化合物（Ｓ−１８）（２．３９ｇ）のジメチルスルホキシド（２０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えて、１２０℃に加熱し３時間撹拌した。反応混合物を氷冷した１規定塩酸溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：トルエン＝１：１）で精製した。さらに２−プロパノールと酢酸エチルとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（１−５−１）（１．２１ｇ；５３％）を得た。

【0171】

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：６．８１（ｄｄ，Ｊ＝９．３Ｈｚ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，１Ｈ）、６．７０−６．６５（ｍ，１Ｈ）、６．４９（ｄｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，１Ｈ）、４．１２（ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、３．９３（ｓ，２Ｈ）、３．７８（ｄ，Ｊ＝６．５，２Ｈ）、１．９４−１．８７（ｍ，２Ｈ）、１．８４−１．７２（ｍ，３Ｈ）、１．４４（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，３Ｈ）、１．３７−１．２８（ｍ，２Ｈ）、１．２７−１．１５（ｍ，３Ｈ）、１．０５（ｄｑ，Ｊ＝１３．０，Ｊ＝３．２，２Ｈ）、０．９９−０．８６（ｍ，５Ｈ）．

【0172】

化合物（１−５−１）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が１０重量％：９０重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ １０１．４ （Ｎ ９７．６） Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝９４．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１３５；誘電率異方性（Δε）＝−１４．３；粘度（η）＝１０４．０ｍＰａ・ｓ．

【0173】

［実施例４］
化合物（１−５−２）の合成

【0174】

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−１６）（４．０ｇ）およびＴＨＦ（４０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、１３．７ｍｌ）をゆっくりと加え１時間攪拌した後、化合物（Ｓ−１９）（２．８７ｇ）のＴＨＦ（２０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−２０）（６．６１ｇ；１００％）を得た。

【0175】

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−２０）（６．６１ｇ）とジクロロメタン（６０ｍｌ）を反応器に入れて、−６０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（３．８８ｍｌ）を加え１時間攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（９．２２ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷水へ注ぎ込み、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２：１）で精製して、化合物（Ｓ−２１）（５．３１ｇ；９０％）を得た。

【0176】

第３工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（０．５３ｇ）とジメチルスルホキシド（６０ｍｌ）を反応器に入れて、化合物（Ｓ−２１）（５．３１ｇ）のジメチルスルホキシド（４０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えて、１２０℃に加熱し２時間撹拌した。反応混合物を氷冷した１規定塩酸溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：トルエン＝１：１）で精製した。さらに２−プロパノールと酢酸エチルとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（１−５−２）（２．６５ｇ；５２％）を得た。

【0177】

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：６．８１（ｄｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，Ｊ＝１．４Ｈｚ，１Ｈ）、６．７１−６．６５（ｍ，１Ｈ）、６．４９（ｄｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，１Ｈ）、４．０４（ｔ，Ｊ＝６．５，２Ｈ）、３．９３（ｓ，２Ｈ）、３．７９（ｄ，Ｊ＝６．５，２Ｈ）、１．９４−１．８７（ｍ，２Ｈ）、１．８４−１．７２（ｍ，４Ｈ）、１．５７−１．４６（ｍ，３Ｈ）、１．３８−１．２８（ｍ，２Ｈ）、１．２８−１．１５（ｍ，３Ｈ）、１．０５（ｄｑ，Ｊ＝１３．０，Ｊ＝３．３，２Ｈ）、１．１１−０．８６（ｍ，８Ｈ）．

【0178】

化合物（１−５−２）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が５重量％：９５重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ １２４．４ （Ｓ_Ａ ６６．４ Ｎ ９７．５） Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝９４．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１２９；誘電率異方性（Δε）＝−１４．０；粘度（η）＝９５．９ｍＰａ・ｓ．

【0179】

［実施例５］
化合物（１−５−１３）の合成

【0180】

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−１６）（１．０ｇ）およびＴＨＦ（１０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、３．４２ｍｌ）をゆっくりと加え１時間攪拌した後、化合物（Ｓ−２２）（０．５９ｇ）のＴＨＦ（６ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝５：１）で精製して、化合物（Ｓ−２３）（１．２９ｇ；８３％）を得た。

【0181】

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−２３）（１．２９ｇ）とジクロロメタン（１３ｍｌ）を反応器に入れて、−６０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（０．８０ｍｌ）を加え１時間攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（１．９１ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷水へ注ぎ込み、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２：１）で精製して、化合物（Ｓ−２４）（１．１１ｇ；９７％）を得た。

【0182】

第３工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（０．１２ｇ）とジメチルスルホキシド（１２ｍｌ）を反応器に入れて、化合物（Ｓ−２４）（１．１１ｇ）のジメチルスルホキシド（８ｍｌ）溶液をゆっくりと加えて、１２０℃に加熱し７時間撹拌した。反応混合物を氷冷した１規定塩酸溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：トルエン＝４：１）で精製した。さらにヘプタンからの再結晶により精製して、化合物（１−５−１３）（０．３６ｇ；３４％）を得た。

【0183】

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：６．８７−６．８１（ｍ，２Ｈ）、６．４９（ｄｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，Ｊ＝１．９Ｈｚ，１Ｈ）、３．９６（ｓ，２Ｈ）、３．７９（ｄ，Ｊ＝６．４，２Ｈ）、２．６３（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）、１．９４−１．８７（ｍ，２Ｈ）、１．８４−１．７２（ｍ，３Ｈ）、１．６４（ｄｔ，Ｊ＝１４．９，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）、１．３８−１．２８（ｍ，２Ｈ）、１．２８−１．１５（ｍ，３Ｈ）、１．０５（ｄｑ，Ｊ＝１２．９，Ｊ＝３．１，２Ｈ）、１．００−０．８６（ｍ，８Ｈ）．

【0184】

化合物（１−５−１３）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ ９４．６ （Ｓ_Ａ ５３．４ Ｎ ６６．０） Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝６３．３℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１１５；誘電率異方性（Δε）＝−１０．４；粘度（η）＝１２５．２ｍＰａ・ｓ．

【0185】

［実施例６］
化合物（１−６−１）の合成

【0186】

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−１４）（１０．０ｇ）およびＴＨＦ（１５０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、４１．８ｍｌ）をゆっくりと加え２．５時間攪拌した後、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド（５．７７ｍｌ）のＴＨＦ（５０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷冷した飽和塩化アンモニウム水溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：トルエン＝１：１）で精製して、化合物（Ｓ−２５）（９．７２ｇ；８８％）を得た。

【0187】

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−９）（３．０ｇ）およびＴＨＦ（３０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、１５．４ｍｌ）をゆっくりと加え１時間攪拌した後、化合物（Ｓ−２５）（４．４８ｇ）のＴＨＦ（１５ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−２６）（５．９６ｇ；８４％）を得た。

【0188】

第３工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−２６）（５．９６ｇ）とジクロロメタン（６０ｍｌ）を反応器に入れて、−６０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（３．６９ｍｌ）を加え１時間攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（８．７７ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷水へ注ぎ込み、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２：１）で精製して、化合物（Ｓ−２７）（４．７９ｇ；９１％）を得た。

【0189】

第４工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（０．５１ｇ）とジメチルスルホキシド（６０ｍｌ）を反応器に入れて、化合物（Ｓ−２７）（４．７９ｇ）のジメチルスルホキシド（３６ｍｌ）溶液をゆっくりと加えて、１２０℃に加熱し３時間撹拌した。反応混合物を氷冷した１規定塩酸溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、トルエン）で精製した。さらに２−プロパノールとトルエンとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（１−６−１）（２．２９ｇ；５０％）を得た。

【0190】

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：６．８１（ｄｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，Ｊ＝１．３Ｈｚ，１Ｈ）、６．６９−６．６５（ｍ，１Ｈ）、６．５０（ｄｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，Ｊ＝２．２Ｈｚ，１Ｈ）、４．０８（ｑ，Ｊ＝７．０，２Ｈ）、３．９３（ｓ，２Ｈ）、３．８３（ｄ，Ｊ＝６．５，２Ｈ）、１．９４−１．８８（ｍ，２Ｈ）、１．８３−１．７３（ｍ，３Ｈ）、１．４４（ｔ，Ｊ＝７．０，３Ｈ）、１．４０−１．２７（ｍ，２Ｈ）、１．２７−１．１５（ｍ，３Ｈ）、１．０５（ｄｑ，Ｊ＝１２．９，Ｊ＝３．２，２Ｈ）、０．９９−０．８５（ｍ，５Ｈ）．

【0191】

化合物（１−６−１）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ １６９．３ Ｉ．

【0192】

［実施例７］
化合物（１−１−１１）の合成

【0193】

第１工程
実施例１の第１工程と同様にして、化合物（Ｓ−２９）（７．００ｇ；９８％）を得た。

【0194】

第２工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（１．３０ｇ）およびＴＨＦ（６０ｍｌ）を反応器に入れて、０℃に冷却した。そこへ化合物（Ｓ−２９）（７．００ｇ）のＴＨＦ（１０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え１時間撹拌した後、クロロメチルメチルエーテル（２．２６ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝９：１）で精製して、化合物（Ｓ−３０）（６．８６ｇ；８５％）を得た。

【0195】

第３工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−３０）（４．８３ｇ）およびＴＨＦ（６０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、１７．８ｍｌ）をゆっくりと加え１時間攪拌した後、化合物（Ｓ−２２）（３．６８ｇ）のＴＨＦ（１０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝５：１）で精製して、化合物（Ｓ−３１）（５．７０ｇ；７５％）を得た。

【0196】

第４工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−３１）（５．７０ｇ）とジクロロメタン（５５ｍｌ）を反応器に入れて、−６０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（２．８１ｍｌ）のジクロロメタン（５ｍｌ）溶液を加え３０分攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（６．７１ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷水へ注ぎ込み、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−３２）（３．７３ｇ；９４％）を得た。

【0197】

第５工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（０．４０ｇ）とジメチルスルホキシド（６０ｍｌ）を反応器に入れて、化合物（Ｓ−３２）（３．７３ｇ）のジメチルスルホキシド（２０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えて、１２０℃に加熱し６時間撹拌した。反応混合物を氷冷した１規定塩酸溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製した。さらにヘプタンとトルエンとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（１−１−１１）（１．７９ｇ；５０％）を得た。

【0198】

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：６．８５−６．８３（ｍ，２Ｈ）、６．７６−６．７２（ｍ，１Ｈ）、３．９７（ｓ，２Ｈ）、２．７７（ｔｔ，Ｊ＝１２．３，Ｊ＝３．１，１Ｈ）、２．６３（ｔ，Ｊ＝７．２，２Ｈ）、１．９０−１．８２（ｍ，４Ｈ）、１．６４（ｄｔ，Ｊ＝１４．８，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）、１．４４（ｄｑ，Ｊ＝１２．６，Ｊ＝３．０，２Ｈ）、１．３６−１．１９（ｍ，９Ｈ）、１．１２−１．０２（ｍ，２Ｈ）、０．９５（ｔ，Ｊ＝７．３，３Ｈ）、０．９０（ｔ，Ｊ＝７．２，３Ｈ）．

【0199】

化合物（１−１−１１）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が５重量％：９５重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ １１９．４ Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝６６．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１０５；誘電率異方性（Δε）＝−７．０２；粘度（η）＝９３．５ｍＰａ・ｓ．

【0200】

［実施例８］
化合物（１−１−６１）の合成

【0201】

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−３３）（５．８ｇ）およびＴＨＦ（７０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、４９．４ｍｌ）をゆっくりと加え２時間攪拌した後、公知の方法で合成した化合物（Ｓ−３４）（６．５３ｇ）のＴＨＦ（２０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−３５）（１０．５５ｇ；９０％）を得た。

【0202】

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−３５）（１０．５５ｇ）とジクロロメタン（９０ｍｌ）を反応器に入れて、−６０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（６．５６ｍｌ）のジクロロメタン（１０ｍｌ）溶液を加え３０分攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（１０．４３ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷水へ注ぎ込み、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝１０：１）で精製して、化合物（Ｓ−３６）（８．９０ｇ；９０％）を得た。

【0203】

第３工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−３６）（８．９０ｇ）およびＴＨＦ（１００ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、４３．３ｍｌ）をゆっくりと加え２時間攪拌した後、ホウ酸トリイソプロピル（１０．６ｍｌ）のＴＨＦ（２５ｍｌ）溶液をゆっくりと加え２時間攪拌した。反応混合物を室温まで昇温し、酢酸（３．１８ｍｌ）を加え３０分撹拌した後、３０％過酸化水素水（８．４０ｇ）を加えた。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−３７）（９．４９ｇ；１００％）を得た。

【0204】

第４工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（１．９６ｇ）およびＴＨＦ（８０ｍｌ）を反応器に入れて、０℃に冷却した。そこへ化合物（Ｓ−３７）（９．５９ｇ）のＴＨＦ（２０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え１時間撹拌した後、クロロメチルメチルエーテル（３．４１ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝１０：１）で精製して、化合物（Ｓ−３８）（９．３７ｇ；８３％）を得た。
第５工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−３８）（６．２４ｇ）およびＴＨＦ（９０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０１Ｍ シクロヘキサン溶液、２４．７ｍｌ）をゆっくりと加え２時間攪拌した後、化合物（Ｓ−２２）（４．４５ｇ）のＴＨＦ（１０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−３９）（６．７９ｇ；６７％）を得た。

【0205】

第６工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−３９）（６．７９ｇ）とジクロロメタン（６５ｍｌ）を反応器に入れて、−６０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（４．４６ｍｌ）のジクロロメタン（５ｍｌ）溶液を加え３０分攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（１０．６ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷水へ注ぎ込み、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−６）（１．５４ｇ；２６％）を得た。

【0206】

第７工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（０．２２ｇ）とジメチルスルホキシド（２５ｍｌ）を反応器に入れて、化合物（Ｓ−６）（１．５４ｇ）のジメチルスルホキシド（１５ｍｌ）溶液をゆっくりと加えて、１２０℃に加熱し１７時間撹拌した。反応混合物を氷冷した１規定塩酸溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝１０：１）で精製した。さらにヘプタンと酢酸エチルとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（１−１−６１）（０．２６；１８％）を得た。

【0207】

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：７．０６−７．０２（ｍ，１Ｈ）、６．８８−６．８２（ｍ，２Ｈ）、４．５５（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，１Ｈ）、４．１１−４．０６（ｍ，１Ｈ）、３．９９（ｓ，２Ｈ）、３．２４（ｔ，Ｊ＝１１．３，１Ｈ）、２．６３（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）、２．０１−１．９４（ｍ，１Ｈ）、１．９３−１．８７（ｍ，１Ｈ）、１．７４−１．４８（ｍ，４Ｈ）、１．４４−１．０７（ｍ，５Ｈ）、０．９８−０．８８（ｍ，６Ｈ）．

【0208】

化合物（１−１−６１）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が１０重量％：９０重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ １１５．９ Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝３５．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．０９２；誘電率異方性（Δε）＝−３．２８；粘度（η）＝１００．５ｍＰａ・ｓ．

【0209】

［実施例９］
化合物（１−１−７１）の合成

【0210】

第１工程
窒素雰囲気下、公知の方法で合成した化合物（Ｓ−４１）（１１．６ｇ）およびＴＨＦ（１５０ｍｌ）を反応器に入れて、０℃に冷却した。そこへｎ−ブチルリチウム（１．６５Ｍ シクロヘキサン溶液、８４．０ｍｌ）をゆっくりと加え３０分攪拌した後、−７０℃に冷却した。公知の方法で合成した化合物（Ｓ−４２）（６．８４ｇ）のＴＨＦ（４０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた。そこへ、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（１０．４ｍｌ）をゆっくりと加え４０分攪拌した後、室温まで昇温した。反応混合物を８０％ギ酸水溶液へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル）で精製して、化合物（Ｓ−４３）（１８．６ｇ；１００％）を得た。

【0211】

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−４３）（１８．６ｇ）、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物（０．５６ｇ）とトルエン（９０ｍｌ）を反応器に入れて、２時間３０分加熱還流した。反応混合物を飽和重曹水へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン/酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−４４）（１１．９ｇ；６９％）を得た。

【0212】

第３工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−４４）（１１．９ｇ）およびトルエン（２４０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへ水素化ジイソブチルアルミニウム（１．００Ｍ トルエン溶液、１０３．１ｍｌ）をゆっくりと加え２時間攪拌した。反応混合物を８０％ギ酸水溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、化合物（Ｓ−４５）（１２．０ｇ；１００％）を得た。

【0213】

第４工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−４５）（１２．０ｇ）とジクロロメタン（１１０ｍｌ）を反応器に入れて、室温で攪拌した。そこへトリエチルシラン（１１．２ｍｌ）のジクロロメタン（１０ｍｌ）溶液を加え３０分攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（４．５７ｍｌ）をゆっくりと加えた。反応混合物を水へ注ぎ込み、有機層を飽和重曹水、水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝１０：１）で精製して、化合物（Ｓ−４６）（１１．３ｇ；１００％）を得た。

【0214】

第５工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−４６）（１１．３ｇ）およびＴＨＦ（２００ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（０．９７Ｍ シクロヘキサン溶液、６０．５ｍｌ）をゆっくりと加え２時間攪拌した後、ホウ酸トリイソプロピル（１３．５ｍｌ）のＴＨＦ（４０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え２時間攪拌した。反応混合物を室温まで昇温し、酢酸（４．０３ｍｌ）を加え３０分撹拌した後、３０％過酸化水素水（１０．７ｇ）を加えた。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２：１）で精製して、化合物（Ｓ−４７）（１２．０ｇ；１００％）を得た。

【0215】

第６工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（２．４５ｇ）およびＴＨＦ（９０ｍｌ）を反応器に入れて、０℃に冷却した。そこへ化合物（Ｓ−４７）（１２．０ｇ）のＴＨＦ（３０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え１時間撹拌した後、クロロメチルメチルエーテル（４．２７ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝５：１）で精製して、化合物（Ｓ−４８）（１１．６ｇ；８３％）を得た。
第７工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−４８）（６．００ｇ）およびＴＨＦ（６０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（０．９７Ｍ シクロヘキサン溶液、２４．７ｍｌ）をゆっくりと加え２時間攪拌した後、化合物（Ｓ−２２）（５．４７ｇ）のＴＨＦ（３０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝５：１）で精製して、化合物（Ｓ−４９）（８．４０ｇ；８７％）を得た。

【0216】

第８工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−４９）（７．９０ｇ）とジクロロメタン（７５ｍｌ）を反応器に入れて、−６０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（５．１９ｍｌ）のジクロロメタン（５ｍｌ）溶液を加え３０分攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（１８．５ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷水へ注ぎ込み、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−５４）（６．９０ｇ；１００％）を得た。

【0217】

第９工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（０．７２ｇ）とジメチルスルホキシド（８０ｍｌ）を反応器に入れて、化合物（Ｓ−５４）（６．４０ｇ）のジメチルスルホキシド（５０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えて、１２０℃に加熱し８時間撹拌した。反応混合物を氷冷した１規定塩酸溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝５：１）で精製した。さらに２−プロパノールと酢酸エチルとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（１−１−７１）（１．５４ｇ；２５％）を得た。

【0218】

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：６．８８−６．８２（ｍ，２Ｈ）、６．７３−６．６９（ｍ，１Ｈ）、４．０４−３．９６（ｍ，３Ｈ）、３．４１（ｔ，Ｊ＝１１．０，１Ｈ）、３．３８−３．３１（ｍ，１Ｈ）、３．１０（ｔｔ，Ｊ＝１１．６，Ｊ＝３．７，１Ｈ）、２．６３（ｔ，Ｊ＝７．４，２Ｈ）、２．０２−１．９５（ｍ，１Ｈ）、１．８３−１．７２（ｍ，２Ｈ）、１．６９−１．３４（ｍ，７Ｈ）、０．９８−０．９２（ｍ，６Ｈ）．

【0219】

化合物（１−１−７１）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が１０重量％：９０重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ １１７．７ Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝３３．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１０６；誘電率異方性（Δε）＝−１０．６６；粘度（η）＝１１９．４ｍＰａ・ｓ．

【0220】

［実施例１０］
化合物（１−３−１）の合成

【0221】

第１工程
窒素雰囲気下、公知の方法で合成した化合物（Ｓ−５５）（２０．０ｇ）とＴＨＦ（４５ｍｌ）を反応器に入れて、−２０℃に冷却した。そこへ、カリウムｔ−ブトキシド（４．０８ｇ）を少量ずつ加え１時間攪拌した後、公知の方法で合成した化合物（Ｓ−５６）（４．３０ｇ）のＴＨＦ（５ｍｌ）溶液をゆっくりと加え、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン）で精製して、化合物（Ｓ−５７）（７．９１ｇ；９９％）を得た。

【0222】

第２工程
水素雰囲気下、化合物（Ｓ−５７）（７．９１ｇ）、５％パラジウム炭素（０．４０ｇ）と２−プロパノール（２４ｍｌ）を反応器に入れて１２時間攪拌した。反応混合物を濾過した後、この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン）で精製して、化合物（Ｓ−５８）（６．７５ｇ；８５％）を得た。

【0223】

第３工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−５８）（６．７５ｇ）およびＴＨＦ（９０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、２９．６ｍｌ）をゆっくりと加え２時間攪拌した後、ホウ酸トリイソプロピル（７．２７ｍｌ）のＴＨＦ（１０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え２時間攪拌した。反応混合物を室温まで昇温し、酢酸（２．１８ｍｌ）を加え３０分撹拌した後、３０％過酸化水素水（５．７５ｇ）を加えた。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−５９）（７．１６ｇ；１００％）を得た。

【0224】

第４工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（１．３３ｇ）およびＴＨＦ（５０ｍｌ）を反応器に入れて、０℃に冷却した。そこへ化合物（Ｓ−５９）（７．１６ｇ）のＴＨＦ（２０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え１時間撹拌した後、クロロメチルメチルエーテル（２．３１ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝１０：１）で精製して、化合物（Ｓ−６０）（８．０５ｇ；９７％）を得た。

【0225】

第５工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−６０）（８．０５ｇ）およびＴＨＦ（１００ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、２９．６ｍｌ）をゆっくりと加え２時間攪拌した後、化合物（Ｓ−４）（４．５９ｇ）のＴＨＦ（２０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−６１）（１２．６ｇ；１００％）を得た。

【0226】

第６工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−６１）（１２．６ｇ）とジクロロメタン（１１０ｍｌ）を反応器に入れて、−６０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（７．８６ｍｌ）のジクロロメタン（１０ｍｌ）溶液を加え３０分攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（１８．８ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷水へ注ぎ込み、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝１０：１）で精製して、化合物（Ｓ−６２）（９．８０ｇ；８８％）を得た。

【0227】

第７工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（１．０４ｇ）とジメチルスルホキシド（１６０ｍｌ）を反応器に入れて、化合物（Ｓ−６２）（９．８０ｇ）のジメチルスルホキシド（４０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えて、１１０℃に加熱し４時間撹拌した。反応混合物を氷冷した１規定塩酸溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：トルエン＝２：１）で精製した。さらに２−プロパノールとトルエンとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（１−３−１）（４．３９ｇ；４７％）を得た。

【0228】

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：６．８５−６．８０（ｍ，１Ｈ）、６．７２−６．６６（ｍ，２Ｈ）、４．１２（ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、３．９４（ｓ，２Ｈ）、２．６１（ｔ，Ｊ＝７．７，２Ｈ）、１．８３−１．７１（ｍ，４Ｈ）、１．５０−１．４１（ｍ，５Ｈ）、１．３６−１．２６（ｍ，２Ｈ）、１．２５−１．１１（ｍ，４Ｈ）、０．９９−０．８２（ｍ，７Ｈ）．

【0229】

化合物（１−３−１）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が１重量％：９９重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ １４０．９ Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝８４．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１４７；誘電率異方性（Δε）＝−１２．３７．

【0230】

［実施例１１］
化合物（１−５−３）の合成

【0231】

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−１２）（１０．０ｇ）、炭酸カリウム（２１．３ｇ）、およびＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド（１３０ｍｌ）を反応器に入れて、８０℃に加熱し３０分撹拌した。そこへ化合物（Ｓ−６３）（１３．４ｇ）のＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド（２０ｍｌ）溶液を加えた後、１３０℃に加熱し４時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製した。さらにソルミックスとヘプタンとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（Ｓ−６４）（１７．４ｇ；７６％）を得た。

【0232】

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−６４）（１７．４ｇ）およびＴＨＦ（２３０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（０．９７Ｍ シクロヘキサン溶液、７５．５ｍｌ）をゆっくりと加え３時間攪拌した後、ホウ酸トリイソプロピル（１６．８ｍｌ）のＴＨＦ（２０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え２時間攪拌した。反応混合物を室温まで昇温し、酢酸（５．０３ｍｌ）を加え３０分撹拌した後、３０％過酸化水素水（１３．３ｇ）を加えた。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝５：１）で精製して、化合物（Ｓ−６５）（１７．８ｇ；９７％）を得た。

【0233】

第３工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（２．９８ｇ）およびＴＨＦ（１５０ｍｌ）を反応器に入れて、０℃に冷却した。そこへ化合物（Ｓ−６５）（１７．８ｇ）のＴＨＦ（３０ｍｌ）溶液をゆっくりと加え１時間撹拌した後、クロロメチルメチルエーテル（５．１８ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝９：１）で精製して、化合物（Ｓ−６６）（１９．１ｇ；９４％）を得た。

【0234】

第４工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−６６）（５．０ｇ）およびＴＨＦ（５０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（０．９７Ｍ シクロヘキサン溶液、１７．４ｍｌ）をゆっくりと加え１時間攪拌した後、化合物（Ｓ−４）（２．８７ｇ）のＴＨＦ（２５ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−６７）（７．６１ｇ；１００％）を得た。

【0235】

第５工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−６７）（７．６１ｇ）とジクロロメタン（６５ｍｌ）を反応器に入れて、−６０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（４．４７ｍｌ）のジクロロメタン（５ｍｌ）溶液を加え２０分攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（１０．６ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷水へ注ぎ込み、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２：１）で精製して、化合物（Ｓ−６８）（６．２２ｇ；９２％）を得た。

【0236】

第６工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（０．６２ｇ）とジメチルスルホキシド（７０ｍｌ）を反応器に入れて、化合物（Ｓ−６８）（６．２２ｇ）のジメチルスルホキシド（５５ｍｌ）溶液をゆっくりと加えて、１２０℃に加熱し３時間撹拌した。反応混合物を氷冷した１規定塩酸溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：トルエン＝１：１）で精製した。さらにヘプタンとトルエンとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（１−５−３）（２．４７ｇ；４１％）を得た。

【0237】

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：６．８２（ｄｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ）、６．６８（ｔ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）、６．５２−６．４７（ｍ，１Ｈ）、４．１２（ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、３．９３（ｓ，２Ｈ）、３．７８（ｄ，Ｊ＝６．４，２Ｈ）、１．９４−１．７２（ｍ，５Ｈ）、１．４４（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，３Ｈ）、１．３６−１．１５（ｍ，９Ｈ）、１．１１−０．８５（ｍ，７Ｈ）．

【0238】

化合物（１−５−３）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が１０重量％：９０重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ １１７．５（Ｎ １０３．８） Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝１００．６℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１３５；誘電率異方性（Δε）＝−１３．２；粘度（η）＝１１５．１ｍＰａ・ｓ．

【0239】

［実施例１２］
化合物（１−５−１８）の合成

【0240】

第１工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−６６）（１０．７ｇ）およびＴＨＦ（１２０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０２Ｍ シクロヘキサン溶液、３５．２ｍｌ）をゆっくりと加え２時間攪拌した後、化合物（Ｓ−４）（６．４０ｇ）のＴＨＦ（３０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−７０）（１５．０ｇ；９１％）を得た。

【0241】

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−７０）（１５．０ｇ）とジクロロメタン（１１０ｍｌ）を反応器に入れて、−６０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（８．６７ｍｌ）のジクロロメタン（１０ｍｌ）溶液を加え２０分攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２０．７ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷水へ注ぎ込み、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝８：１）で精製して、化合物（Ｓ−７１）（９．３２ｇ；７０％）を得た。

【0242】

第３工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（０．９１ｇ）とジメチルスルホキシド（１３０ｍｌ）を反応器に入れて、化合物（Ｓ−７１）（９．３２ｇ）のジメチルスルホキシド（５０ｍｌ）溶液をゆっくりと加えて、１２０℃に加熱し６時間撹拌した。反応混合物を氷冷した１規定塩酸溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：トルエン＝４：１）で精製した。さらに２−プロパノールと酢酸エチルとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（１−５−１８）（１．４２ｇ；１６％）を得た。

【0243】

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ₃）：６．８７−６．８１（ｍ，２Ｈ）、６．４９（ｄｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，１Ｈ）、５．８９−５．７９（ｍ，１Ｈ）、５．０６−４．９６（ｍ，２Ｈ）、３．９７（ｓ，２Ｈ）、３．７８（ｄ，Ｊ＝６．４，２Ｈ）、２．７５（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）、２．３７（ｑ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）、１．９２−１．７２（ｍ，５Ｈ）、１．３５−１．１４（ｍ，９Ｈ）、１．１１−０．８６（ｍ，７Ｈ）．

【0244】

化合物（１−５−１８）の物性は、次のとおりであった。
転移温度：Ｃ ８８．９（ＳＡ ７７．９ Ｎ ８５．８） Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝７５．９℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．１２０３；誘電率異方性（Δε）＝−９．６２；粘度（η）＝１１２．３ｍＰａ・ｓ．

【0245】

既に記載した化合物（１）の合成法および実施例１〜４に記載した合成手順に従って以下に示す化合物（１−１−１）〜（１−１−７５）、化合物（１−２−１）〜（１−２−５５）、化合物（１−３−１）〜（１−３−４７）、化合物（１−４−１）〜（１−４−５１）、化合物（１−５−１）〜（１−５−７２）、化合物（１−６−１）〜（１−６−４４）、化合物（１−７−１）〜（１−７−５６）、化合物（１−８−１）〜（１−８−４０）、化合物（１−９−１）〜（１−９−３７）、化合物（１−１０−１）〜（１−１０−２８）、および化合物（１−１１−１）〜（１−１１−２７）を合成できる。

【0246】

【0247】

【0248】

【0249】

【0250】

【0251】

【0252】

【0253】

【0254】

【0255】

【0256】

【0257】

【0258】

【0259】

【0260】

【0261】

【0262】

【0263】

【0264】

【0265】

【0266】

【0267】

【0268】

【0269】

【0270】

【0271】

【0272】

【0273】

【0274】

【0275】

【0276】

【0277】

【0278】

【0279】

【0280】

【0281】

【0282】

【0283】

【0284】

【0285】

【0286】

【0287】

【0288】

【0289】

【0290】

【0291】

【0292】

【0293】

【0294】

【0295】

【0296】

【0297】

【0298】

【0299】

【0300】

【0301】

【0302】

【0303】

【0304】

【0305】

【0306】

【0307】

【0308】

【0309】

【0310】

【0311】

【0312】

【0313】

【0314】

［比較例１］
比較化合物として、化合物（Ｃ−１）を合成した。この化合物は、特開第２００５−３１４４１７号公報に記載されているからである。

【0315】

比較化合物（Ｃ−１）の合成

【0316】

第１工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（２．１３ｇ）およびＴＨＦ（３５ｍｌ）を反応器に入れて、０℃に冷却した。そこへ化合物（Ｓ−５０）（１７．６ｇ）のＴＨＦ（１５ｍｌ）溶液をゆっくりと加え１時間撹拌した後、クロロメチルメチルエーテル（３．７１ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層をジエチルエーテルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−５１）（６．３０ｇ；８２％）を得た。

【0317】

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−５１）（６．３０ｇ）およびＴＨＦ（６０ｍｌ）を反応器に入れて、−７０℃に冷却した。そこへｓ−ブチルリチウム（１．０７Ｍ シクロヘキサン溶液、３７．６ｍｌ）をゆっくりと加え１時間攪拌した後、化合物（Ｓ−２２）（５．２５ｇ）のＴＨＦ（３５ｍｌ）溶液をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を水へ注ぎ込み、水層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）で精製して、化合物（Ｓ−５２）（６．０８ｇ；５７％）を得た。

【0318】

第５工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｓ−５２）（６．０８ｇ）とジクロロメタン（６０ｍｌ）を反応器に入れて、−６０℃に冷却した。そこへトリエチルシラン（５．２０ｍｌ）を加え１時間攪拌した後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（１２．４ｍｌ）をゆっくりと加えた後、室温まで昇温した。反応混合物を氷水へ注ぎ込み、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：酢酸エチル＝２：１）で精製して、化合物（Ｓ−５３）（４．８２ｇ；９５％）を得た。

【0319】

第６工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（０．７４ｇ）とジメチルスルホキシド（６０ｍｌ）を反応器に入れて、化合物（Ｓ−５３）（４．８２ｇ）のジメチルスルホキシド（３５ｍｌ）溶液をゆっくりと加えて、１２０℃に加熱し９時間撹拌した。反応混合物を氷冷した１規定塩酸溶液へ注ぎ込み、水層をトルエンで抽出した。合わせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（容積比、ヘプタン：トルエン＝４：１）で精製した。さらに２−プロパノールと酢酸エチルとの混合溶媒（容積比、１：１）からの再結晶により精製して、化合物（Ｃ−１）（１．９６ｇ；４３％）を得た。

【0320】

化学シフトδ（ｐｐｍ；ＣＤＣｌ_３）：６．８８−６．８２（ｍ，２Ｈ）、６．７２（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．９６（ｓ，２Ｈ）、２．６７−２．６０（ｍ，２Ｈ）、２．２６（ｄ，Ｊ＝２．０，３Ｈ）、１．６９−１．６０（ｍ，２Ｈ）、０．９５（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，３Ｈ）．

【0321】

比較化合物（Ｃ−１）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性、誘電率異方性、および粘度の測定には、化合物と母液晶との割合が５重量％：９５重量％である試料を用いた。
転移温度：Ｃ １１２．５ Ｉ．
上限温度（Ｔ_NI）＝−５３．４℃；光学的異方性（Δｎ）＝０．０９７；誘電率異方性（Δε）＝−７．２；粘度（η）＝６７．０ｍＰａ・ｓ．

【0322】

実施例３および５で得られた化合物（１−５−１）および（１−５−１３）と比較化合物（Ｃ−１）の物性を比較すると、化合物（１−５−１）および（１−５−１３）の方が、負の誘電率異方性が大きく、透明点および他の液晶性化合物との相溶性が高く、かつ、液晶相を示す点で優れた化合物であることが分かった。この結果は、トリフルオロキサンテン骨格に結合した環構造を有することによる効果である。

【0323】

１−２．組成物（１）の実施例
実施例により本発明の液晶組成物（１）を詳細に説明する。本発明はこれらの実施例によっては制限されない。本発明は、実施例の組成物６と実施例７の組成物との混合物を含む。本発明は、実施例の組成物の少なくとも２つを混合した混合物をも含む。実施例における化合物は、下記の表２の定義に基づいて記号により表した。表２において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。最後に、組成物の物性値をまとめた。物性は、先に記載した方法にしたがって測定し、測定値を外挿することなくそのまま記載した。

【0324】

【0325】

［実施例６］
３−Ｈ１ＯＸｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−Ｏ２
（１−５−１） ３％
２−ＨＢ−Ｃ （５−１） ５％
３−ＨＢ−Ｃ （５−１） １２％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） １２％
２−ＢＴＢ−１ （１３−１０） ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ５％
３−ＨＨＢ−３ （１４−１） １４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ５％
ＮＩ＝１０２．７℃；Δｎ＝０．１０２；Δε＝４．１；η＝２１．３ｍＰａ・ｓ．

【0326】

［実施例７］
３−Ｈ１ＯＸｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−Ｏ４
（１−５−２） ３％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） １６％
３−ＨＨ−４ （１３−１） １２％
３−ＨＨ−５ （１３−１） ４％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （３−１） ３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） １０％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ９％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ９％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ２％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１５） ３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１５） ３％
ＮＩ＝１１０．２℃；Δｎ＝０．０８９；Δε＝３．３；η＝２０．４ｍＰａ・ｓ．

【0327】

［実施例８］
３−Ｈ１ＯＸｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−３
（１−５−１３） ３％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） ３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ （２−３） ７％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ （１３−２） ２３％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０３） ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０３） ６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０６） ４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０６） ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０９） ４％
ＮＩ＝８０．１℃；Δｎ＝０．０６６；Δε＝４．７；η＝２１．６ｍＰａ・ｓ．

【0328】

［実施例９］
３−ＨＸｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−Ｏ２（１−１−１） ３％
３−ＨＢ−Ｏ１ （１３−５） １５％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １３％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １０％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ６％
ＮＩ＝８４．６℃；Δｎ＝０．０９１；Δε＝−３．６；η＝３６．７ｍＰａ・ｓ．

【0329】

［実施例１０］
２Ｏ−Ｘｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）Ｈ−３（１−２−１） １％
３−ｄｈＸｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−３（１−１−６１） ３％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ８％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） ２２％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） １８％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ３％
４−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ２％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ２％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ９％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ９％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （１４−１） ６％
３−ＨＨＢ−３ （１４−１） ６％
３−ＨＨＥＢＨ−３ （１５−６） ３％
３−ＨＨＥＢＨ−４ （１５−６） ３％
３−ＨＨＥＢＨ−５ （１５−６） ３％
ＮＩ＝９２．８℃；Δｎ＝０．１０１；Δε＝−４．１；η＝３２．２ｍＰａ・ｓ．

【0330】

［実施例１１］
５−Ｈ１ＯＸｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−Ｏ２
（１−５−３） ３％
２−ＨＨ−５ （１３−１） ３％
３−ＨＨ−４ （１３−１） １５％
３−ＨＨ−５ （１３−１） ４％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） １２％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） １２％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） １５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ５％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ９％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ９％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ３％
３−ＨＨＢ−３ （１４−１） ４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ３％
ＮＩ＝７８．５℃；Δｎ＝０．０９５；Δε＝−４．３；η＝２２．１ｍＰａ・ｓ．

【0331】

［実施例１２］
５−ＢＸｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−３ （１−１−３５） ３％
２−ＨＨ−３ （１３−１） ２１％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ９％
１−ＢＢ−３ （１３−８） ９％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） ２％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−３） ９％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−３） ６％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−５） １０％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−５） ２１％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ５％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ３％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−２ （１４−８） ２％

【0332】

［実施例１３］
３−ＤｈＸｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−Ｏ２
（１−１−６６） ３％
２−ＨＨ−３ （１３−１） １６％
７−ＨＢ−１ （１３−５） １０％
５−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） ８％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １７％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １６％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ３％
４−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ３％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ２％
３−ＨＨ１ＯＣｒｏ（７Ｆ，８Ｆ）−５（１０−６） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （１５−５） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （１５−５） ７％

【0333】

［実施例１４］
３−ＤｈＸｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−３（１−１−７１） ３％
１−ＢＢ−３ （１３−８） １０％
３−ＨＨ−Ｖ （１３−１） ２６％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−３） １３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） １０％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−５） １０％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−５） １４％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ８％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−２ （１４−８） ６％
ＮＩ＝７４．４℃；Δｎ＝０．１０８；Δε＝−３．３；η＝１８．８ｍＰａ・ｓ．

【0334】

［実施例１５］
Ｖ−Ｈ１ＯＸｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−Ｏ２
（１−５−４） ３％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−５７） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ７％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ３％
３−ＨＨ−Ｖ （１３−１） ４１％
３−ＨＨ−Ｖ１ （１３−１） ７％
３−ＨＨＥＨ−５ （１４−１３） ３％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ４％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （１４−１） ２％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１ （１４−６） ５％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ （２−１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−９７） ６％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１１３） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ３％

【0335】

［実施例１６］
３−ｄｈＸｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−Ｏ２
（１−１−５７） ３％
２−ＨＢ−Ｃ （５−１） ５％
３−ＨＢ−Ｃ （５−１） １２％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） １２％
２−ＢＴＢ−１ （１３−１０） ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ５％
３−ＨＨＢ−３ （１４−１） １４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ５％

【0336】

［実施例１７］
５−ＨＸｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−３ （１−１−１１） ３％
２−ＨＨ−５ （１３−１） ３％
３−ＨＨ−４ （１３−１） １５％
３−ＨＨ−５ （１３−１） ４％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） １２％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） １２％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） １５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ５％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ９％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ９％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ３％
３−ＨＨＢ−３ （１４−１） ４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ３％
ＮＩ＝７７．５℃；Δｎ＝０．０９４；Δε＝−４．１；η＝２１.４ｍＰａ・ｓ．

【0337】

［実施例１８］
３−Ｈ２Ｘｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−Ｏ２
（１−３−１） ３％
２−ＨＨ−３ （１３−１） ２１％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ９％
１−ＢＢ−３ （１３−８） ９％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） ２％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−３） ９％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−３） ６％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−５） １０％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−５） ２１％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ５％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ３％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−２ （１４−８） ２％
ＮＩ＝７３．３℃；Δｎ＝０．０９８；Δε＝−３．３；η＝１４．７ｍＰａ・ｓ．

【0338】

［実施例１９］
５−Ｈ１ＯＸｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−２Ｖ
（１−５−１８） ３％
２−ＨＨ−３ （１３−１） １６％
７−ＨＢ−１ （１３−５） １０％
５−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） ８％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １７％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １６％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ３％
４−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ３％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ２％
３−ＨＨ１ＯＣｒｏ（７Ｆ，８Ｆ）−５（１０−６） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （１５−５） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （１５−５） ７％

【0339】

［実施例２０］
３−ｃｈ１ＯＸｔ（３Ｆ，４Ｆ，５Ｆ）−Ｏ２
（１−５−２４） ３％
１−ＢＢ−３ （１３−８） １０％
３−ＨＨ−Ｖ （１３−１） ２６％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−３） １３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） １０％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−５） １０％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−５） １４％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ８％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−２ （１４−８） ６％

【産業上の利用可能性】

【0340】

本発明の液晶性化合物は、熱、光などに対する高い安定性、高い透明点、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな負の誘電率異方性、適切な弾性定数、他の液晶化合物との優れた相溶性を有する。本発明の液晶組成物は、この化合物を含有し、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな負の誘電率異方性、および適切な弾性定数を有する。この組成物は、少なくとも２つの物性に関して適切なバランスを有する。本発明の液晶表示素子は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する。したがって、この素子は、パソコン、テレビなどのディスプレイに広く利用できる。