特許 6235875 炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶の製造装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6235875

(24)【登録日】2017年11月2日

(45)【発行日】2017年11月22日

(54)【発明の名称】炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶の製造装置

(51)【国際特許分類】

   C30B 29/36 20060101AFI20171113BHJP

【ＦＩ】

   C30B29/36 A

【請求項の数】3

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2013-234385(P2013-234385)

(22)【出願日】2013年11月12日

(65)【公開番号】特開2015-93810(P2015-93810A)

(43)【公開日】2015年5月18日

【審査請求日】2016年8月25日

【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２３年度、独立行政法人新エネルギー産業技術総合開発機構、「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願

(73)【特許権者】

【識別番号】000173809

【氏名又は名称】一般財団法人電力中央研究所

(73)【特許権者】

【識別番号】000004260

【氏名又は名称】株式会社デンソー

(74)【代理人】

【識別番号】100101236

【弁理士】

【氏名又は名称】栗原 浩之

(72)【発明者】

【氏名】鎌田 功穂

(72)【発明者】

【氏名】土田 秀一

(72)【発明者】

【氏名】星乃 紀博

(72)【発明者】

【氏名】小島 淳

【審査官】 宮崎 園子

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００８−２９０８９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−０８４０７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−０１６２９４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ３０Ｂ ２９／３６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

炭化珪素からなる第１の種結晶に炭化珪素単結晶を成長させ、
前記炭化珪素単結晶を２つの切断面で切断して前記第１の種結晶側の基端部、成長面側の先端部、及び中間部を形成し、
前記中間部を取り出し、前記基端部及び前記先端部の前記切断面同士を接合し、
前記基端部及び前記先端部を第２の種結晶とし、前記先端部の成長面から炭化珪素単結晶を成長させる
ことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

【請求項2】

請求項１に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記炭化珪素単結晶のオフ角度に沿って切断する
ことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

【請求項3】

容器内に配置された第１の種結晶に炭化珪素単結晶を成長させる成長手段と、
前記炭化珪素単結晶を２つの切断面で切断して前記第１の種結晶側の基端部、成長面側の先端部、及び中間部を形成する切断手段と、
前記中間部を取り出し、前記基端部及び前記先端部の前記切断面同士を接合し、前記基端部及び前記先端部を第２の種結晶として前記容器内に配置する設置手段とを備える
ことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶の製造装置に関する。

【背景技術】

【0002】

炭化珪素（以下、ＳｉＣとも称する）は、Ｓｉと比べてバンドギャップが約３倍、飽和ドリフト速度が約２倍、絶縁破壊電界強度が約１０倍と優れた物性値を有し、大きな熱伝導率を有する半導体であることから、現在用いられているＳｉ単結晶半導体の性能を大きく凌駕する次世代の高電圧・低損失半導体素子を実現する材料として期待されている。

【0003】

ＳｉＣ単結晶を製造する方法の一つとして、ＨＴＣＶＤ法等のガス成長法が知られている（例えば、特許文献１参照）。ガス成長法では、種結晶に原料ガスを供給し続ければ、理論的には、いくらでも長尺なＳｉＣ単結晶を製造することができる。ＳｉＣ単結晶を高速で長尺に成長させることができれば、その価格を低減することができる。

【0004】

しかし、実際には、装置の制約上、所定長に達したところでＳｉＣ単結晶を取り出す必要がある。したがって、ＳｉＣ単結晶を取り出し、種結晶を配置し、結晶成長を行うことを繰り返す必要がある。

【0005】

ここで、種結晶は、平板状のＳｉＣからなる。種結晶の表面（成長面）に、温度勾配がある場合、例えば周縁部が高温、中央部が低温であるような温度勾配がある場合、高温部では成長があまり進まず、低温部では成長が進行する。そして、このような成長が進行して成長面の形状が等温面（凸曲面）に一致すると、成長面全体が成長する。

【0006】

すなわち、平板状の種結晶を用いると、成長初期において成長面が等温面に沿わない状態で結晶成長することになる。このとき、ＳｉＣ単結晶に転位が発生するおそれがある。また、成長面が等温面に沿うまでに一定時間を要してしまい、製造時間の短縮化が妨げられる。

【0007】

なお、このような問題は、ガス成長法に限らず、昇華法や液相法にも同様に存在する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】特開２０１２−２４０８９４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

本発明は、上記事情に鑑み、高品位の炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶の製造装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上記目的を達成するための第１の態様は、炭化珪素からなる第１の種結晶に炭化珪素単結晶を成長させ、前記炭化珪素単結晶を２つの切断面で切断して前記第１の種結晶側の基端部、成長面側の先端部、及び中間部を形成し、前記中間部を取り出し、前記基端部及び前記先端部の前記切断面同士を接合し、前記基端部及び前記先端部を第２の種結晶とし、前記先端部の成長面から炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法にある。

【0011】

かかる第１の態様は、２回目以降のＳｉＣ単結晶の成長は、第２の種結晶から始める。第２の種結晶は、前回成長して等温面と同じ形状の成長面を有している。したがって、２回目以降に第２の種結晶から結晶成長させる際には、等温面に沿った成長面から結晶成長を行うことができる。これにより、高品位の炭化珪素単結晶を製造することができる。また、成長面が等温面に沿うまでに一定時間を要するといったこともなく、その分、製造時間を短縮することができる。
また、中間部を炭化珪素単結晶として取り出し、炭化珪素ウェハなどの材料とすることができる。

【0014】

本発明の第２の態様は、第１の態様に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、前記炭化珪素単結晶のオフ角度に沿って切断することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法にある。

【0015】

かかる第２の態様では、炭化珪素単結晶から無駄な部分を生じることなくオフウェハを作製することができる。

【0018】

本発明の第３の態様は、容器内に配置された第１の種結晶に炭化珪素単結晶を成長させる成長手段と、前記炭化珪素単結晶を２つの切断面で切断して前記第１の種結晶側の基端部、成長面側の先端部、及び中間部を形成する切断手段と、前記中間部を取り出し、前記基端部及び前記先端部の前記切断面同士を接合し、前記基端部及び前記先端部を第２の種結晶として前記容器内に配置する設置手段とを備えることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置にある。

【0019】

かかる第３の態様では、２回目以降に第２の種結晶から結晶成長させる際には、等温面に沿った成長面から結晶成長を行うことができる。これにより、高品位の炭化珪素単結晶を製造することができる。また、成長面が等温面に沿うまでに一定時間を要するといったこともなく、その分、製造時間を短縮することができる。
また、中間部を炭化珪素単結晶として取り出し、炭化珪素ウェハなどの材料とすることができる。

【発明の効果】

【0020】

本発明によれば、高品位の炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶の製造装置が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】本実施形態に係る製造装置の断面図である。

【図2】本製造方法での製造工程を示す製造装置の断面図である。

【図3】本製造方法での製造工程を示す製造装置の断面図である。

【図4】ＳｉＣ単結晶の中間部を拡大した概略図である。

【図5】本製造方法での製造工程を示す製造装置の要部を拡大した断面図である。

【図6】本製造方法での製造工程を示す製造装置の要部を拡大した断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

本実施形態に係るＳｉＣ単結晶の製造装置（以下、単に製造装置と称する。）について説明する。図１は、製造装置の断面図である。

【0023】

製造装置Ｉは、高温ガス成長法によりＳｉＣ単結晶をバルク成長させるものである。製造装置Ｉは、原料ガスを供給する原料ガス供給手段１と、ＳｉＣからなる種結晶（以下、第１の種結晶５０ａ）を支持する台座１０と、台座１０を内部に収容する断熱容器２０と、断熱容器を収容する密閉容器３０と、断熱容器２０内を加熱するコイル４０（加熱手段）とを備えている。

【0024】

原料ガス供給手段１は、炭化珪素の原料ガス供給装置２と、原料ガス供給装置２から供給される原料ガスの流路となる管路３からなる。管路３は、鉛直方向の上面に供給口４が設けられており、原料ガス供給装置２からの原料ガスを供給口４から後述する第１の種結晶５０ａに供給する。

【0025】

なお、原料ガスは、ＳｉＣを第１の種結晶５０ａ上に析出させるものであれば特に限定はない。例えば、ＳｉＨ_４やＣ_３Ｈ_８ガス、さらにキャリアガスとしてＨ_２ガスからなる原料ガスを用いることができる。

【0026】

台座１０は、ＳｉＣからなる第１の種結晶５０ａを支持するものである。台座１０は、第１の種結晶５０ａを支持する円柱状の支持部１１と、支持部１１の鉛直方向の上面に接続された軸部１２を備えている。支持部１１は、上述した管路３の供給口４に対向する支持面１３を有している。台座１０は、この支持面１３に第１の種結晶５０ａが接着される。支持部１１の材料は特に限定はないが、グラファイトや炭化珪素で形成してもよい。

【0027】

台座１０は、移動機構１４により鉛直方向の上下に移動可能である。すなわち、移動機構１４が軸部１２を上下に移動させることで台座１０全体が上下動可能となっている。支持面１３に接着された第１の種結晶５０ａには、供給口４から原料ガスが供給されるようになっている。このため、第１の種結晶５０ａは、台座１０により上方に移動しながら原料ガスが供給されて結晶成長する。

【0028】

なお、台座１０は、必ずしも上下移動可能とする必要はなく、密閉容器３０内に固定的に配置されていてもよい。

【0029】

断熱容器２０は、内部に台座１０を収容する容器であり、断熱材から形成されている。断熱材としては特に限定はないが、例えば、アルミナ、ジルコニア、熱分解炭素、黒鉛（グラファイト）等を利用することができる。

【0030】

断熱容器２０は、円筒状に形成されて、内部空間２１を有する。断熱容器２０は、管路３の供給口４の開口縁部に載置され、内部空間２１が供給口４を介して管路３と連通している。

【0031】

断熱容器２０の内部空間２１には、台座１０が収容されている。台座１０の軸部１２は、密閉容器３０の上面に形成された蓋体３２の挿通孔３３に挿通されている。上述したように台座１０は上下移動が可能であるので、支持部１１は、内部空間２１内において上下移動が可能となっている。

【0032】

密閉容器３０は、断熱容器２０を内部に収容する容器である。特に材料に限定はないが、例えば石英や金属等を用いることができる。また、密閉容器３０には、排出路３１が形成されており、供給口４から供給された原料ガスが排出路３１から排出されるようになっている。

【0033】

さらに、密閉容器３０は、その上部の開口部３４が蓋体３２により塞がれている。蓋体３２は、密閉容器３０と同様の材料から形成することができる。ＳｉＣ単結晶の製造時には、密閉容器３０は蓋体３２により気密に塞がれる一方、成長したＳｉＣ単結晶の回収、新たな種結晶の設置及びメンテナンス等の作業時には、蓋体３２が開かれ、これらの作業が行われる。

【0034】

加熱手段は、断熱容器２０内を加熱するものである。加熱手段により断熱容器２０内の温度が設定される。具体的には、加熱手段として、コイル４０を用いることができる。

【0035】

コイル４０は、断熱容器２０に対して誘導加熱を行うものである。特に図示しないが、コイル４０は、交流電源に接続され、高周波の交流電流が供給される。コイル４０は、断熱容器２０内の温度を、例えば１５００℃以上の高温にする主たる熱源として用いられる。なお、特に図示しないが、金属からなる密閉容器３０を用いる場合、コイル４０は、密閉容器３０の内側であり、かつ断熱容器２０の外側に配置する。

【0036】

また、特に図示しないが、台座１０の支持部１１には冷却機構が設けられており、第１の種結晶５０ａを放熱させることが可能となっている。

【0037】

また、特に図示しないが、製造装置Ｉには、第１の種結晶５０ａに成長したＳｉＣ単結晶を切断する切断手段と、切断されたものを新たに台座１０に配置する設置手段とを備えていてもよい。これらの詳細は後述する。

【0038】

上述した構成のＳｉＣ単結晶の製造装置Ｉでは、コイル４０により断熱容器２０の内部が高温に設定される。一方、台座１０の冷却機構により第１の種結晶５０ａは相対的に低温に設定される。そして原料ガスを第１の種結晶５０ａに供給することで、第１の種結晶５０ａにＳｉＣ単結晶が結晶成長する。このとき、第１の種結晶５０ａは、台座１０により上方に引き上げられながら結晶成長する。

【0039】

次に、上述の製造装置Ｉによって行われる本実施形態のＳｉＣ単結晶の製造方法について説明する。図２は、本製造方法での製造工程を示す製造装置の断面図である。

【0040】

まず、第１の種結晶５０ａにＳｉＣ単結晶５１を成長させる。具体的には、原料ガス供給装置２からＳｉＣを含む原料ガスを密閉容器３０内の第１の種結晶５０ａに供給する。第１の種結晶５０ａ表面から一定長まで結晶成長させると、その成長面５２の形状は、等温面の形状と同じ凸曲面状となり、成長面５２全体が結晶成長する。そして、その成長面５２の形状を保ったまま、長さＬに達するまでＳｉＣ単結晶５１が成長する。ここでいう長さＬは、製造装置Ｉで製造可能なＳｉＣ単結晶５１の最大長である。

【0041】

また、本実施形態の成長工程では、移動機構１４により支持部１１を上方（原料ガスの供給口４とは反対方向）に引き上げながらＳｉＣ単結晶５１の結晶成長を行う。支持部１１の引き上げは、ＳｉＣ単結晶５１の成長速度と同一速度（実質的にほぼ同じ速度）で行われる。したがって、ＳｉＣ単結晶５１の表面（成長面５２）の供給口４に対する相対位置は常に一定となる。

【0042】

例えば、移動機構１４を用い、第１の種結晶５０ａの表面を供給口４の近傍に位置させる（図１参照）。その後、ＳｉＣ単結晶５１は結晶成長するが、その成長速度に合わせて支持部１１が上方に引き上げられる。このため、ＳｉＣ単結晶５１の成長面５２は、図２に示すように当初の第１の種結晶５０ａの表面が位置していた供給口４の近傍と同じ位置である。つまり、成長面５２が供給口４から管路３内に突出することはない。

【0043】

次に、ＳｉＣ単結晶５１を切断する。本実施形態では、ＳｉＣ単結晶５１を２つの切断面で切断する。各切断面を、ＳｉＣ単結晶５１の先端側（成長面５２側）の下部切断面５３、ＳｉＣ単結晶５１の基端側（第１の種結晶５０ａ側）の上部切断面５４とする。これら２つの切断面でＳｉＣ単結晶５１を切断することで、先端部５１ａ、基端部５１ｃ、これらの間の中間部５１ｂとが形成される。

【0044】

ＳｉＣ単結晶５１の切断手段は、特に限定はないが、例えばマルチワイヤーソー、ダイヤモンドブレード、外周刃切断機などを適用することができる。また、密閉容器３０からＳｉＣ単結晶５１を取り出し、切断手段で切断してもよいし、製造装置Ｉと一体的に設けられた切断手段により、台座１０に支持された状態でＳｉＣ単結晶５１を切断するようにしてもよい。

【0045】

また、長さＬは、ＳｉＣ単結晶５１を引き上げることができる限界長さより小さい範囲であり、装置構成やＳｉＣ単結晶のサイズ等を考慮して、適宜設定変更が可能である。また、ＳｉＣ単結晶５１が長さＬに達したことを検知する方法は特に制限されず、ＳｉＣ単結晶５１を引き上げた距離、原料ガスの供給量、及びこれに相関するパラメータ等を、図示しない制御装置に検出・演算させて行うことができる。

【0046】

次に、切断したＳｉＣ単結晶５１の中間部５１ｂを取り出す。この中間部５１ｂは、ＳｉＣ単結晶としてＳｉＣウェハなどの材料として用いられる。

【0047】

次いで、切断したＳｉＣ単結晶５１のうち、成長面５２を有する先端部５１ａを第２の種結晶５０ｂとする。具体的には、先端部５１ａの下部切断面５３及び基端部５１ｃの上部切断面５４を接合する。

【0048】

図３は、本製造方法での製造工程を示す製造装置の断面図である。同図に示すように、ＳｉＣ単結晶５１の先端部５１ａと基端部５１ｃとが接合され、成長面５２を有する先端部５１ａが新たに第２の種結晶５０ｂとして台座１０上に配置されている。

【0049】

先端部５１ａ及び基端部５１ｃの接合は、例えば以下の方法により行うことができる。すなわち、先端部５１ａの下部切断面５３と、基端部５１ｃの上部切断面５４との間に、接着層５５を形成する。接着層５５としては、粒径が数μｍ程度の炭素粉末と珪素粉末をアルコール等で湿式混合し、ペースト状にしたものを用いることができる。接着層５５を挟んだ先端部５１ａ及び基端部５１ｃを熱処理装置内に入れ、所定の温度、圧力まで昇温、昇圧した後、これらを押圧する。この状態を所定時間保持した後、装置内を常温、常圧に戻す。これにより、炭素粉末と珪素粉末が反応し、ＳｉＣが生成されると同時に、生成されたＳｉＣの焼結が進行し、先端部５１ａ及び基端部５１ｃが強固に接合される。

【0050】

なお、上述したような接合方法に限定されず、接着剤等で先端部５１ａ及び基端部５１ｃを接着するなどの方法でもよい。また、製造装置Ｉ内から中間部５１ｂを取り出し、切断された先端部５１ａ及び基端部５１ｃを接着させる機構（設置手段）を製造装置Ｉに設けてもよい。

【0051】

また、切断に際しては、下部切断面５３及び上部切断面５４を、互いに平行とすることが好ましい。これにより、下部切断面５３及び上部切断面５４を隙間なく接着させることができるため、接合が容易になる上、物理的安定性も向上する。

【0052】

さらに、下部切断面５３及び上部切断面５４を接合した後、接合面の周囲の段差を研磨してもよい。そして、第２の種結晶５０ｂとして用いる最終仕上げとして、成長面５２を犠牲酸化、リアクティブイオンエッチング、化学機械研磨等を行ってもよい。その後、有機溶剤、酸性溶液又はアルカリ溶液等を用いて、表面を清浄化してもよい。

【0053】

上述したように、成長面５２を有する先端部５１ａを新たな第２の種結晶５０ｂとした後、この第２の種結晶５０ｂにＳｉＣ単結晶５１を成長させる（特に図示せず）。具体的には、第２の種結晶５０ｂ（成長面５２）が供給口４の近傍に達するまで台座１０を下方に引き下げ、最初の結晶成長と同じ要領で第２の種結晶５０ｂにＳｉＣ単結晶５１を成長させる。

【0054】

以後、ＳｉＣ単結晶５１の長さが長さＬに達するたびに、上述したようなＳｉＣ単結晶５１の切断及び第２の種結晶５０ｂの再配置を繰り返すことで、連続的にＳｉＣ単結晶５１（中間部５１ｂ）を得ることができる。

【0055】

以上に説明した本実施形態に係るＳｉＣ単結晶の製造方法によれば、２回目以降のＳｉＣ単結晶の成長は、第２の種結晶５０ｂから始める。第２の種結晶５０ｂは、前回成長して等温面と同じ形状の成長面５２を有している。したがって、２回目以降に第２の種結晶５０ｂから結晶成長させる際には、等温面に沿った成長面５２から結晶成長を行うことができる。

【0056】

すなわち、ＳｉＣ単結晶５１が長さＬに達して製造装置Ｉから取り出し、次のＳｉＣ単結晶５１を成長させる場合であっても、平板状の第１の種結晶５０ａから成長を行うことが不要となる。

【0057】

平板状の種結晶から結晶成長する場合、初期において成長面が等温面に沿わないで成長するため、転位が発生するという問題があったが、本製造方法では、このような転位の発生が低減され、高品位のＳｉＣ単結晶５１を製造することができる。また、成長面が等温面に沿うまでに一定時間を要するといったこともなく、その分、製造時間を短縮することができる。

【0058】

また、ＳｉＣ単結晶５１を切断する際には、下部切断面５３及び上部切断面５４をＳｉＣ単結晶５１のオフ角度に沿わせることが好ましい。図４は、ＳｉＣ単結晶５１の中間部５１ｂを拡大した概略図である。

【0059】

図４（ａ）は、下部切断面５３及び上部切断面５４がＳｉＣ単結晶５１のオフ角度と異なる角度である場合の中間部５１ｂであり、図４（ｂ）は、下部切断面５３及び上部切断面５４がＳｉＣ単結晶５１のオフ角度と同一の角度である場合の中間部５１ｂである。

【0060】

図４（ａ）に示す中間部５１ｂは、略円柱形状である。したがって、オフ角度θに沿ってオフウェハを作製する際には、切り出しのための無駄な除去部分（斜線で示すＤ領域）が生じる。

【0061】

一方、図４（ｂ）に示すように、中間部５１ｂ（ＳｉＣ単結晶５１）は、オフ角度θを有している。この場合、ＳｉＣ単結晶５１をそのオフ角度θに沿って切断することで中間部５１ｂが切り出されている。中間部５１ｂからは、オフ角θを成す複数の切断面５７に沿って切断することでＳｉＣウェハが作製される。

【0062】

したがって、図４（ｂ）に示すように、下部切断面５３及び上部切断面５４は、オフ角θと同一の角度を成すようにすることが好ましい。これにより、中間部５１ｂからオフウェハを作成する際に無駄となる除去部分を無くすことができる。

【0063】

〈他の実施形態〉
以上、本発明の実施形態として、切断したＳｉＣ単結晶同士を接合する例を説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明の要旨を変更しない範囲において種々変更が可能である。

【0064】

例えば、ＳｉＣ単結晶５１の先端部５１ａを、台座１０の支持面に接合するようにしてもよい。図５（ａ）〜（ｂ）及び図６（ａ）〜（ｂ）は、本製造方法での製造工程を示す製造装置の要部を拡大した断面図である。

【0065】

図５（ａ）に示すように、１回目のＳｉＣ単結晶５１を成長させた後、ＳｉＣ単結晶５１を切断する。具体的には、ＳｉＣ単結晶５１を下部切断面５３で切断して先端部５１ａを形成する。

【0066】

次に、特に図示しないが、台座１０から残りのＳｉＣ単結晶５１及び第１の種結晶５０ａを取り外す。

【0067】

次に、図５（ｂ）に示すように、ＳｉＣ単結晶５１の先端部５１ａを台座１０の支持面１３に接着して新たな第２の種結晶５０ｂとする。そして第２の種結晶５０ｂにＳｉＣ単結晶５１を成長させる。

【0068】

このような実施形態によれば、ＳｉＣ単結晶５１の先端部５１ａのみが第２の種結晶として用いられるため、第２の種結晶５０ｂが短尺となる分、より長いＳｉＣ単結晶を成長させることができる。

【0069】

また、図６（ａ）〜（ｂ）に示すように、１回目のＳｉＣ単結晶５１を成長させた後、ＳｉＣ単結晶５１を切断する。具体的には、基端部５１ｃが残るように上部切断面５４に沿って切断する。この残った基端部５１ｃを第２の種結晶５０ｂとして用いる。

【0070】

そして、基端部５１ｃに対して水素ガスによるエッチングや高温エッチングを適用し、その後、当該表面にＳｉＣ単結晶を成長させる。

【0071】

このような実施形態によれば、エッチング等を行い、結晶成長を再開できるため、成長面を研磨するなどの手間を省略し、製造工程を簡略化することができる。また、台座１０の支持面１３に既に接合されているＳｉＣ単結晶５１の基端部５１ｃを用いて第２の種結晶５０ｂとするので、ＳｉＣ単結晶を接合する工程を省略することができる。

【0072】

なお、本発明は、ガス成長方法に限られず、昇華法や液相法によるＳｉＣ単結晶の製造方法にも適用可能である。すなわち、それらの方法によっても、既に等温面の形状と同一形状を有する成長面から結晶成長を行うことができる。

【産業上の利用可能性】

【0073】

本発明は、炭化珪素単結晶を製造する産業分野で利用することができる。

【符号の説明】

【0074】

Ｉ 炭化珪素単結晶の製造装置
１ 原料ガス供給手段
１０ 台座
２０ 断熱容器
３０ 密閉容器
４０ コイル（加熱手段）
５０ａ 第１の種結晶
５０ｂ 第２の種結晶
５１ 単結晶
５１ａ 先端部
５１ｂ 中間部
５１ｃ 基端部
５２ 成長面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】