特許 6237344 発光装置及び発光装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6237344

(24)【登録日】2017年11月10日

(45)【発行日】2017年11月29日

(54)【発明の名称】発光装置及び発光装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/62 20100101AFI20171120BHJP

   H01L 33/22 20100101ALI20171120BHJP

【ＦＩ】

   H01L33/62

   H01L33/22

【請求項の数】8

【全頁数】27

(21)【出願番号】特願2014-40107(P2014-40107)

(22)【出願日】2014年3月3日

(65)【公開番号】特開2015-165534(P2015-165534A)

(43)【公開日】2015年9月17日

【審査請求日】2016年9月26日

(73)【特許権者】

【識別番号】000226057

【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001807

【氏名又は名称】特許業務法人磯野国際特許商標事務所

(74)【代理人】

【識別番号】100064414

【弁理士】

【氏名又は名称】磯野 道造

(74)【代理人】

【識別番号】100111545

【弁理士】

【氏名又は名称】多田 悦夫

(72)【発明者】

【氏名】米田 章法

(72)【発明者】

【氏名】粟飯原 善之

(72)【発明者】

【氏名】西岡 真弘

【審査官】 吉岡 一也

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１４／０１０２２０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１０／１４０６０４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００４−２４７５６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第０６３６９４５４（ＵＳ，Ｂ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ３３／００−３３／６４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極と、を有する半導体発光素子と、
前記半導体積層体の前記一方の面側に設けられる樹脂層と、を備え、
前記樹脂層内に、一端が前記電極と接続され、他端が前記樹脂層の側面から露出するように設けられた金属ワイヤと、
前記樹脂層内で前記金属ワイヤの他端周辺に接合され、一部が前記金属ワイヤとともに前記樹脂層の側面から露出するように設けられた金属部材と、を備え、
前記半導体積層体の他方の面側が、前記半導体発光素子の光取り出し面側であり、
前記樹脂層の側面から露出する前記金属ワイヤと前記金属部材とは、前記樹脂層の厚さ方向において、前記半導体積層体の他方の面から離れた位置に設けられている発光装置。

【請求項2】

前記金属部材は、前記金属ワイヤと同じ材質からなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項3】

前記金属ワイヤ及び前記金属部材は、Ａｕ又はＡｕを主成分とする合金からなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置。

【請求項4】

半導体積層体と前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極とを有する半導体発光素子を備える発光装置の製造方法であって、
複数の前記半導体発光素子が配列して形成されたウエハを準備するウエハ準備工程と、
前記半導体積層体の一方の面側に、前記ウエハにおいて隣接して配列された半導体発光素子との境界線上を被覆するようにレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、
前記隣接して配列された半導体発光素子の電極間を、前記レジスト膜を跨ぐように金属ワイヤで接続するワイヤ接続工程と、
前記レジスト膜上において、前記境界線を跨ぐように、前記金属ワイヤに金属部材を接合する金属部材接合工程と、
前記半導体積層体の一方の面側に前記金属ワイヤ及び前記金属部材が内在するように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層に内在する前記金属ワイヤ及び前記金属部材を、前記境界線に沿って切断する切断工程と、をこの順で含むことを特徴とする発光装置の製造方法。

【請求項5】

前記金属部材接合工程において、前記金属部材は、前記金属ワイヤと同じ材質で形成されることを特徴とする請求項４に記載の発光装置の製造方法。

【請求項6】

前記金属部材接合工程において、前記金属部材は、前記金属ワイヤにボールボンディングすることで形成されるワイヤバンプであることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の発光装置の製造方法。

【請求項7】

前記レジスト形成工程において、前記レジスト膜の幅は、前記金属部材の幅よりも広いことを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。

【請求項8】

前記金属ワイヤ及び前記金属部材は、Ａｕ又はＡｕを主成分とする合金からなることを特徴とする請求項４乃至請求項７の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体発光素子と内部配線を有する樹脂層とを備える発光装置及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

発光ダイオード等の半導体発光素子（発光素子）を用いた発光装置は小型化が容易で、かつ高い発光効率が得られることから広く用いられている。
例えば、携帯電話等の液晶ディスプレイのバックライトに適した発光装置が、特許文献１に記載されている。特許文献１に記載された発光装置は、発光素子と、発光素子が電気的に接続されたリードフレームと、正面に開口を有し、リードフレームの一部を底面から突出させた樹脂からなるパッケージとから構成され、樹脂パッケージから突出したリードフレーム部で実装基板と接合される。

【0003】

特許文献１に記載の発光装置のように、フェイスアップ型の発光素子をリードフレーム等にマウントし、発光素子とリードフレームとの間をボンディングワイヤ等により接続すると、発光素子の表面に垂直な方向から観察した場合に、ボンディングワイヤの一部が発光素子よりも外側に位置する必要があり小型化に限界があった。また、リードフレームを用いてパッケージ化すること自体により、発光装置の小型化に限界があった。

【0004】

一方、フェイスダウン型（フリップチップ型）では、発光素子の表面に設けたパッド電極と、実装基板上に設けた配線とを、実装基板の表面に垂直な方向から観察した場合に発光素子の内側に位置するバンプ又は金属ピラー等の接続手段により電気的に接続することが可能である。
これにより、発光装置のサイズ（とりわけ実装基板の基板面に垂直な方向から観察したサイズ）を発光素子のチップに近いレベルまで小型化したＣＳＰ（Chip Size Package又はChip Scale Package）を実現することができる。
そして、最近ではより一層の小型化を進めるため、又は発光効率をより高めるために、サファイア等の成長基板（透光性基板）を除去、又はその厚さを薄くしたフェイスダウン型の発光装置が用いられている。

【0005】

成長基板は、その上に発光素子を構成するｎ型半導体層及びｐ型半導体層を成長させるために用いる基板であって、厚さが薄く強度の低い発光素子を支持することにより発光装置の強度を向上させる効果も有している。
このため、例えば、特許文献２に示されるように、発光素子を形成した後に、成長基板を除去した発光装置又は成長基板の厚さを薄くした発光装置では、発光素子を支持するために電極側（実装基板と対向する側）に樹脂層を設けるとともに、この樹脂層を貫く金属ピラーを形成して、この金属ピラーにより発光素子の電極と実装基板に設けた配線（配線層）とを電気的に接続している。
そして、この金属ピラーを含む樹脂層を有することで発光装置は十分な強度を確保することができる。また、ＣＳＰは、複数個をウエハ上でまとめて形成するウエハレベルでの製造（ＷＣＳＰ）に適しており、小型化とともに生産性にも優れるものである。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００８−１９８８０７号公報

【特許文献2】特開２０１０−１４１１７６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

ここで、液晶ディスプレイ等のバックライト用光源として用いられる発光装置には、バックライト用導光板における光の入射面に対して、発光装置の実装面が平行となるトップビュー型と、実装面が導光板の入射面に対して垂直となるサイドビュー型との２種類の実装形態がある。

【0008】

特許文献２に記載された発光装置のようなＣＳＰをウエハレベルで作製する場合は、発光素子の裏面側に樹脂層を介して外部接続用の電極が設けられるため、トップビュー型の発光装置となる。
一方、サイドビュー型の発光装置は、例えば、特許文献１に記載の発光装置のように、サイドビュー型実装が可能なように形成されたリードフレームを用いてパッケージ化することで作製することができる。この場合は、前記したように小型化に限界がある。
また、特許文献２に記載の発光装置にように、ＣＳＰとして形成する場合は、ウエハレベルで作製したＣＳＰを個片化し、個片化の際の割断面となるＣＳＰの側面に外部接続用の電極を形成する必要がある。そのため、個片化後の工程はウエハレベルとはならず、ウエハレベルによるＣＳＰでサイドビュー型実装を可能とすることは難しかった。
そこで本発明は、サイドビュー型実装が可能で、実装時の電極の実装基板への接合性が良好な発光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

前記した課題を解決するために、本発明の発光装置は、半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極と、を有する半導体発光素子と、前記半導体積層体の前記一方の面側に設けられる樹脂層と、を備え、前記樹脂層内に、一端が前記電極と接続され、他端が前記樹脂層の側面から露出するように設けられた金属ワイヤと、前記樹脂層内で前記金属ワイヤの他端周辺に接合され、一部が前記金属ワイヤとともに前記樹脂層の側面から露出するように設けられた金属部材と、を備えて構成する。

【0010】

また、本発明に係る発光装置の製造方法は、半導体積層体と前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極とを有する半導体発光素子を備える発光装置の製造方法であって、複数の前記半導体発光素子が配列して形成されたウエハを準備するウエハ準備工程と、前記半導体積層体の一方の面側に、前記ウエハにおいて隣接して配列された半導体発光素子との境界線上を被覆するようにレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、前記隣接して配列された半導体発光素子の電極間を、前記レジスト膜を跨ぐように金属ワイヤで接続するワイヤ接続工程と、前記レジスト膜上において、前記境界線を跨ぐように、前記金属ワイヤに金属部材を接合する金属部材接合工程と、前記半導体積層体の一方の面側に前記金属ワイヤ及び前記金属部材が内在するように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層に内在する前記金属ワイヤ及び前記金属部材を、前記境界線に沿って切断する切断工程と、をこの順で含むようにする。

【発明の効果】

【0011】

本発明の発光装置によれば、樹脂層の側面に、外部と接続するための端子面として内部配線の露出面を設けるため、サイドビュー型の実装をすることができる。また、内部配線である金属ワイヤと、金属部材とが接合した部位を露出させることで、端子面となる露出面の面積を広くできるため、発光装置の実装基板への接合性を向上させることができる。
また、本発明の発光装置の製造方法によれば、隣接して配列される発光素子の電極間に金属ワイヤを接続し、境界線を跨るように金属部材を金属ワイヤと接合することで境界線上の内部配線を太く形成し、切断によって形成される樹脂層の側面に、外部と接続するための端子面として内部配線を露出させるようにするため、サイドビュー型の実装が可能な発光装置をウエハレベルで製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的斜視図である。

【図2】本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。

【図3】本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。

【図4】本発明の実施形態における発光素子の構成の一例を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。

【図5】本発明の実施形態における発光素子の構成の他の例を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。

【図6】本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。

【図7】本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。

【図8】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程において、発光素子準備工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。

【図9】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程において、レジスト形成工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。

【図10】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程において、ワイヤ接続工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。

【図11】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程において、金属部材接合工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。

【図12】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程において、レジスト除去工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。

【図13】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程において、樹脂層形成工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。

【図14】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程において、成長基板除去工程を示す模式図であり、図１３（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。

【図15】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程において、蛍光体層形成工程を示す模式図であり、図１３（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。

【図16】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程において、個片化工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。

【図17】本発明の実施形態の変形例に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。

【図18】本発明の実施形態の変形例に係る発光装置の製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）はワイヤ接続工程、（ｂ）は金属部材接合工程を示す。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本発明に係る発光装置及びその製造方法の実施形態について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、斜視図や平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。

【0014】

また、本発明の各実施形態に係る発光装置において、「上」、「下」、「左」及び「右」などは、状況に応じて入れ替わるものである。本明細書において、「上」、「下」などは、説明のために参照する図面において構成要素間の相対的な位置を示すものであって、特に断らない限り絶対的な位置を示すことを意図したものではない。

【0015】

＜実施形態＞
［発光装置の構成］
まず、図１〜図３を参照して、本発明の実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
本実施形態に係る発光装置１００は、図１〜図３に示すように、成長基板が除去されたＬＥＤ（発光ダイオード）構造を有する半導体発光素子１（以下、適宜に「発光素子」と呼ぶ）と、発光素子１の一方の面側に設けられた支持体３と、発光素子１の他方の面側に設けられた蛍光体層（波長変換層）２とから構成されるＣＳＰである。

【0016】

発光素子１の一方の面側には、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられ、支持体３の母体である樹脂層３１内に設けられた内部配線である金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの一端が接続されている。また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは、他端が樹脂層３１の長手方向の側面に向かうように樹脂層３１内で屈曲して配線されており、他端の端面である露出面３２ｎａ，３２ｐａが、樹脂層３１の長手方向の側面から露出している。また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの他端の周辺に、金属部材３３ｎ，３３ｐが接合されている。この金属部材３３ｎ，３３ｐは樹脂層３１内に設けられ、金属部材３３ｎ，３３ｐの一部が樹脂層３１の長手方向の側面から露出している。金属部材３３ｎ，３３ｐの露出面３３ｎａ，３３ｐａは、それぞれが対応する極性の金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの他端の端面である露出面３２ｎａ，３２ｐａとともに、内部配線の露出面３０ｎａ，３０ｐａを構成している。

【0017】

本例では、露出面３０ｎａ，３０ｐａ及び当該露出面３０ｎａ，３０ｐａを有する樹脂層３１の長手方向の側面は、同一平面となるように平坦に形成されている。また、この露出面３０ｎａ，３０ｐａは、実装基板と電気的に接続するための端子面となる。
このため、発光装置１００は、内部配線の露出面３０ｎａ，３０ｐａを有する長手方向の側面を実装面とするサイドビュー型実装が可能なように構成されている。
なお、詳細は後記するが、発光装置１００は、ウエハレベルで作製されるＷＣＳＰ（ウエハプロセスによるＣＳＰ）である。

【0018】

また、本実施形態における発光装置１００は、蛍光体層２によって、発光素子１が発光する光の一部又は全部を異なる波長の光に変換し、波長変換した光又は波長変換した光及び発光素子１が発光した光を出力光とするものである。例えば、発光素子１が青色光を発光し、蛍光体層２が青色光の一部を吸収して黄色光に波長変換するように構成することで、発光装置１００を、青色光と黄色光とを混色した白色光を出力する白色光源とすることができる。
なお、本実施形態及び後記する他の実施形態において、発光装置１００などは蛍光体層２を備えているが、ＣＳＰを構成する上で蛍光体層２は必須ではなく、設けないようにしてもよい。

【0019】

なお、本明細書では、各図に適宜に座標軸を付して示すように、便宜上、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面の法線方向を「＋Ｚ軸方向」とし、＋Ｚ軸方向から−Ｚ軸方向を観察することを平面視と呼ぶ。また、平面視で長方形の形状を有する発光素子１の、長手方向をＸ軸方向とし、短手方向をＹ軸方向とする。
また、断面図として示した図は、何れもＸＹ平面に垂直な面（すなわち、ＸＺ平面又はＹＺ平面に平行な面）による断面を示すものである。

【0020】

次に、発光装置１００の各部の構成について順次に詳細に説明する。
発光素子１は、平面視で略長方形の板状の形状を有しており、一方の面側にｎ側電極１３及びｐ側電極１５を備えたフェイスダウン型のＬＥＤチップである。

【0021】

（発光素子の例）
ここで、図４を参照して、発光素子１の一例について詳細に説明する。
図４に示した発光素子１は、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとを積層した半導体積層体１２を備えている。半導体積層体１２は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流を通電することにより発光するようになっており、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとの間に発光層１２ａを備えることが好ましい。

【0022】

半導体積層体１２には、ｐ型半導体層１２ｐ及び発光層１２ａが部分的に存在しない領域、すなわちｐ型半導体層１２ｐの表面から窪んだ領域（この領域を「段差部１２ｂ」と呼ぶ）が形成されている。段差部１２ｂの底面はｎ型半導体層１２ｎの露出面であり、段差部１２ｂには、ｎ側電極１３が形成されている。また、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面には、全面電極１４が設けられている。全面電極１４は、良好な反射性を有する反射電極１４ａと、反射電極１４ａの上面及び側面の全体を被覆するカバー電極１４ｂとによって構成されている。また、カバー電極１４ｂの上面の一部にｐ側電極１５が形成されている。
また、発光素子１のパッド電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５の表面を除き、半導体積層体１２及び全面電極１４の表面は、絶縁性を有する保護層１６で被覆されている。

【0023】

半導体積層体１２は、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＧａＰ、ＳｉＣ、ＺｎＯのように、半導体発光素子に適した材料を用いることができる。本実施形態においては、発光素子１が発光する光の一部が、蛍光体層２によって異なる波長の光に変換されるため、発光波長の短い青色や紫色に発光する半導体積層体１２が好適である。

【0024】

ｎ型半導体層１２ｎ、発光層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐは、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等のＧａＮ系化合物半導体が好適に用いられる。また、これらの半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、発光層１２ａは、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。

【0025】

半導体積層体１２としてＧａＮ系化合物半導体を用いる場合は、半導体層を結晶成長させるのに適した成長基板１１（図７参照）上に、例えば、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）、ＨＶＰＥ法（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ法（分子線エピタキシャル成長法）等の公知の技術により形成することができる。また、半導体層の膜厚は特に限定されるものではなく、種々の膜厚のものを適用することができる。

【0026】

また、半導体積層体１２をエピタキシャル成長させるための成長基板としては、例えば、半導体積層体１２をＧａＮ（窒化ガリウム）などの窒化物半導体を用いて形成する場合には、Ｃ面、Ｒ面、Ａ面の何れかを主面とするサファイアやスピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）のような絶縁性基板、また炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジム等の酸化物基板が挙げられる。

【0027】

なお、本実施形態では、発光装置１００の製造過程で、成長基板が半導体積層体１２から剥離して除去されるため、完成した発光装置１００における発光素子１は成長基板を有していない。
また、成長基板が除去された半導体積層体１２の下面、すなわちｎ型半導体層１２ｎの下面は粗面化により凹凸形状１２ｃを有することが好ましい。凹凸形状１２ｃを設けることにより、この面からの光取り出しの効率を向上させることができる。このような凹凸形状１２ｃは、ｎ型半導体層１２ｎの下面をウェットエッチングすることにより形成することができる。

【0028】

全面電極１４は、電流拡散層及び反射層としての機能を有するものであり、反射電極１４ａとカバー電極１４ｂとを積層して構成されている。
反射電極１４ａは、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように設けられる。また、反射電極１４ａの上面及び側面の全体を被覆するように、カバー電極１４ｂが設けられている。反射電極１４ａは、カバー電極１４ｂ及びカバー電極１４ｂの上面の一部に設けられたｐ側電極１５を介して供給される電流を、ｐ型半導体層１２ｐの全面に均一に拡散するための導体層である。また、反射電極１４ａは良好な反射性を有し、発光素子１が発光する光を、光取り出し面である下方向に反射する反射膜としても機能する。ここで、反射性を有するとは、発光素子１が発光する波長の光を良好に反射することをいう。更に、反射電極１４ａは、蛍光体層２によって変換された後の波長の光に対しても良好な反射性を有することが好ましい。

【0029】

反射電極１４ａは、良好な導電性と反射性とを有する金属材料を用いることができる。特に可視光領域で良好な反射性を有する金属材料としては、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。また、反射電極１４ａは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。

【0030】

また、カバー電極１４ｂは、反射電極１４ａを構成する金属材料のマイグレーションを防止するためのバリア層である。特に反射電極１４ａとして、マイグレーションし易いＡｇを用いる場合には設けることが好ましい。
カバー電極１４ｂとしては、良好な導電性とバリア性とを有する金属材料を用いることができ、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕなどを用いることができる。また、カバー電極１４ｂは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。

【0031】

ｎ側電極１３は、ｎ型半導体層１２ｎが露出した半導体積層体１２の段差部１２ｂの底面に設けられている。また、ｐ側電極１５は、カバー電極１４ｂの上面の一部に設けられている。ｎ側電極１３はｎ型半導体層１２ｎに、ｐ側電極１５はカバー電極１４ｂ及び反射電極１４ａを介してｐ型半導体層１２ｐに、それぞれ電気的に接続して、発光素子１に外部からの電流を供給するためのパッド電極である。ｎ側電極１３及びｐ側電極１５には、支持体３（図１〜図３参照）の内部配線である金属ワイヤ３２ｎ及び金属ワイヤ３２ｐがそれぞれ接続される。

【0032】

また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐをワイヤボンディングする際の衝撃を緩和して、半導体積層体１２へのダメージを低減するために、ｎ側電極１３及び／又はｐ側電極１５の上面に、衝撃吸収層を設けるようにしてもよい。また、ｐ側電極１５を設けずに、全面電極１４の一部をパッド電極として、金属ワイヤ３２ｐを全面電極１４に直接接続するようにしてもよい。

【0033】

ｎ側電極１３及びｐ側電極１５としては、金属材料を用いることができ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。なお、合金を用いる場合は、例えば、ＡｌＳｉＣｕ合金のように、組成元素としてＳｉなどの非金属元素を含有するものであってもよい。また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。
また、前記した衝撃吸収層を設ける場合は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５と同様の材料を用いることができるが、上面に接続される金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐとの接合性の良好な材料を用いることが好ましい。例えば、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐがＡｕである場合、衝撃吸収層もＡｕを用いることが好ましい。

【0034】

保護層１６は、絶縁性を有し、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の外部との接続部を除き、発光素子１の上面及び側面の全体を被覆する被膜である。保護層１６は、発光素子１の保護膜及び帯電防止膜として機能する。
また、半導体積層体１２の側面部に設けられる保護層１６の外側に反射層を設ける場合は、保護層１６は、発光素子１が発光した波長の光に対して、良好な透光性を有することが好ましい。更に、保護層１６は、蛍光体層２が波長変換した後の波長の光に対しても良好な透光性を有することが好ましい。
保護層１６としては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。

【0035】

また、保護層１６として、屈折率の異なる２種以上の透光性誘電体を用いて積層し、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜を構成するようにしてもよい。ＤＢＲ膜によって、発光素子１の上面及び側面から漏出する光を反射して発光素子１内に戻すことで、発光素子１の光取り出し面である下面からの光取り出し効率を向上させることができる。ＤＢＲ膜としては、例えば、ＳｉＯ_２とＮｂ_２Ｏ_５とを交互に積層した多層膜を挙げることができ、少なくとも３ペア以上、好ましくは７ペア以上の多層膜とすることにより、良好な反射率を得ることができる。

【0036】

（発光素子の他の例）
次に、図５及び図６を参照して、発光素子の他の例について詳細に説明する。
なお、図４に示した例と同一又は対応する構成については、同じ符号を付して説明は適宜省略する。

【0037】

図５及び図６に示した他の例の発光素子１Ａは、ｐ側のパッド電極であるｐ側電極１５が全面電極１４の上面の一部に形成されているとともに、ｎ側のパッド電極であるｎ側電極１３が、ｐ側電極１５が設けられた領域及びその近傍を除き、半導体積層体１２の上面及び側面の略全面に亘って、絶縁性の保護層１６を介して延在するように設けられている。このように、ｎ側電極１３又はｐ側電極１５を、発光素子１Ａの上面及び側面に広範囲に設けることにより、後記する支持体３の樹脂層３１に対して効率的に熱を伝導させることで放熱性を向上させることがきる。
なお、図５及び図６に示した例では、ｎ側電極１３を半導体積層体１２の上面及び側面の広範囲に延在するように設けたが、ｐ側電極１５を広範囲に設けるようにしてもよい。また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の両方を、広範囲に相補的に設けるようにしてもよく、例えば、図５（ａ）において、発光素子１Ａの左半分の広範囲な領域にｐ側電極１５を設け、右半分の広範囲な領域にｎ側電極１３を設けるようにすることもできる。

【0038】

また、ｎ側電極１３及び／又はｐ側電極１５を、反射電極１４ａが設けられない半導体積層体１２の側面にまで延在するように設け、反射膜として機能させるようにしてもよい。これによって、半導体積層体１２の側面から出射する光を半導体積層体１２内へ反射させ、発光素子１の光取り出し面である下面からの光取り出し効率を向上させることができる。
なお、ｎ側電極１３及び／又はｐ側電極１５を反射膜として機能させる場合は、これらの電極の少なくとも下層側（保護層１６側）に、良好な反射性を有する材料を用いることが好ましい。可視光に対して良好な反射性を有する材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金を挙げることができる。

【0039】

発光素子１Ａでは、半導体積層体１２の外周部の全周に、ｎ型半導体層１２ｎが露出する段差部１２ｂが設けられている。また、半導体積層体１２のｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面には、反射電極１４ａ及びカバー電極１４ｂが積層された全面電極１４が設けられている。また、半導体積層体１２の下面の全部と、段差部１２ｂの底面の一部と、全面電極１４の上面の一部とを除き、半導体積層体１２及び全面電極１４の表面は、絶縁性の保護層１６によって被覆されている。また、発光素子１Ａは、発光素子１と同様に、ｎ型半導体層１２ｎの下面の全面に、凹凸形状１２ｃが形成されている。

【0040】

また、段差部１２ｂの底面において、図５（ｂ）及び図６に示すように、保護層１６は開口部を有している。すなわち、この開口部がｎ型半導体層１２ｎが保護層１６によって被覆されていない領域であり、ｎ型半導体層１２ｎとｎ側電極１３との接合部１３ａとなっている。本例では、図５（ａ）にハッチングを施して示すように、半導体積層体１２の外周部の全周に亘り、接合部１３ａが設けられている。このように広範囲に亘って接合部１３ａを設けることにより、ｎ側電極１３を介して供給される電流を、ｎ型半導体層１２ｎに均等に拡散できるため、発光効率を向上させることができる。

【0041】

なお、段差部１２ｂは、半導体積層体１２の外縁部の全周に設けるのではなく、一部に設けるようにしてもよい。段差部１２ｂを設ける領域を低減することにより、ｐ型半導体層１２ｐ及び発光層１２ａを有する領域が広くなり、発光量を増加させることができる。また、段差部１２ｂを、外縁部に代えて又は外縁部に加えて、平面視で半導体積層体１２の内側に設けるようにしてもよい。なお、段差部１２ｂを、半導体積層体１２の一部に偏在して設けずに、広範囲に断続的に設けることにより、段差部１２ｂの領域を過剰に増加させることなく、前記したように、ｎ型半導体層への電流拡散を均等にすることができる。例えば、段差部１２ｂを、図５及び図６に示した例のように半導体積層体１２の外縁部の全周に亘って連続して設けるのではなく、全周に亘って断続的に設けるようにしてもよい。

【0042】

また、本実施形態における発光装置１００（図１〜図３参照）では、便宜的に発光素子として発光素子１を用いるものとして説明するが、図４に示した発光素子１、又は図５及び図６に示した発光素子１Ａの何れでも用いることができる。後記する他の実施形態においても同様に、発光素子１又は発光素子１Ａの何れでも用いることができる。

【0043】

図１〜図３に戻って、発光装置１００の構成について説明を続ける。
蛍光体層（波長変換層）２は、発光素子１が発光する光の一部又は全部を吸収して、発光素子１が発光する波長とは異なる波長の光に変換する波長変換層である。蛍光体層２は、波長変換材料として蛍光体の粒子を含有する樹脂層として形成することができる。また、蛍光体層２は、凹凸形状１２ｃ（図４（ｂ）参照）が設けられた発光素子１の光取り出し面であるｎ型半導体層１２ｎの下面側に設けられている。

【0044】

蛍光体層２の膜厚は、蛍光体の含有量や、発光素子１が発光する光と波長変換後の光との混色後の所望する色調などに応じて定めることができるが、例えば、１〜５００μｍとすることができ、５〜２００μｍとすることがより好ましく、１０〜１００μｍとすることが更に好ましい。

【0045】

また、蛍光体層２における蛍光体の含有量は、単位面積当たりの質量で、０．１〜５０ｍｇ／ｃｍ^２となるように調整することが好ましい。蛍光体の含有量をこの範囲にすることにより、色変換を十分に行うことができる。

【0046】

蛍光体層２を構成する樹脂材料としては、発光素子１が発光した光及び蛍光体層２が含有する蛍光体が波長変換した後の光に対して良好な透光性を有するものを用いることが好ましい。
このような樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂若しくはこれらの樹脂を少なくとも１種以上含む樹脂、又はハイブリッド樹脂などを好適に用いることができる。

【0047】

また、蛍光体（波長変換材料）としては、発光素子１が発光する波長の光によって励起されて、この励起光と異なる波長の蛍光を発する蛍光物質であれば特に限定されず、粒状の蛍光体を好適に用いることができる。粒状の蛍光体は、光散乱性及び光反射性を有するため、波長変換機能に加えて光散乱部材としても機能し、光の拡散効果を得ることができる。蛍光体は、樹脂層である蛍光体層２中にほぼ均一の割合で混合することが好ましい。また、蛍光体は、蛍光体層２中に、２種類以上を一様に混在させてもよいし、多層構造となるように分布させてもよい。

【0048】

蛍光体としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、Ｃｅ（セリウム）で賦活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、Ｃｅで賦活されたＬＡＧ（ルテチウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、Ｅｕ（ユーロピウム）及び／又はＣｒ（クロム）で賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２）系蛍光体、Ｅｕで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＫＳＦ（Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）系蛍光体などを挙げることができる。また、量子ドット蛍光体も用いることができる。

【0049】

また、蛍光体層２に光拡散性を付与するために、透光性の無機化合物粒子、例えばＳｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙなどの希土類若しくはＺｒ、Ｔｉなどの元素の、酸化物、炭酸塩、硫酸塩若しくは窒化物、又はベントナイト、チタン酸カリウムなどの複合塩などの無機フィラーを添加するようにしてもよい。このような無機フィラーの平均粒径は、前記した蛍光体の平均粒径の範囲と同程度の範囲のものとすることができる。

【0050】

蛍光体層２は、溶剤に前記した樹脂、蛍光体粒子、その他の無機フィラー粒子を含有するスラリーを調整し、調整したスラリーをスプレー法、キャスト法、ポッティング法などの塗布法を用いて半導体積層体１２の下面に塗布し、その後に硬化させることにより形成することができる。
また、別途に蛍光体粒子を含有する樹脂板を作製し、当該樹脂板を半導体積層体１２の下面に接着することで形成することもできる。

【0051】

なお、発光装置１００において、蛍光体層２を設けずに、半導体積層体１２の下面を光取り出し面として発光素子１が発光した光を直接出力するようにしてもよい。また、蛍光体層２に代えて、蛍光体を含有させずに、透光性の樹脂層を設けるようにしてもよく、光拡散性のフィラーを含有させた光拡散性の樹脂層を設けるようにしてもよい。

【0052】

支持体３は、平面視で発光素子１の外形を内包する直方体形状をしており、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面側と接合するように設けられ、成長基板が除去された発光素子１の構造を機械的に保つための補強部材である。また、支持体３は、平面視で蛍光体層２と略同じ外形形状をしている。

【0053】

支持体３は、樹脂層３１と、内部配線である金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐと、内部配線の端部を太くするための金属部材３３ｎ，３３ｐと、を備えている。内部の配線構造は、ｎ側及びｐ側の各極性ごとに同様の構成を有している。
すなわち、ｎ側については、金属ワイヤ３２ｎの一端がｎ側電極１３と電気的に接続され、金属部材３３ｎが金属ワイヤ３２ｎの他端の周辺に接合されて設けられている。また、金属ワイヤ３２ｎの他端の端面及び金属部材３３ｎの一部が、樹脂層３１の長手方向の側面から露出しており、金属ワイヤ３２ｎの露出面３２ｎａ及び金属部材３３ｎの露出面３３ｎａからなる内部配線の露出面３０ｎａは、外部と電気的に接続するための負極側の端子面となっている。

【0054】

同様に、ｐ側については、金属ワイヤ３２ｐの一端がｐ側電極１５と電気的に接続され、金属部材３３ｐが金属ワイヤ３２ｐの他端の周辺に接合されて設けられている。
また、金属ワイヤ３２ｐの他端の端面及び金属部材３３ｐの一部が、樹脂層３１の長手方向の側面から露出しており、金属ワイヤ３２ｐの露出面３２ｐａ及び金属部材３３ｐの露出面３３ｐａからなる内部配線の露出面３０ｐａは、外部と電気的に接続するための正極側の端子面となっている。

【0055】

樹脂層３１は、発光素子１の補強部材としての母体である。また、樹脂層３１は、支持体３の外形形状と略同じであり、平面視で、発光素子１の外形形状を内包するとともに蛍光体層２と略同じ外形形状をしている。また、樹脂層３１は、発光素子１の上面及び側面を封止する封止樹脂層である。従って、発光素子１は、樹脂層３１と、下面側に設けられた蛍光体層２とによって全面が封止される。

【0056】

樹脂層３１は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の電極面から略垂直方向に延伸した後にＬ字状（直角）に折れ曲がり、樹脂層３１の長手方向の一方の側面（ＸＺ平面と平行な面）に達する金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを内部に有している。また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの端面は、樹脂層３１の当該長手方向の側面と同一平面をなしている。
樹脂層３１の樹脂材料としては、前記した蛍光体層２に用いるのと同様の樹脂材料を用いることができる。また、圧縮成型により樹脂層３１を形成する場合は、原料として、例えば、粉状のエポキシ系樹脂であるＥＭＣ（エポキシ・モールド・コンパウンド）や粉状のシリコーン系樹脂であるＳＭＣ（シリコーン・モールド・コンパウンド）などを好適に用いることができる。

【0057】

また、樹脂層３１には、熱伝導性を高めるため、熱伝導部材を含有させるようにしてもよい。樹脂層３１の熱伝導率を高めることにより、発光素子１が発生した熱を迅速に伝導して外部に放熱させることができる。
熱伝導部材としては、例えば、粒状のカーボンブラックやＡｌＮ（窒化アルミニウム）などを用いることができる。なお、熱伝導部材が導電性を有する材料の場合は、樹脂層３１が導電性を有さない範囲の粒子密度で熱伝導部材を含有させるものとする。

【0058】

また、樹脂層３１として、透光性の樹脂材料に光反射性のフィラーを含有させた白色樹脂を用いるようにしてもよい。少なくとも、発光素子１の上面に接合する樹脂層３１の下層部に白色樹脂を用いて、発光素子１に隣接する側の樹脂層３１を光反射膜として機能させることにより、発光素子１の上面及び側面側から漏出する光を発光素子１内に戻すことができるため、発光素子１の光取り出し面である下面側からの光取り出し効率を向上させることができる。また、樹脂層３１が光反射膜としての機能を有する場合は、発光素子１の全面電極１４を、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）などの透光性導電材料を用いて形成するようにしてもよい。

【0059】

樹脂層３１の厚さは、成長基板が剥離された発光素子１の補強部材として十分な強度を有するとともに、サイドビュー型で実装する際に、半田などの接着材料が電極接合部から蛍光体層２に回り込まないように、内部配線の露出面３０ｎａ，３０ｐａと、蛍光体層２との距離を考慮して下限を定めることができる。

【0060】

例えば、補強部材としての観点からは樹脂層３１の厚さが５０μｍ程度以上とすることが好ましい。また、更に好ましくは、樹脂層３１の厚さを１００μｍ以上とすることで、樹脂層３１の側面部を実装面としてサイドビュー型で実装基板に実装する際に、発光装置１００を更に安定して実装することができる。また、接着材料の蛍光体層２への回り込み防止の観点からは、蛍光体層２から外部と接続するための端子面となる露出面３０ｎａ，３０ｐａまでは、１００μｍ程度以上離れるようにすることが好ましい。
なお、本実施形態では、外部と接続するための端子面となる内部配線の露出面３０ｎａ，３０ｐａが、樹脂層３１の側面に設けられるため、樹脂層３１の厚さの上限については、特に限定されるものではない。

【0061】

金属ワイヤ３２ｎは、樹脂層３１を、底面から長手方向の一方の側面にかけてＬ字状に折れ曲がりながら貫通するように設けられ、一端がｎ側電極１３と接続され、他端が樹脂層３１の長手方向の側面から露出する内部配線である。金属ワイヤ３２ｎの他端周辺には、金属部材３３ｎが接合されており、金属ワイヤ３２ｎの他端の端面である露出面３２ｎａが、金属部材３３ｎの露出面３２ｎａとともに、外部と接続するための負極側の端子面を構成している。
また、金属ワイヤ３２ｎは、発光素子１が発生した熱を放熱するための熱伝達経路としても機能する。
なお、図１〜図３に示した例では、金属ワイヤ３２ｎは、Ｌ字状に折れ曲がるように設けられているが、これに限定されるものではなく、例えば、円弧状に配線されてもよく、任意の経路で配線することができる。

【0062】

同様に、金属ワイヤ３２ｐは、樹脂層３１を、底面から長手方向の一方の側面にかけてＬ字状に折れ曲がりながら貫通するように設けられ、一端がｐ側電極１５と接続され、他端が樹脂層３１の長手方向の側面から露出する内部配線である。金属ワイヤ３２ｐの他端周辺には、金属部材３３ｐが接合されており、金属ワイヤ３２ｐの他端の端面である露出面３２ｐａが、金属部材３３ｐの露出面３２ｐａとともに、外部と接続するための正極側の端子面を構成している。
金属ワイヤ３２ｐもまた、発光素子１が発生した熱を放熱するための熱伝達経路としても機能する。
なお、熱伝達経路としての金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの熱抵抗を低減するためには、極力短い経路で配線されることが好ましい。

【0063】

金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐとしては、良好な電気伝導性及び熱伝導性を有する材料を用いることが好ましく、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。また、金属ワイヤの表面にコーティングを施したものであってもよい。また、発光素子１が発生する熱を効率よく伝導するために、ワイヤ径は２０μｍ程度以上とすることが好ましく、更に好ましくは３０μｍ程度以上と、太いほど好ましい。
なお、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５に配線可能なサイズであれば、ワイヤ径の上限は特に限定されるものではないが、ワイヤボンディングの際に、ワイヤボンダから半導体積層体１２にかかる衝撃で、半導体積層体１２にダメージが生じない程度、例えば、３ｍｍ程度以下とすることが好ましく、１ｍｍ程度以下とすることが更に好ましい。
また、安価に、より太いワイヤを利用するために、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらを主成分とする合金からなるワイヤを好適に用いることができる。
また、ワイヤの形状は特に限定されず、円形の断面形状を有するワイヤの他に、楕円形や長方形などの断面形状を有するリボン状のワイヤを用いるようにしてもよい。

【0064】

また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの配線経路は、特に限定されるものではないが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの熱抵抗と発光素子１の発熱量とを考慮して、発光素子１が過剰に温度上昇しないように、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの径と配線長とを定めることができる。

【0065】

また、本実施形態のように、内部配線として金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを用いると、配線経路を自由に設定することができるために、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５がどこに配置されていても、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５と樹脂層３１の長手方向の側面との間を容易に接続することができる。

【0066】

なお、金属ワイヤ３２ｎとｎ側電極１３との接合及び金属ワイヤ３２ｐとｐ側電極１５との接合は、ワイヤボンダを用いて行うことができるが、ボールボンディング、ウェッジボンディングの何れの方法で接合してもよい。
例えば、図１０（ａ）において上側に示した発光素子１については、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは、ボールボンディングにより、それぞれｎ側電極１３及びｐ側電極１５と接合されている。また、図１０（ａ）において下側に示した発光素子１については、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは、ウェッジボンディングにより、それぞれｎ側電極１３及びｐ側電極１５と接合されている。

【0067】

金属部材３３ｎは、樹脂層３１内であって、金属ワイヤ３２ｎの他端周辺に接合して設けられ、一部が樹脂層３１の長手方向の側面から露出するように設けられている。また、金属部材３３ｎの露出面３３ｎａは、金属ワイヤ３２ｎの露出面３２ｎａとともに、外部と電気的に接続するための負極側の端子面を構成している。内部配線である金属ワイヤ３２ｎの露出面３２ｎａが負極側の端子面となるが、図１及び図２に示すように、金属部材３３ｎは、端子面の面積を金属ワイヤ３２ｎの露出面３２ｎａの面積よりも広くするために設けられる部材である。端子面の面積を広く形成することにより、発光装置１００の実装基板への接合性を向上させることができる。

【0068】

本実施形態における金属部材３３ｎは、平面視で半円形状をした柱状構造を有しており、金属ワイヤをボールボンディングすることで形成されるワイヤバンプを用いて形成することができる。すなわち、金属部材３３ｎは、金属ワイヤ３２ｎに接合されたワイヤバンプである。なお、金属部材３３ｎの形成方法の詳細については後記する。
金属部材３３ｎとしては、金属ワイヤ３２ｎと接合性がよい材料を用いることが好ましく、金属ワイヤ３２ｎと同質の材料を用いることがより好ましい。

【0069】

金属部材３３ｎの形状は、図１〜図３に示した例に限定されるものではなく、平面視で矩形、三角形、その他の多角形であってもよく、柱状のほか、半球形状などであってもよい。すなわち、金属部材３３ｎは、金属ワイヤ３２ｎの他端周辺に電気的に導通するように接合して設けられ、一部が樹脂層３１の長手方向の側面から露出するように設けられるものであればよい。そして、樹脂層３１の長手方向の側面から端子面として露出する内部配線の露出面３０ｎａの形状は、金属ワイヤ３２ｎの断面形状（図２（ｂ）に示した例では円形）に、金属部材３３ｎの断面形状として任意の形状（図２（ｂ）に示した例では長方形）が付加された形状であってよい。このようにして、金属ワイヤ３２ｎの露出面３２ｎａに加えて、又は代えて、外部と接続するための端子面の面積を、金属ワイヤ３２ｎの端面の面積よりも広くすることができる。
また、ワイヤバンプとして形成されるものに限定されず、例えば、前記した種々の形状の金属部材３３ｎを形成し、半田などの導電性の接着材料を用いて金属ワイヤ３２ｎと接合するようにしてもよい。

【0070】

金属部材３３ｐは、樹脂層３１内であって、金属ワイヤ３２ｐの他端周辺に接合して設けられ、一部が樹脂層３１の長手方向の側面から露出するように設けられている。また、金属部材３３ｐの露出面３３ｐａは、金属ワイヤ３２ｐの露出面３２ｐａとともに、外部と電気的に接続するための正極側の端子面を構成する。
なお、金属部材３３ｐの形状、材質、形成方法などは、金属部材３３ｎと同様であるから、説明は省略する。

【0071】

本実施形態では、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出面３２ｎａ，３２ｐａ及び金属部材３３ｎ，３３ｐの露出面３３ｎａ，３３ｐａからなる内部配線の露出面３０ｎａ，３０ｎｐが、外部と接続するための端子面であるが、露出面３０ｎａ，３０ｐａを被覆するように、外部接続用電極として金属膜を設けるようにしてもよい。露出面３０ｎａ，３０ｐａを被覆するように金属膜を形成する方法としては、例えば、無電解メッキ法を用いることができる。
当該金属膜を外部と接続するための端子面とすることにより、金属膜の厚さ分だけ端子の表面積が増加するため、半田などの接合材料を介した実装時の接合面積が増加する。その結果として、発光装置１００と実装基板との電極の接合性を高めることができる。

【0072】

外部接続用電極として金属膜を設ける場合は、例えば、Ａｕ−Ｓｎ共晶半田などのＡｕ合金系の接合材料を用いた実装基板との接合性を高めるため、少なくとも最上層をＡｕで形成することが好ましい。例えば、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐがＣｕ、Ａｌなどの、Ａｕ以外の金属で形成されている場合は、Ａｕとの密着性を高めるために、無電解メッキ法により、まず、Ｎｉの薄膜を形成し、Ｎｉ層の上層にＡｕ層を積層して形成することが好ましい。また、当該金属膜は、総膜厚が０．１〜５μｍ程度、更に好ましくは０．５〜４μｍ程度とすることができる。

【0073】

［発光装置の動作］
次に、図１〜図４を参照して、発光装置１００の動作について説明する。なお、説明の便宜上、発光素子１は青色光を発光し、蛍光体層２は黄色光を発光するものとして説明する。

【0074】

発光装置１００は、不図示の実装基板を介して外部と接続するための端子面である露出面３０ｎａと露出面３０ｐａとの間に外部電源が接続されると、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐ及び金属部材３３ｎ，３３ｐを介して、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給される。そして、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給されると、発光素子１の発光層１２ａが青色光を発光する。

【0075】

発光素子１の発光層１２ａが発光した青色光は、半導体積層体１２内を伝播して、発光素子１の下面から出射して、一部は蛍光体層２に含有される蛍光体に吸収され、黄色光に変換されて外部に取り出される。また、青色光の一部は、蛍光体に吸収されずに蛍光体層２を透過して外部に取り出される。
なお、発光素子１内を上方向に伝播する光は、反射電極１４ａによって下方向に反射され、発光素子１の下面から出射する。
そして、発光装置１００の外部に取り出された黄色光及び青色光が混色することにより、白色光が生成される。

【0076】

［発光装置の製造方法］
次に、図７を参照して、図１〜図３に示した発光装置１００の製造方法について説明する。
図７に示すように、発光装置１００の製造方法は、発光素子準備工程（ウエハ準備工程）Ｓ１０１と、レジスト形成工程Ｓ１０２と、ワイヤ接続工程Ｓ１０３と、金属部材接合工程Ｓ１０４と、レジスト除去工程Ｓ１０５と、樹脂層形成工程Ｓ１０６と、成長基板除去工程Ｓ１０７と、蛍光体層形成工程（波長変換層形成工程）Ｓ１０８と、個片化工程（切断工程）Ｓ１０９と、を含み、この順で各工程が行われる。

【0077】

以下、図８〜図１６を参照（適宜図１〜図４及び図７参照）して、各工程について詳細に説明する。なお、図８〜図１６の各図において、発光素子１の詳細な構成（例えば、保護層１６、半導体積層体１２の積層構造など）については、記載を省略している。また、その他の各部材についても、形状、サイズ、位置関係を適宜に簡略化したり、誇張したりしている場合がある。

【0078】

発光素子準備工程（ウエハ準備工程）Ｓ１０１は、例えば、図４に示した構成の発光素子１を準備する工程である。本実施形態における発光素子準備工程Ｓ１０１では、複数の発光素子１が一枚の成長基板１１上に配列されたウエハ状態で形成される。図８〜図１６では、平面視で、短手方向に２個の発光素子１が配列して形成される様子を示しているが、長手方向にも短手方向にも、多数の発光素子１が配列して形成されるものである。

【0079】

なお、図８〜図１３及び図１６において平面図と、ｐ側の配線構造を示す断面図とを示し、図１４及び図１５においてｐ側の配線構造を示す断面図を示しているが、各図での方向は座標軸で示している。また、図８〜図１６において、図８（ａ）などに示した平面図のＣ−Ｃ線における断面図、すなわちｎ側の配線構造についての断面図は、Ｂ−Ｂ線における断面図（ｐ側び配線構造についての断面図）において、ｐ側電極１５、金属ワイヤ３２ｐ及び金属部材３３ｐを、それぞれｎ側電極１３、金属ワイヤ３２ｎ及び金属部材３３ｎに置き換えたものであるから、図示は省略している。

【0080】

具体的には、まず、サファイアなどからなる成長基板１１の上面に、前記した半導体材料を用いて、ｎ型半導体層１２ｎ、発光層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐを順次積層して半導体積層体１２を形成する。
半導体積層体１２が形成されると、半導体積層体１２の上面の一部の領域について、ｐ型半導体層１２ｐ、発光層１２ａ及びｎ型半導体層１２ｎの一部をエッチングにより除去してｎ型半導体層１２ｎが底面に露出した段差部１２ｂを形成する。

【0081】

また、段差部１２ｂの形成と同時に、発光素子１同士の境界領域をエッチングしてｎ型半導体層１２ｎを露出させるようにしてもよい。これによって、発光素子準備工程Ｓ１０１内の後工程で、半導体積層体１２の、少なくとも発光層１２ａが含まれる側面を保護層１６で被覆することができる。
更に、境界領域については、成長基板１１が露出するように、半導体積層体１２をすべて除去するようにしてもよい。これによって、個片化工程Ｓ１０９において、半導体積層体１２をダイシングする必要がなくなるため、樹脂からなる層のみのダイシングにより個片化を容易に行うことができる。なお、図８に示した例では、発光素子１の境界領域（図８において、太い破線で示した境界線４０の近傍領域）の半導体積層体１２は完全に除去されている。

【0082】

次に、段差部１２ｂの底面にパッド電極であるｎ側電極１３を形成する。また、ｐ型半導体層１２ｐ及び発光層１２ａを有する発光領域となる領域には、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を被覆する反射電極１４ａと反射電極１４ａの上面及び側面を完全に被覆するカバー電極１４ｂとからなる全面電極１４を形成する。また、カバー電極１４ｂの上面の一部にパッド電極であるｐ側電極１５を形成する。
更に、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の表面を除くウエハの表面全体に、例えば、スパッタリングにより、ＳｉＯ_２などの絶縁性材料を用いて、保護層１６を形成する。
以上により、図８に示すように、ウエハ状態の発光素子１が形成される。

【0083】

次に、レジスト形成工程Ｓ１０２において、フォトリソグラフィ法により、図９に示すように、ウエハ上の、各発光素子１の長手方向（Ｘ軸方向）を区画する境界線４０に沿った領域に延伸するようにストライプ状にレジストパターン（レジスト膜）６１を形成する。レジストパターン６１は、次工程であるワイヤ接続工程Ｓ１０３において、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐをボンディングするために、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の上面に開口６１ａを有している。また、レジストパターン６１は、金属部材接合工程Ｓ１０４において、境界線４０上で、金属ワイヤ３２ｎと金属部材３３ｎとを、及び金属ワイヤ３２ｐと金属部材３３ｐとを、それぞれ、押圧力、超音波、熱などを印加して接合する際の台として用いられるものである。

【0084】

レジストパターン６１の上面の位置が、発光装置１００が完成した際の、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの下端の位置となる。このため、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐが配置される高さを考慮して、レジストパターン６１の高さを定めることができるが、例えば、１５〜３００μｍ程度とすることができ、３０〜１００μｍ程度とすることが更に好ましい。
また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐに金属部材３３ｎ，３３ｐを接合する際の台としての強度、耐熱性などを考慮して、レジストパターン６１として用いる樹脂材料としては当該分野で用いられる材料から適宜に選択することができ、例えば、ポリイミド、アクリル、エポキシなどを好適に用いることができる。また、レジストパターン６１の幅は、金属部材３３ｎ，３３ｐの幅以上とすることが好ましく、例えば、３０〜５００μｍ程度、好ましくは５０〜３００μｍ程度とすることができる。これによって、金属部材３３ｎ，３３ｐを金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐに十分に押し付けることができ、更に超音波を印加して、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐと金属部材３３ｎ，３３ｐとを良好に接合させることができる。

【0085】

なお、図９に示した例では、レジストパターン６１は、長手方向（Ｘ軸方向）に延伸する各発光素子１間のすべての境界線４０沿って設けるようにしたが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐによって接続される発光素子１同士の境界線４０に沿った領域にのみレジストパターン６１を設けるようにしてもよい。
例えば、図９（ａ）において、横方向（Ｘ軸方向）に延伸する３本のレジストパターン６１の内で、上下の２本を形成せず、金属部材３３ｎ，３３ｐの接合の際に台として用いられる中央の１本のみを形成するようにしてもよい。

【0086】

また、レジストパターン６１は、フォトリソグラフィ法に代えて、インクジェット法やシルクスクリーン法などの印刷法を用いて形成するようにしてもよい。また、金型を用いた成型方法により形成するようにしてもよい。

【0087】

次に、ワイヤ接続工程Ｓ１０３において、ワイヤボンダを用いて、図１０に示すように、長手方向に延伸する境界線４０を挟んで隣接する２個の発光素子１ごとに、ｎ側電極１３同士を金属ワイヤ３２ｎで接続するとともに、ｐ側電極１５同士を金属ワイヤ３２ｐで接続する。このとき、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは、境界線４０上に設けられたレジストパターン６１を跨いで配線される。
また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは、境界線４０上でレジストパターン６１の上面と接するように配線することができる。これによって、次工程である金属部材接合工程Ｓ１０４において、金属部材３３ｎ，３３ｐを金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐに接合する際に、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの位置が動かないため、安定した位置精度で両者を接合することができる。

【0088】

なお、次工程の金属部材接合工程Ｓ１０４において金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐに金属部材３３ｎ，３３ｐを接合する際に、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐに掛かる張力による負担を考慮して、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを、レジストパターン６１の上面と接しないように配線してもよい。この場合において、レジストパターン６１の上面から金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを離す距離は、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの位置が図１１（ａ）において左右方向（Ｘ軸方向）に振れても、この振れ量が金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐと金属部材３３ｎ，３３ｐとを接合可能な範囲内に収まるように定めるものとする。レジストパターン６１の上面から金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを離す距離は、具体的には、５〜２００μｍ程度が好ましく、１０〜１００μｍ程度が更に好ましい。

【0089】

なお、図１０に示した例では、一方（図１０（ａ）において上側、図１０（ｂ）において左側）の発光素子１については、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの一端がボールボンディングされ、他方（図１０（ａ）において下側、図１０（ｂ）において右側）の発光素子１については、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの他端がウェッジボンディングされている。なお、ボンディング方法は、本例に限定されるものではなく、任意の方法を用いることができる。

【0090】

例えば、一方の発光素子１については、金属ワイヤ３２ｎの一端はボールボンディング、金属ワイヤ３２ｐの一端はウェッジボンディングされ、他方の発光素子１については、金属ワイヤ３２ｎの他端はウェッジボンディング、金属ワイヤ３２ｐの他端はボールボンディングされていてもよい。このように、ｐ側のボンディング方法とｎ側のボンディング方法とが異なるように組み合わせることにより、ボンディング方法に違いによる接合部の接触抵抗の差及び配線長の違いによる抵抗の差を相殺することができる。これによって、後記する個片化工程Ｓ１０９において発光装置１００を個片化した際に、各発光装置１００における内部配線の配線抵抗を等価にすることができる。このように、内部配線の配線抵抗を揃えることにより、発光装置１００の電気特性のばらつきを低減することができる。その結果として、発光装置１００の発光特性のばらつきを低減することができる。

【0091】

次に、金属部材接合工程Ｓ１０４において、図１１に示すように、境界線４０を跨ぐ位置において、金属部材３３ｎを金属ワイヤ３２ｎに、金属部材３３ｐを金属ワイヤ３２ｐに、それぞれ接合させる。
本例では、ワイヤボンダを用いて金属ワイヤをボールボンディングする際に形成されるワイヤバンプを金属部材３３ｎ，３３ｐとして用い、レジストパターン６１を台として金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐに金属部材３３ｎ，３３ｐを押し付け、超音波を印加することにより接合させるものである。すなわち、金属材料３３ｎ，３３ｐは、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐに、好ましくは金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐと同じ材質の金属ワイヤをボールボンディングすることによって形成されるワイヤバンプである。このため、接合後の金属部材３３ｎ，３３ｐは、平面視で円形をしている。また、金属部材３３ｎ，３３ｐの下部が金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐと融合するように接合されている。

【0092】

また、金属部材３３ｎ，３３ｐは、平面視で、境界線４０上が中心となるように設けることが好ましい。後工程である個片化工程Ｓ１０９において、当該境界線４０に沿って切断した際に、金属部材３３ｎ，３３ｐの切断面が、樹脂層３１の長手方向の側面から露出する露出面３３ｎａ，３３ｐａ（図１〜図３参照）となる。従って、金属部材３３ｎ，３３ｐの中心部を通るように切断することで、金属部材３３ｎ，３３ｐの断面積を大きくすることができる。すなわち、外部と接合するための金属部材３３ｎ，３３ｐの露出面３３ｎａ，３３ｐａ（図１〜図３参照）の面積を大きくすることができる。これによって、発光装置１００を実装する際の電極の接合性を向上させることができる。
なお、図１１において、金属部材３３ｎ，３３ｐの上部に設けられた突起部は、原材料である金属ワイヤの、金属部材３３ｎ，３３ｐを接合した後に切断された端部を示している。

【0093】

また、前記したように、ワイヤバンプに代えて、金属部材３３ｎ，３３ｐとして、例えば、適宜な形状の金属塊を半田などの導電性の接着材料を用いて金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐに接合させるようにしてもよい。

【0094】

次に、レジスト除去工程Ｓ１０５において、図１２に示すように、レジストパターン６１（図１１参照）を除去する。レジストパターン６１は、当該レジストパターン６１を形成する樹脂材料を溶解することができる適宜な薬剤を用いて除去することができる。
なお、レジスト除去工程Ｓ１０５は必須の工程ではなく、この工程を省略して、レジストパターン６１を樹脂層３１の一部として発光装置１００に残すようにしてもよい。

【0095】

次に、樹脂層形成工程Ｓ１０６において、図１３に示すように、ウエハ上面の全体を被覆するように、かつ、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐ及び金属部材３３ｎ，３３ｐが完全に被覆される厚さで樹脂層３１を形成する。これによって、発光素子１と、内部配線である金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐと、金属部材３３ｎ，３３ｐとが、樹脂層３１によって完全に封止される。
樹脂層３１は、金型を用いた成型法や、スプレー法やキャスト法などの塗布法、ポッティング法などにより形成することができる。また、樹脂層３１を形成した後で、樹脂層３１が所定の厚さとなるように、上面を切削するようにしてもよい。

【0096】

次に、成長基板除去工程Ｓ１０７において、図１４に示すように、例えば、ＬＬＯ（レーザーリフトオフ法）やケミカルリフトオフ法などにより、成長基板１１を剥離して取り除く。このとき、半導体積層体１２は、樹脂層３１を母体とする支持体３により補強されているため、割れやひびなどの損傷を受けない。
なお、成長基板除去工程Ｓ１０７を行わずに、成長基板１１を有するように発光装置１００を製造してもよい。また、その際に、成長基板１１を裏面研磨することで薄肉化するようにしてもよい。

【0097】

また、成長基板１１を剥離後の後工程として、露出した半導体積層体１２の下面を研磨し、例えば、ウェットエッチング法により粗面化することで凹凸形状１２ｃ（図４（ｂ）参照）を形成するようにしてもよい。
なお、剥離した成長基板１１は、表面を研磨することで、半導体積層体１２を結晶成長させるための成長基板１１として再利用することができる。

【0098】

次に、蛍光体層形成工程（波長変換層形成工程）Ｓ１０８において、図１５に示すように、半導体積層体１２の下面側に蛍光体層２を形成する。蛍光体層２は、前記したように、例えば、溶剤に樹脂及び蛍光体粒子を含有させたスラリーをスプレー塗布することにより形成することができる。
また、発光素子準備工程Ｓ１０１において、発光素子１の境界領域の半導体積層体１２を完全に除去しておいた場合は、半導体積層体１２は、樹脂からなる層である蛍光体層２及び樹脂層３１により全面が樹脂封止されることになる。

【0099】

なお、蛍光体層形成工程Ｓ１０８は、必須の工程ではなく、蛍光体層２を設けないようにしてもよい。また、蛍光体層２に代えて、蛍光体を含有しない樹脂層を形成するようにしてもよい。更にまた、成長基板１１を除去しない場合は、成長基板１１の下面、又は下面及び側面を被覆するように蛍光体層２を形成するようにしてもよい。

【0100】

次に、個片化工程（切断工程）Ｓ１０９において、図１６に示すように、境界線４０に沿ってダイシングなどによってウエハを切断することにより、複数の発光装置１００に個片化する。このとき、発光素子１の長手方向（Ｘ軸方向）に延伸する境界線４０に沿った切断領域４１で切断した切断面が、樹脂層３１の長手方向の側面となる。また、この長手方向の側面に、内部配線である金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐと、金属部材３３ｎ，３３ｐとが露出する。

【0101】

なお、図１６（ａ）において、発光素子１の境界線４０は、図示した２個の発光素子１の境界のみを示しているが、平面視で、各発光素子１の矩形状の外形を示す四辺に沿って境界線が定められている。従って、図１６において、格子状のハッチングを施して示した切断領域４１が切断により除去される領域である。

【0102】

また、切断面が側面となるため、図１〜図３に示したように、樹脂層３１の側面と、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出面３２ｎａ，３２ｐａ及び金属部材３３ｎ，３３ｐの露出面３３ｎａ，３３ｐａからなる露出面３０ｎａ，３０ｐａとは、同一平面をなすように形成される。
以上の工程により、発光装置１００が形成される。

【0103】

また、前記したように、長手方向に延伸する境界線４０に沿って切断して、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐ及び金属部材３３ｎ，３３ｐを樹脂層３１から露出させた後で、無電解メッキを行うことにより、露出面３０ｎａ，３０ｐａに外部接続用電極として金属膜を形成するようにしてもよい。
更にまた、スパッタリング法などを用いて、露出面３０ｎａ，３０ｐａだけでなく、樹脂層３１の表面にまで延在するように外部接続用電極として金属膜を形成するようにしてもよい。

【0104】

なお、長手方向（Ｘ軸方向）にウエハを切断する際に、厚さ方向について、２回に分けて切断するようにしてもよい。
まず、ウエハの上面側からハーフダイシングして、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐ及び金属部材３３ｎ，３３ｐを樹脂層３１の側面に露出させるようにする。次に、例えば、無電解メッキ法によって、露出面３０ｎａ，３０ｐａを被覆するように、金属膜を形成する。そして、ウエハの下面側から、蛍光体層２及び樹脂層３１をダイシングすることにより、厚さ方向について完全に切断する。これによって、ウエハレベルで金属膜を形成することができる。

【0105】

＜変形例＞
次に、図１７を参照して、本発明の実施形態の変形例に係る発光装置について説明する。
ここで、図１７は、ｐ側の配線構造を示す断面図であり、発光装置１００についての平面図である図２（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する位置の断面図である。なお、ｎ側の配線構造を示す図２（ａ）のＣ−Ｃ線に相当する位置の断面は、ｐ側電極１５、金属ワイヤ３２ｐ及び金属部材３２ｐに代えて、それぞれｎ側電極１３、金属ワイヤ３２ｎ及び金属部材３３ｎを備えることが異なるが、同様の形状を有するため図示は省略する。

【0106】

図１７に示すように、本変形例に係る発光装置１００Ａは、図１〜図３に示した発光装置１００における支持体３に代えて、支持体３Ａを備えて構成されている。支持体３Ａは、２本の金属ワイヤ３２ｐ及びそれぞれの金属ワイヤ３２ｐに接合される２つの金属部材３３ｐを樹脂層３１の内部に有して構成されている。２本の金属ワイヤ３２ｐは、それぞれの一端がｐ側電極１５と電気的に接続され、一方の金属ワイヤ３２ｐの他端が、樹脂層３１の長手方向の一方の側面から露出し、他方の金属ワイヤ３２ｐの他端が、樹脂層３１の長手方向の他方の側面から露出するように配線されている。また、それぞれの金属ワイヤ３２ｐの他端の周辺には金属部材３３ｎが接合されており、金属部材３３ｎの一部が樹脂層３１の長手方向の側面から露出している。
従って、本変形例に係る発光装置１００Ａは、長手方向の両方の側面に内部配線の露出面３０ｐａを有しており、長手方向の側面の何れを実装面としても、サイドビュー型の実装をすることができる。なお、前記したように、ｎ側の配線構造も同様である。

【0107】

なお、図１７に示した例では、ｐ側電極１５と一方の金属ワイヤ３２ｐの接合部上に、他方の金属ワイヤ３２ｐを接合するようにしているが、これに限定されるものではない。２本の金属ワイヤ３２ｐが、互いに重ならないように、接合位置をずらしてｐ側電極１５と接合するようにしてもよい。
また、他の構成要素については、図１〜図３に示した発光装置１００と同様であるから、同じ符号を付して説明は省略する。

【0108】

次に、図１８を参照（適宜図７及び図１７参照）して、本変形例に係る発光装置１００Ａの製造方法について説明する。
まず、発光装置準備工程Ｓ１０１及びレジスト形成工程Ｓ１０２を、それぞれ前記した発光装置１００の製造方法の対応する工程と同様に行う。

【0109】

次に、ワイヤ接続工程Ｓ１０３において、図１８（ａ）に示すように、短手方向（Ｙ軸方向）に隣接して配列された発光素子１のｐ側電極１５同士を、金属ワイヤ３２ｐで順次に接続する。
ここで、図１８（ａ）は、図８（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する位置における断面図である。なお、ｎ側の配線構造を示す図８（ａ）のＣ−Ｃ線に相当する位置の断面図については、ｐ側の配線構造と同様であるから図示は省略する。後記する金属部材接合工程Ｓ１０４についても同様に、ｎ側の配線構造については図示を省略する。
また、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）には、Ｙ軸方向に３個の発光素子１が配列されている様子を示しているが、左右の方向にそれぞれ更に多数の発光素子１が配列されているものとする。

【0110】

図１０に示した発光装置１００の製造方法におけるワイヤ配線工程Ｓ１０３では、Ｙ軸方向に隣接する発光素子１を２個ずつを１組として、１組の発光素子１のｐ側電極１５間に、１本の金属ワイヤ３２ｐを接続するようにした。
これに対して、本変形例におけるワイヤ接続工程Ｓ１０３では、図１８（ａ）に示すように、Ｙ軸方向に隣接する発光素子１のすべてのｐ側電極１５間に金属ワイヤ３２ｐを接続する。従って、１個のｐ側電極１５には、左側に隣接する発光素子１のｐ側電極１５と接続する金属ワイヤ３２ｐと、右側に隣接する発光素子１のｐ側電極１５と接続する金属ワイヤ３２ｐとの２本の金属ワイヤ３２ｐが接続される。

【0111】

本変形例におけるワイヤ接続について更に詳細に説明すると、まず、金属ワイヤ３２ｐの一端を相対的に左側に配列されている発光素子１（１番目の発光素子１）のｐ側電極１５にボールボンディングにより接続する。次に、その金属ワイヤ３２ｐの他端を右側に隣接する発光素子１（２番目の発光素子１）のｐ側電極１５にウェッジボンディングにより接続する。次に、ウェッジボンディングされた当該金属ワイヤ３２ｐの他端上に、新たな金属ワイヤ３２ｐの一端をボールボンディングにより接続する。そして、当該新たな金属ワイヤ３２ｐの他端を、更に右側に隣接する発光素子１（３番目の発光素子１）のｐ側電極１５にウェッジボンディングにより接続する。以下、同様にして、４番目以降に配列されている発光素子１のｐ側電極１５についても、それぞれ２本の金属ワイヤ３２ｐを順次に接続する。
なお、ｎ側電極１３についても同様にして、１電極当たり２本の金属ワイヤ３２ｎを接続する。

【0112】

このように金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを接続することにより、すべての発光素子１について、同じ条件で金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐが接続されることになる。このため、個片化工程Ｓ１０９で個片化して得られる発光装置１００Ａごとの内部配線の配線抵抗のばらつきを低減することができる。その結果として、発光装置１００Ａごとの発光特性のばらつきを低減することができる。

【0113】

次に、金属部材接合工程Ｓ１０４において、図１８（ｂ）に示すように、すべての金属ワイヤ３２ｐについて、Ｙ軸方向のそれぞれの境界線４０を跨ぐように、金属部材３３ｐを接合する。
同様にして、すべての金属ワイヤ３２ｎについても、金属部材３３ｎを接合する。

【0114】

次に、レジスト除去工程Ｓ１０５〜個片化工程Ｓ１０９を、それぞれ前記した発光装置１００の製造方法の対応する工程と同様に行うことにより、樹脂層３１の長手方向の両方の側面に、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐ及び金属部材３３ｎ，３３ｐが露出する発光装置１００Ａが形成される。

【0115】

以上、本発明に係る発光装置及びその製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。

【符号の説明】

【0116】

１，１Ａ 発光素子（半導体発光素子）
１１ 成長基板
１２ 半導体積層体
１２ｎ ｎ型半導体層
１２ａ 発光層
１２ｐ ｐ型半導体層
１２ｂ 段差部
１２ｃ 凹凸形状
１３ ｎ側電極（電極）
１３ａ 接合部
１４ 全面電極
１４ａ 反射電極
１４ｂ カバー電極
１５ ｐ側電極（電極）
１６ 保護層
２ 蛍光体層（波長変換層）
３ 支持体
３０ｎａ，３０ｐａ 露出面
３１ 樹脂層
３２ 金属ワイヤ
３２ｎ，３２ｐ 金属ワイヤ（内部配線）
３２ｎａ，３２ｐａ 露出面
３３ 金属部材
３３ｎ，３３ｐ 金属部材
３３ｎａ，３３ｐａ 露出面
４０ 境界線
４１ 切断領域
６１ レジストパターン（レジスト膜）
１００，１００Ａ 発光装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】