特許 6244324 基板処理装置及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6244324

(24)【登録日】2017年11月17日

(45)【発行日】2017年12月6日

(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20171127BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20171127BHJP

   B01D 19/00 20060101ALI20171127BHJP

   B05C 11/10 20060101ALI20171127BHJP

   B05D 3/00 20060101ALI20171127BHJP

   B05C 11/08 20060101ALN20171127BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/30 562

   H01L21/304 648F

   B01D19/00 G

   B05C11/10

   B05D3/00 B

   !B05C11/08

【請求項の数】9

【全頁数】21

(21)【出願番号】特願2015-60351(P2015-60351)

(22)【出願日】2015年3月24日

(65)【公開番号】特開2016-181577(P2016-181577A)

(43)【公開日】2016年10月13日

【審査請求日】2017年1月11日

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(74)【代理人】

【識別番号】100171099

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 茂樹

(72)【発明者】

【氏名】若水 信也

【審査官】 植木 隆和

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００７−１１７７８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−２１１５２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１４／０８１９６６（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｂ０５Ｃ １１／１０

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第一フィルタ及び第一トラップタンクを含み、前記第一フィルタ側から前記第一トラップタンク側に処理液を導く第一管路と、
第二フィルタを含み、前記第一トラップタンクの下流側と前記第一フィルタの上流側とを接続する第二管路と、
前記第一トラップタンクから供給された前記処理液を導出する第三管路と、
共通の加圧源により前記第一フィルタの上流側及び前記第二フィルタの上流側を個別に加圧可能とするように構成された第四管路と、を備える基板処理装置。

【請求項2】

前記第一フィルタの上流側に接続された処理液の供給源を更に備え、
前記第四管路は、前記供給源に接続された加圧源を前記共通の加圧源とした場合に、前記第一フィルタの上流側及び前記第二フィルタの上流側を個別に加圧可能とするように構成されている、請求項１記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記第三管路と前記第一トラップタンクとの間に介在するポンプを更に備え、
前記第四管路は、前記ポンプを前記共通の加圧源とした場合に、前記第一フィルタの上流側及び前記第二フィルタの上流側を個別に加圧可能とするように構成されている、請求項１又は２記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第四管路は、前記第一管路及び前記第二管路に対して並列に設けられている、請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記第二管路は、前記第二フィルタの下流側に接続された第二トラップタンクを更に含む、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。

【請求項6】

第一フィルタ及び第一トラップタンクを含み、前記第一フィルタ側から前記第一トラップタンク側に処理液を通す第一管路と、
第二フィルタを含み、前記第一トラップタンクの下流側と前記第一フィルタの上流側とを接続する第二管路と、
前記第一トラップタンクから前記処理液を導出する第三管路と、
前記第一管路及び前記第二管路に対して並列に設けられた第四管路と、を備える基板処理装置。

【請求項7】

請求項１〜５のいずれか一項記載の基板処理装置を用い、
前記第一フィルタ及び前記第二フィルタのうち、いずれか一方のフィルタの上流側に対して、前記第四管路を経て前記共通の加圧源による加圧を行い、当該一方のフィルタを通過した前記処理液を排出すること、
前記第一フィルタ及び前記第二フィルタのうち、他方のフィルタの上流側に対して、前記第四管路を経ることなく前記共通の加圧源による加圧を行い、当該他方のフィルタを通過した前記処理液を排出すること、を含む基板処理方法。

【請求項8】

前記第一フィルタの上流側及び前記第二フィルタの下流側に接続された前記共通の加圧源を用い、
前記第二フィルタの上流側に対して、前記第四管路を経て当該加圧源による加圧を行い、前記第二フィルタを通過した前記処理液を排出すること、
前記第一フィルタの上流側に対して、前記第四管路を経ることなく当該加圧源による加圧を行い、前記第一フィルタを通過した前記処理液を排出すること、を含む請求項７記載の基板処理方法。

【請求項9】

前記第一トラップタンクの下流側及び前記第二フィルタの上流側に接続された前記共通の加圧源を用い、
前記第一フィルタの上流側に対して、前記第四管路を経て当該加圧源による加圧を行い、前記第一フィルタを通過した前記処理液を排出すること、
前記第二フィルタの上流側に対して、前記第四管路を経ることなく当該加圧源による加圧を行い、前記第二フィルタを通過した前記処理液を排出すること、を含む請求項７又は８記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、処理液を複数のフィルタに通したうえで基板に供給する基板処理装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１３−２１１５２５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

フィルタは、処理液への気泡の混入源となり得るので、フィルタに蓄積した気泡を処理液の供給に先立って十分に除去することが必要となる。複数のフィルタを用いる場合においては、各フィルタ中の気泡を効率よく除去できることが望まれる。

【0005】

本開示は、複数のフィルタ中の気泡を効率よく除去できる装置及び方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示に係る基板処理装置は、第一フィルタ及び第一トラップタンクを含み、第一フィルタ側から第一トラップタンク側に処理液を導く第一管路と、第二フィルタを含み、第一トラップタンクの下流側と第一フィルタの上流側とを接続する第二管路と、第一トラップタンクから供給された処理液を導出する第三管路と、共通の加圧源により第一フィルタの上流側及び第二フィルタの上流側を個別に加圧可能とするように構成された第四管路と、を備える。

【0007】

この基板処理装置によれば、第一フィルタの上流側及び第二フィルタの上流側を個別に加圧することにより、気泡の除去をフィルタごとに実行できる。このため、一方のフィルタから他方のフィルタへの気泡の混入を抑制し、各フィルタにおける気泡の除去を迅速に遂行できる。また、各フィルタにおける気泡の除去に共通の加圧源を用いることが可能であるため、フィルタごとの気泡の除去を簡単な構成によって実現できる。
従って、複数のフィルタ中の気泡を効率よく除去できる。

【0008】

第一フィルタの上流側に接続された処理液の供給源を更に備え、第四管路は、供給源に接続された加圧源を共通の加圧源とした場合に、第一フィルタの上流側及び第二フィルタの上流側を個別に加圧可能とするように構成されてもよい。この場合、供給源に接続された加圧源（例えば処理液を押し出すための加圧源）をフィルタごとの気泡の除去に活用することで、装置構成の更なる単純化を図ることができる。

【0009】

第三管路と第一トラップタンクとの間に介在するポンプを更に備え、第四管路は、ポンプを共通の加圧源とした場合に、第一フィルタの上流側及び第二フィルタの上流側を個別に加圧可能とするように構成されてもよい。この場合、ポンプをフィルタごとの気泡の除去に活用することで、装置構成の更なる単純化を図ることができる。

【0010】

第四管路は、第一管路及び第二管路に対して並列に設けられてもよい。この場合、加圧源を第四管路に接続することで、当該加圧源により第一フィルタの上流側及び第二フィルタの上流側を個別に加圧可能である。このため、フィルタごとの気泡の除去を簡単な構成の第四管路によって実現できる。従って、装置構成の更なる単純化を図ることができる。

【0011】

第二管路は、第二フィルタの下流側に接続された第二トラップタンクを更に含んでもよい。この場合、第二フィルタから第一フィルタへの気泡の混入をより確実に防止できる。

【0012】

本開示に係る基板処理装置は、第一フィルタ及び第一トラップタンクを含み、第一フィルタ側から第一トラップタンク側に処理液を通す第一管路と、第二フィルタを含み、第一トラップタンクの下流側と第一フィルタの上流側とを接続する第二管路と、第一トラップタンクから処理液を導出する第三管路と、第一管路及び第二管路に対して並列に設けられた第四管路と、を備える。

【0013】

この基板処理装置によれば、加圧源を第四管路に接続することで、当該加圧源により第一フィルタの上流側及び第二フィルタの上流側を個別に加圧可能である。第一フィルタの上流側及び第二フィルタの上流側を個別に加圧することにより、気泡の除去をフィルタごとに実行できる。このため、一方のフィルタから他方のフィルタへの気泡の混入を抑制し、各フィルタにおける気泡の除去を迅速に遂行できる。また、各フィルタにおける気泡の除去に共通の加圧源を用いることが可能であるため、フィルタごとの気泡の除去を簡単な構成にて実現できる。従って、複数のフィルタ中の気泡を効率よく除去できる。

【0014】

本開示に係る基板処理方法は、上記基板処理装置を用い、第一フィルタ及び第二フィルタのうち、いずれか一方のフィルタの上流側に対して、第四管路を経て共通の加圧源による加圧を行い、当該一方のフィルタを通過した処理液を排出すること、第一フィルタ及び第二フィルタのうち、他方のフィルタの上流側に対して、第四管路を経ることなく共通の加圧源による加圧を行い、当該他方のフィルタを通過した処理液を排出すること、を含む。

【0015】

この基板処理方法によれば、気泡の除去をフィルタごとに実行できる。このため、一方のフィルタから他方のフィルタへの気泡の混入を抑制し、各フィルタにおける気泡の除去を迅速に遂行できる。また、各フィルタにおける気泡の除去に共通の加圧源を用いることが可能であるため、フィルタごとの気泡の除去を簡単な構成によって実現できる。
従って、複数のフィルタ中の気泡を効率よく除去できる。

【0016】

第一フィルタの上流側及び第二フィルタの下流側に接続された共通の加圧源を用い、第二フィルタの上流側に対して、第四管路を経て当該加圧源による加圧を行い、第二フィルタを通過した処理液を排出すること、第一フィルタの上流側に対して、第四管路を経ることなく当該加圧源による加圧を行い、第一フィルタを通過した処理液を排出すること、を含んでもよい。この場合、例えば供給源から処理液を押し出すための加圧源をフィルタごとの気泡の除去に活用することで、装置構成の更なる単純化を図ることができる。

【0017】

第一トラップタンクの下流側及び第二フィルタの上流側に接続された共通の加圧源を用い、第一フィルタの上流側に対して、第四管路を経て当該加圧源による加圧を行い、第一フィルタを通過した処理液を排出すること、第二フィルタの上流側に対して、第四管路を経ることなく当該加圧源による加圧を行い、第二フィルタを通過した処理液を排出すること、を含んでもよい。この場合、例えば処理液の導出用のポンプをフィルタごとの気泡の除去に活用することで、装置構成の更なる単純化を図ることができる。

【発明の効果】

【0018】

本開示によれば、複数のフィルタ中の気泡を効率よく除去できる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】基板処理システムの斜視図である。

【図2】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。

【図3】図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。

【図4】塗布ユニットの概略構成を示す模式図である。

【図5】給液装置の概略構成を示す模式図である。

【図6】液源側からの加圧による通液手順を示すフローチャートである。

【図7】第一フィルタへの通液経路を示す模式図である。

【図8】第一トラップタンクへの通液経路を示す模式図である。

【図9】第二フィルタへの通液経路を示す模式図である。

【図10】第二トラップタンクへの通液経路を示す模式図である。

【図11】第二トラップタンクへの通液経路を示す模式図である。

【図12】ポンプへの通液経路を示す模式図である。

【図13】ポンプへの通液経路を示す模式図である。

【図14】処理液循環・供給手順を示すフローチャートである。

【図15】循環経路を示す模式図である。

【図16】循環経路を示す模式図である。

【図17】吐出経路を示す模式図である。

【図18】ポンプによる通液手順を示すフローチャートである。

【図19】第一トラップタンクへの通液経路を示す模式図である。

【図20】第一フィルタへの通液経路を示す模式図である。

【図21】第二フィルタへの通液経路を示す模式図である。

【図22】第二トラップタンクへの通液経路を示す模式図である。

【図23】減圧経路を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

【0021】

〔基板処理システム〕
まず、本実施形態に係る基板処理システム１の概要を説明する。図１に示すように、基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、レジスト膜の露光処理を行う。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

【0022】

図１及び図２に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインタフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。

【0023】

キャリアブロック４は、キャリアステーション１２と搬入・搬出部１３とを有する。搬入・搬出部１３はキャリアステーション１２と処理ブロック５との間に介在する。キャリアステーション１２は、複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを密封状態で収容し、ウェハＷを出し入れするための開閉扉（不図示）を一側面１１ａ側に有する。キャリア１１は、側面１１ａが搬入・搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。

【0024】

搬入・搬出部１３は、キャリアステーション１２上の複数のキャリア１１にそれぞれ対応する複数の開閉扉１３ａを有する。側面１１ａの開閉扉と開閉扉１３ａとを同時に開放することで、キャリア１１内と搬入・搬出部１３内とが連通する。搬入・搬出部１３は受け渡しアームＡ１を内蔵している。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

【0025】

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示すように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、これらのユニットを経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している。液処理ユニットＵ１は、各種の処理液をウェハＷの表面に供給する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行う。

【0026】

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、処理液の一例として、下層膜形成用の液体をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、液体の塗布により形成された液膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。

【0027】

処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、処理液の一例として、レジスト膜形成用の液体を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、液体の塗布により形成された液膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。

【0028】

処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、処理液の一例として、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、液体の塗布により形成された液膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。

【0029】

処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのレジスト膜を現像する液処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、処理液の一例として、現像液をウェハＷ上に塗布する。更にこの液処理ユニットＵ１は、処理液の一例として、リンス液をウェハＷ上に供給することで、レジスト膜の溶解成分を現像液と共に洗い流す。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

【0030】

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、床面から処理モジュール１６に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。

【0031】

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は床面から処理モジュール１７の上部に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

【0032】

インタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

【0033】

このように構成された塗布・現像装置２の各構成要素は、概ね次の手順で塗布・現像処理を実行する。まず、受け渡しアームＡ１がキャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送する。このウェハＷを、昇降アームＡ７が処理モジュール１４用のセルに配置し、処理モジュール１４の搬送アームＡ３が処理モジュール１４の各ユニットに搬送する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、搬送アームＡ３により搬送されたウェハＷの表面Ｗａ上に下層膜を形成する。下層膜の形成が完了すると、搬送アームＡ３がウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。

【0034】

このウェハＷを、昇降アームＡ７が処理モジュール１５用のセルに配置し、処理モジュール１５の搬送アームＡ３が処理モジュール１５の各ユニットに搬送する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、搬送アームＡ３により搬送されたウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成する。レジスト膜の形成が完了すると、搬送アームＡ３がウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。

【0035】

このウェハＷを、昇降アームＡ７が処理モジュール１６用のセルに配置し、処理モジュール１６の搬送アームＡ３が処理モジュール１６の各ユニットに搬送する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、搬送アームＡ３により搬送されたウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成する。上層膜の形成が完了すると、搬送アームＡ３がウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。

【0036】

このウェハＷを、昇降アームＡ７が処理モジュール１７用のセルに配置し、直接搬送アームＡ６が棚ユニットＵ１１に搬送する。このウェハＷを受け渡しアームＡ８が露光装置３に送り出す。露光装置３における露光処理が完了すると、受け渡しアームＡ８がウェハＷを露光装置３から受け入れ、棚ユニットＵ１１に戻す。

【0037】

このウェハＷを、処理モジュール１７の搬送アームＡ３が処理モジュール１７の各ユニットに搬送する。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、搬送アームＡ３により搬送されたウェハＷのレジスト膜の現像処理及びこれに伴う熱処理を行う。これらの処理が完了すると、搬送アームＡ３はウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送する。このウェハＷを、昇降アームＡ７が受け渡し用のセルに配置し、受け渡しアームＡ１がキャリア１１内に戻す。以上で、塗布・現像処理が完了する。

【0038】

〔液処理ユニット〕
続いて、本実施形態に係る基板処理装置の一例として、液処理ユニットＵ１について詳細に説明する。図４に示すように、液処理ユニットＵ１は、ウェハ回転保持部２１と、ノズル２２と、給液装置２３と、カップ２４とを備える。

【0039】

ウェハ回転保持部２１は、保持部２５と、回転部２６と、昇降部２７とを有する。保持部２５は、水平に配置されたウェハＷを支持し、例えば吸着等により保持する。回転部２６は、例えば電動モータ等を動力源として鉛直軸まわりに保持部２５を回転させる。昇降部２７は、例えばエアシリンダ等を動力源として保持部２５を昇降させる。

【0040】

ノズル２２は、保持部２５に保持されたウェハＷの上に配置され、下方に処理液を吐出する。給液装置２３は、ノズル２２に処理液を供給する。

【0041】

カップ２４は、ウェハ回転保持部２１を収容し、ウェハＷ上から振り切られた処理液の飛散を防ぐ。カップ２４の底部には、処理液を排出するドレン孔２４ａが形成されている。

【0042】

コントローラ１００は、液処理を実行するように液処理ユニットＵ１の各部を制御する。一例として、コントローラ１００は、まず保持部２５を上昇させるように昇降部２７を制御し、ウェハ回転保持部２１上にウェハＷを配置するように搬送アームＡ３を制御し、ウェハＷを保持するように保持部２５を制御する。その後、コントローラ１００は、保持部２５を下降させるように昇降部２７を制御し、ウェハＷをカップ２４内に収容する。

【0043】

次に、コントローラ１００は、保持部２５の回転を開始させるように回転部２６を制御した後に、処理液をノズル２２から吐出させるように給液装置２３を制御する。これにより、ウェハＷ上に処理液が塗布される。処理液の塗布が完了すると、コントローラ１００は、処理液の吐出を停止させるように給液装置２３を制御し、保持部２５の回転を停止させるように回転部２６を制御する。

【0044】

次に、コントローラ１００は、保持部２５を上昇させるように昇降部２７を制御し、ウェハＷの保持を解除するように保持部２５を制御し、ウェハＷを保持部２５上から搬出するように搬送アームＡ３を制御する。以上で液処理が完了する。

【0045】

コントローラ１００は、例えば一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成されており、メモリに記録されたプログラムに従って各種制御を実行する。コントローラ１００は、例えばハードディスク、不揮発性の半導体メモリ、光ディスク等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体から上記プログラムを読み出すように構成されていてもよい。上記プログラムは、上述した液処理を液処理ユニットＵ１に実行させるためのプログラムを含む。

【0046】

〔給液装置〕
続いて、給液装置２３の構成について詳細に説明する。図５に示すように、給液装置２３は、タンク３０と、ガスボンベ３１と、ポンプ３２と、管路ＰＬ０〜ＰＬ６と、排出管Ｄ１〜Ｄ４と、バルブＶ０〜Ｖ１４とを有する。

【0047】

タンク３０は処理液を収容し、処理液の供給源として機能する。ガスボンベ３１は、圧縮された不活性ガス（例えば窒素ガス）を収容しており、加圧用のガスの供給源として機能する。

【0048】

ポンプ３２は、例えばダイヤフラム式、ベローズ式、ロータリー式等のポンプであり、処理液をノズル２２に圧送する。

【0049】

管路ＰＬ０は、ガスボンベ３１及びタンク３０を接続し、ガスボンベ３１からタンク３０に不活性ガスを導く。

【0050】

管路ＰＬ１（第一管路）はフィルタ３３（第一フィルタ）及びトラップタンク３４（第一トラップタンク）を含む。フィルタ３３は処理液中のパーティクルを捕集する。トラップタンク３４は処理液から気体を分離する。

【0051】

管路ＰＬ１の一端部はタンク３０に接続されており、フィルタ３３及びトラップタンク３４はタンク３０側から順に並んでいる。この構成により、管路ＰＬ１は、フィルタ３３側からトラップタンク３４側に処理液を導く。以下、「フィルタ３３の上流側」はトラップタンク３４の逆側を意味し、「トラップタンク３４の下流側」はフィルタ３３の逆側を意味する。この定義において、タンク３０はフィルタ３３の上流側に接続されている。

【0052】

管路ＰＬ２（第二管路）は、フィルタ３５（第二フィルタ）及びトラップタンク３６（第二トラップタンク）を含む。フィルタ３５は処理液中のパーティクルを捕集する。フィルタ３５はフィルタ３３と同種であってもよいし、異種であってもよい。例えばフィルタ３５は、捕集対象の大きさがフィルタ３３と異なるものであってもよい。トラップタンク３６は処理液から気体を分離する。

【0053】

管路ＰＬ２は、トラップタンク３４の下流側とフィルタ３３の上流側とを接続している。一例として、管路ＰＬ２の一端部はトラップタンク３４の下流側の接続部Ｊ１において管路ＰＬ１に接続されている。管路ＰＬ２の他端部はタンク３０及びフィルタ３３の間の接続部Ｊ２において管路ＰＬ１に接続されている。フィルタ３５及びトラップタンク３６は、管路ＰＬ２の上記一端部側から上記他端部側に並んでいる。以下、「フィルタ３５の上流側」はトラップタンク３６の逆側を意味し、「トラップタンク３６の下流側」はフィルタ３５の逆側を意味する。

【0054】

管路ＰＬ３（第三管路）の一端部はポンプ３２を介してトラップタンク３４に接続されており、管路ＰＬ３の他端部はノズル２２に接続されている。管路ＰＬ３はトラップタンク３４から供給された処理液を導出する（ノズル２２に導く）。

【0055】

管路ＰＬ４（第四管路）は、管路ＰＬ１及び管路ＰＬ２に対して並列に設けられている。換言すると、管路ＰＬ４はフィルタ３３及びトラップタンク３６の間と、フィルタ３５及びトラップタンク３４の間とを接続している。一例として、管路ＰＬ４の一端部は、上記接続部Ｊ１及びフィルタ３５の間の接続部Ｊ３に接続されている。管路ＰＬ４の他端部は、上記接続部Ｊ２及びトラップタンク３６の間の接続部Ｊ４に接続されている。

【0056】

管路ＰＬ５，ＰＬ６は、いずれもトラップタンク３４とポンプ３２とを接続する。管路ＰＬ５は、トラップタンク３４からポンプ３２に処理液を導く。管路ＰＬ６は、ポンプ３２からトラップタンク３４に処理液を導く。

【0057】

排出管Ｄ１はフィルタ３３に接続されており、フィルタ３３内の気泡を処理液と共に排出する。排出管Ｄ２はトラップタンク３４に接続されており、トラップタンク３４内の気泡を処理液と共に排出する。排出管Ｄ３はフィルタ３５に接続されており、フィルタ３５内の気泡を処理液と共に排出する。排出管Ｄ４はトラップタンク３６に接続されており、トラップタンク３６内の気泡を処理液と共に排出する。

【0058】

バルブＶ０〜Ｖ１４は、例えば電磁弁であり、コントローラ１００からの指令入力に応じて開閉する。バルブＶ０は、管路ＰＬ０に設けられている。バルブＶ１〜Ｖ３は管路ＰＬ１に設けられている。バルブＶ１はタンク３０及び接続部Ｊ２の間に配置され、バルブＶ２は接続部Ｊ２及びフィルタ３３の間に配置され、バルブＶ３はフィルタ３３及びトラップタンク３４の間に配置されている。バルブＶ４〜Ｖ６は管路ＰＬ２に設けられている。バルブＶ４はトラップタンク３４及び接続部Ｊ３の間に配置され、バルブＶ５はトラップタンク３６及び接続部Ｊ４の間に配置され、バルブＶ６は接続部Ｊ４及び接続部Ｊ２の間に配置されている。バルブＶ７〜Ｖ１０は管路ＰＬ３〜ＰＬ６にそれぞれ設けられている。バルブＶ１１〜Ｖ１４は排出管Ｄ１〜Ｄ４にそれぞれ設けられている。

【0059】

〔給液手順〕
続いて、基板処理方法の一例として、液処理ユニットＵ１により実行される給液手順について説明する。この給液手順は、上述した液処理において、処理液をノズル２２から吐出させるための手順である。この給液手順は、第一の通液手順と、処理液の吐出手順と、第二の通液手順とを含む。以下、これらの手順について説明する。

【0060】

（第一の通液手順）
第一の通液手順は、ガスボンベ３１を共通の加圧源として、フィルタ３３，３５、トラップタンク３４，３６及びポンプ３２への通液を行うことで、各部の気泡を除去する手順である。第一の通液手順は、例えばフィルタ３３，３５の少なくともいずれかを交換した直後に実行される。第一の通液手順は、オペレータの指示入力に応じて実行されてもよい。

【0061】

図６に示すように、液処理ユニットＵ１は、まずステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、コントローラ１００が、バルブＶ０，Ｖ１，Ｖ２，Ｖ１１を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。バルブＶ０が開くことにより、タンク３０内が不活性ガスによって加圧される。バルブＶ１，Ｖ２が開くことにより、更にフィルタ３３の上流側が加圧される。Ｖ１１が開くことにより、フィルタ３３を経てタンク３０から排出管Ｄ１に至る流路Ｒ１が形成される（図７参照）。このため処理液は、フィルタ３３を通過してタンク３０から排出管Ｄ１に流れる。これにより、フィルタ３３内の気泡が除去される。

【0062】

次に、液処理ユニットＵ１はステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、コントローラ１００が、バルブＶ０，Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１２を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。バルブＶ０が開くことにより、タンク３０内が不活性ガスによって加圧される。バルブＶ１，Ｖ２が開くことにより、更にフィルタ３３の上流側が加圧される。バルブＶ３，Ｖ１２が開くことにより、フィルタ３３及びトラップタンク３４を経てタンク３０から排出管Ｄ２に至る流路Ｒ２が形成される（図８参照）。このため処理液は、フィルタ３３及びトラップタンク３４を通過してタンク３０から排出管Ｄ２に流れる。これにより、トラップタンク３４内の気泡が除去される。

【0063】

次に、液処理ユニットＵ１はステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、コントローラ１００がバルブＶ０，Ｖ１，Ｖ６，Ｖ８，Ｖ１３を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。バルブＶ０が開くことにより、タンク３０内が不活性ガスによって加圧される。バルブＶ１，Ｖ６，Ｖ８が開くことにより、更にフィルタ３５の上流側が加圧される。バルブＶ１３が開くことにより、フィルタ３５を経てタンク３０から排出管Ｄ３に至る流路Ｒ３が形成される（図９参照）。このため処理液は、フィルタ３５を通過してタンク３０から排出管Ｄ３に流れる。これにより、フィルタ３５内の気泡が除去される。

【0064】

次に、液処理ユニットＵ１はステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、コントローラ１００がバルブＶ０，Ｖ１，Ｖ６，Ｖ８，Ｖ１４を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。バルブＶ０が開くことにより、タンク３０内が不活性ガスによって加圧される。バルブＶ１，Ｖ６，Ｖ８が開くことにより、更にフィルタ３５の上流側が加圧される。バルブＶ１４が開くことにより、フィルタ３５及びトラップタンク３６を経てタンク３０から排出管Ｄ４に至る流路Ｒ４が形成される（図１０参照）。このため処理液は、フィルタ３５及びトラップタンク３６を通過してタンク３０から排出管Ｄ４に流れる。これにより、トラップタンク３６内の気泡が除去される。

【0065】

その後、コントローラ１００は、バルブＶ０，Ｖ１，Ｖ６，Ｖ５，Ｖ１４を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。バルブＶ１，Ｖ６，Ｖ５が開くことにより、フィルタ３５の上流側に代えてトラップタンク３６の下流側が加圧される。バルブＶ１４が開くことにより、トラップタンク３６を経てタンク３０から排出管Ｄ４に至る流路Ｒ５が形成される（図１１参照）。このため処理液は、トラップタンク３６を通過してタンク３０から排出管Ｄ４に流れる。これにより、トラップタンク３６内の気泡がより確実に除去される。

【0066】

次に、液処理ユニットＵ１はステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、コントローラ１００が、バルブＶ０，Ｖ１，Ｖ６，Ｖ８，Ｖ４，Ｖ１０，Ｖ７を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。バルブＶ０が開くことにより、タンク３０内が不活性ガスによって加圧される。バルブＶ１，Ｖ６，Ｖ８，Ｖ４が開くことにより、更にトラップタンク３６の下流側が加圧される。バルブＶ１０，Ｖ７が開くことにより、トラップタンク３４及びポンプ３２を経てタンク３０から管路ＰＬ３に至る流路Ｒ６が形成される（図１２参照）。このため処理液は、トラップタンク３４及びポンプ３２を通過してタンク３０から管路ＰＬ３に流れる。これにより、ポンプ３２内の気泡が除去される。

【0067】

その後、コントローラ１００は、バルブＶ０，Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ９，Ｖ７を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。バルブＶ１，Ｖ２が開くことにより、トラップタンク３４の下流側に代えてフィルタ３３の上流側が加圧される。バルブＶ３，Ｖ９，Ｖ７が開くことにより、フィルタ３３、トラップタンク３４及びポンプ３２を経てタンク３０から管路ＰＬ３に至る流路Ｒ７が形成される（図１３参照）。このため処理液は、フィルタ３３、トラップタンク３４、ポンプ３２を通過してタンク３０から管路ＰＬ３に流れる。これにより、ポンプ３２内の気泡がより確実に除去される。

【0068】

以上で第一の通液手順が完了する。第一の通液手順は、フィルタ３３，３５のいずれか一方のフィルタの上流側に対して、管路ＰＬ４を経て共通の加圧源による加圧を行い、当該一方のフィルタを通過した処理液を排出すること、フィルタ３３，３５のうち他方のフィルタの上流側に対して、管路ＰＬ４を経ることなく共通の加圧源による加圧を行い、当該他方のフィルタを通過した処理液を排出すること、を含む。

【0069】

一例として、第一の通液手順は、フィルタ３５の上流側に対して、管路ＰＬ４を経てガスボンベ３１による加圧を行い、フィルタ３５を通過した処理液を排出すること、フィルタ３３の上流側に対して、管路ＰＬ４を経ることなくガスボンベ３１による加圧を行い、フィルタ３３を通過した処理液を排出すること、を含む。

【0070】

第一の通液手順にて示されるように、管路ＰＬ４は、共通の加圧源によりフィルタ３３の上流側及びフィルタ３５の上流側を個別に加圧可能とするように構成されている。一例として、管路ＰＬ４は、ガスボンベ３１を共通の加圧源とした場合に、フィルタ３３の上流側及びフィルタ３５の上流側を個別に加圧可能とするように構成されている。

【0071】

（処理液の吐出手順）
処理液の吐出手順は、処理対象のウェハＷが液処理ユニットＵ１に搬入された場合に、ノズル２２から処理液を吐出し、ウェハＷの表面Ｗａに処理液を供給する手順である。

【0072】

図１４に示すように、液処理ユニットＵ１は、まずステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、処理対象のウェハＷが液処理ユニットＵ１内にあるか否かをコントローラ１００が確認する。液処理ユニットＵ１内に液処理対象のウェハＷがないと判定した場合、液処理ユニットＵ１はステップＳ１２，Ｓ１３，Ｓ１４を実行する。

【0073】

ステップＳ１２では、コントローラ１００が、管路ＰＬ５内を減圧するようにポンプ３２を制御し、バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ９を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ９が開くことにより、フィルタ３３及びトラップタンク３４を経てタンク３０からポンプ３２に至る流路Ｒ１１が形成される（図１５参照）。このため、管路ＰＬ５内の減圧に応じ、処理液が流路Ｒ１１を流れ、タンク３０からポンプ３２内に流入する。流路Ｒ１１においてフィルタ３３及びトラップタンク３４を通過することにより、処理液中のパーティクル及び気泡が除去される。

【0074】

ステップＳ１３では、コントローラ１００が、管路ＰＬ６内を加圧するようにポンプ３２を制御し、バルブＶ１，Ｖ６，Ｖ５，Ｖ４，Ｖ１０を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。バルブＶ１，Ｖ６，Ｖ５，Ｖ４，Ｖ１０が開くことにより、フィルタ３５及びトラップタンク３６を経てポンプ３２からタンク３０に至る流路Ｒ１２が形成される（図１６参照）。このため、管路ＰＬ６内の加圧に応じ、処理液が流路Ｒ１２を流れ、ポンプ３２からタンク３０内に戻る。流路Ｒ１２においてフィルタ３５及びトラップタンク３６を通過することにより、処理液中のパーティクル及び気泡が更に除去される。

【0075】

ステップＳ１４では、コントローラ１００が、動作停止が必要か否かを確認する。動作停止が必要な状況としては、タンク３０内における処理液の残量が過少となった場合、各部における気泡の除去を再度実行するタイミングとなった場合等が挙げられる。動作停止が必要ではない場合、コントローラ１００は処理をステップＳ１１に戻す。以後、動作停止が必要な状況となるか、ウェハＷが液処理ユニットＵ１に搬入されるまで、液処理ユニットＵ１はステップＳ１２，Ｓ１３を繰り返す。これにより、管路ＰＬ１及び管路ＰＬ２の間で処理液が循環するので、フィルタ３３，３５及びトラップタンク３４，３６における処理液の滞留が抑制される。このため、滞留に起因するパーティクルの成長・混入が抑制される。

【0076】

ステップＳ１１において、処理対象のウェハＷが液処理ユニットＵ１内に搬入されたと判定した場合、液処理ユニットＵ１はステップＳ１５，Ｓ１６，Ｓ１７を実行する。

【0077】

ステップＳ１５では、コントローラ１００が、管路ＰＬ３へ処理液を圧送するようにポンプ３２を制御し、バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ９，Ｖ７を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ９，Ｖ７が開くことにより、フィルタ３３、トラップタンク３４、ポンプ３２を経てタンク３０からノズル２２に至る流路Ｒ１３が形成される（図１７参照）。このため、ポンプ３２による圧送に応じ、処理液が流路Ｒ１３を流れ、タンク３０からノズル２２に供給され、ノズル２２から吐出される。

【0078】

ステップＳ１６では、コントローラ１００が予め設定された基準時間の経過を待機する。基準時間は、処理内容に応じて適宜設定される。ステップＳ１７では、コントローラ１００が、バルブＶ７を閉じるように指令信号を出力し、管路ＰＬ３への処理液の圧送を停止するようにポンプ３２を制御する。これにより、処理液の吐出が完了する。ステップＳ１７が完了すると、コントローラ１００は処理をステップＳ１１に戻す。

【0079】

液処理ユニットＵ１は上述した処理を繰り返す。液処理ユニットＵ１は、ステップＳ１４において動作を停止すべき状況であると判定した場合に処理を終了する。

【0080】

（第二の通液手順）
第二の通液手順は、ポンプ３２を共通の加圧源として、フィルタ３３，３５、トラップタンク３４，３６への通液を行うことで、各部の気泡を除去する手順である。第二の通液手順は、例えば上述した処理液の吐出手順の合間に定期的に実行される。第二の通液手順は、オペレータの指示入力に応じて実行されてもよい。

【0081】

図１８に示すように、液処理ユニットＵ１は、まずステップＳ２１を実行する。ステップＳ２１では、コントローラ１００が、管路ＰＬ６内を加圧するようにポンプ３２を制御し、バルブＶ１０，Ｖ１２を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。バルブＶ１０が開くことにより、管路ＰＬ６内の加圧に伴ってトラップタンク３４の下流側も加圧される。バルブＶ１２が開くことにより、トラップタンク３４を経てポンプ３２から排出管Ｄ２に至る流路Ｒ２１が形成される（図１９参照）。このため処理液は、トラップタンク３４を通過してポンプ３２から排出管Ｄ２に流れる。これにより、トラップタンク３４内の気泡が除去される。

【0082】

次に、液処理ユニットＵ１はステップＳ２２を実行する。ステップＳ２２では、コントローラ１００が、管路ＰＬ６内を加圧するようにポンプ３２を制御し、バルブＶ１０，Ｖ４，Ｖ８，Ｖ６，Ｖ２，Ｖ１１を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。バルブＶ１０，Ｖ４，Ｖ８，Ｖ６，Ｖ２が開くことにより、管路ＰＬ６内の加圧に伴ってフィルタ３３の上流側も加圧される。バルブＶ１１が開くことにより、フィルタ３３を経てポンプ３２から排出管Ｄ１に至る流路Ｒ２２が形成される（図２０参照）。このため処理液は、フィルタ３３を通過してポンプ３２から排出管Ｄ１に流れる。これにより、フィルタ３３内の気泡が除去される。

【0083】

次に、液処理ユニットＵ１はステップＳ２３を実行する。ステップＳ２３では、コントローラ１００が、管路ＰＬ６内を加圧するようにポンプ３２を制御し、バルブＶ１０，Ｖ４，Ｖ１３を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。バルブＶ１０，Ｖ４が開くことにより、管路ＰＬ６内の加圧に伴ってフィルタ３５の上流側も加圧される。バルブＶ１３が開くことにより、フィルタ３５を経てポンプ３２から排出管Ｄ３に至る流路Ｒ２３が形成される（図２１参照）。このため処理液は、フィルタ３５を通過してポンプ３２から排出管Ｄ３に流れる。これにより、フィルタ３５内の気泡が除去される。

【0084】

次に、液処理ユニットＵ１はステップＳ２４を実行する。ステップＳ２４では、コントローラ１００が、管路ＰＬ６内を加圧するようにポンプ３２を制御し、バルブＶ１０，Ｖ４，Ｖ１４を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。バルブＶ１０，Ｖ４が開くことにより、管路ＰＬ６内の加圧に伴ってフィルタ３５の上流側も加圧される。バルブＶ１４が開くことにより、フィルタ３５及びトラップタンク３６を経てポンプ３２から排出管Ｄ４に至る流路Ｒ２４が形成される（図２２参照）。このため処理液は、フィルタ３５及びトラップタンク３６を通過してポンプ３２から排出管Ｄ４に流れる。これにより、トラップタンク３６内の気泡が除去される。

【0085】

以上で第二の通液手順が完了する。第二の通液手順は、フィルタ３３，３５のいずれか一方のフィルタの上流側に対して、管路ＰＬ４を経て共通の加圧源による加圧を行い、当該一方のフィルタを通過した処理液を排出すること、フィルタ３３，３５のうち他方のフィルタの上流側に対して、管路ＰＬ４を経ることなく共通の加圧源による加圧を行い、当該他方のフィルタを通過した処理液を排出すること、を含む。

【0086】

一例として、第二の通液手順は、フィルタ３３の上流側に対して、管路ＰＬ４を経てポンプ３２による加圧を行い、フィルタ３３を通過した処理液を排出すること、フィルタ３５の上流側に対して、管路ＰＬ４を経ることなくポンプ３２による加圧を行い、フィルタ３３を通過した処理液を排出すること、を含む。

【0087】

第二の通液手順にて示されるように、管路ＰＬ４は、共通の加圧源によりフィルタ３３の上流側及びフィルタ３５の上流側を個別に加圧可能とするように構成されている。一例として、管路ＰＬ４は、ポンプ３２を共通の加圧源とした場合に、フィルタ３３の上流側及びフィルタ３５の上流側を個別に加圧可能とするように構成されている。

【0088】

〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、液処理ユニットＵ１は、フィルタ３３及びトラップタンク３４を含み、フィルタ３３側からトラップタンク３４側に処理液を導く管路ＰＬ１と、フィルタ３５を含み、トラップタンク３４の下流側とフィルタ３３の上流側とを接続する管路ＰＬ２と、トラップタンク３４から供給された処理液を導出する管路ＰＬ３と、共通の加圧源によりフィルタ３３の上流側及びフィルタ３５の上流側を個別に加圧可能とするように構成された管路ＰＬ４と、を備える。

【0089】

このように構成された液処理ユニットＵ１によれば、フィルタ３３の上流側及びフィルタ３５の上流側を個別に加圧することにより、気泡の除去をフィルタごとに実行できる。このため、一方のフィルタから他方のフィルタへの気泡の混入を抑制し、各フィルタにおける気泡の除去を迅速に遂行できる。また、各フィルタにおける気泡の除去に共通の加圧源を用いることが可能であるため、フィルタごとの気泡の除去を簡単な構成によって実現できる。従って、複数のフィルタ中の気泡を効率よく除去できる。

【0090】

フィルタ３３の上流側に接続されたタンク３０を更に備え、管路ＰＬ４は、タンク３０に接続されたガスボンベ３１を共通の加圧源とした場合に、フィルタ３３の上流側及びフィルタ３５の上流側を個別に加圧可能とするように構成されていてもよい。この場合、タンク３０に接続されたガスボンベ３１をフィルタごとの気泡の除去に活用することで、装置構成の更なる単純化を図ることができる。

【0091】

液処理ユニットＵ１は、管路ＰＬ３とトラップタンク３４との間に介在するポンプ３２を更に備えてもよく、管路ＰＬ４は、ポンプ３２を共通の加圧源とした場合に、フィルタ３３の上流側及びフィルタ３５の上流側を個別に加圧可能とするように構成されていてもよい。この場合、ポンプ３２をフィルタごとの気泡の除去に活用することで、装置構成の更なる単純化を図ることができる。

【0092】

管路ＰＬ４は、管路ＰＬ１及び管路ＰＬ２に対して並列に設けられていてもよい。この場合、加圧源を管路ＰＬ４に接続することで、当該加圧源によりフィルタ３３の上流側及びフィルタ３５の上流側を個別に加圧可能である。このため、フィルタごとの気泡の除去を簡単な構成の管路ＰＬ４によって実現できる。従って、装置構成の更なる単純化を図ることができる。

【0093】

管路ＰＬ２は、フィルタ３５の下流側に接続されたトラップタンク３６を更に含んでもよい。この場合、フィルタ３５からフィルタ３３への気泡の混入をより確実に防止できる。

【0094】

以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、第一の通液手順、処理液の吐出手順及び第二の通液手順の各ステップは適宜省略可能である。

【0095】

必要に応じて他のステップを追加してもよい。例えば、第一の通液手順及び第二の通液手順の少なくとも一方に、減圧脱気のステップを追加してもよい。図２３は、減圧脱気のステップの一例を示している。このステップでは、コントローラ１００が、管路ＰＬ５内を減圧するようにポンプ３２を制御し、バルブＶ５，Ｖ６，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ９を開いてその他のバルブを閉じるように指令信号を出力する。これにより、フィルタ３５、トラップタンク３６、フィルタ３３及びトラップタンク３４を経る減圧経路Ｒ３１が形成される（図２３参照）。このため、管路ＰＬ５内の減圧に応じ、フィルタ３５内、トラップタンク３６内、フィルタ３３内及びトラップタンク３４内がそれぞれ減圧される。これにより、処理液中に潜在していた気体が顕在化し、処理液中の気泡の除去が促進される。

【0096】

液処理ユニットＵ１として例示した構成は、半導体ウェハ以外の基板を処理対象とする構成にも適用可能である。処理対象の基板としては、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。

【符号の説明】

【0097】

３０…タンク（供給源）、３１…ガスボンベ（加圧源）、３２…ポンプ（加圧源）、３３…フィルタ（第一フィルタ）、３４…トラップタンク（第一トラップタンク）、３５…フィルタ（第二フィルタ）、３６…トラップタンク（第二トラップタンク）、ＰＬ１…管路（第一管路）、ＰＬ２…管路（第二管路）、ＰＬ３…管路（第三管路）、ＰＬ４…管路（第四管路）、Ｕ１…液処理ユニット（基板処理装置）、Ｗ…ウェハ（基板）。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】