発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

近年、ｐ型半導体層上に絶縁膜を介してｎ型半導体層と電気的に接続されたｎパッド電極を設け、ｐ型半導体層上にｐパッド電極とｎパッド電極との双方を配置した構造の半導体発光素子が種々提案されている。そのような構造の半導体発光素子は、ｐパッド電極とｎパッド電極との段差を解消することにより、フェイスダウンの実装性を向上させることができる。また、ｐパッド電極およびｎパッド電極と実装面との接合領域を大きくすることにより、接合強度・精度、放熱性を向上させることもできる。 しかしながら、近年提案されている電極構造の場合、例えばｐ側の電極上にｎパッド電極を設ける際に間に形成される絶縁膜に、仮に隙間や亀裂が発生してしまうと、ｐ側の電極とｎ側の電極とが短絡してしまうことがある。電極を形成した直後には短絡していなくても、半導体発光素子を駆動させることによって絶縁膜の隙間等からｐ側の電極とｎ側の電極とが繋がり、短絡してしまうことがある。よって、ｐ側の電極とｎ側の電極との間に設ける絶縁膜の絶縁性の向上が要求されている。 本発明は、上述した問題に鑑みてなされたものであり、絶縁膜の絶縁性を向上させ、電極の短絡を防止することができ、信頼性を高めることのできる半導体発光素子及びその電極形成方法を提供することを課題とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明に係る半導体発光素子の電極形成方法によれば、第１電極や第２電極にバリがあったとしても、バリが絶縁膜で覆われて絶縁膜上面が平坦化されるため、絶縁膜に隙間や亀裂が生じることを防止できる。そのため、絶縁膜の絶縁性を向上させ、電極の短絡を防止することができ、当該電極構造を有する半導体発光素子の信頼性を高めることができる。
また、本発明に係る半導体発光素子は、絶縁膜の上面が、発生したバリの上端よりも高い位置にあるので、絶縁膜に隙間や亀裂が生じることを防止できる。そのため、絶縁膜の絶縁性を向上させ、電極の短絡を防止することができ、半導体発光素子の信頼性を高めることができる。