【図1】本発明の窒化物半導体素子の全体構成を模式的に示す断面図である。

【図2】サファイア基板におけるサファイア結晶の面方位を模式的に示す図であって、（ａ）は、ユニットセル図、（ｂ）は、サファイア結晶構造の平面図、である。

【図3】本発明の窒化物半導体素子用基板に形成された凸部を模式的に示す図であって、（ａ）は、凸部の配置を示す平面図、（ｂ）は、凸部の構成を示す平面図、（ｃ）は、凸部の構成を示す側面図、である。

【図4】本発明の窒化物半導体素子用基板の製造方法を模式的に示す図であって、（ａ）は、マスク工程を示す断面図、（ｂ）は、マスク工程を示す斜視図、（ｃ）は、第１エッチング工程における途中経過を示す断面図、（ｄ）は、第１エッチング工程における途中経過を示す斜視図、（ｅ）は、第１エッチング工程においてドライエッチングが終了した状態を示す断面図、（ｆ）は、第１エッチング工程においてドライエッチングが終了した状態を示す斜視図、（ｇ）は、第２エッチング工程を示す断面図、（ｈ）は、第２エッチング工程を示す斜視図、である。

【図5】本発明の窒化物半導体素子の製造方法を模式的に示す図であって、（ａ）は、バッファ層形成工程を示す断面図、（ｂ）は、半導体層成長工程を示す断面図、（ｃ）は、半導体層成長工程の後に電極を形成した窒化物半導体素子の一例を示す断面図であって、（ｄ）のＸ‐Ｘ断面図、（ｄ）は、半導体層成長工程の後に電極を形成した窒化物半導体素子の一例を示す平面図、である。

【図6】本発明の窒化物半導体素子用基板における凸部形成の効果を説明するための説明図であって、（ａ）は、窒化物半導体素子の製造方法における半導体層成長工程において、成長途中の窒化物半導体を示す断面図、（ｂ）は、半導体素子の製造方法における半導体層成長工程において、成長途中の窒化物半導体の一部を断面にして示す斜視図、である。

【図7】本発明の窒化物半導体素子用基板における凸部形成の効果を説明するための説明図であって、（ａ）は、窒化物半導体素子の製造方法における半導体層成長工程において、成長途中の窒化物半導体および凸部の状態を示す斜視図、（ｂ）は、窒化物半導体素子の製造方法における半導体層成長工程において、成長途中の窒化物半導体および凸部の状態を示す平面図、である。