特許6252123IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

発光素子の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかし、上述したように、発光素子の製造において、電極等の形成の際のバリ除去工程は製造工程を煩雑化し、下層に対するバリ除去工程によるダメージが懸念される。
特に、立体的な導電層の配置において、正及び負の電極がオーバーラップする積層構造では、完全な絶縁性を確保するためには、電極の縁部におけるバリ発生の防止を確保することが必要である。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の発明者らは、導電層におけるバリの発生が、特にリフトオフ法を利用する場合には、所望のパターン形状にパターニングしたレジスト層におけるパターン側面の形状、つまりオーバーハングの程度に密接に影響されること、レジスト層の厚み、エッチャント等の種類の選択のみならず、導電層の下層に配置される層の種類を選択することによって、より簡便かつ容易に、適切なオーバーハングの程度を得ることができ、それによっ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、製造工程を簡略化しながら、導電層であるｎ側内部電極層及びｐ側内部電極層におけるバリの発生を防止することができ、信頼性の高い発光素子を簡便かつ容易に製造することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】本発明の実施の形態１で製造される発光素子の概略平面図である。

【図1B】図１ＡのＡ−Ａ’線断面図である。

【図2】図１Ｂの発光素子における絶縁層の構成を説明するためのＭ部分の概略断面拡大図である。

【図3】図１Ａの発光素子の製造方法を説明するための概略断面製造工程図である。

【図4】本発明の実施の形態２で製造される発光素子の概略平面図である。

２ サファイア基板　　 ３ ｎ型半導体層　　 ４ 発光層　　 ５ ｐ型半導体層　　 ６ 半導体積層体　　 ７ａ ｎ側オーミック電極層　　 ７ｂ ｐ側オーミック電極層　　 ８ａ 第１絶縁層　　 ８、１８ 多層構造膜　　 ９ａ ｎ側内部電極層　　 ９ｂ ｐ側内部電極層　　 ９ 内部電極層　　 １０ 第２絶縁層　　 １１ａ ｎ側外部電極層　　 １１ｂ ｐ側外部電極層　　 １２ 低屈折率層　　 １３ 高屈折率層　　 １４ ＤＢＲ構造　　 １５ 金属反射層　　 １７ レジスト層　　 １７ａ 開口　　 １９ バリア層　　 ２０ 絶縁層

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