発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

第二の主面にイオン注入を用いた場合においても、オーミック電極形成のための熱処理温度は、より温度を高く設定するほど、より高性能で安定する傾向にあるが、１０５０℃を超えた設定の熱処理を行うためには、例えば石英チューブを多結晶炭化珪素に素材変更するなど、より高耐熱性のある高価な装置を使用する必要があり、コストアップにつながる。 また、特にオーミック電極前に形成されるＭＯＳＦＥＴに用いるゲート絶縁膜は、形成時の温度より高い熱処理を行うと劣化が発生する。また９００℃〜１０００℃の熱処理を行う場合においても、しきい値電圧の変動や漏れ電流の増加などを起こす。 Ｓｉ（１．１２ｅＶ）に比べＳｉＣはバンドギャップが大きいことが、絶縁破壊電界強度を高めるなどメリットを得ているが、このバンドギャップの高さのため、安定した良好なオーミックコンタクトを得るためには、より高温での熱処理が必要であり、ゲート絶縁膜が安定しないという課題を有している。 本発明は、課題に鑑み、炭化珪素半導体素子のオーミックコンタクト形成のための熱処理温度を下げて良好な特性のデバイスを作製できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、オーミックコンタクト形成のための熱処理温度を下げて良好な特性のデバイスを作製できるという効果を奏する。