特許 6267400 ３Ｄ ＮＡＮＤハードマスク用途向けナノ結晶ダイヤモンド炭素膜

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6267400

(24)【登録日】2018年1月5日

(45)【発行日】2018年1月24日

(54)【発明の名称】３Ｄ ＮＡＮＤハードマスク用途向けナノ結晶ダイヤモンド炭素膜

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20180115BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20180115BHJP

   H01L 29/788 20060101ALI20180115BHJP

   H01L 29/792 20060101ALI20180115BHJP

   H01L 27/11556 20170101ALI20180115BHJP

   H01L 27/11582 20170101ALI20180115BHJP

   B82Y 30/00 20110101ALI20180115BHJP

   B82Y 40/00 20110101ALI20180115BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/302 105A

   H01L29/78 371

   H01L27/11556

   H01L27/11582

   B82Y30/00

   B82Y40/00

【請求項の数】17

【全頁数】16

(21)【出願番号】特願2017-512789(P2017-512789)

(86)(22)【出願日】2015年8月25日

(65)【公表番号】特表2017-533580(P2017-533580A)

(43)【公表日】2017年11月9日

(86)【国際出願番号】US2015046713

(87)【国際公開番号】WO2016036533

(87)【国際公開日】20160310

【審査請求日】2017年6月27日

(31)【優先権主張番号】62/045,196

(32)【優先日】2014年9月3日

(33)【優先権主張国】US

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】チェン， ヨンメイ

(72)【発明者】

【氏名】ンガイ， クリスファー エス．

(72)【発明者】

【氏名】リウ， チンチン

(72)【発明者】

【氏名】シュエ， チュン

(72)【発明者】

【氏名】イン， チェンツァウ

(72)【発明者】

【氏名】ゴデット， ルドヴィーク

【審査官】 齊田 寛史

(56)【参考文献】

【文献】 特開平０４−２５７２３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−０３９０８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第０６６７３６８４（ＵＳ，Ｂ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１１／０２６６６１１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 ANGADI, M.A., et al.，"Thermal transport and grain boundary conductance in ultrananocrystalline diamond thin films"，Journal of Applied Physics，米国，American Institute of Physics，２００６年 ６月 １日，Vol.99, No.11，pp.114301-1-114301-6

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｂ８２Ｙ ３０／００

Ｂ８２Ｙ ４０／００

Ｈ０１Ｌ ２１／３３６

Ｈ０１Ｌ ２７／１１５５６

Ｈ０１Ｌ ２７／１１５８２

Ｈ０１Ｌ ２９／７８８

Ｈ０１Ｌ ２９／７９２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理面及び支持面を有する基板と、
前記処理面上に、前記処理面と接触して形成されたデバイス層と、
前記デバイス層上に、前記デバイス層と接触して形成され、２ｎｍ〜５ｎｍの平均粒径を有するナノ結晶ダイヤモンド層と
を含み、複数のチャネルが前記デバイス層及び前記ナノ結晶ダイヤモンド層を通って形成され、前記デバイス層が、電気絶縁材料を含む、デバイス。

【請求項2】

前記デバイス層が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、又はそれらの組合せを含む、請求項１に記載のデバイス。

【請求項3】

処理面及び支持面を有する基板と、
前記処理面上に、前記処理面と接触して形成されたデバイス層と、
前記デバイス層上に、前記デバイス層と接触して形成され、２ｎｍ〜５ｎｍの平均粒径を有するナノ結晶ダイヤモンド層と
を含み、複数のチャネルが前記デバイス層及び前記ナノ結晶ダイヤモンド層を通って形成され、前記デバイス層が、金属又は金属合金を含む、デバイス。

【請求項4】

前記デバイス層が、チタン、白金、ルテニウム、窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、又はチタンシリサイド、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイド、若しくはそれらの組み合わせなどの金属シリサイドを含む、請求項３に記載のデバイス。

【請求項5】

処理面及び支持面を有する基板と、
前記処理面上に、前記処理面と接触して形成されたデバイス層と、
前記デバイス層上に、前記デバイス層と接触して形成され、２ｎｍ〜５ｎｍの平均粒径を有するナノ結晶ダイヤモンド層と
を含み、複数のチャネルが前記デバイス層及び前記ナノ結晶ダイヤモンド層を通って形成され、前記デバイス層が、半導体フローティングゲート、導電性ナノ粒子、又は個別電荷蓄積誘電体特徴部を含む、デバイス。

【請求項6】

基板を処理する方法であって、
処理チャンバ内に配置されている基板の処理面上に、前記処理面と接触するようにデバイス層を堆積させることと、
２ｎｍ〜５ｎｍの平均粒径を有するナノ結晶ダイヤモンド層を、前記ナノ結晶ダイヤモンド層が前記デバイス層と接触するように前記デバイス層上に堆積させることと、
前記ナノ結晶ダイヤモンド層をパターニングし、エッチングすることと、
前記デバイス層をエッチングして、特徴部を形成することと、
前記ナノ結晶ダイヤモンド層を前記デバイス層の表面からアッシングすることと
を含み、複数のチャネルが前記デバイス層及び前記ナノ結晶ダイヤモンド層を通って形成されている、方法。

【請求項7】

前記特徴部が、５０：１より大きいアスペクト比を有する、請求項６に記載の方法。

【請求項8】

前記基板が、６００℃未満の温度に保たれる、請求項６に記載の方法。

【請求項9】

前記ナノ結晶ダイヤモンド層を堆積させる前に、シード層を形成することを更に含む、請求項６に記載の方法。

【請求項10】

処理面及び支持面を有する基板と、
前記処理面上に形成された複数のデバイス層であって、３Ｄ ＮＡＮＤ構造の１つ以上の構成要素を形成する、複数のデバイス層と、
前記複数のデバイス層の上に形成され、２ｎｍ〜５ｎｍの平均粒径を有するナノ結晶ダイヤモンド層と
を含み、複数のチャネルが前記複数のデバイス層及び前記ナノ結晶ダイヤモンド層を通って形成されている、デバイス。

【請求項11】

前記ナノ結晶ダイヤモンド層は更に、高さの偏差の二乗平均平方根が６ｎｍ未満である表面粗さを有する、請求項１０に記載のデバイス。

【請求項12】

前記複数のデバイス層の少なくとも１つが、電気絶縁材料を含む、請求項１０に記載のデバイス。

【請求項13】

前記複数のデバイス層の少なくとも１つが、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、又はそれらの組合せを含む、請求項１２に記載のデバイス。

【請求項14】

前記複数のデバイス層の少なくとも１つが、金属又は金属合金を含む、請求項１０に記載のデバイス。

【請求項15】

前記複数のデバイス層の少なくとも１つが、チタン、白金、ルテニウム、窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、又はチタンシリサイド、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイド、若しくはそれらの組み合わせなどの金属シリサイドを含む、請求項１４に記載のデバイス。

【請求項16】

前記複数のデバイス層の少なくとも１つが、半導体フローティングゲート、導電性ナノ粒子、又は個別電荷蓄積誘電体特徴部を含む、請求項１０に記載のデバイス。

【請求項17】

前記ナノ結晶ダイヤモンド層は、高さの偏差の二乗平均平方根が６ｎｍ未満である表面粗さを更に有する、請求項１、３または５に記載のデバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書に開示される実施形態は、概して、不活性炭素膜を含むデバイスに関する。より具体的には、実施形態は、概して、ナノ結晶ダイヤモンド膜に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体産業は、より高性能でより大きな機能性を有する新世代の集積回路（ＩＣ）を導入するにつれて、それらのＩＣを形成する要素の密度は増加するが、寸法、サイズおよび個々の構成要素または要素間の間隔は縮小する。従来、このような縮小は、フォトリソグラフィーを使用して構造を画定する能力によってのみ制限されていたが、μｍまたはｎｍで測定される寸法を有するデバイス形状寸法は、金属要素の導電率、要素間に使用される絶縁材料（複数可）の誘電率、又は３Ｄ ＮＡＮＤ若しくはＤＲＡＭプロセスにおける課題などの、新たな制限要因を生み出した。これらの制限は、より耐久性があり硬度の高いハードマスクによって利益を得ることができる。

【0003】

厚いカーボンハードマスクがよく知られており、ＰＯＲ膜として一般に使用されている。しかしながら、現行のカーボンハードマスク組成物は、ＤＲＡＭおよびＮＡＮＤが〜１０ｎｍ未満のレジームへのスケールダウンを続けていくにつれて、不十分になると予想される。このダウンスケーリングは、より高いアスペクト比の深いコンタクトホールまたはトレンチを形成するエッチングを必要とする。高アスペクト比エッチングの問題には、詰まり、ホール形状の歪みが含まれ、パターン変形、上部限界寸法ブローアップ（ｔｏｐ ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ｂｌｏｗ ｕｐ）、ラインベンディング（ｌｉｎｅ ｂｅｎｄｉｎｇ）、プロファイルボーイング（ｐｒｏｆｉｌｅ ｂｏｗｉｎｇ）が、一般的にこれらの用途で観察される。多くのエッチング課題は、ハードマスク材料特性に依存する。深いコンタクトホールの変形は、ハードマスクの密度が低く、熱伝導率が低いためである。スリットパターンの変形またはラインベンディングは、ハードマスク材料の低い選択性および応力に起因する。したがって、より高い密度、より高いエッチング選択性、より低い応力および優れた熱伝導率を有するエッチングハードマスクを有することが望ましい。

【0004】

ナノ結晶ダイヤモンドは、高硬度材料として知られている。ナノ結晶ダイヤモンド材料は、極度の硬度、化学的不活性、および高い熱伝導率などの独特な特性のために、耐摩耗性コーティング、光学窓、表面弾性波デバイスおよびヒートスプレッダに使用することができる。しかしながら、ナノ結晶ダイヤモンド膜は、半導体製造プロセスに適用されていない。

【0005】

したがって、半導体デバイス用のより高い硬度の膜が必要とされている。

【発明の概要】

【0006】

本明細書に開示される実施形態は、一般に、ナノ結晶ダイヤモンド層に関する。粒径を２〜５ｎｍに制御することにより、半導体デバイスと関連してナノ結晶ダイヤモンド膜を利用することができる。これらのナノ結晶ダイヤモンド膜は、エッチングプロセス中にハードマスクとして作用するナノ結晶ダイヤモンド層などの様々な用途に使用することができる。一実施形態では、デバイスは、処理面および支持面を有する基板；処理面上に形成されたデバイス層；並びに、処理層上に形成され、２ｎｍ〜５ｎｍの平均粒径を有するナノ結晶ダイヤモンド層、を含むことができる。

【0007】

別の実施形態では、基板を処理するための方法は、処理面および支持面を有する基板をプロセスチャンバ内に配置すること；処理面上にデバイス層を堆積させること；２ｎｍ〜５ｎｍの平均粒径を有するナノ結晶ダイヤモンド層を、デバイス層上に堆積させること；ナノ結晶ダイヤモンド層をパターニングすること；デバイス層をエッチングして、特徴部を形成すること；並びに、残りのナノ結晶ダイヤモンド層を、デバイス層の表面から除去すること、を含むことができる。

【0008】

別の実施形態では、デバイスは、処理面および支持面を有する基板；処理面上に形成され、３Ｄ ＮＡＮＤ構造の１つ以上の構成要素を形成する複数のデバイス層；デバイス層を貫通して形成され、各々が１つ以上の構成要素のうちの少なくとも１つに接続する複数のチャネル；並びに、処理層上に形成され、２ｎｍ〜５ｎｍの平均粒径を有するナノ結晶ダイヤモンド層、を含むことができる。

【0009】

本実施形態の上述の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約した本実施形態のより詳細な説明が、実施形態を参照することによってなされ、実施形態の幾つかは添付の図面に示される。しかしながら、添付の図面は、典型的な実施形態のみを示しており、従って、その範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】１つ以上の実施形態に従って構成されたＣＶＤプロセスチャンバの概略断面図である。

【図2】１つ以上の実施形態によるナノ結晶ダイヤモンド層の側面図である。

【図3】１つ以上の実施形態による、ナノ結晶ダイヤモンド層を有する基板を処理するための方法のフロー図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

理解を容易にするため、可能な場合には、図に共通する同一の要素を示すために、同一の参照番号を使用した。一つの実施形態に開示される要素は、明確な記載がなくても、他の実施形態で有益に利用され得ることが意図される。

【0012】

本明細書に開示される実施形態は、概して、基板上に形成されたナノ結晶ダイヤモンド層に関する。ナノ結晶ダイヤモンド層は、１０ｎｍバウンダリ未満の基板内の特徴部を処理するために必要とされる、より高い密度、より高いエッチング選択性、より低い応力および優れた熱伝導率を提供する。実施形態が、以下の図を参照してより明確に説明される。

【0013】

図１は、本明細書に記載の実施形態による、炭素系の層を堆積するために使用され得るＣＶＤプロセスチャンバ１００の概略断面図である。本明細書に記載される炭素層堆積方法を実施するように適合され得るプロセスチャンバは、カリフォルニア州サンタクララに所在するアプライドマテリアルズ社から入手可能なＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標）化学気相堆積チャンバである。以下に記載されるチャンバは、例示的チャンバであり、他の製造業者からのチャンバを含む他のチャンバが、本開示の態様を達成するために使用または改造され得ることが、理解されるべきである。

【0014】

プロセスチャンバ１００は、中央移送チャンバ（図示せず）に接続され、ロボット（図示せず）によって処理される複数のプロセスチャンバを含む処理システム（図示せず）の一部であってもよい。プロセスチャンバ１００は、処理領域１１２を画定する壁１０６、底部１０８、およびリッド１１０を含む。壁１０６および底部１０８は、アルミニウムの単一のブロックから製造することができる。プロセスチャンバ１００はまた、処理領域１１２を排気ポート１１６に流体結合するポンピングリング１１４ならびに他のポンピング構成要素（図示せず）を含むことができる。

【0015】

加熱され得る基板支持アセンブリ１３８が、プロセスチャンバ１００内の中央に配置され得る。基板支持アセンブリ１３８は、堆積プロセス中に基板１０３を支持する。基板支持アセンブリ１３８は、一般に、アルミニウム、セラミック、またはアルミニウムとセラミックとの組み合わせから製造され、少なくとも１つのバイアス電極１３２を含む。

【0016】

真空ポートを使用して、基板１０３と基板支持アセンブリ１３８との間を真空にして、堆積プロセス中に基板１０３を基板支持アセンブリ１３８に固定することができる。バイアス電極１３２は、例えば、基板支持アセンブリ１３８に配置され、バイアス電源１３０Ａおよび１３０Ｂに結合されて、基板支持アセンブリ１３８およびその上に配置された基板１０３を、処理中に所定のバイアス電力レベルにバイアスし得る。

【0017】

バイアス電源１３０Ａおよび１３０Ｂは、約１ＭＨｚと約６０ＭＨｚの間の周波数などの様々な周波数で基板１０３および基板支持アセンブリ１３８に電力を供給するように独立して構成することができる。本明細書に記載されている実施形態から逸脱することなく、ここに記載された周波数の様々な並べ替えを採用することができる。

【0018】

一般に、基板支持アセンブリ１３８は、ステム１４２に結合される。ステム１４２は、基板支持アセンブリ１３８とプロセスチャンバ１００の他の構成要素との間の電気リード、真空及びガス供給ラインのための導管を提供する。さらに、ステム１４２は、基板支持アセンブリ１３８を、ロボット搬送を容易にするために、上昇位置（図１に示すような）と下降位置（図示せず）との間で基板支持アセンブリ１３８を移動させるリフトシステム１４４に結合する。ベローズ１４６は、基板支持アセンブリ１３８の移動を容易にすると同時に、処理領域１１２とプロセスチャンバ１００の外部の雰囲気との間の真空シールを提供する。

【0019】

シャワーヘッド１１８は、一般に、リッド１１０の内側１２０に結合することができる。プロセスチャンバ１００に入るガス（すなわち、プロセスガスおよび他のガス）は、シャワーヘッド１１８を通ってプロセスチャンバ１００に入る。シャワーヘッド１１８は、プロセスチャンバ１００に均一なガス流を提供するように構成されてもよい。均一なガス流は、基板１０３上の均一な層形成を促進するために望ましい。ガス源１０４を含む遠隔プラズマ源１０５が、処理領域１１２と結合することができる。ここに示すように、遠隔プラズマ発生器などの遠隔活性化源を使用して、反応種のプラズマを発生させ、このプラズマを処理領域１１２に供給する。例示的な遠隔プラズマ発生器は、ＭＫＳ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ．およびＡｄｖａｎｃｅｄ Ｅｎｅｒｇｙ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，Ｉｎｃ．などのベンダから入手可能である。

【0020】

さらに、プラズマ電源１６０をシャワーヘッド１１８に結合して、基板支持アセンブリ１３８上に配置された基板１０３に向かってシャワーヘッド１１８を通るガスにエネルギーを与えることができる。プラズマ電源１６０は、ＲＦ電力を供給することができる。

【0021】

プロセスチャンバ１００の機能は、コンピューティングデバイス１５４によって制御することができる。コンピューティングデバイス１５４は、様々なチャンバおよびサブプロセッサを制御するための工業的環境で使用することができる汎用コンピュータの任意の形態の１つであってもよい。コンピューティングデバイス１５４は、コンピュータプロセッサ１５６およびメモリ１５８を含む。メモリ１５８は、ランダムアクセスメモリ、読み出し専用メモリ、フラッシュメモリ、ハードディスク、またはローカル若しくはリモートの任意の他の形式のデジタルストレージなどの、任意の適切なメモリを含むことができる。コンピューティングデバイス１５４は、従来の方法でコンピュータプロセッサ１５６をサポートするためにコンピュータプロセッサ１５６に結合することができる様々なサポート回路１６２を含むことができる。ソフトウェアルーチンが、必要に応じて、メモリ１５８に格納されてもよいし、遠隔に配置された第２のコンピューティングデバイス（図示せず）によって実行されてもよい。

【0022】

コンピューティングデバイス１５４は、１つ以上のコンピュータ可読媒体（図示せず）をさらに含むことができる。コンピュータ可読媒体は、一般に、コンピューティングデバイスによって検索可能な情報を格納することができる、ローカルまたはリモートのいずれかに配置された任意の装置を含む。本明細書で説明する実施形態で使用可能なコンピュータ可読媒体の例には、固体メモリ、フロッピーディスク、内部または外部ハードドライブ、および光学メモリ（例えば、ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＲ−Ｄなど）が含まれる。一実施形態では、メモリ１５８は、コンピュータ可読媒体であってもよい。ソフトウェアルーチンが、コンピューティングデバイスによって実行されるために、コンピュータ可読媒体上に格納されてもよい。

【0023】

ソフトウェアルーチンは、実行されると、あるチャンバプロセスが実行されるようにチャンバ動作を制御する特定プロセスコンピュータに、汎用コンピュータを変換する。あるいは、ソフトウェアルーチンは、特定用途向け集積回路若しくは他のタイプのハードウェア実装としてハードウェアで、またはソフトウェアとハードウェアとの組み合わせで実行されてもよい。

【0024】

図２は、デバイス２００がＮＡＮＤデバイスである一実施形態による、その上に形成されたナノ結晶ダイヤモンド層を有するデバイス２００である。デバイス２００は、基板２０２と、複数のデバイス層２０４と、ナノ結晶ダイヤモンド層２０６とを含む。

【0025】

基板２０２は、単結晶シリコン、シリコン−ゲルマニウム若しくはシリコン−ゲルマニウム−炭素などのＩＶ−ＩＶ化合物、ＩＩＩ−Ｖ化合物、ＩＩ−ＶＩ化合物などの当技術分野で既知の任意の半導体基板、そのような基板上のエピタキシャル層、又は任意の他の半導体または非半導体材料、例えば、酸化ケイ素、ガラス、プラスチック、金属若しくはセラミック基板、であってよい。基板２０２は、メモリデバイス（図示せず）用のドライバ回路などの、その上に製造された集積回路を含むことができる。

【0026】

複数のデバイス層２０４が、基板２０２の表面上に形成され得る。複数のデバイス層２０４は、３Ｄ垂直ＮＡＮＤ構造の構成要素を形成する堆積層であり得る。構成要素は、複数のデバイス層の全部または一部によって形成される（例えば、誘電体または個別電荷蓄積セグメント）。誘電体部分は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、または他の高誘電率絶縁材料などの、任意の１つ以上の同一または異なる電気絶縁材料から独立して選択することができる。一実施形態では、構造は、交互に堆積された酸化ケイ素／窒化ケイ素のペアからなることができる。このペアは、全幅が１００〜６００Åであることができる。ペアの数は、１０ペアより大きい、例えば、３２ペア、６４ペア以上であり得る。一実施形態では、ペアの数は１０〜６４ペアである。全厚さは、約２〜約４ミクロンであり得る。

【0027】

個別電荷蓄積セグメントは、導電性（例えば、チタン、白金、ルテニウム、窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、などの金属又は金属合金、又はチタンシリサイド、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイドなどの金属シリサイド、又はそれらの組合せ）又は半導体（例えば、ポリシリコン）フローティングゲート、導電性ナノ粒子、または個別電荷蓄積誘電体（例えば、窒化ケイ素または他の誘電体）特徴部を含むことができる。しかし、代わりに、誘電体電荷蓄積特徴部または他のフローティングゲート材料を使用してもよいことを、理解されたい。

【0028】

ナノ結晶ダイヤモンド層２０６は、ｓｐ３含有量が高く、結晶サイズが小さい結晶性炭素層である。アモルファスおよびナノ結晶炭素における最も一般的な化学結合は、３本手（ｓｐ２結合）および４本手（ｓｐ３）の結合配位である。ｓｐ３構造では、炭素原子は、隣接原子に対する強いシグマ結合を形成する４つのｓｐ３軌道を形成する。高いｓｐ３含有量を有する炭素膜では、ｓｐ３含有量は８０％より大きく、例えば約９０％より大きく、または約９５％より大きくなる。ここに示されるナノ結晶ダイヤモンド層２０６は、ｓｐ２マトリックス（例えば、グラファイト）によって支持される高いｓｐ３含有量（例えば、ナノ結晶ダイヤモンド粒子）を有する。小さい結晶サイズは、６ｎｍ未満、例えば２ｎｍ〜５ｎｍの結晶サイズである。ナノ結晶ダイヤモンド層は、高さの偏差の二乗平均平方根が６ｎｍ未満である表面粗さを有することができる。ナノ結晶ダイヤモンド層は、２．５ｇ／ｃｍ^３〜３．５ｇ／ｃｍ^３の密度、例えば３ｇ／ｃｍ^３の密度を有することができる。ナノ結晶ダイヤモンド層は、−５０ＭＰａ〜−１５０ＭＰａの応力、例えば、−８０ＭＰａ〜−１２０ＭＰａの応力を有することができる。ナノ結晶ダイヤモンド層は、現在利用可能なダイヤモンドライクカーボン膜と比較して２〜４のブランケットエッチング選択性を有することができる。

【0029】

デバイス２００は、チャネル２０８を備える。ここに示されるチャネル２０８は、ナノ結晶ダイヤモンド層２０６および複数のデバイス層２０４を貫通して形成される。チャネル２０８は、基板２０２の第１の表面２１０に対して実質的に垂直であり得る。例えば、チャネル２０８は、ピラー形状を有することができる。チャネル２０８は、基板２０２の第１の表面２１０に対して実質的に垂直に延びることができる。任意選択のボディコンタクト電極（図示せず）を基板２０２に配置して、下からチャネル２０８の接続部へのボディコンタクトを提供することができる。いくつかの実施形態では、チャネル２０８は、充填された特徴部であってもよい。いくつかの他の実施形態では、チャネル２０８は、中空であってもよい。これらの実施形態では、絶縁充填材料２１２が、チャネル２０８によって囲まれた中空部分を充填するように形成されてもよい。絶縁充填材料２１２は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、または他の高誘電率絶縁材料などの、任意の電気絶縁材料を含むことができる。

【0030】

任意の適切な半導体材料、例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、またはＩＩＩ−Ｖ、ＩＩ−ＶＩなどの他の化合物半導体材料、または導電性もしくは半導電性酸化物、または他の材料を、チャネル２０８に使用することができる。半導体材料は、アモルファス、多結晶または単結晶であってもよい。半導体チャネル材料は、任意の適切な堆積方法によって形成することができる。例えば、一実施形態では、半導体チャネル材料は、低圧化学気相堆積（ＬＰＣＶＤ）によって堆積される。いくつかの他の実施形態では、半導体チャネル材料は、最初に堆積されたアモルファス半導体材料を再結晶化することによって形成された再結晶化多結晶半導体材料であってもよい。

【0031】

図３は、１つ以上の実施形態による、ナノ結晶ダイヤモンド層を有する基板を処理するための方法３００のフロー図である。デバイス層のエッチング化学作用は、ナノ結晶ダイヤモンドに関して実質的に不活性である。したがって、本明細書に記載の実施形態は、従来のハードマスクではなく、ナノ結晶ダイヤモンド層を含むハードマスクを使用する。従来のハードマスクは、上記の構造上の欠点をもたらす多くの制限を有する。一例では、上部限界寸法の拡大は、従来のハードマスクと下層との間の不十分なエッチング選択性によって引き起こされた、ハードマスクの残存がより少ないことに、部分的に起因する。別の例では、深いコンタクトホールの変形は、ハードマスクの密度が低く、熱伝導率が低いことに起因する。スリットパターンの変形またはラインベンディングは、ＨＭ材料の低い選択性および応力に起因する。ナノ結晶ダイヤモンド層は、従来のハードマスクと比べて、上記のように、パターンの崩壊を回避するだけでなく、特徴部の非円形エッチングのボーイングおよびベンディングを回避しながら、高いアスペクト比の特徴部を形成することを可能にする。ナノ結晶ダイヤモンド層は、高い物理的な抵抗力を有し、化学的に不活性であり、高い熱伝導率も有することによって、これらの利益を達成する。高い物理的な抵抗力を有し、化学的に不活性であることにより、従来既知のハードマスクよりもエッチング選択性が向上する。改善されたエッチング選択性は、良好なエッチングプロファイルが維持されることを可能にする。さらに、ナノ結晶ダイヤモンド層は、標準的なカーボンハードマスクよりもダイヤモンドに非常に近く、これにより、層に高い熱伝導率が与えられる。エッチングプロセスの間、かなりの量の熱が蓄積される。この熱は、下層に閉じ込められたままの場合、反りを生じさせる可能性がある。ナノ結晶ダイヤモンド層は、効率的な熱伝達を可能にし、反りまたは他の熱関連の歪みを防止する。その後、酸素含有ガスまたは窒素含有ガスの存在下でのアッシングによって、ナノ結晶ダイヤモンド層を容易かつ選択的に除去することができる。

【0032】

方法３００は、プロセスチャンバ内に基板を配置することによって、３０２で開始し、基板は処理面および支持面を有する。基板は、結晶シリコン基板などの、任意の組成であってよい。基板は、ビアまたはインタコネクトなどの１つ以上の特徴部を含むこともできる。基板は、基板支持体上に支持することができる。基板支持体は、特定の温度範囲に維持することができる。一実施形態では、基板支持体は、約５００℃〜約６５０℃の温度範囲に維持される。

【0033】

１つ以上の実施形態で使用されるプロセスチャンバは、上述のプロセスチャンバ１００または他の製造業者からのチャンバなどの、遠隔プラズマ源を有する任意のＣＶＤプロセスチャンバとすることができる。以下に記載される流量および他の処理パラメータは、３００ｍｍの基板に関するものである。これらのパラメータは、本明細書で開示される実施形態から逸脱することなく、処理される基板のサイズおよび使用されるチャンバのタイプに基づいて、調整できることが、理解されるべきである。

【0034】

「基板表面」は、本明細書で使用される場合、その上に膜処理が実行され得る、任意の基板または基板上に形成された材料の表面を指す。例えば、処理が実行され得る基板表面は、用途に応じて、シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイア、などの材料、並びに、金属、金属窒化物、金属合金、および他の導電性材料などの任意の他の材料を含む。基板表面はまた、二酸化ケイ素および炭素ドープ酸化ケイ素などの誘電体材料を含むことができる。基板は、２００ｍｍ、３００ｍｍまたは他の直径のウエハなどの様々な寸法、ならびに長方形または正方形のペインを有することができる。

【0035】

その後、３０４で、デバイス層を処理面上に堆積させることができる。デバイス層は、図２を参照して説明したデバイス層とすることができる。さらに、デバイス層は、複数のデバイス層のうちの１つであってもよい。デバイス層は、３Ｄ ＮＡＮＤデバイスの構成要素などの、１つ以上の特徴部または構成要素を形成するために、連携して働くことができる。

【0036】

次いで、３０６で、ナノ結晶ダイヤモンド層が、デバイス層上に堆積される。ナノ結晶ダイヤモンド層は、６ｎｍ未満の平均粒径を有することができる。一例では、ナノ結晶ダイヤモンド層は、２ｎｍ〜５ｎｍの平均粒径を有する。６ｎｍ未満などの小さな粒径は、ナノ結晶ダイヤモンド層などのハードマスク層と下層との間の接着のより良好な制御を可能にし、ハードマスク層の大きさを小さくすることを可能にする。堆積中のより大きい粒径のランダムな配置は、ハードマスク層と下層との間の非接触空間の数を増加させる。非接触空間は、ハードマスク層と下層との間の空間であって、そこでは、ハードマスク層の粒子の形状および大きさのため、また下層自体の粗さのために、ハードマスク層が下層と直接接触しない。より大きな非接触空間は、層の接着を減少させ、ハードマスクと下層との間の熱伝達を減少させる。より小さい粒子は、層の一部として堆積されると、より大きな粒子よりもぎっしりと詰めることができるので、非接触空間の大きさは、より小さい粒子によって低減される。さらに、より小さい粒径のため、下層との良好な接触を維持しながら、より大きい粒径の層より、層を薄くすることができる。

【0037】

最後に、より小さな粒径は、ハードマスク層のより小さい粗さを可能にする。ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）としても知られているライン幅ラフネス（ＬＷＲ）は、ハードマスクレリーフまたは特徴部の幅の過剰なばらつきである。ＬＷＲまたはＬＥＲに起因する粗さ又はばらつきは、ばらつきがエッチング中にトレンチにおよび最終的には回路に転写される可能性があるため、不利になり得る。このばらつきは、ハードマスクレリーフの特徴サイズの減少と共により顕著になる。ハードマスク層から形成された特徴部の限界寸法は、ＬＥＲまたはＬＷＲの影響を低減することによって小さくすることができる。ＬＥＲまたはＬＷＲは、より小さな粒径、及びそれによってより小さい粗さを有することによって、低減することができる。

【0038】

ナノ結晶ダイヤモンド層の堆積は、第１の圧力で堆積ガスを遠隔プラズマチャンバに供給することによって開始することができる。堆積ガスは、炭素含有前駆体および水素含有ガスを含む。この実施形態では、炭素含有前駆体はアルカン前駆体である。アルカン前駆体は、飽和非分枝炭化水素、例えばメタン、エタン、プロパン、およびそれらの組み合わせであり得る。他のアルカン前駆体には、ｎ−ブタン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、およびそれらの組み合わせが含まれる。水素含有ガスは、Ｈ_２、Ｈ_２Ｏ、ＮＨ_３または他の水素含有分子を含むことができる。堆積ガスは、不活性ガスをさらに含むことができる。不活性ガスは、アルゴンなどの希ガスであってもよい。

【0039】

次いで、堆積ガスは遠隔プラズマチャンバに供給される。堆積ガスは、チャンバ内で混合するか、チャンバに入る前に混合することができる。堆積ガスは、比較的高い圧力、例えば５トールより高い圧力で供給される。一実施形態では、堆積ガスは、約１０トール〜１００トール、例えば約５０トールで供給される。

【0040】

次いで、堆積ガスを活性化して、活性化された堆積ガスを生成することができる。堆積ガスは、電源を用いてプラズマを形成することによって、活性化することができる。ガスを反応種へと活性化し、反応種のプラズマを維持することができる任意の電源を使用することができる。例えば、高周波（ＲＦ）、直流（ＤＣ）、またはマイクロ波（ＭＷ）に基づく放電技術を使用することができる。電源は、堆積ガスのプラズマを生成して維持するために遠隔プラズマチャンバに印加されるソースプラズマ電力を生成する。ソースプラズマ電力にＲＦ電力を使用する実施形態では、ソースプラズマ電力は、３００ｍｍ基板に対して、約２ＭＨｚ〜約１７０ＭＨｚの周波数で且つ５００Ｗ〜５０００Ｗの電力レベルで供給することができる（基板の上面の０．５６Ｗ／ｃｍ^２〜５．５６Ｗ／ｃｍ^２）。他の実施形態は、３００ｍｍ基板に対して、約１０００Ｗ〜約３０００Ｗのソースプラズマ電力を供給することを含む（基板の上面の１．１１Ｗ／ｃｍ^２〜３．３３Ｗ／ｃｍ^２）。印加される電力は、処理されている基板のサイズに応じて調整することができる。

【0041】

遠隔プラズマチャンバ内の高圧および他の要因に基づいて、ラジカル形成が最大化される一方で、イオン化種の形成は最小限に抑えられる。理論に縛られる意図はないが、ナノ結晶ダイヤモンド層は、ｓｐ２結合よりもむしろ主にｓｐ３結合でなければならないと考えられている。さらに、より多くのｓｐ３結合が、層の堆積の間にイオン化種よりもラジカル種の数を増やすことによって達成できると考えられている。イオン化種は、大きなエネルギーを有し、ラジカルよりも運動のための場所がより多く必要になり得る。圧力を増加させることによって、電子エネルギーが減少する一方、他の分子との衝突の可能性が増加する。電子エネルギーの減少および衝突回数の増加は、イオン形成よりもラジカル形成に有利である。

【0042】

活性化されると、次いで、活性化された堆積ガスが、第２の圧力を有する第２の領域を通って供給される。第２の領域は、処理領域と遠隔プラズマチャンバとの間の第２のチャンバまたは別の閉じ込め領域とすることができる。一例では、第２の領域は、遠隔プラズマチャンバと処理領域との間の接続部である。

【0043】

第２の圧力は、第１の圧力よりも小さい。遠隔プラズマチャンバから第２の領域への移動は、流量、全体積の変化またはそれらの組み合わせに基づいて、第２の領域内の活性化された堆積ガスの減圧をもたらす。堆積層とのイオン化種の衝突を低減しながら、ラジカル種からのより良好な堆積を可能にするために、圧力が低減される。一実施形態では、第２の圧力は、約１トール〜約５トールである。

【0044】

活性化された堆積ガスは、その後、プロセスチャンバの処理領域内の基板に供給される。基板は、結晶シリコン基板などの、任意の組成であってよい。基板は、ビアまたはインタコネクトなどの１つ以上の特徴部を含むこともできる。基板は、基板支持体上に支持することができる。基板支持体は、特定の温度範囲に維持することができる。一実施形態では、基板支持体は、約５００℃〜約６５０℃の温度範囲に維持される。

【0045】

基板は、ナノ結晶層の堆積のためにプレシーディングすることができる。一実施形態において、基板は、シーディング溶液中に浸漬されるか、さもなければコーティングされる。シーディング溶液は、エタノールベースのナノダイヤモンド懸濁液である。基板は、超音波処理中に懸濁液に浸漬され、懸濁したナノダイヤモンドの一部を基板の表面に付着させる。本明細書に記載の実施形態から逸脱することなく、他のプレシーディング技術を使用することができる。

【0046】

１つ以上の実施形態で使用されるプロセスチャンバは、上述のプロセスチャンバ１００または他の製造業者からのチャンバなどの、遠隔プラズマ源を有する任意のＣＶＤプロセスチャンバとすることができる。以下に記載される流量および他の処理パラメータは、３００ｍｍの基板に関するものである。これらのパラメータは、本明細書で開示される実施形態から逸脱することなく、処理される基板のサイズおよび使用されるチャンバのタイプに基づいて、調整できることが、理解されるべきである。

【0047】

「基板表面」は、本明細書で使用される場合、その上に膜処理が実行される、任意の基板または基板上に形成された材料の表面を指す。例えば、処理が実行され得る基板表面は、用途に応じて、シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイア、などの材料、並びに、金属、金属窒化物、金属合金、および他の導電性材料などの任意の他の材料を含む。基板表面はまた、二酸化ケイ素および炭素ドープ酸化ケイ素などの誘電体材料を含むことができる。基板は、２００ｍｍ、３００ｍｍまたは他の直径のウエハなどの様々な寸法、ならびに長方形または正方形のペインを有することができる。

【0048】

処理領域は、第２の圧力より低い第３の圧力で、活性化された堆積ガスを受け取る。第３の圧力は、約５００ミリトール〜１トールの圧力などの、２トール未満の圧力とすることができる。

【0049】

その後、ナノ結晶ダイヤモンド層が、基板の表面上に堆積される。あらかじめ形成された活性化された堆積ガスからのラジカルが、基板表面に衝突して、ナノ結晶ダイヤモンド層を形成する。低い圧力が、遠隔で形成されたラジカルからのナノ結晶ダイヤモンド層中のｓｐ３結合の形成に有益であると考えられている。遠隔プラズマ源におけるより高い圧力が、優先的なラジカル形成を可能にする一方、処理領域におけるより低い圧力は、あらかじめ形成されたラジカルからのより均一な堆積を可能にする。

【0050】

ナノ結晶ダイヤモンド層が堆積されると、水素含有ガスが、遠隔プラズマチャンバに供給される。水素含有ガスは、別の時間に供給されてもよいし、前のステップからのガス流が、維持されてもよい。アルカン前駆体は、この部分には存在しない。水素含有ガスは、不活性ガスと共に、または複数の水素含有ガスの組み合わせの一部として、供給することができる。

【0051】

次いで、水素含有ガスを活性化して、活性化された水素含有ガスを生成する。水素含有ガスは、活性化された堆積ガスを形成することに関して説明したプラズマの形成のための同じ圧力、温度、電力タイプ、電力範囲、および他のパラメータを使用して、プラズマに変えることができる。

【0052】

活性化された水素含有ガスが形成されると、それを処理領域内の基板に供給することができる。処理領域および基板は、上述したのと同じ圧力、温度および他のパラメータに維持されてもよい。堆積プロセスの間に、堆積したナノ結晶ダイヤモンド層の表面上にポリマーが形成され得ると考えられる。ポリマーは、更なる堆積に影響を及ぼし、さもなければ堆積層の性能を低下させる可能性がある。活性化された水素含有ガスを堆積層に供給することにより、ポリマーは揮発性にされ、次いで、その後の堆積プロセスに影響を与えないように、チャンバから除去することができる。

【0053】

次いで、所望の厚さのナノ結晶ダイヤモンドスタックを堆積させるために、上記の要素を繰り返すことができる。各堆積サイクルは、約２０Å〜約２００Å、例えば約１００Åの厚さを生成する。上記のステップを繰り返すことによって、前の層は、次の堆積のためのシード層として作用し、全体的に所望の厚さを堆積させることができる。一実施形態では、ナノ結晶ダイヤモンドスタックは、１μｍの厚さに堆積される。

【0054】

デバイス層は、ナノ結晶ダイヤモンド層の堆積のためにプレシーディングすることができる。一実施形態において、基板は、シーディング溶液中に浸漬されるか、さもなければコーティングされる。シーディング溶液は、エタノールベースのナノダイヤモンド懸濁液であってもよい。基板は、超音波処理中に懸濁液に浸漬され、懸濁したナノダイヤモンドの一部を基板の表面に付着させる。本明細書に記載の実施形態から逸脱することなく、他のプレシーディング技術を使用することができる。

【0055】

ナノ結晶ダイヤモンド層は、堆積ガスを使用して堆積することができる。堆積ガスは、炭素含有前駆体および水素含有ガスを含むことができる。この実施形態では、炭素含有前駆体は、アルカン、アルケン、またはアルキン前駆体であり得る。アルカン前駆体は、飽和非分枝炭化水素、例えばメタン、エタン、プロパン、およびそれらの組み合わせであり得る。他のアルカン前駆体には、ｎ−ブタン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、およびそれらの組み合わせが含まれる。水素含有ガスは、Ｈ_２、Ｈ_２Ｏ、ＮＨ_３または他の水素含有分子を含むことができる。堆積ガスは、不活性ガスをさらに含むことができる。不活性ガスは、アルゴンなどの希ガスであってもよい。

【0056】

その後、３０８で、ナノ結晶ダイヤモンド層をパターニングし、エッチングすることができる。パターニングは、ナノ結晶ダイヤモンド層上へのフォトレジストの堆積を含むことができる。次に、フォトレジストを適切な波長の放射に曝露して、パターンを作成する。その後、パターンは、フォトレジストおよびその後にナノ結晶ダイヤモンド層にエッチングされる。

【0057】

次に、要素３１０において、デバイス層をエッチングして、特徴部を形成することができる。ナノ結晶ダイヤモンド層に形成されたパターンにより、デバイス層をエッチングすることができる。デバイス層は、ナノ結晶ダイヤモンド層よりもデバイス層に対して選択的であるエッチャントによってエッチングされる。デバイス層は、当該技術分野において周知の化学作用および技術を用いてエッチングされる。一実施形態では、エッチャントは、塩素含有エッチャントである。

【0058】

要素３１２において、次に、ナノ結晶ダイヤモンド層は、デバイス層の表面から除去することができる。ナノ結晶ダイヤモンド層は、例えば、プラズマアッシングプロセスを用いてデバイス層の表面からアッシングすることができる。プラズマアッシングプロセスは、Ｏ_２などの酸素含有ガスを活性化させることを含むことができる。Ｏ_２を使用する場合、アッシング速度は、約９００Å／分以上である。ナノ結晶ダイヤモンド層は、カリフォルニア州サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なＣｅｎｔｕｒａ Ａｖａｔａｒエッチングシステムなどの高アスペクト比エッチングシステムを用いてアッシングすることができる。

【0059】

表１は、アモルファスカーボンハードマスク（ＡＣＨ）とナノ結晶ダイヤモンドハードマスクとの間のエッチング選択性の比較および付随する膜特性を示している。

【0060】

膜は、シリコン基板上に均一な厚さに堆積された。堆積された第１の膜は、ＡＣＨ膜であった。ＡＣＨ膜は、メタンおよび水素含有前駆体からのＣＶＤプロセスを使用して堆積された。堆積速度は、５５０℃の堆積温度で約２５００Å／分であった。ＲＭＳ粗さは、約０．４６であった。密度は、１．４５ｇ／ｃｍ^３であった。応力は、約５０ＭＰａであり、熱伝導率は、１Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満であった。標準的なＡＣＨ膜に正規化すると、ＡＣＨのブランケットエッチング選択性は、約１である。ＡＣＨ膜は、Ｏ_２およびＮ_２プラズマ処理によって除去することができる。

【0061】

堆積された第２の膜は、ＮＣＤ膜であった。ＮＣＤ膜は、メタンおよび水素含有前駆体からのＭＷＣＶＤプロセスを使用して堆積された。堆積速度は、６００℃の堆積温度で約１７０Å／分であった。ＲＭＳ粗さは、約７．５４であった。密度は、３．２ｇ／ｃｍ^３であった。応力は、約−２０７ＭＰａであり、熱伝導率は、約１２Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。標準的なＡＣＨ膜に正規化すると、ＮＣＤのブランケットエッチング選択性は、約２．４である。ＮＣＤ膜は、Ｏ_２およびＮ_２プラズマ処理によって除去することができる。

【0062】

上記の表は、エッチング速度、選択性および除去性などの、ＡＣＨ膜とＮＣＤ膜のブランケット膜特性の比較を示す。ここに示すように、ＮＣＤ膜は、ＡＣＨ膜と比較して非常に高いエッチング選択性を有する。さらに、ＮＣＤは、同じエッチングプロセスによってエッチングされ除去されることができる。

【0063】

上記は、方法および装置の実施形態に向けられているが、その基本的な範囲から逸脱することなく、他の及びさらなる実施形態が考案されてもよく、その範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
処理面及び支持面を有する基板と、
前記処理面上に形成されたデバイス層と、
前記デバイス層上に形成され、２ｎｍ〜５ｎｍの平均粒径を有するナノ結晶ダイヤモンド層と
を含むデバイス。
（態様２）
前記ナノ結晶ダイヤモンド層の上に形成されたフォトレジストを更に含む、態様１に記載のデバイス。
（態様３）
前記ナノ結晶ダイヤモンド層は、高さの偏差の二乗平均平方根が６ｎｍ未満である表面粗さを更に有する、態様１に記載のデバイス。
（態様４）
前記ナノ結晶ダイヤモンド層と前記デバイス層の各々が、それぞれの中に形成されたチャネルを有する、態様１に記載のデバイス。
（態様５）
前記デバイス層が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、又はそれらの組合せを含む、態様１に記載のデバイス。
（態様６）
前記デバイス層が、チタン、白金、ルテニウム、窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、又はチタンシリサイド、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイド、若しくはそれらの組み合わせなどの金属シリサイドを含む、態様１に記載のデバイス。
（態様７）
前記デバイス層が、半導体フローティングゲート、導電性ナノ粒子、又は個別電荷蓄積誘電体特徴部を含む、態様１に記載のデバイス。
（態様８）
基板を処理する方法であって、
処理チャンバ内に配置されている基板の処理面上にデバイス層を堆積させることと、
２ｎｍ〜５ｎｍの平均粒径を有するナノ結晶ダイヤモンド層を、前記デバイス層上に堆積させることと、
前記ナノ結晶ダイヤモンド層をパターニングし、エッチングすることと、
前記デバイス層をエッチングして、特徴部を形成することと、
前記ナノ結晶ダイヤモンド層を前記デバイス層の前記面からアッシングすることと
を含む方法。
（態様９）
前記特徴部が、５０：１より大きいアスペクト比を有する、態様８に記載の方法。
（態様１０）
前記ナノ結晶ダイヤモンド層を堆積させる前に、シード層を形成することを更に含む、態様８に記載の方法。
（態様１１）
処理面及び支持面を有する基板と、
前記処理面上に形成された複数のデバイス層であって、デバイス層の少なくとも１つが３Ｄ ＮＡＮＤ構造の１つ以上の構成要素を形成する、複数のデバイス層と、
前記デバイス層を通って形成された複数のチャネルであって、複数のチャネルの各々が前記１つ以上の構成要素の少なくとも１つに接続する、複数のチャネルと、
処理層の上に形成され、２ｎｍ〜５ｎｍの平均粒径を有するナノ結晶ダイヤモンド層と
を含むデバイス。
（態様１２）
前記ナノ結晶ダイヤモンド層は、高さの偏差の二乗平均平方根が６ｎｍ未満である表面粗さを更に有する、態様１１に記載のデバイス。
（態様１３）
複数のデバイス層の少なくとも１つが、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、又はそれらの組合せを含む、態様１１に記載のデバイス。
（態様１４）
複数のデバイス層の少なくとも１つが、チタン、白金、ルテニウム、窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、又はチタンシリサイド、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイド、若しくはそれらの組み合わせなどの金属シリサイドを含む、態様１１に記載のデバイス。
（態様１５）
複数のデバイス層の少なくとも１つが、半導体フローティングゲート、導電性ナノ粒子、又は個別電荷蓄積誘電体特徴部を含む、態様１１に記載のデバイス。

【図1】

【図2】

【図3】