(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
一対の電極端子を有する発光素子と、一対のランド部を有する基板と、前記電極端子と前記ランド部とをそれぞれ電気的に接続する接続部材と、を備えた発光装置であって、
前記ランド部のそれぞれは、平面視において、第1領域と、前記第1領域から一方向に突出し、幅が先端部を除いて一定である第2領域と、を有し、
前記接続部材は、前記ランド部のそれぞれにおいて、前記第1領域と前記第2領域とに亘って設けられ、
前記発光素子は、前記基板と対向する側のみに前記電極端子を有し、前記電極端子が前記ランド部のうち前記第2領域のみと対向するように配置され、且つ、前記一対のランド部のうち一方のランド部における前記第1領域と前記第2領域とが連結した連結部と、前記一対のランド部のうち他方のランド部における前記第1領域と前記第2領域とが連結した前記連結部との間の領域に載置されている、ことを特徴とする発光装置。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、図面を参照しながら、本実施形態に係る発光装置100について説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明を以下に限定するものではない。また、各図面が示す部材の位置や大きさ等は、説明を明確にするため誇張していることがある。同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は省略する。
【0012】
図1は、本実施形態の発光装置の模式図である。(a)は平面図、(b)は(a)のA−Bの断面図である。
図1(a)において、部材の判別を容易にするため、接続部材30を斜線で示す。
図2〜
図5は、基板10上において、1つの発光素子40とその発光素子40が接続されるランド部20を拡大した図である。
図2(a)〜
図4(a)は平面図であり、
図2(b)〜
図4(b)は
図2(a)〜
図4(a)のA−Bの断面図である。
図3(a)〜
図4(a)は、部材の判別を容易にするため、接続部材30を斜線で示す。
図5(a)は、接続部材が溶融する前の発光装置の断面図であり、(b)は、接続部材が溶融した後の発光装置の断面図である。ここで、
図5(a)及び(b)は、
図4(a)などの平面図に示すA−Bの断面図である。
図6は、本実施形態に係る発光素子の断面図である。
【0013】
図1(a)及び(b)に示すように、本実施形態における発光装置100は、一対の電極端子41を有する発光素子40と、一対のランド部20を有する基板10と、電極端子41とランド部20とをそれぞれ電気的に接続する接続部材30と、を備える。そして、
図2(a)に示すように、ランド部20のそれぞれは、平面視において第1領域21と第1領域21から一方向に突出する第2領域22とを有する。接続部材30は、ランド部20のそれぞれにおいて第1領域21と第2領域22とに亘って設けられる。発光素子40は基板10と対向する側のみに電極端子41を有する。電極端子41がランド部20のうち第2領域22のみと対向するように配置されている。ここで、「電極端子41がランド部20のうち第2領域22のみと対向する」とは、電極端子41がランド部20のうち第1領域21と対向せず、第2領域22と対向する」ことを指す。なお、部材の説明のため、
図1(a)において電極端子41は発光素子40の他の部材を透過した状態で示す。
【0014】
これにより、発光素子40の浮きが抑制された状態で、発光素子40を基板10上に固定することができる。
【0015】
ランド部20に形成される接続部材30の量が、発光素子40に対して必要以上の量となると、発光素子40が浮いた状態で配置されるため、発光素子40が傾いた状態で固定され、配向特性が悪化する恐れがある。しかしながら、本実施形態に係る発光装置100であれば、
図5(a)および(b)に示すように、発光素子40が基板10に固定される前において、溶融した接続部材30が自身の表面積を最小にしようとする力(接続部材30の表面張力)によって、第1領域21にある接続部材30が第1領域21の中心部側に引き寄せられる。そして、これに伴い、第2領域22にある接続部材30が第1領域21に引き寄せられる。このとき、発光素子40の側面には電極端子が形成されていないため、発光素子40の側面に接続部材30によるフィレット(すなわち、接続部材30が裾広がりになる形状)が形成されず、第2領域22にある接続部材30は、発光素子40の側面にせき止められることなく、第1領域21へ移動することができる。これにより、第2領域22に残存する接続部材30の量は少なくなり、発光素子40の電極端子41は接続部材30の量が少なくなった第2領域22に接合されるため、発光素子40はその浮き及び傾きが抑制された状態で固定され、配向特性が良好となる。
【0016】
以下、発光装置100を構成する主な部材などについて説明する。
【0017】
(基板10)
基板10は、発光素子40を実装させるための土台となる部材である。基板10として、例えば、アルミ性基板、樹脂性基板、フレキシブル基板又はセラミック基板が挙げられる。基板10の表面には、発光素子40と電気的に接続する役割を果たすランド部20が設けられる。なお、
図1〜5では省略しているが、ランド部20に接続し、発光素子40等を駆動させるための配線は、基板10内部に設けても良いし、基板10表面のみに設けることもできる。
【0018】
基板10の表面には、発光素子40と電気的に接続するためのランド部20が設けられている。本実施形態では、1つの発光素子40に対して一対のランド部20が設けられる。各ランド部20は、
図2(a)に示すように、第1領域21と、第1領域21から一方向に突出する第2領域22と、を有する。
【0019】
ランド部20の材料は、導電性及び放熱性の観点から、銅箔が好ましい。さらに、銅箔の劣化を抑制するために、銅表面に金メッキ、はんだレベラー、フラックス又は銀メッキなどを形成しても良い。
【0020】
ランド部20は、一般的なエッチング法で形成することができる。例えば、まず、基板10表面全体にランド部20の材料を成膜し、その上に所望のランド形状が得られるようなマスクを形成する。そして、エッチングを行うことで、所望の形状をしたランド部20を得ることができる。
【0021】
本実施形態に係るランド部20は、第1領域21及び第2領域22を有する。第1領域21は、後述する第2領域22より幅広で且つ大面積であることが好ましい。これにより、接続部材30の溶融時に生じる接続部材30の表面張力を利用して、第2領域22にある接続部材22を第1領域21に引き寄せることができる。ここで記載した幅広の「幅」の方向は、後述する第2領域22が突出する一方向と直交する方向を指す。
【0022】
第1領域21と後述する第2領域22の面積比は、5:1〜10:1が好ましい。これにより、基板10上での発光素子40の集密性を低下させることなく、接続部材30の溶融時に第2領域22にある接続部材30を効率的に第1領域21に引き寄せることができる。
【0023】
第1領域21は、例えば、平面視において正円形、楕円又は正多角形の形状が挙げられる。半田印刷(すなわち、ランド部20の形状に対応した開口部を有するメタルマスクを用いて、接続部材30としての半田をランド部20に塗付させる)の場合、第1領域21の形状が多角形であれば、多角形である開口部を有するメタルマスクを用いるが、半田は球の形で安定するため、メタルマスクの開口部の角部に半田を詰め込むことが難しく、多角形の第1領域21に対応した半田を塗付することが難しくなる。これに対して、第1領域21の形状が円形であれば、メタルマスクの開口部に角部が存在しないため、円形の第1領域21に対応した半田を塗付させることができる。さらに、第1領域21が、
図2(a)に示すような正円形であれば、全方位において中心部からの距離が同じになることで、接続部材30の溶融時に生じる接続部材30の表面張力が全方位に対して均等に働き、第1領域21に設けられる接続部材30が第1領域21の中心部側に集まりやすくなる。
【0024】
第2領域22は、
図2(a)に示すように、第1領域21から一方向に突出する。第2領域22は、平面視において第1領域21より幅狭で且つ小面積であることが好ましい。これにより、接続部材30の溶融時に、接続部材30の表面張力によって第2領域22にある接続部材30を第1領域21に引き寄せることができ、第2領域22に残存する接続部材30の量を少なくできる。また、第2領域22の、第1領域21から突出する方向の長さと、第1領域21から突出する方向と直交する方向の幅との関係は、同じでも良いし、どちらか一方が長くても良い。
【0025】
第2領域22は、直線状に突出するのが好ましい。これにより、曲がって突出する場合と比較して、接続部材30の溶融時に、第2領域22にある接続部材30を第1領域21に効率よく引き寄せることができる。
【0026】
第2領域22は、
図2(a)に示すように、第2領域22は、第1領域21の中心部と、第1領域21と第2領域22との連結部23と、を結ぶ直線の延長線に沿って突出するのが好ましい。これにより、接続部材30の溶融時に、第2領域22の接続部材30が第1領域21に引き寄せられやすくなる。また、第2領域22における第1領域21と反対の側の縁部(つまり、
図2(a)で説明すると、第2領域22の、第1領域21と第2領域22とが連結する連結部23から最も遠い端部である突出する方向の先端部)が、曲線の形状(例えば、半円)で構成されるのが好ましい。さらに、第2領域22の先端部は、第1領域21が円形であれば、第1領域21の円形と同じ曲率の曲線の形状であることがより好ましい。これにより、第2領域22の先端の全体において第1領域21の中心部からの距離を均等に近付けやすくなるため、接続部材30の溶融時に第2領域22の先端部側にある接続部材30を均等に第1領域21に引き寄せることができ、第2領域22に残存する接続部材30の量のムラを抑えることができる。
【0027】
平面視において、第2領域22の、第一領域21から突出する方向と直交する方向における幅は、実装精度を考慮して電極端子41の幅より0.2mm程度まで広くしても良いが、電極端子部41の幅と同じである又はそれより狭いことが好ましい。すなわち、第2領域22の幅は、電極端子部41と同じ値から電極端子41の幅より0.1mm狭い値までの範囲内にするのが好ましい。これにより、仮に発光素子40が所望の位置(すなわち、発光素子40の電極端子41がランド部20の第2領域22と完全に重なる位置)からずれて載置されたとしても、接続部材30の溶融時に所望の位置へ自動的にズレを修正するセルフアライメント効果を得ることができる。また、第2領域22の幅が電極端子41の幅よりも狭ければ、電極端子41の幅と同じの場合と比べて、第2領域21自身の面積が小さくなるため、接続部材30の溶融時に第2領域22にある接続部材30が第1領域21側に一層引き寄せられ、第2領域22に残存する接続部材30の量をより少なくすることができる。なお、ここで記載した電極端子の幅の方向は、第2領域22の幅の方向と同じ方向である。
【0028】
また、
図2(a)に示すように、第2領域22の幅は先端部を除いて一定であることが好ましく、これに対して第1領域21は第2領域22より大面積であり、連結部23を境界として第2領域22の幅よりも大きく広がる形状であることが好ましい。このような形状とすることで、接続部材30の溶融時に接続部材30を第2領域22から第1領域21へ移動させることができる。
【0029】
一対の第1領域21及び一対の第2領域22は、一対の連結部23の最も接近した端部を結ぶ線の二等分線を基準にして線対称であることが好ましい。これにより、接続部材30の溶融時において各第2領域22に残存する接続部材30の量を均等にすることができるため、発光素子40が傾いて固定されるのを抑制することができる。
【0030】
図2(a)に示すように、一対の第2領域22は、一対の第1領域21の各中心点を結ぶ線上に配置される(つまり、一対の第2領域22の先端が互いに対向するように第1領域21から突出する)のが好ましい。これにより、接続部材30が溶融した際に、一方の第2領域22にある接続部材30が接続部材30の表面張力によって一方の第2領域22と連結する第1領域21側に引き寄せられる方向が、他方の第2領域22にある半田が他方の第2領域と連結する第1領域21側に引き寄せられる方向と正反対になるため、発光素子40が所望の位置から回転した状態で固定されるのを防止することができる。
【0031】
(接続部材30)
接続部材30は、基板10と発光素子40を電気的に接続するための部材である。接続部材30として、溶融した後固化して固定できる部材が好ましい。本実施形態では、半田を用いており、半田付けすることで発光素子40を基板10に接続している。
【0032】
本実施形態では接続部材30として、例えば、半田粉末とフラックスから構成される半田を用いる。半田は、ペースト状のもの或いは半田粉末にフラックスを塗付したものなどがある。半田粉末は、共晶はんだ(Sn/Pb系)、銀入りはんだ(Sn/Pb/Ag系)、鉛フリーはんだ(例えば、Sn/Ag/Cu系)などが挙げられる。フラックスは、半田表面の酸化物の除去、半田の濡れ性の向上及び半田の再酸化防止の役割を果たす。フラックスの材料は、例えば、松ヤニが挙げられる。
【0033】
なお、接続部材30は、上記した半田に限定されず、銀ペースト(例えば、銀と樹脂を混合したもの)などを用いることもできる。
【0034】
(発光素子40)
本実施形態に係る発光素子として、例えば、
図6に示す発光素子40が挙げられる。
図6に示す発光素子40は、透明絶縁性基板50の下側にn型半導体層61、活性層62、p型半導体層63が設けられ、n型半導体層61とp型半導体層63のそれぞれの表面の一部が開口するような絶縁膜70が設けられ、その開口部に電極端子41が設けられる。つまり、発光ダイオードの電極が発光素子40の電極端子41として露出されている。また、透明絶縁性基板50の側方には白色反射部材80が設けられ、透明絶縁性基板50の上方には蛍光体シート90が設けられる。発光素子40は、
図6に示すように、基板10と対向する側(実装側)のみに一対の電極端子41を有する。このため、発光素子40は、基板10と対向する側のみで基板10のランド部20に接続される。本実施形態では、発光素子40の傾きを抑制した状態で接続することができるため、配向特性の悪化を低減することができる。また、発光素子40は、電極端子41が配置された面(底面)と反対側の面(上面)から光を放出するものが好ましい。これにより、配向特性の悪化を一層低減することができる。
【0035】
発光素子40は、例えば、
図1に示すように第2領域22が突出する一方向に長い直方体でも良いし、立方体などでも良い。
【0036】
発光素子40として、樹脂等からなるパッケージ内に発光ダイオードが実装され、パッケージの電極を介して発光ダイオードに通電される発光素子を用いることもできるし、チップサイズパッケージ(CSP)を用いることもできる。また、
図6に示すように、発光ダイオードの電極が電極端子41として露出された発光素子を用いても良い。このようなサイズの小さい発光素子では、発光素子の大きさに対して接続部材30の量が相対的に多くなるので、発光素子40の浮きが顕著に現れるが、本実施形態に示すように実装することで、発光素子40の浮きを抑制して基板10に固定することができる。
【0037】
発光素子40のサイズが小さくなるにつれて、電極端子41のサイズも小さくなる。電極端子41の1端子のサイズは、平面視において0.7mm×0.7mm以上又は0.5mm
2の面積以上であると発光素子40の大きさに対して接続部材30の量は相対的に少ないため、発光素子40の浮きの影響は小さいが、電極端子41のサイズが0.7mm×0.7mm未満又は0.5mm
2の面積未満になると発光素子40の大きさに対して接続部材30の量が相対的に多くなるので、発光素子40の浮きが顕著に現れる。このため、本実施形態では、電極端子41のサイズが0.7mm×0.7mm未満又は0.5mm
2の面積未満の場合により一層効果が得られる。
【0038】
電極端子41は、上記したように、発光素子40の実装側(基板10と対向する側)のみに設けられるのが好ましいが、発光素子40の実装側の面に加えて、フィレットが形成されない程度で発光素子40の側面に設けることもできる。
【0039】
電極端子41は、基板10側の面において、必ずしも発光素子40の側面から内側に離間した位置に配置する必要はないが、発光素子40の側面に電極端子41を露出させないためには、
図6に示すように、発光素子40の側面から内側に離間した位置に配置することが好ましい。また、電極端子41は、
図6に示すように発光素子40から外側に突出しても良いし、発光素子40の内部に埋没しても良い。また、本実施形態における電極端子41の形状は、
図1(a)に示すように、平面視において正方形であるが、長方形にすることもできる。また、一対の電極端子41は、
図1(a)では形状が対称であるが、非対称であっても良い。
【0040】
電極端子41の材料は、接続部材30と電気的に接続し、発光素子40へ電流を供給することができる材料であれば良い。例えば、銅めっきが挙げられる。なお、一対の電極端子41は、同一材料でも良いし、異なる材料にすることもできる。
【0041】
図2〜
図6に示すように、本実施形態に係る発光装置100の製造方法は、一対の電極端子41を有する発光素子40と一対のランド部20を有する基板10とを接続部材30を用いて接続する方法であって、平面視において第1領域21と第1領域21から一方向に突出する第2領域22とをそれぞれ有する一対のランド部20が形成された基板10を準備する工程(
図2)と、一対の電極端子41が同じ側に設けられた発光素子40を準備する工程(
図6)と、ランド部20のそれぞれに接続部材30を形成する工程(
図3)と、電極端子41が第2領域22のみとそれぞれ対向するようにして発光素子40を基板10に載置する工程(
図4)と、接続部材30を溶融させた後固化させることで発光素子40を基板10に固定する工程(
図5)と、を具備する。
【0042】
これにより、一対の第1領域21及び一対の第2領域22のそれぞれに形成された接続部材30が、接続部材30の溶融時に生じる接続部材30の表面張力によって第1領域21の接続部材30が第1領域21の中心部側に引き寄せられ、それに伴い、第2領域22の接続部材30が第1領域21に引き寄せられる。この結果、第2領域22に残存する接続部材30の量を少なくすることができ、発光素子40の浮き及び傾きが抑制された状態で発光素子40が固定される。
【0043】
以下、本実施形態の発光装置100の製造方法の各工程を
図2〜
図5を用いて説明する。
図2〜
図5は、基板10上において、1つの発光素子40とその発光素子40が接続されるランド部20を拡大した図である。
図2(a)〜
図4(a)は平面図であり、
図2(b)〜
図4(b)は
図2(a)〜
図4(a)のA−Bの断面図である。
図3(a)〜
図4(a)は、部材の判別を容易にするため、接続部材30は斜線で示す。
図5(a)は、接続部材が溶融する前の発光装置の断面図であり、(b)は、接続部材30が溶融した後の発光装置の断面図である。ここで、
図5(a)及び(b)は、
図4(a)などの平面図に示すA−Bの断面図である。
図6は、本実施形態に係る発光素子の断面図である。
【0044】
(準備工程)
まず、
図2(a)に示すような、第1領域21と、第1領域21から一方向に突出する第2領域22を有する一対のランド部20が配置された基板10を準備する。
【0045】
(接続部材30を形成する工程)
次に、
図3(a)及び(b)に示すように、ランド部10の一対の第1領域21と一対の第2領域22に接続部材30を形成する。接続部材30として、ペースト状の半田を用いる場合は、一般的な半田印刷によって塗布することができる。これにより、一対の第1領域21と一対の第2領域22とに形成される接続部材30の膜厚は、一様な厚みとなる。
【0046】
(発光素子40を載置する工程)
次に、
図6に示すような、一面のみに電極端子41が配置された発光素子40を準備する。そして、
図4(a)及び(b)に示すように、電極端子41がランド部20のうち第2領域22のみと対向するように発光素子40を載置する。ここで、一対の第1領域21が完全に露出するように、第1領域21と第2領域22とが連結された連結部23の間の領域(
図4(a)に示す「領域C」)に発光素子40を載置するのが好ましい。発光素子40が領域Cからはみ出て第1領域の一部を覆うように載置されると、接続部材30の溶融時に第1領域21にある接続部材30はその表面張力によって中心部付近が最大になるように盛り上がるため、発光素子40が浮いてしまう恐れがある。これに対して、上記構成であれば、発光素子40が領域C内に載置されるので、第1領域21にある接続部材30が盛り上がっても発光素子40の浮きを防止できる。
【0047】
(発光素子40を固定する工程)
次に、接続部材30を溶融させた後、固化させることにより、発光素子40を基板10上のランド部20に固定する。接続部材30の固化は、溶融させた状態から凝固温度(半田の場合、典型的には230℃〜245℃)以下に降温することで行われる。本実施形態では、接続部材30として半田を用い、
図5(a)に示す発光素子40が載置された基板10をリフロー炉に入れ、リフロー方式にて半田付けを行った。なお、リフロー炉内は、大気雰囲気又は窒素雰囲気などにすることができる。大気雰囲気では大気雰囲気に含まれる酸素により半田が酸化して、ランド部20上での半田の濡れ性の悪化及び半田の付け具合が劣化する恐れがあるが、窒素雰囲気であれば、酸素の影響がなくなるため、半田の濡れ性及び半田付けを良好にすることができる。
【0048】
例えば接続部材30が半田である場合に、本実施形態の製造方法であれば、発光素子40が載置された基板10を加熱すると、半田粉末とフラックスが溶融し、溶融した半田粉末とフラックスとの界面張力及びフラックスの表面張力によって、
図5(b)に示すように第1領域21の半田はその中心部側に引き寄せられ、それに伴い、第2領域22の半田も第1領域21に引き寄せられる。これにより、第2領域22に残存する半田の量をリフロー前の量より少なくすることができる。その後、発光素子40が載置された基板10を冷ますことで、発光素子40の浮きが抑制された状態で発光素子40の電極端子41はランド部20の第2領域22に半田付けされる。
【0049】
本実施形態におけるリフロー方式の温度プロファイルは、一般的な条件で行うことができる。つまり、例えば半田が溶融する温度(典型的には230℃〜245℃)まで昇温を行い、その後、室温程度まで冷却することで、発光素子40を基板10に半田付けする。なお、半田30が溶融する温度に昇温させる前に、発光素子40が載置された基板10への急激な熱衝撃の緩和、及びフラックスの活性化促進のために、発光素子40が載置された基板10をリフロー炉にて140℃〜200℃で予備加熱しても良い。
【0050】
(実施例)
まず、
図2(a)に示すように、互いに対面する一対の第1領域21と、一対の第1領域21の対面する側に連結され、一方向に突出した一対の第2領域22と、を有するランド部20が配置された基板10を準備する。第1領域21のサイズは、直径1.1mmの正円形状である。一方、第2領域22のサイズは、連結部23から突出する方向の長さが0.55mmであり、前述した方向と直交する方向の幅が0.23mmである。なお、第2領域22における連結部23から突出する方向の先端部は半円形状にする。
【0051】
次に、半田印刷機を用いて、
図3に示すように、ランド部20(つまり、一対の第1領域21及び一対の第2領域22)にペースト状の半田を塗付する。このとき、第1領域21及び第2領域22のそれぞれに塗付された半田は一様にする。
【0052】
次に、
図6に示すような、一面のみに電極端子41が配置された発光素子40を準備する。そして、
図4に示すように、電極端子41が配置される面を基板10側の面として、電極端子41がランド部20のうち第1領域21のみと対向するように発光素子40を載置する。
【0053】
最後に、発光素子40が載置された基板10を窒素雰囲気下のリフロー炉に入れ、140℃〜180℃で予備加熱した後、260℃まで昇温する。そして、260℃で28秒保持した後、120℃/min、80℃/minの順で急冷して半田付けを行う。半田の溶融時に、半田の表面張力により第2領域22にある半田が第1領域21に引き寄せられるため、第2領域22にある半田の量が少なくなり、発光素子40の浮きを抑制した状態で半田付けすることができる。