発明の名称 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
出願人 住友金属鉱山株式会社 (識別番号 183303)
特許公開件数ランキング 241 位(131件)(共同出願を含む)
特許取得件数ランキング 116 位(226件)(共同出願を含む)
公報番号 特許-6277977
公報発行日 2018年2月14
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6277977
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