特許6284710スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法

発明の名称　スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法

出願人　出光興産株式会社　（識別番号 183646）

　　　　特許公開件数ランキング 315 位（101件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 250 位（114件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6284710

公報発行日　2018年2月28

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6284710

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