特許 6308081 ウェハプローバ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6308081

(24)【登録日】2018年3月23日

(45)【発行日】2018年4月11日

(54)【発明の名称】ウェハプローバ装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20180402BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20180402BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/66 B

   H01L21/68 P

【請求項の数】7

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2014-188132(P2014-188132)

(22)【出願日】2014年9月16日

(65)【公開番号】特開2016-62990(P2016-62990A)

(43)【公開日】2016年4月25日

【審査請求日】2017年4月13日

(73)【特許権者】

【識別番号】000004260

【氏名又は名称】株式会社デンソー

(73)【特許権者】

【識別番号】000151494

【氏名又は名称】株式会社東京精密

(74)【代理人】

【識別番号】110001128

【氏名又は名称】特許業務法人ゆうあい特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】内村 輝彦

(72)【発明者】

【氏名】森 克彦

(72)【発明者】

【氏名】村木 進一

【審査官】 堀江 義隆

(56)【参考文献】

【文献】 特開平０５−１４５０８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭６３−１５１０３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−３５１５７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−３１５１９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０３−２２８３４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０８０８４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０５−０８２６３１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／６６

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ ２９／８４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の圧力センサ（２１）が形成されたウェハ（１０２）をステージ（１０５）に載置し、前記複数の圧力センサそれぞれに形成された電極にプローブ針（１０８）を当てて前記圧力センサの電気特性を判定するウェハプローバ装置であって、
前記ステージのうち前記ウェハを載置する平面を構成する載置面（１）と、
前記載置面のうち前記ウェハが載置された状態で前記ウェハに覆われる載置領域（２）と、
前記載置領域の外周部に形成され、前記ウェハを吸着し固定する吸着孔（４）を有する吸着部（３）と、
前記載置領域の中央部であって前記吸着部の内側に形成された複数の第一の大気解放溝（６）と、
前記第一の大気解放溝を前記ステージのうち前記載置領域よりも外側の大気圧部位に接続する第一の大気接続孔（８）と、
を備えることを特徴とするウェハプローバ装置。

【請求項2】

前記吸着部が前記載置領域の中心に対して周方向に分割されることで複数形成されていることを特徴とする請求項１に記載のウェハプローバ装置。

【請求項3】

前記載置領域が円形であり、
前記吸着孔が前記載置領域と同心円をなす円の円弧形状であり、
前記載置領域の外周部であって前記吸着孔の内側に形成され、前記吸着孔に沿った円弧形状の第二の大気解放溝（９）と、
複数形成された前記吸着部の間を通って、前記第二の大気解放溝を前記ウェハステージのうち前記載置領域よりも外側の大気圧部位に接続する第二の大気接続孔（１０）と、
を備えることを特徴とする請求項２に記載のウェハプローバ装置。

【請求項4】

複数形成された前記第一の大気解放溝は、それぞれ少なくとも一部が直線状で構成され、互いに平行とされることでストライプ状をなしていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のウェハプローバ装置。

【請求項5】

複数形成された前記第一の大気解放溝のうち少なくとも一部を前記載置領域の外側まで延長したことを特徴とする請求項４に記載のウェハプローバ装置。

【請求項6】

前記ウェハが、前記圧力センサが形成された受圧部ウェハ（２０）と、前記受圧部ウェハと貼り合わせた状態で前記圧力センサのダイヤフラム穴（２２）の下方に圧力導入孔（２３）を形成するガラス台座（２４）とを貼り合わせることにより形成され、前記第一の大気解放溝の間の壁の幅が前記圧力導入孔の直径より小さいことを特徴とする請求項４または５に記載のウェハプローバ装置。

【請求項7】

前記第一の大気解放溝のピッチが前記圧力センサの幅より小さいことを特徴とする請求項４ないし６のいずれか１つに記載のウェハプローバ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、複数の圧力センサを形成したウェハをステージに固定しつつ、圧力センサの特性検査を行うウェハプローバ装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来より、半導体の製造工程中、ウェハに形成された複数の圧力センサの特性検査において、ウェハをステージに載せ、ウェハ上の各圧力センサに形成された電極にプローブ針を当てて電気信号を読み取り、圧力センサごとの電気特性の良不良判定を行う工程がある。

【0003】

このとき、ウェハをステージに固定する方法は、ステージに形成された複数の同心円状の溝によりウェハの全面を吸着する全面吸着が主流である。熱処理などにより生じたウェハの反りを吸収しながらウェハをステージに固定し、プローブ針とウェハの接触の安定性を図るためである。

【0004】

しかし、歪みゲージを備えた圧力センサを形成したウェハの特性検査では、反りの矯正によりウェハが変形すると、応力により歪みゲージの電気抵抗が変化するため、正確な特性検査ができない。

【0005】

そのため、このようなウェハの特性検査では、たとえば吸着部を外周部のみに配置し、ウェハの反りを矯正せずに吸着して固定する方法を取ることになる。
しかし、この方法では、ウェハとステージの間の空気が吸着時にステージの外に抜けずに留まるため、圧縮された空気の圧力の影響により、圧力センサの受圧部の特性が変化し、特性検査の正確さに依然問題がある。

【0006】

そのため、この問題を解決するものとして、たとえば、ステージ中央に大気に連結した空間部を形成し、外周のみでウェハを吸着し、固定する方法が提案されている（特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２００６−３５１５７２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

しかしながら、上記のウェハプローバ装置においては、ステージ中央部が中抜きされた座繰り形状のため、ウェハのうち中央部と外周部付近とでステージからの熱の伝わりやすさが異なり、高温検査において圧力センサの特性にばらつきが生じるという問題があった。

【0009】

本発明は上記点に鑑みて、圧力や温度による特性の変化やばらつきを防ぎ、特性検査の正確さを向上させるウェハプローバ装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、複数の圧力センサ（２１）が形成されたウェハ（１０２）をステージ（１０５）に載置し、複数の圧力センサそれぞれに形成された電極にプローブ針（１０８）を当てて圧力センサの電気特性を判定するウェハプローバ装置であって、ステージのうちウェハを載置する平面を構成する載置面（１）と、載置面のうちウェハが載置された状態でウェハに覆われる載置領域（２）と、載置領域の外周部に形成され、ウェハを吸着し固定する吸着孔（４）を有する吸着部（３）と、載置領域の中央部であって吸着部の内側に形成された複数の第一の大気解放溝（６）と、第一の大気解放溝をステージのうち載置領域よりも外側の大気圧部位に接続する第一の大気接続孔（８）と、を備えることを特徴としている。

【0011】

これによれば、ウェハの吸着時にウェハとステージの間の空気が第一の大気解放溝と第一の大気接続孔を通して大気へ抜けるため、圧力センサの受圧部が空気の圧力の影響により特性を変化させ難い。また、ステージ中央部を中抜きされた座繰り形状としていないため、平面とされた載置面よりウェハ全体にステージからの熱が均一に伝わり、温度による特性のばらつきも抑止できる。よって、特性検査の正確さを向上させることができる。

【0012】

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明の第１実施形態におけるウェハプローバ装置の構成図である。

【図2】本発明の第１実施形態におけるステージの平面図である。

【図3】図２のIII−III線における断面図である。

【図4】本発明の第１実施形態におけるステージ、および本発明が適用されるウェハの断面図である。

【図5】本発明の第２実施形態におけるステージの平面図である。

【図6】本発明の第３実施形態におけるステージの平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

【0015】

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかるウェハプローバ装置１００について、図１ないし図４を参照して述べる。まず、図１と図２を参照して、本実施形態にかかるウェハプローバ装置１００の概略構成について述べる。このウェハプローバ装置１００は、たとえば歪みゲージを備えた圧力センサを形成したウェハなど、変形により特性が変化するウェハの特性検査に用いられるものである。

【0016】

図１に示すように、本実施形態にかかるウェハプローバ装置１００は、ウェハカセット１０１、プリアライン装置１０３、搬送アーム１０４、ステージ１０５、位置決め装置１０６、コントローラ１０７、プローブ針１０８からなる。また、ウェハプローバ装置１００は、外部の機器として、テスター２００、真空吸引装置３００、バルブ４００、チューブ５００を備える。

【0017】

ウェハカセット１０１は、ウェハ１０２を収納し、また、検査対象のウェハ１０２を取り出し、プリアライン装置１０３に送る部分である。プリアライン装置１０３は、後述する複数の圧力センサ２１がステージ１０５上で所望の位置に置かれるように、ウェハ１０２の後述するＸＹ平面内での向きを大まかに決める部分である。ウェハ１０２の向きは、たとえばウェハ１０２に形成されたオリエンテーションフラットやノッチを基準として決められる。

【0018】

搬送アーム１０４は、プリアライン装置１０３によって決められた向きのまま、ウェハ１０２をプリアライン装置１０３からステージ１０５へ送る部分である。ステージ１０５は、ウェハ１０２を載置し、固定する部分である。このステージ１０５にウェハ１０２を固定した状態で、ウェハの特性検査を行う。このステージ１０５の構成が本発明の特徴であり、ステージ１０５の詳細については後述する。

【0019】

図２に示すガイド１０５ａ、１０５ｂは、図示しないウェハプッシャー機構によりウェハ１０２を押し当て、適正な位置に載置するためのものであり、ステージ１０５上に配置されている。

【0020】

位置決め装置１０６は、ステージ１０５の表面をＸＹ平面と見立て、かつ表面に対する法線方向をＺ軸と見立てて、ステージ１０５をＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動させるとともに、ウェハ１０２をＸＹ平面上において回転させて、ウェハ１０２の位置と向きの微調整を行う部分である。

【0021】

コントローラ１０７は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、Ｉ／Ｏなどを備えた周知のマイクロコンピュータによって構成され、ウェハプローバ装置１００の各装置、テスター２００、バルブ４００と接続されている。コントローラ１０７は、テスター２００からの信号とＲＯＭに記憶されたプログラムに従って、ウェハプローバ装置１００の各装置やバルブ４００の操作を行う。

【0022】

プローブ針１０８は、ウェハ１０２上に形成された複数の圧力センサ２１それぞれが有する電極から電気信号を読み取る部分である。この電気信号を利用して、各圧力センサ２１の特性が判定される。

【0023】

テスター２００はＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、Ｉ／Ｏなどを備えた周知のマイクロコンピュータによって構成されており、ＲＯＭなどに記憶されたプログラムに従って、検査の開始、終了の信号のコントローラ１０７への送信や、圧力センサ２１の特性の判定等を行う。

【0024】

真空吸引装置３００は、真空吸引によりウェハ１０２を吸着し固定するための吸引力を発生させる部分である。チューブ５００は、真空吸引装置３００とステージ１０５のチューブ接続孔５を接続する部分である。チューブ５００の途中にはバルブ４００が設けられており、バルブ４００を開閉することで、真空吸引装置３００からの真空吸引のオン、オフの切り替えや吸引力の調整を行う。

【0025】

つぎに、図２ないし図４を参照して、ステージ１０５の詳細な構成について述べる。このステージ１０５は、たとえばアルミニウムやステンレス等の金属に切削加工やプレス加工等を施すことで製作可能であり、ここでは、円柱形状である。

【0026】

ステージ１０５は、ウェハ１０２を載置する載置面１、載置領域２、ウェハ１０２を吸着する吸着部３、吸着孔４、チューブ接続孔５、ステージ１０５とウェハ１０２の間の空気を大気へ解放する第一の大気解放溝６、連結部７、第一の大気接続孔８を備える。

【0027】

ステージ１０５の上面によって構成される平面を載置面１とする。載置面１は、半導体の製造工程においてウェハ１０２を載置する部分である。また、載置面１のうちウェハ１０２が載置された状態でウェハ１０２に覆われる部分を載置領域２とする。載置領域２はここでは円形である。

【0028】

図２に示すように、載置領域２の外周部には、載置領域２の中心に対して周方向に分割されることで複数（本実施形態の場合は４つ）の吸着部３が形成され、吸着部３それぞれの内側で吸着孔４が載置面１に開口されている。吸着孔４は、所定深さの、載置領域２と同心円をなす円の円弧形状の溝によって構成されている。また、図３に示すように、吸着孔４は、その底部において、チューブ接続孔５によってチューブ５００と連通されている。チューブ接続孔５は、吸着孔４からステージ１０５のうち載置領域２以外の壁面に開口するように延設されている。

【0029】

つまり、吸着孔４は、チューブ接続孔５およびチューブ５００を通して真空吸引装置３００と接続されており、真空吸引装置３００の吸引力によりウェハ１０２を吸着し固定する部分である。なお、チューブ５００は、図１、図３では１本のみ示したが、実際には複数用意され、それぞれがチューブ接続孔５と真空吸引装置３００を接続している。

【0030】

載置領域２の中央部には、第一の大気解放溝６が複数形成されている。複数形成された第一の大気解放溝６は、ここでは、加工のしやすさを考慮して、互いに平行とされることでストライプ状をなす直線の溝形状とされている。各第一の大気解放溝６の両端は、空気抜けを多くするために、載置領域２の外周部であって吸着孔４より載置領域２の中心に近い位置まで延長されている。また、各第一の大気解放溝６は、連結部７によって互いに連結されている。連結部７は、複数の第一の大気解放溝６を第一の大気接続孔８に接続することで、第一の大気接続孔８を通して各第一の大気解放溝６を大気圧部位に接続する部分である。連結部７は、ここでは、加工のしやすさを考慮して、載置面１に開口した直線の溝形状としている。

【0031】

第一の大気接続孔８は、ステージ１０５とウェハ１０２の間の空気が大気へ抜ける経路を形成するものである。具体的には、第一の大気接続孔８は、ステージ１０５のうち載置領域２よりも外側の大気圧部位に接続されている。第一の大気接続孔８は、ここでは、加工のしやすさや、ウェハ１０２とステージ１０５の間の空気が大気へ抜ける出口の広さを考慮して、図３に示すように載置面１に開口した溝形状としている。また、第一の大気接続孔８は、ここでは２つ形成されており、複数の吸着部３の間を通って、互いに載置領域２の中心を挟んだ反対側においてステージ１０５の側面に開口している。

【0032】

このような第一の大気解放溝６、連結部７、第一の大気接続孔８の構成により、ウェハ１０２の吸着時にウェハ１０２とステージ１０５の間の空気をステージ１０５の外へ逃がすことができる。

【0033】

ところで、ウェハ１０２は、詳しくは図４に示すように、圧力センサ２１が形成された受圧部ウェハ２０の下にガラス台座２４を貼り付けて形成されている。このガラス台座２４は、受圧部ウェハ２０に貼り付けられた状態で、受圧部ウェハ２０上に形成された複数の圧力センサ２１のダイヤフラム穴２２の下に圧力導入孔２３を形成するものである。

【0034】

そして、圧力センサ２１は、圧力導入孔２３とダイヤフラム穴２２を通して導入された圧力の大きさに応じた信号を出力するものである。よって、吸着部３の付近等で、圧力導入孔２３が複数の第一の大気解放溝６の間の壁で塞がれると、吸着の際に圧力導入孔２３およびダイヤフラム穴２２の中の空気が十分に大気へ解放されず、圧力センサ２１の特性が変化するおそれがある。

【0035】

そこで、図４に示すように、第一の大気解放溝６の間の壁の厚さｗ１を、ここでは、圧力導入孔２３の直径ｗ２より小さくしている。これにより、圧力導入孔２３が第一の大気解放溝６の間の壁に塞がれることなく、すべてのダイヤフラム穴２２および圧力導入孔２３内の空気を大気へ解放することができる。

【0036】

また、第一の大気解放溝６のピッチｗ３を、ここでは、圧力センサ２１の幅ｗ４より小さくしている。これにより、第一の大気解放溝６の間の壁が多くの圧力センサ２１の下方に位置することで、各圧力センサ２１にステージ１０５の熱が均一に伝わり、温度による特性のばらつきが少なくなる。なお、圧力センサ２１の幅ｗ４とは、ウェハ１０２がステージ１０５に載置された状態における、複数の圧力センサ２１の底面の、載置面１に平行な平面内での短手方向の長さの最小値である。

【0037】

つぎに、本実施形態にかかるウェハプローバ装置１００の動作について述べる。ウェハの特性検査は、テスター２００が検査の開始信号をウェハプローバ装置１００のコントローラ１０７に送ることで開始される。

【0038】

テスター２００から開始信号が送られると、コントローラ１０７はウェハプローバ装置１００の各装置を操作して、以下の動作を行わせる。ウェハカセット１０１は、ウェハカセット１０１に収納されたウェハ１０２を取り出して、プリアライン装置１０３に送る。

【0039】

プリアライン装置１０３にウェハ１０２が送られると、プリアライン装置１０３はウェハ１０２に形成されたオリエンテーションフラット等を基準にウェハ１０２のＸＹ平面内での大まかな向きを決める。その後、ウェハ１０２は搬送アーム１０４によりステージ１０５へ送られる。

【0040】

ウェハ１０２がステージ１０５に載置されると、位置決め装置１０６はステージ１０５をＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動させる。また、このときウェハ１０２は、ウェハプローバ装置１００に構築された図示しないウェハプッシャー機構によりステージ１０５上に配置されたガイド１０５ａ、１０５ｂに押し当てられ、適正な位置に載置される。

【0041】

すると、コントローラ１０７がバルブ４００を開き、真空吸引装置３００がチューブ５００、チューブ接続孔５、吸着孔４を通してウェハ１０２を真空吸引することにより、ステージ１０５がウェハ１０２を吸着し、固定する。

【0042】

ウェハ１０２が固定されると、プローブ針１０８がウェハ１０２上に形成された複数の圧力センサ２１それぞれが有する電極から電気信号を読み取る。この電気信号は、コントローラ１０７を通してテスター２００へ送られる。

【0043】

テスター２００は、受け取った電気信号とＲＯＭなどに記憶された判定基準を元に圧力センサ２１の電気特性の良不良判定を行い、判定結果をＲＡＭなどに書き込む。このようにしてウェハ１０２上のすべての圧力センサ２１について特性を判定すると、テスター２００は検査の終了信号をコントローラ１０７に送る。

【0044】

すると、コントローラ１０７がバルブ４００を閉じ、吸着孔４に吸引力が供給されなくなって、ステージ１０５によるウェハ１０２の固定が解かれる。そしてウェハ１０２は図示しない搬送装置に載せられ、半導体製造の次の工程へ移される。なお、この後の半導体製造工程でウェハ１０２はダイシングカットされ、チップ単位に分割される。そして、上記の特性検査の結果、良判定されたチップが製品に組み込まれる。

【0045】

本実施形態にかかるウェハプローバ装置１００では、以上の工程がウェハカセット１０１に収納されたすべてのウェハ１０２について行われる。

【0046】

このようなウェハプローバ装置１００によれば、ウェハ１０２の吸着時にウェハ１０２とステージ１０５の間の空気が第一の大気解放溝６と第一の大気接続孔８を通して大気へ抜ける。そのため、ウェハ１０２に形成された圧力センサ２１の受圧部が空気の圧力の影響により特性を変化させ難い。また、ステージ１０５の中央部を中抜きされた座繰り形状としていないため、平面とされた載置面１よりウェハ１０２にステージ１０５からの熱が均一に伝わり、温度による特性のばらつきも抑止できる。よって、特性検査の正確さを向上させることができる。

【0047】

また、第一の大気解放溝６が載置領域２の外周部であって吸着孔４より載置領域２の中心に近い位置まで延長されているため、吸着孔４の付近においても空気抜けが生じる。したがって、ウェハ１０２に形成された圧力センサ２１の受圧部の、空気の圧力による特性の変化をさらに抑止できる。

【0048】

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかるウェハプローバ装置１００について、図５を参照して述べる。本実施形態は、第１実施形態に対して、第二の大気解放溝９と第二の大気接続孔１０を追加したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

【0049】

本実施形態は、基本的な構成は第１実施形態と同様であるが、図５に示すように、載置領域２の外周部であって吸着孔４より載置領域２の中心に近い位置に、吸着孔４に沿った円弧形状の第二の大気解放溝９が追加されている。また、複数形成された吸着部３の間を通って、第二の大気解放溝９をステージのうち載置領域２よりも外側の大気圧部位に接続する第二の大気接続孔１０が追加されている。

【0050】

このように構成されたウェハプローバ装置１００では、第二の大気解放溝９と第二の大気接続孔１０が追加されているため、ウェハ１０２裏面の空気抜けが多くなる。また、第二の大気解放溝９が吸着孔４に反った形状であるため、特に吸着孔４の付近において空気抜けが多くなる。よって、圧力による特性の変化が減少して、特性検査の正確さがさらに向上する。

【0051】

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかるウェハプローバ装置１００について、図６を参照して述べる。本実施形態は、第２実施形態に対して、第一の大気解放溝６の形態を一部変更したものであり、その他に関しては第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

【0052】

本実施形態は、基本的な構成は第２実施形態と同様であるが、図６に示すように、一部の第一の大気解放溝６が、複数形成された吸着部３の間を通って載置領域２の外側まで延長されている。

【0053】

このように構成されたウェハプローバ装置１００では、一部の第一の大気解放溝６が載置領域２の外側まで延長され、ウェハ１０２とステージ１０５の間の空気が大気へ抜ける経路が増えている。そのため、ウェハ１０２裏面の空気抜けが多くなり、圧力による特性の変化が減少して、特性検査の正確さがさらに向上する。

【0054】

（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において、部材の材料、形状、数量等の適宜変更が可能である。

【0055】

たとえば、第一の大気接続孔８の数は、１つでもよいし、複数でもよい。また、複数形成された吸着孔４の間のうち１つを複数の第一の大気接続孔８が通ってもよい。同様に、第二の大気接続孔１０の数も、１つでもよいし、複数でもよい。

【0056】

また、連結部７は、載置面１に開口せずにステージ１０５の内部を通る孔形状でもよい。また、第３実施形態では、第一の大気解放溝６の一端を複数形成された吸着部３の間を通って載置領域２の外側まで延長したが、両端を延長させてもよい。また、第一の大気解放溝６のピッチ、幅、形状を互いに等しくせず、場所により変えてもよい。

【0057】

また、連結部７は、すべての第一の大気解放溝６を連結してもよいし、一部の第一の大気解放溝６のみを連結してもよい。また、連結部７が形成されず、すべての第一の大気解放溝６が分離していてもよい。また、第一の大気解放溝６を分離した複数のグループに分け、連結部７によりグループごとに連結してもよい。また、第一の大気解放溝６と第二の大気解放溝９は、互いに連結していてもよいし、分離していてもよい。

【0058】

また、上記実施形態では吸着部３を４つ設けているが、吸着部３の数はこれに限られない。上記実施形態のように吸着部３を複数にすれば、吸着孔４が形成されていない部分に多くの第一の大気接続孔８を開口することができ、空気抜けの点で有利である。しかし、加工の容易さを考慮して、吸着部３の数を１つとし、吸着孔４の形状を円周状に、または一部を取り除いた円周状にしてもよい。この場合、第一の大気接続孔８は、載置面１に開口せずにステージ１０５の内部を通って、たとえばステージ１０５の側面や底面から開口すればよい。あるいは、吸着孔４を一部を取り除いた円周状にした場合には、第一の大気接続孔８は、載置面１に開口して、吸着孔４が形成されていない部分を通ればよい。

【0059】

また、上記実施形態では１つの吸着部３に対して１つの円弧形状の吸着孔４を形成しているが、吸着孔４の数や形状はこれに限られない。たとえば、１つの吸着部３に対して吸着孔４を複数形成してもよいし、吸着孔４を円柱形状としてもよい。また、複数の吸着孔４を、それぞれ異なる形状にしてもよい。

【0060】

また、上記実施形態ではチューブ５００を複数用意したが、複数のチューブ接続孔５をステージ１０５の内部で連結させ、複数のチューブ接続孔５のうち１つのみをステージ１０５の壁面に開口させて、１本のチューブ５００と接続させてもよい。また、複数のチューブ５００を連結させてもよい。また、複数の吸着孔４は、それぞれ分離したチューブ接続孔５、チューブ５００、真空吸引装置３００を備えて、それぞれの真空吸引装置３００から吸引力を供給されてもよい。

【0061】

また、第３実施形態では、第２実施形態に対して第一の大気解放溝６の形態を一部変更したが、同様の変更を第１実施形態に対して行ってもよい。

【0062】

また、上記した各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記した各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。

【符号の説明】

【0063】

１ 載置面
２ 載置領域
３ 吸着部
６ 第一の大気解放溝
８ 第一の大気接続孔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】