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特許第6319070号(P6319070)
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特許
6319070
自立ＧａＮ基板、ＧａＮ結晶、ＧａＮ単結晶の製造方法および半導体デバイスの製造方法
書誌
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請求の範囲
詳細な説明
課題
実施例
実施するための形態
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