特許 6325053 接合システム、接合方法、および半導体デバイスの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6325053

(24)【登録日】2018年4月20日

(45)【発行日】2018年5月16日

(54)【発明の名称】接合システム、接合方法、および半導体デバイスの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20180507BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/60 311Q

   H01L21/60 311T

【請求項の数】11

【全頁数】35

(21)【出願番号】特願2016-214000(P2016-214000)

(22)【出願日】2016年11月1日

(62)【分割の表示】特願2012-42038(P2012-42038)の分割

【原出願日】2012年2月28日

(65)【公開番号】特開2017-34282(P2017-34282A)

(43)【公開日】2017年2月9日

【審査請求日】2016年11月25日

(73)【特許権者】

【識別番号】304019355

【氏名又は名称】ボンドテック株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100117673

【弁理士】

【氏名又は名称】中島 了

(72)【発明者】

【氏名】山内 朗

【審査官】 工藤 一光

(56)【参考文献】

【文献】 特開平９−１５３５２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−３２８８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−２２８７８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−３１９９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−３５３７２５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ２１／６０−２１／６０７

Ｈ０５Ｋ１３／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

接合システムであって、
接合対象の２つの被接合物のうちの一方の被接合物である第１の被接合物を保持する第１の保持手段と、
前記２つの被接合物のうちの他方の被接合物である第２の被接合物を保持する第２の保持手段と、
前記第１の被接合物の接合表面に設けられたバンプ電極を当該バンプ電極の融点よりも低い温度である第１の温度にまで昇温する加熱手段と、
前記バンプ電極を前記第１の温度まで昇温した状態で、前記第１の保持手段と前記第２の保持手段との相互間距離を変更して、所定方向に離間していた前記２つの被接合物を当該所定方向において相対的に接近させ、前記バンプ電極を固相状態で前記第２の被接合物に接触させる駆動手段と、
前記バンプ電極が前記第２の被接合物に接触したことを検出する接触検知手段と、
前記２つの保持手段の相互間距離に応じた変位量であって前記バンプ電極の接触時点での前記変位量の値を前記変位量の基準値として検出する変位量検出手段と、
前記変位量を前記基準値に対して相対的に制御することによって前記２つの保持手段の相互間距離を制御しつつ、前記融点以上の温度である第２の温度にまで前記バンプ電極を前記第１の温度からさらに昇温することにより前記バンプ電極を溶融させ、前記バンプ電極により前記２つの被接合物を接合する制御手段と、
を備え、
前記第１の温度は、前記バンプ電極の融点よりも低い温度であり且つ前記バンプ電極の融点の１０℃以内の温度であることを特徴とする接合システム。

【請求項2】

請求項１に記載の接合システムにおいて、
前記制御手段は、前記２つの保持手段の相互間距離を維持しつつ、前記バンプ電極を溶融させた状態での加熱処理を行うことを特徴とする接合システム。

【請求項3】

請求項１に記載の接合システムにおいて、
前記制御手段は、前記第１の温度から前記第２の温度にまでさらに昇温した状態で加熱処理を継続し、前記第１の保持手段および前記第２の保持手段の少なくとも一方の熱膨張により前記２つの被接合物の相互間距離を低減させることを特徴とする接合システム。

【請求項4】

請求項１に記載の接合システムにおいて、
前記制御手段は、前記第１の温度から前記第２の温度にまでさらに昇温し前記バンプ電極を溶融させた状態で加熱処理を継続する期間において、前記２つの保持手段の相互間距離を維持しつつ前記第１の保持手段および前記第２の保持手段の少なくとも一方の熱膨張により前記２つの被接合物の相互間距離を低減させることを特徴とする接合システム。

【請求項5】

請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の接合システムにおいて、
ａ）前記第１の被接合物の接合表面に設けられたバンプ電極を前記第１の温度にまで昇温する処理と、
ｂ）前記バンプ電極を前記第１の温度まで昇温した状態で、所定方向に離間していた前記２つの被接合物を当該所定方向において相対的に接近させ、前記バンプ電極を固相状態で前記第２の被接合物に接触させる処理と、
ｃ）前記２つの保持手段の相互間距離に応じた変位量であって前記バンプ電極の接触時点での前記変位量の値を前記変位量の基準値として検出する処理と、
ｄ）前記変位量を前記基準値に対して相対的に制御することによって前記２つの保持手段の相互間距離を制御しつつ、前記融点以上の温度である第２の温度にまで前記バンプ電極を前記第１の温度からさらに昇温することにより前記バンプ電極を溶融させ、前記バンプ電極により前記２つの被接合物を接合する処理と、
ｅ）前記２つの被接合物の接合に関して前記処理ａ），ｂ），ｃ），ｄ）を実行した後、前記２つの被接合物のうちの一方の被接合物と、前記２つの被接合物とは別の１以上の被接合物との接合のそれぞれに関して、前記処理ａ），ｂ），ｃ），ｄ）を実行することによって、前記一方の被接合物に対して複数の被接合物を接合する処理と、
ｆ）前記一方の被接合物に対して前記複数の被接合物が接合された状態において、前記一方の被接合物と前記複数の被接合物との間のバンプ電極を前記融点以上の温度にまで昇温して加熱する処理と、
を実行することを特徴とする接合システム。

【請求項6】

接合方法であって、
ａ）接合対象の２つの被接合物のうちの第１の被接合物の接合表面に設けられたバンプ電極を当該バンプ電極の融点よりも低い温度である第１の温度にまで昇温するステップと、
ｂ）前記バンプ電極を前記第１の温度まで昇温した状態で、前記第１の被接合物を保持する第１の保持手段と第２の被接合物を保持する第２の保持手段との２つの保持手段の相互間距離を変更して、所定方向に離間していた前記２つの被接合物を当該所定方向において相対的に接近させ、前記バンプ電極を固相状態で前記第２の被接合物に接触させるステップと、
ｃ）前記バンプ電極が前記第２の被接合物に接触したことを検出するとともに、前記第１の保持手段と前記第２の保持手段との２つの保持手段の相互間距離に応じた変位量であって前記バンプ電極の接触時点での当該変位量の値を当該変位量に関する基準値として検出するステップと、
ｄ）前記変位量を前記基準値に対して相対的に制御することによって前記２つの保持手段の相互間距離を制御しつつ、前記融点以上の温度である第２の温度にまで前記バンプ電極を前記第１の温度からさらに昇温することにより前記バンプ電極を溶融させ、前記バンプ電極により前記２つの被接合物を接合するステップと、
を備え、
前記第１の温度は、前記バンプ電極の融点よりも低い温度であり且つ前記バンプ電極の融点の１０℃以内の温度であることを特徴とする接合方法。

【請求項7】

請求項６に記載の接合方法において、
前記ステップｄ）は、
ｄ−１）前記２つの保持手段の相互間距離を維持しつつ、前記バンプ電極を溶融させた状態での加熱処理を行うステップ、
を有することを特徴とする接合方法。

【請求項8】

請求項６に記載の接合方法において、
前記ステップｄ）は、
ｄ−２）前記第１の温度から前記第２の温度にまでさらに昇温した状態で加熱処理を継続することによって、前記第１の保持手段および前記第２の保持手段の少なくとも一方の熱膨張により前記２つの被接合物の相互間距離をさらに低減させるステップ、
を有することを特徴とする接合方法。

【請求項9】

請求項６に記載の接合方法において、
前記ステップｄ）は、
ｄ−３）前記第１の温度から前記第２の温度にまでさらに昇温し前記バンプ電極を溶融させた状態で加熱処理を継続する期間において、前記２つの保持手段の相互間距離を維持しつつ前記第１の保持手段および前記第２の保持手段の少なくとも一方の熱膨張により前記２つの被接合物の相互間距離を低減させるステップ、を有することを特徴とする接合方法。

【請求項10】

請求項６ないし請求項９のいずれかに記載の接合方法において、
ｅ）前記２つの被接合物の接合に関して前記ステップａ），ｂ），ｃ），ｄ）を実行した後、前記２つの被接合物のうちの一方の被接合物と、前記２つの被接合物とは別の１以上の被接合物との接合のそれぞれに関して、前記ステップａ），ｂ），ｃ），ｄ）を実行することによって、前記一方の被接合物に対して複数の被接合物を接合するステップと、
ｆ）前記一方の被接合物に対して前記複数の被接合物が接合された状態において、前記一方の被接合物と前記複数の被接合物との間のバンプ電極を前記融点以上の温度にまで昇温して加熱するステップと、
をさらに備えることを特徴とする接合方法。

【請求項11】

半導体デバイスの製造方法であって、
請求項６ないし請求項１０のいずれかに記載の接合方法を用いて前記２つの被接合物を接合するステップを備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、２つの被接合物（たとえば、基板およびチップ）を互いに接合する接合技術に関する。

【背景技術】

【0002】

基板とチップとをバンプ電極を介して接合する技術が存在する。たとえば、Ｃ４プロセス（Controlled Collapse Chip Connection Process）等の接合技術（表面実装技術）においては、基板上に載置されたチップは当該チップの自重で基板に押しつけられた状態で加熱され、基板とチップとがバンプ電極を介して接合される。

【0003】

しかしながら、近年のチップの小型化および薄型化に伴って、このような技術においては、チップの反り等によって接合不良等が生じるなどの問題が存在する。たとえば、薄いチップの周縁部が熱変形によって反り返ってチップ周縁部のバンプ電極が基板から浮き上がってしまい、当該チップ周縁部のバンプ電極が基板に対して接触できずに接合不良が生じることがある。あるいは、チップが軽すぎるために十分な接触圧力を確保できないことに起因して、バンプ電極が「点」でしか接触できずに（十分な接触面積を確保できずに）接続不良が生じることもある。

【0004】

一方、このような問題を解消することが可能な技術として、特許文献１に記載の技術が存在する。

【0005】

特許文献１においては、エアー式の摺動部材の先端部にチップを保持し、チップと基板との接合圧力が微小な一定値になるように圧力を制御しつつ、チップと基板とを接合することが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０００−３５３７２５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

しかしながら、上記特許文献１に記載の圧力制御技術において、圧力制御のみでチップと基板との相互間距離を正確に制御することは困難である。たとえば、当該相互間距離が小さくなり過ぎることなどが生じ得る。より詳細には、チップのバンプ電極の温度が融点を越えて当該バンプ電極が固相状態から液相状態へと変化した後においては、当該液相状態のバンプ電極の厚さ（高さ）を圧力制御のみで所望の高さに制御することは困難であり、バンプ電極が潰れ過ぎることなどが生じ易い。近年の配線パターンの微細化に伴って基板平面内における複数の電極相互間の距離も微小化しているため、バンプ電極が（基板に平行な方向に）潰れ過ぎると、隣接するバンプ電極が相互に接触し電気的短絡（ショート）が生じてしまうこともある。

【0008】

また、チップの加熱接合時に室温から溶融温度にまで当該チップを昇温すると、当該チップを保持するヘッド部材等が熱膨張し、チップと基板との相互間距離が当該熱膨張の影響を受けて変動する。そのため、当該相互間距離を正確に制御することは容易ではないという事情も存在する。

【0009】

そこで、この発明は、２つの被接合物をバンプ電極を介して接合するに際して、当該２つの被接合物の相互間の距離を適切に制御することが可能な接合技術を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上記課題を解決すべく、請求項１の発明は、接合システムであって、接合対象の２つの被接合物のうちの一方の被接合物である第１の被接合物を保持する第１の保持手段と、前記２つの被接合物のうちの他方の被接合物である第２の被接合物を保持する第２の保持手段と、前記第１の被接合物の接合表面に設けられたバンプ電極を当該バンプ電極の融点よりも低い温度である第１の温度にまで昇温する加熱手段と、前記バンプ電極を前記第１の温度まで昇温した状態で、前記第１の保持手段と前記第２の保持手段との相互間距離を変更して、所定方向に離間していた前記２つの被接合物を当該所定方向において相対的に接近させ、前記バンプ電極を固相状態で前記第２の被接合物に接触させる駆動手段と、前記バンプ電極が前記第２の被接合物に接触したことを検出する接触検知手段と、前記２つの保持手段の相互間距離に応じた変位量であって前記バンプ電極の接触時点での前記変位量の値を前記変位量の基準値として検出する変位量検出手段と、前記変位量を前記基準値に対して相対的に制御することによって前記２つの保持手段の相互間距離を制御しつつ、前記融点以上の温度である第２の温度にまで前記バンプ電極を前記第１の温度からさらに昇温することにより前記バンプ電極を溶融させ、前記バンプ電極により前記２つの被接合物を接合する制御手段と、を備え、前記第１の温度は、前記バンプ電極の融点よりも低い温度であり且つ前記バンプ電極の融点の１０℃以内の温度であることを特徴とする。

【0011】

請求項２の発明は、請求項１の発明に係る接合システムにおいて、前記制御手段は、前記２つの保持手段の相互間距離を維持しつつ、前記バンプ電極を溶融させた状態での加熱処理を行うことを特徴とする。

【0012】

請求項３の発明は、請求項１の発明に係る接合システムにおいて、前記制御手段は、前記第１の温度から前記第２の温度にまでさらに昇温した状態で加熱処理を継続し、前記第１の保持手段および前記第２の保持手段の少なくとも一方の熱膨張により前記２つの被接合物の相互間距離を低減させることを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項１の発明に係る接合システムにおいて、前記制御手段は、前記第１の温度から前記第２の温度にまでさらに昇温し前記バンプ電極を溶融させた状態で加熱処理を継続する期間において、前記２つの保持手段の相互間距離を維持しつつ前記第１の保持手段および前記第２の保持手段の少なくとも一方の熱膨張により前記２つの被接合物の相互間距離を低減させることを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかの発明に係る接合システムにおいて、ａ）前記第１の被接合物の接合表面に設けられたバンプ電極を前記第１の温度にまで昇温する処理と、ｂ）前記バンプ電極を前記第１の温度まで昇温した状態で、所定方向に離間していた前記２つの被接合物を当該所定方向において相対的に接近させ、前記バンプ電極を固相状態で前記第２の被接合物に接触させる処理と、ｃ）前記２つの保持手段の相互間距離に応じた変位量であって前記バンプ電極の接触時点での前記変位量の値を前記変位量の基準値として検出する処理と、ｄ）前記変位量を前記基準値に対して相対的に制御することによって前記２つの保持手段の相互間距離を制御しつつ、前記融点以上の温度である第２の温度にまで前記バンプ電極を前記第１の温度からさらに昇温することにより前記バンプ電極を溶融させ、前記バンプ電極により前記２つの被接合物を接合する処理と、ｅ）前記２つの被接合物の接合に関して前記処理ａ），ｂ），ｃ），ｄ）を実行した後、前記２つの被接合物のうちの一方の被接合物と、前記２つの被接合物とは別の１以上の被接合物との接合のそれぞれに関して、前記処理ａ），ｂ），ｃ），ｄ）を実行することによって、前記一方の被接合物に対して複数の被接合物を接合する処理と、ｆ）前記一方の被接合物に対して前記複数の被接合物が接合された状態において、前記一方の被接合物と前記複数の被接合物との間のバンプ電極を前記融点以上の温度にまで昇温して加熱する処理と、を実行することを特徴とする。

【0014】

請求項６の発明は、接合方法であって、ａ）接合対象の２つの被接合物のうちの第１の被接合物の接合表面に設けられたバンプ電極を当該バンプ電極の融点よりも低い温度である第１の温度にまで昇温するステップと、ｂ）前記バンプ電極を前記第１の温度まで昇温した状態で、前記第１の被接合物を保持する第１の保持手段と第２の被接合物を保持する第２の保持手段との２つの保持手段の相互間距離を変更して、所定方向に離間していた前記２つの被接合物を当該所定方向において相対的に接近させ、前記バンプ電極を固相状態で前記第２の被接合物に接触させるステップと、ｃ）前記バンプ電極が前記第２の被接合物に接触したことを検出するとともに、前記第１の保持手段と前記第２の保持手段との２つの保持手段の相互間距離に応じた変位量であって前記バンプ電極の接触時点での当該変位量の値を当該変位量に関する基準値として検出するステップと、ｄ）前記変位量を前記基準値に対して相対的に制御することによって前記２つの保持手段の相互間距離を制御しつつ、前記融点以上の温度である第２の温度にまで前記バンプ電極を前記第１の温度からさらに昇温することにより前記バンプ電極を溶融させ、前記バンプ電極により前記２つの被接合物を接合するステップと、を備え、前記第１の温度は、前記バンプ電極の融点よりも低い温度であり且つ前記バンプ電極の融点の１０℃以内の温度であることを特徴とする。

【0015】

請求項７の発明は、請求項６の発明に係る接合方法において、前記ステップｄ）は、ｄ−１）前記２つの保持手段の相互間距離を維持しつつ、前記バンプ電極を溶融させた状態での加熱処理を行うステップ、を有することを特徴とする。

【0016】

請求項８の発明は、請求項６の発明に係る接合方法において、前記第２の温度は、前記融点よりも高い温度であり、前記ステップｄ）は、ｄ−２）前記第１の温度から前記第２の温度にまでさらに昇温した状態で加熱処理を継続することによって、前記第１の保持手段および前記第２の保持手段の少なくとも一方の熱膨張により前記２つの被接合物の相互間距離をさらに低減させるステップ、を有することを特徴とする。
請求項９の発明は、請求項６の発明に係る接合方法において、前記ステップｄ）は、ｄ−３）前記第１の温度から前記第２の温度にまでさらに昇温し前記バンプ電極を溶融させた状態で加熱処理を継続する期間において、前記２つの保持手段の相互間距離を維持しつつ前記第１の保持手段および前記第２の保持手段の少なくとも一方の熱膨張により前記２つの被接合物の相互間距離を低減させるステップ、を有することを特徴とする。
請求項１０の発明は、請求項６ないし請求項９のいずれかの発明に係る接合方法において、ｅ）前記２つの被接合物の接合に関して前記処理ａ），ｂ），ｃ），ｄ）を実行した後、前記２つの被接合物のうちの一方の被接合物と、前記２つの被接合物とは別の１以上の被接合物との接合のそれぞれに関して、前記処理ａ），ｂ），ｃ），ｄ）を実行することによって、前記一方の被接合物に対して複数の被接合物を接合するステップと、
ｆ）前記一方の被接合物に対して前記複数の被接合物が接合された状態において、前記一方の被接合物と前記複数の被接合物との間のバンプ電極を前記融点以上の温度にまで昇温して加熱するステップと、をさらに備えることを特徴とする。

【0018】

請求項１１の発明は、半導体デバイスの製造方法であって、請求項６ないし請求項１０のいずれかの発明に係る接合方法を用いて前記２つの被接合物を接合するステップを備えることを特徴とする。

【発明の効果】

【0042】

請求項１ないし請求項１１に記載の発明によれば、２つの被接合物をバンプ電極を介して接合するに際して、当該２つの被接合物の相互間の距離を適切に制御することが可能である。

【0045】

また特に、請求項３および請求項８に記載の発明によれば、溶融状態のバンプ電極の合金化を促進することが可能である。

【0050】

また、請求項１１に記載の発明によれば、その２つの被接合物の相互間の距離が適切に制御されて接合された半導体デバイスを得ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0051】

【図1】第１実施形態に係る接合装置を示す縦断面図である。

【図2】両被接合物の接合表面付近を示す拡大図である。

【図3】アライメント用のマークを示す図である。

【図4】第１実施形態に係る動作を示すフローチャートである。

【図5】第１実施形態に係る動作を示すタイミングチャートである。

【図6】バンプ電極付近の状態遷移を表す図である。

【図7】第２実施形態に係る動作を示すタイミングチャートである。

【図8】バンプ電極付近の状態遷移を表す図である。

【図9】バンプ電極付近を示す図である。

【図10】バンプ電極付近の状態遷移を表す図である。

【図11】第３実施形態に係る動作を示すタイミングチャートである。

【図12】バンプ電極付近の状態遷移を表す図である。

【図13】バンプ電極付近を示す図である。

【図14】バンプ電極付近を示す図である。

【図15】２つのバンプ電極の接触時における位置ずれを示す図である。

【図16】アライメント動作を示す図である。

【図17】バンプ電極の一部が固化している様子を示す図である。

【図18】第５実施形態の動作を示すタイミングチャートである。

【図19】バンプ電極付近の状態遷移を表す図である。

【図20】第６実施形態に係る動作を示すタイミングチャートである。

【図21】バンプ電極の接合部分付近の状態遷移を示す図である。

【図22】バンプ電極の接合部分付近の状態遷移を示す図である。

【図23】ヘッドの熱膨張量とバンプ電極の温度との対応関係等を示す図である。

【図24】第７実施形態に係る動作を示すフローチャートである。

【図25】変形例に係る接合システムを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0052】

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

【0053】

＜１．第１実施形態＞
＜１−１．装置概要＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る接合装置１（１Ａとも称する）を示す縦断面図である。なお、以下、各図においては、便宜上、ＸＹＺ直交座標系を用いて方向等を示している。

【0054】

この接合装置１（１Ａ）は、接合対象の２つの被接合物９１，９２を互いに対向させて両被接合物９１，９２を接合する装置である。より詳細には、接合装置１は、２つの両被接合物９１，９２の水平方向位置を合わせて、当該両被接合物９１，９２を接合する装置である。なお、接合装置１は、接合システムであるとも表現される。

【0055】

接合装置１は、その筐体２内に、ヘッド２２およびステージ１２を備えている。ヘッド２２は、被接合物９２を保持する保持部材であり、ステージ１２は、被接合物９１を保持する保持部材である。上側の被接合物９２は、ヘッド２２（より詳細にはその先端部に設けられた静電チャック部等）によって保持される。同様に、下側の被接合物９１は、当該ステージ１２（より詳細にはその先端部に設けられた静電チャック部等）によって保持される。被接合物９２はヘッド２２の保持面によって面支持され、被接合物９１はステージ１２の保持面によって面支持される。

【0056】

ヘッド２２は、当該ヘッド２２の静電チャック部２２７（図２）に内蔵されたヒータによって加熱され、ヘッド２２に保持された被接合物９２の温度を調整（昇温等）することができる。また、ヘッド２２の内部には水冷機構（強制冷却部）が設けられており、被接合物９２を強制冷却することも可能である。

【0057】

同様に、ステージ１２は、当該ステージ１２の静電チャック部１２７（図２）に内蔵されたヒータによって加熱され、ステージ１２上の被接合物９１の温度を調整（昇温等）することができる。また、ステージ１２の内部には水冷機構（強制冷却部）が設けられており、被接合物９１を強制冷却することも可能である。

【0058】

ステージ１２は、ＸＹ駆動機構１４によってＸ方向およびＹ方向に移動（並進移動）され、透光性部材等で構成されたベース部１１に対して相対的に並進移動する。ステージ１２は、後述する位置認識部２８による位置検出結果等に基づいてＸＹ駆動機構１４によって駆動され、Ｘ方向、Ｙ方向におけるアライメント動作が実行される。

【0059】

また、ヘッド２２は、回転駆動機構２５によってθ方向（Ｚ軸回りの回転方向）に回転される。ヘッド２２は、後述する位置認識部２８による位置検出結果等に基づいて回転駆動機構２５によって駆動され、θ方向におけるアライメント動作が実行される。

【0060】

さらに、ヘッド２２は、Ｚ軸昇降駆動機構（モータおよびボールネジ等を有する）２６によってＺ方向に移動（昇降）される。ヘッド２２がステージ１２に対して相対的に接近することによって、両被接合物９１，９２が互いに接合される。

【0061】

また、ヘッド（ヘッド部とも称する）２２は、ベース部材２２１と先端側部材２２２とを有している。詳細には、ベース部材２２１に対して圧力センサ２９が固定されており、当該圧力センサ２９に対して先端側部材２２２が固定されている。圧力センサ２９は、ベース部材２２１と先端側部材２２２との間に加わる圧力（ひいては、両被接合物９１，９２の相互間に作用する圧力）を検出することができる。

【0062】

ベース部材２２１は、Ｚ軸昇降駆動機構２６によってＺ方向に駆動される高剛性部材（剛体）である。また、先端側部材２２２は、ベース部材２２１に対して圧力センサ２９を介して固定されている高剛性部材である。先端側部材２２２は、静電チャック部２２７等を有して構成される。先端側部材２２２は、上記特許文献１のようなエアー式のツールホルダー（空気圧による摺動部材）を有さず、非摺動式の高剛性部材として構成されている。

【0063】

ここでは、接合対象の２つの被接合物として基板９１とチップ（半導体チップ）９２とを例示する。基板９１は基板保持用のステージ１２に保持され、チップ９２はチップ載置用のヘッド２２に保持される。

【0064】

図２に示すように、基板９１の接合表面には複数のバンプ電極ＢＭ（ＢＭ１）が設けられており、チップ９２の接合表面にも複数のバンプ電極ＢＭ（ＢＭ２）が設けられている。バンプ電極（はんだバンプ電極）ＢＭ１は、基板９１上に設けられたバンプ下地金属ＵＭ（たとえば銅（Ｃｕ）あるいは金（Ａｕ）等）のさらに上に設けられている。換言すれば、バンプ電極ＢＭ１は、バンプ下地金属ＵＭを介して、基板９１の接合表面に設けられている。同様に、バンプ電極（はんだバンプ電極）ＢＭ２は、バンプ下地金属ＵＭを介して、チップ９２の接合表面に設けられている。

【0065】

基板９１の複数のバンプ電極ＢＭは、チップ９２の複数のバンプ電極ＢＭに対応する位置に設けられている。チップ９２が基板９１に対して正確に位置合わせされた状態では、基板９１の各バンプ電極ＢＭとチップ９２の各バンプ電極ＢＭとが対向する位置に配置される。

【0066】

接合装置１は、ヘッド２２のＺ方向位置Ｈを検出する位置検出センサ（リニアスケール（リニアエンコーダ）等）３１をさらに備えている。後述するように、この位置検出センサ３１による検出値を用いて、ヘッド２２の高さ等が制御される。なお、ヘッド２２のＺ方向位置Ｈは、たとえば、Ｚ軸昇降駆動機構２６に内蔵されたモーターのエンコーダ値を用いて検出されるようにしてもよい。

【0067】

ヘッド２２のＺ方向位置Ｈは、Ｚ方向（鉛直方向）においてヘッド２２の下方先端位置に比較的近い位置で検出（計測）されることが好ましい。当該検出位置（位置検出センサ３１の位置等）から下方先端位置までの長さが小さい方が、ヘッド２２において当該長さに対応する熱膨張量が低減され、当該熱膨張量に関する誤差も低減されるからである。

【0068】

この接合装置１は、コントローラ７をさらに備えている。コントローラ７は、接合装置における各種の動作（たとえば、駆動動作、温度調整動作、アライメント動作等）を制御する。

【0069】

また、接合装置１に隣接して、チップ供給装置（不図示）が配置されている。各チップ９２は、当該チップ供給装置（不図示）によって接合装置１へと随時供給される。

【0070】

＜１−２．位置認識部＞
また、接合装置１は、被接合物９１，９２の水平位置（詳細にはＸ，Ｙ，θ）を認識する位置認識部（位置計測部とも称される）２８（図１）を備えている。ここでは、被接合物９１，９２として、赤外光（赤外線波長域の光）を透過するものが用いられるものとし、赤外光を用いて位置計測動作が実行される態様を例示する。

【0071】

位置認識部２８は、２つの撮像部２７ａ，２７ｂを有している。

【0072】

撮像部２７（詳細には２７ａ，２７ｂ）は、マークＭＫ１，ＭＫ２（後述）に関する光像を画像データとして取得する。位置認識部２８は、撮像部２７による撮影画像に基づいて、基板９１上でのチップ９２の位置を認識する。詳細には、位置認識部２８は、マークＭＫ１，ＭＫ２を用いて、基板平面に平行な方向におけるチップ９２の位置（基板９１に平行な面内におけるチップ９２と基板９１との相対位置関係）を認識する。

【0073】

各撮像部２７ａ，２７ｂは、それぞれ、撮像センサとレンズ部とを有している。また、各撮像部２７ａ，２７ｂは、それぞれ、同軸照明系を有し、当該同軸照明系の光源（出射部とも称される）から出射された照明光（ここでは赤外光）の反射光に関する画像データを取得する。

【0074】

具体的には、各撮像部２７ａ，２７ｂの各同軸照明系から水平方向に出射された照明光は、ミラー（光路変更部材）３３７で反射されて、その進行方向が鉛直下向きに変更される。そして、当該光は、ヘッド２２に保持されたチップ９２（図２）と当該チップ９２に対向配置された基板９１とを含む撮影対象部分に向けて進行し、当該撮影対象部分で反射される。また、当該撮影対象部分からの反射光は、上方に向けて進行した後、ミラー（光路変更部材）３３７で再び反射されて、その進行方向が水平方向に変更されて、各撮像部２７ａ，２７ｂへと到達する。これにより、撮影対象部分の光像に関する画像データ（反射光による画像データ）が取得される。たとえば、ヘッド２２に保持されたチップ９２内に配置されるマークＭＫ１（ＭＫ１ａ，ＭＫ１ｂ）（図２参照）と、当該チップ９２に対向配置された基板９１内に配置されるマークＭＫ２（ＭＫ２ａ，ＭＫ２ｂ）とを含む画像データが取得される。

【0075】

より詳細には、撮像部２７ａは、２種類のマークＭＫ１ａ，ＭＫ２ａを同時に読み取った撮影画像を取得する。位置認識部２８は、基板９１とチップ９２とに付された或る１組のマーク（ＭＫ１ａ，ＭＫ２ａ）（図２参照）の位置を当該撮影画像に基づいて認識するとともに、当該１組のマークＭＫ１ａ，ＭＫ２ａの相互間の位置ずれ量（Δｘａ，Δｙａ）を求める（図３参照）。

【0076】

同様に、撮像部２７ｂは、２種類のマークＭＫ１ｂ，ＭＫ２ｂを同時に読み取った撮影画像を取得する。位置認識部２８は、基板９１とチップ９２とに付された別の１組のマーク（ＭＫ１ｂ，ＭＫ２ｂ）の位置を認識するとともに、当該１組のマークＭＫ１ｂ，ＭＫ２ｂの相互間の位置ずれ量（Δｘｂ，Δｙｂ）を求める。

【0077】

位置認識部２８は、これら２組のマークの位置ずれ量（Δｘａ，Δｙａ），（Δｘｂ，Δｙｂ）に基づいて、水平方向（Ｘ方向、Ｙ方向およびθ方向）におけるチップ９２と基板９１との相対的位置ずれ量（Δｘ，Δｙ，Δθ）を算出する。ここで、値ΔｘはＸ方向における両被接合物９１，９２の相対的な位置ずれであり、値ΔｙはＹ方向における両被接合物９１，９２の相対的な位置ずれである。また、値Δθはθ方向（回転方向）における両被接合物９１，９２の相対的な位置ずれ（相対姿勢誤差とも称される）である。両被接合物９１，９２の相対的位置ずれ量（Δｘ，Δｙ，Δθ）は、当該両被接合物９１，９２の相対位置誤差であるとも表現される。

【0078】

そして、位置認識部２８により認識された当該相対的ずれ量が低減されるように、ステージ１２が２つの並進方向（Ｘ方向およびＹ方向）に駆動（並進駆動）されるとともに、ヘッド２２がθ方向に駆動（回転駆動）される。これにより、基板９１とチップ９２とが相対的に移動され、上記の位置ずれ量が補正される。

【0079】

チップ９２の（Ｘ方向、Ｙ方向およびθ方向に関する）アライメント動作はこのようにして実行される。

【0080】

＜１−３．接合動作＞
図４は、第１実施形態に係る動作を示すフローチャートである。また、図５は、第１実施形態に係る動作を示すタイミングチャートである。図５においては、バンプ電極ＢＭの温度ＴＭの変化曲線Ｌ１（上段）とヘッド２２のＺ方向位置Ｈの変化曲線Ｌ２（中段）と圧力センサ２９（図１）の検出圧力値Ｐの変化曲線Ｐ３（下段）とが示されている。

【0081】

ここでは、ヘッド２２のヒータによってチップ９２（そのバンプ電極ＢＭ２も含む）が加熱され、ステージ１２のヒータによって基板９１（そのバンプ電極ＢＭ１も含む）が加熱される態様を例示する。ただし、これに限定されず、たとえば、ヘッド２２のヒータのみによってチップ９２（バンプ電極ＢＭ２）のみが加熱され、ステージ１２のヒータによる基板９１（バンプ電極ＢＭ１）の加熱がなされないようにしてもよい。

【0082】

ヘッド２２のヒータ温度とバンプ電極ＢＭ２の温度との関係は、予め実験等によって求められているものとする。ヘッド２２のヒータ温度を所定の温度に制御することによって、バンプ電極ＢＭ２の温度を目標の温度に制御することが可能である。たとえば、ヘッド２２の温度を２５０℃に昇温することによって、バンプ電極ＢＭ２の温度を２１５℃に昇温することが可能である。また、ヘッド２２の温度を２６０℃に昇温することによって、バンプ電極ＢＭ２の温度を２２５℃に昇温することが可能である。

【0083】

同様に、ステージ１２のヒータ温度を所定の温度に制御することによって、バンプ電極ＢＭ１の温度を目標の温度に制御することが可能である。

【0084】

このように、ヘッド２２および／またはステージ１２のヒータ温度を調整することによって、バンプ電極ＢＭの温度が制御される。換言すれば、ヘッド２２および／またはステージ１２のヒータ温度とバンプ電極ＢＭの温度との相関関係に基づいてヒータ温度を制御することによって、バンプ電極ＢＭの温度が制御される。

【0085】

以下、これらの図等を参照しながら、第１実施形態に係る動作について説明する。

【0086】

この実施形態では、ステップＳ１１（図４）の加熱直前において、両被接合物９１，９２に関する平面方向（ＸＹθ方向）における位置合わせ動作（アライメント動作）が予め行われているものとする。これにより、チップ９２が基板９１の平面方向において所定の位置に配置される。ただし、両被接合物９１，９２は、鉛直方向（Ｚ方向）において離間して配置されており、両被接合物９１，９２は未だ接触していない。

【0087】

ステップＳ１１（図４）において、両被接合物９１，９２のバンプ電極ＢＭの加熱が開始され（時刻Ｔ０）、バンプ電極ＢＭが室温ＲＴから温度ＴＭ１にまで昇温される（時刻Ｔ１）（図５上段の曲線Ｌ１参照）。温度ＴＭ１は、バンプ電極（詳細にはバンプ電極材料）の融点（溶融温度）ＴＭｍよりも所定温度ΔＴＵ１（たとえば、数℃〜数十℃程度）低い温度である。たとえば、バンプ電極ＢＭの融点ＴＭｍが２２０℃であり且つ値ΔＴＵ１が５℃であるときには、温度ＴＭ１は２１５℃（融点よりも５℃低い値）に設定される。温度ＴＭ１は、融点近傍且つ融点未満の温度である、とも表現される。なお、値ΔＴＵ１が小さいほど（換言すれば、温度ＴＭ１が融点ＴＭｍに近いほど）、ヘッド２２等の熱膨張の影響を抑制して正確な高さ制御を行うことが可能である。値ΔＴＵ１は、１０℃以内の値であることが好ましく、５℃以内の値であることが更に好ましい。

【0088】

ここにおいて、ステップＳ１１での加熱処理に応じたヘッド２２等の熱膨張によって、ヘッド２２の下方先端位置（およびヘッド２２に保持されたチップ９２のバンプ電極ＢＭ２の下方先端位置）は更に下方に（たとえば数十μｍ（マイクロメートル）程度）移動し、両被接合物９１，９２は互いに接近する。ただし、ステップＳ１１の実行後においても、両被接合物９１，９２は、鉛直方向（Ｚ方向）において未だ離間しており、両被接合物９１，９２（詳細には、基板９１のバンプ電極ＢＭ１、およびチップ９２のバンプ電極ＢＭ２）は未だ接触していない（図６の左端（ｔ＝Ｔ１）参照）。逆に言えば、ステップＳ１１の加熱処理の実行前の時点Ｔ０においては、ステップＳ１１の加熱処理に応じた熱膨張の影響によってヘッド２２の下方先端位置が下方に移動しても両被接合物９１，９２が未だ接触しない程度に、比較的大きく（たとえば１００μｍ（マイクロメートル）程度）離間されて両被接合物９１，９２が配置される。

【0089】

ステップＳ１１の加熱処理の後のステップＳ１２においては、バンプ電極ＢＭが温度ＴＭ１にまで昇温された状態（温度ＴＭ１に維持された状態）で、アライメント動作が再び実行される（時刻Ｔ１）。これにより、水平平面方向における両被接合物９１，９２の相対位置がさらに正確に合わせられる。特に、ステップＳ１１の前に予備的なアライメント動作が行われているとしても、ステップＳ１１の加熱処理に伴う基板の熱膨張等によって水平方向における位置ずれ（たとえば２０μｍ（マイクロメートル）程度の位置ずれ）が生じ得る。ステップＳ１１の加熱処理後のステップＳ１２においてアライメント動作を行うことによれば、ステップＳ１１の加熱処理に伴う位置ずれを抑制することが可能である。

【0090】

なお、この実施形態においては、ステップＳ１１の加熱直前にもアライメント動作が行われているが、これに限定されず、ステップＳ１１の加熱直前にはアライメント動作が行われないようにしてもよい。

【0091】

次のステップＳ１３においては、バンプ電極ＢＭが温度ＴＭ１に維持された状態で、Ｚ軸昇降駆動機構２６による駆動動作に応じてヘッド２２が下降していく（図５中段の曲線Ｌ２参照（時刻Ｔ１〜時刻Ｔ２））。このヘッド２２の下降動作に応じて、ヘッド２２とステージ１２との相互間距離ＤＨ（図２も参照）、ひいては、ステージ１２に保持された基板９１とヘッド２２に保持されたチップ９２との相互間距離ＤＣ（より詳細には、基板９１のバンプ電極ＢＭ１とチップ９２のバンプ電極ＢＭ２との相互間距離ＤＢ、および基板９１の下地金属ＵＭ１とチップ９２の下地金属ＵＭ２との相互間距離ＤＵ）が低減されていく。換言すれば、ヘッド２２およびステージ１２（ひいては基板９１およびチップ９２）が互いに接近していく。この下降動作は、両被接合物９１，９２が互いに接触するまで継続される。より詳細には、基板９１のバンプ電極ＢＭとチップ９２のバンプ電極ＢＭとが互いに接触するまで継続される。

【0092】

そして、ステップＳ１４においてチップ９２のバンプ電極ＢＭ２が基板９１（より詳細には基板９１のバンプ電極ＢＭ１）に接触したことが圧力センサ２９によって検出される（時刻Ｔ２）。具体的には、図５下段の曲線Ｌ３に示すように、圧力センサ２９の検出値が急激に増大した時刻Ｔ２が、バンプ電極ＢＭの接触時点として検出される。なお、上記の下降動作は、バンプ電極ＢＭの温度を値ＴＭ１（＜ＴＭｍ）に維持した状態で実行されるため、バンプ電極ＢＭは未だ溶融していない。すなわち、バンプ電極ＢＭはステップＳ１３，Ｓ１４においては固相状態を有している。また、圧力センサ２９のドリフトの影響を好適に抑制するため、圧力センサ２９は時刻Ｔ１においてリセットされることが好ましい。

【0093】

このようにして圧力センサ２９によってバンプ電極ＢＭの接触が検出されると、ヘッド２２の駆動動作（下降動作）は停止される。また、この時刻Ｔ２におけるヘッド２２のＺ方向位置が、位置検出センサ３１によって検出される。

【0094】

ここでは、２つの保持部材（ヘッド２２およびステージ１２）の相互間距離ＤＨに応じた物理量（詳細には変位量）として、ヘッド２２のＺ方向位置Ｈを用いる。ヘッド２２が下降してヘッド２２のＺ方向位置Ｈの値が低減すると相互間距離ＤＨも低減する。逆に、ヘッド２２が上昇してヘッド２２のＺ方向位置の値が増大すると相互間距離ＤＨも増大する。このように、ヘッド２２のＺ方向位置は、２つの保持部材２２，１２の相互間距離ＤＨに応じて変更される物理量（変位量）の１つである。

【0095】

上記の接触時刻Ｔ２において、相互間距離ＤＨに応じた変位量の値（ここでは、ヘッド２２のＺ方向位置Ｈ）が検出され、当該時刻Ｔ２における検出値が変位量に関する基準値ＳＶとして検出される。

【0096】

以後、相互間距離ＤＨに関する変位量（ヘッド２２のＺ方向位置Ｈ）が、基準値ＳＶに対して相対的に制御されることによって、相互間距離ＤＨが制御される。この実施形態においては、ヘッド２２のＺ方向位置Ｈが基準値ＳＶで維持されるように、２つの保持部材２２，１２の相互間距離ＤＨが制御される。より詳細には、時刻Ｔ２から時刻Ｔ７（図５参照）までの期間においては、ヘッド２２のＺ方向位置は、接触時点Ｔ２での位置ＳＶに維持され、変更されない。すなわち、両被接合物９１，９２の接触時点Ｔ２でのヘッド２２のＺ方向位置Ｈがそのまま維持される。

【0097】

このような相互間距離ＤＨの制御（換言すれば、ヘッド２２の高さ制御）が開始された後、ステップＳ１５の処理が実行される。ただし、ヘッド２２等による加熱処理等に伴ってヘッド２２、ステージ１２、チップ９２および基板９１等が熱膨張する。そのため、ヘッド２２とステージ１２との相互間距離ＤＨが同じ値に維持されるとしても、ヘッド２２およびステージ１２等の熱膨張量（総熱膨張量）に応じて、ステージ１２に保持された基板９１とヘッド２２に保持されたチップ９２との相互間距離ＤＣ（図２参照）等は変動（低減ないし増大）する。より詳細には、当該相互間距離ＤＣの他、基板９１のバンプ電極
ＢＭ１とチップ９２のバンプ電極ＢＭ２との相互間距離ＤＢ、および基板９１の下地金属ＵＭ１とチップ９２の下地金属ＵＭ２との相互間距離ＤＵ等が変動する（図６参照）。

【0098】

ステップＳ１５においては、まず、バンプ電極ＢＭを温度ＴＭ１から融点（溶融温度）ＴＭｍにまで昇温する温度上昇処理が実行される（時刻Ｔ３〜時刻Ｔ４）。このとき、上述のようなヘッド２２の高さ制御によってヘッド２２は同じ位置に固定されている。しかしながら、温度ＴＭ１から温度ＴＭｍへの温度上昇（ΔＴＵ１＝ＴＭｍ−ＴＭ１）によって、ヘッド２２のリニアセンサ３１の位置からヘッド２２の下方先端位置（詳細にはチップ９２の下方先端位置）までのＺ方向長さが熱膨張により増大する。このような膨張量ΔＥＸ１は、たとえば、５℃の温度上昇（ΔＴＵ１＝５℃）で、数μｍ（マイクロメートル）程度発生する。そのため、ヘッド２２の位置が固定されている状態において、チップ９２と基板９１との相互間距離ＤＣは更に低減され、チップ９２と基板９１とはさらに接近する。これにより、２つの被接合物９１，９２の表面の相互間に挟まれているバンプ電極ＢＭに加わる圧力が増大する（図５の変化曲線Ｌ３、および図６の左端から３番目の状態を参照）。

【0099】

そして、バンプ電極ＢＭの温度が融点ＴＭｍに到達すると、バンプ電極ＢＭが溶融する（時刻Ｔ４）。換言すれば、バンプ電極ＢＭの状態が固相状態から液相状態へと遷移する。このとき、バンプ電極ＢＭに加わっていた圧力は、液相状態への遷移に応じて急激に低減する。そのため、バンプ電極ＢＭの当該状態遷移は、圧力センサ２９によって検出することができる。具体的には、図５の変化曲線Ｌ３に示すように、時刻Ｔ３の後において圧力センサ２９による検出圧力値Ｐは一旦増加した後に、今度は逆に急激に減少する。たとえば、１０Ｎ（ニュートン）程度の力に対応する圧力が加わっていた状態から、０．１Ｎ（ニュートン）程度の力に対応する圧力が加わる状態へと遷移する。この低下時点Ｔ４が溶融時点として圧力センサ２９によって検出されればよい。

【0100】

ここにおいて、この時点Ｔ４においてもヘッド２２のＺ方向位置（高さ）Ｈが時刻Ｔ２時点と同じ値になるように、ヘッド２２の位置が固定されている。そのため、バンプ電極ＢＭが潰れてしまうことを回避することが可能である。たとえば仮に、圧力センサを用いた圧力制御によって、制御可能な最小圧力値でバンプ電極を加圧する技術を比較例として想定すると、当該最小圧力値（たとえば１Ｎ程度の力に対応する圧力）は比較的大きいため、当該比較例においてバンプ電極ＢＭは加圧により潰れてしまう。なお、制御可能な最小圧力値は、圧力センサのドリフトにより経時的に蓄積される誤差の影響等によって、或る値（たとえば１Ｎ程度の力に対応する圧力）よりも小さくすることが困難である。一方、この実施形態によれば、上述のように、バンプ電極ＢＭが潰れてしまうことを回避することが可能である。

【0101】

その後、さらに加熱処理が継続され、バンプ電極ＢＭが融点ＴＭｍから温度ＴＭ２にまで更に昇温する温度上昇処理（時刻Ｔ４〜時刻Ｔ５）が実行される。温度ＴＭ２は、融点近傍且つ融点以上の温度である、とも表現される。ここでは、温度ＴＭ２は、融点ＴＭよりも値ΔＴＵ２（たとえば５℃）大きな温度であるものとする。

【0102】

このときも、ヘッド２２の高さ制御によってヘッド２２は同じ位置に固定されている。すなわち、ヘッド２２の高さＨは基準値ＳＶに維持されたままである。そのため、Ｍバンプ電極ＢＭの潰れを回避することが可能である。また、温度ＴＭｍから温度ＴＭ２からへの温度上昇（ΔＴＵ２＝ＴＭ２−ＴＭｍ）によって、ヘッド２２のリニアセンサ３１の位置からヘッド２２の下方先端位置（詳細にはチップ９２の下方先端位置）までのＺ方向長さが熱膨張によって更に増大する。このような熱膨張による膨張量ΔＥＸ２は、たとえば、５℃の温度上昇（ΔＴＵ２＝５℃）で、数μｍ（マイクロメートル）程度発生する。そのため、ヘッド２２の位置が固定されている状態において、チップ９２と基板９１との相互間距離ＤＣ（および下地金属ＵＭ１，ＵＭ２の相互間距離ＤＵ等）は更に低減され、チップ９２と基板９１とはさらに接近する。これにより、２つの被接合物９１，９２の表面の相互間に挟まれているバンプ電極ＢＭに加わる圧力が再び増大する（図６の左端から５番目の状態を参照）。したがって、膨張量（ΔＥＸ１＋ΔＥＸ２）の発生に伴って、バンプ電極に対する押し付け力を十分に作用させバンプ電極の材料（たとえば、鉛フリーハンダの構成要素（スズ（Ｓｂ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等））を当該バンプ電極内部でさらに拡散させてバンプ電極の合金化を促進し、当該バンプ電極による接合を確実化することが可能である。

【0103】

このような温度ＴＭ２による加熱処理は所定時間（たとえば数十秒）継続して実行される。この処理期間（時刻Ｔ５〜時刻Ｔ６）においても、バンプ電極ＢＭの潰れを回避することが可能であるとともに、膨張量（ΔＥＸ１＋ΔＥＸ２）の発生に伴って、バンプ電極に対する押し付け力を十分に作用させてバンプ電極の合金化を促進すること等が可能である。

【0104】

その後の時刻Ｔ６において、ヘッド２２の冷却処理が開始される（ステップＳ１９）。

【0105】

この冷却処理に応じて、バンプ電極ＢＭの温度は（融点ＴＭｍ以下の温度へ向けて）低下していく。そして、バンプ電極ＢＭの温度が融点ＴＭｍにまで下降すると、今度はバンプ電極ＢＭは液相状態から固相状態へと遷移して固化（硬化）する（時刻Ｔ７）。このときも、ヘッド２２の高さ制御によってヘッド２２は同じ位置に固定されている。すなわち、ヘッド２２の高さＨは基準値ＳＶに維持されたままである。ただし、温度ＴＭ２から温度ＴＭｍへの降温処理によって、ヘッド２２のリニアセンサ３１の位置からヘッド２２の先端部付近までの長さが熱収縮によって低減する。このような収縮量（低減量）ΔＣＰ２は、たとえば、５℃の温度下降で、数μｍ（マイクロメートル）程度発生する。そのため、ヘッド２２の位置が固定されている状態において、チップ９２と基板９１との相互間距離ＤＣ（および下地金属ＵＭ１，ＵＭ２の相互間距離ＤＵ）は増大し、チップ９２と基板９１とは若干量離れていく。これにより、２つの被接合物９１，９２の表面の相互間に挟まれているバンプ電極ＢＭのＺ方向長さが若干量（たとえば５マイクロメートル）大きくなる（図６の右端の状態を参照）。端的に言えば、バンプ電極ＢＭが引き上げられる。したがって、両被接合物９１，９２の相互間距離を若干引き戻して（増大させて）、適切な高さのバンプ電極ＢＭを形成することが可能である。

【0106】

バンプ電極ＢＭの温度が融点ＴＭｍ以下の温度（たとえば、融点ＴＭｍより２℃低い温度）にまで低下した時点（詳細にはバンプ電極ＢＭが固化した直後の時点（たとえば時刻Ｔ７の直後の時刻））において、接合装置１は、ヘッド２２によるチップ９２の保持（吸着）を解除し、ヘッド２２を上昇させる。固化したバンプ電極ＢＭによってチップ９２と基板９１とが接合されているため、このような吸着解除後におけるヘッド２２上昇時には、ヘッド２２のみが上昇していく（チップ９２は上昇しない）。この結果、図６の右端の状態を有するバンプ電極ＢＭがチップ９２と基板９１との間に形成される。具体的には、基板９１とチップ９２とを接続するバンプ電極ＢＭが所望の高さを有する状態で適切に形成され、両被接合物９１，９２が当該バンプ電極ＢＭを介して接合される。

【0107】

たとえば、バンプ電極ＢＭの厚さが８μｍ（マイクロメートル）であるときには、時刻Ｔ２において上下の下地金属ＵＭの相互間距離ＤＵは、１６（＝８＋８）μｍ（マイクロメートル）である（図６の左端から２つ目の状態）。その後、時刻Ｔ４においては、熱膨張量ΔＥＸ１（ここでは５μｍ（マイクロメートル））に起因して、相互間距離ＤＵは、１１（＝１６−ΔＥＸ１＝１６−５）μｍ（マイクロメートル）に低減される。また、時刻Ｔ５から時刻Ｔ６までの期間においては、さらなる熱膨張量ΔＥＸ２（ここでは５μｍ（マイクロメートル））に起因して、相互間距離ＤＵは、６（＝（１６−ＥＸ１）−ΔＥＸ２＝１１−５）μｍ（マイクロメートル）にさらに低減される。その後、時刻Ｔ７においては、熱収縮量ΔＣＰ２（＝５）に起因して、相互間距離ＤＵは１１（＝（１６−ＥＸ１−ΔＥＸ２）＋ΔＣＰ２＝６＋５）μｍ（マイクロメートル）に増大する。

【0108】

なお、ここでは、バンプ電極ＢＭの温度が融点ＴＭｍ以下の温度にまで低下し、バンプ電極ＢＭが固化した後に、ヘッド２２によるチップ９２の保持（吸着）が解除される態様を例示しているが、これに限定されない。具体的には、バンプ電極ＢＭの温度が温度ＴＭ２から所定の温度（たとえば融点ＴＭｍよりも高い温度）にまで低下した時点で（あるいは温度ＴＭ２で）、バンプ電極ＢＭが固化する前に、ヘッド２２によるチップ９２の保持（吸着）が解除されるようにしてもよい。

【0109】

以上のようにして、バンプ電極ＢＭの高さが適切な値に調節された状態で、チップ９２が当該バンプ電極ＢＭを介して基板９１に接合され、半導体デバイスが製造される。

【0110】

ところで、上述のように、上記特許文献１に記載の圧力制御技術においては、チップと基板との相互間の距離を制御することは困難であり、たとえば、当該距離が小さくなり過ぎることなどが生じ得る。

【0111】

一方、上記実施形態によれば、チップ９２と基板９１との相互間距離が適切に制御される。

【0112】

より詳細には、バンプ電極ＢＭを温度ＴＭ１に昇温した状態で両被接合物９１，９２をバンプ電極ＢＭを介して接触させ、その時点でのヘッド２２のＺ方向高さＨが基準値ＳＶとして取得される。そして、ヘッド２２のＺ方向高さが当該基準値ＳＶに対して相対的に制御（詳細には、一定値に維持）された状態で、更なる加熱処理によってバンプ電極ＢＭは融点ＴＭｍ以上の温度にまで昇温されてバンプ電極ＢＭが溶融される。このとき、ヘッド２２のＺ方向高さＨが当該基準値ＳＶに対して相対的に制御（詳細には、一定値に維持）されるため、上記従来技術のように圧力で制御する場合に比べて、両被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣ（および下地金属ＵＭ１，ＵＭ２の相互間距離ＤＵ）を適切に制御することが可能である。

【0113】

通常、室温ＲＴから融点ＴＭｍまでバンプ電極ＢＭを昇温すると、ヘッド２２の下端位置およびヘッド２２に保持されたチップ９２の下端位置は、ヘッド２２およびチップ９２の熱膨張によって、大きく（たとえば数十マイクロメートル）下降する。また、この熱膨張量には両被接合物９１，９２の材料によるバラツキ、あるいは両被接合物９１，９２の個体差によるバラツキ等も存在する。さらには、チップ９２の厚み自体のバラツキ（個体差）、基板９１の厚み自体のバラツキ（個体差）等も存在する。そのため、これらの下端位置を正確に制御することは容易ではない。

【0114】

これに対して、上記実施形態においては、温度ＴＭ１まで昇温した状態で両被接合物９１，９２を接触させており、この接触時点Ｔ２での両保持部材１２，２１の相互間距離ＤＨを基準にして、両被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣが制御されている。

【0115】

そのため、まず、チップ９２の厚み自体のバラツキ（個体差）、基板９１の厚み自体のバラツキ（個体差）等を吸収することが可能である。

【0116】

また、温度ＴＭ１にまで昇温した状態で両被接合物９１，９２を接触させているので、熱膨張による影響が抑制される。

【0117】

具体的には、まず、室温ＲＴから温度ＴＭ１までの温度上昇に伴う熱膨張の影響を排除することが可能である。また、温度ＴＭ１から所定の温度（ＴＭｍ，ＴＭ２等）までの昇温による熱膨張量は、室温ＲＴから当該所定の温度までの昇温による熱膨張量よりも低減される。たとえば、温度ＴＭ１から融点ＴＭｍへの昇温による熱膨張量ΔＥＸ１は、室温ＲＴから融点ＴＭｍへの昇温による熱膨張量（たとえば数十マイクロメートル）よりも低減され、比較的小さな温度差ΔＴＵ１（たとえば５℃）に対応する比較的小さな値（たとえば数マイクロメートル）で済む。そのため、熱膨張に関するバラツキも低減され、相互間距離ＤＣ，ＤＵ（ひいてはバンプ電極ＢＭの高さ）を良好に制御することが可能である。なお、温度ＴＭ１から温度ＴＭ２への昇温による熱膨張量（ΔＥＸ１＋ΔＥＸ２）についても同様である。

【0118】

また特に、温度ＴＭ１から温度ＴＭ２にまで昇温した状態で加熱処理が継続される（時刻Ｔ４〜時刻Ｔ７（特に時刻Ｔ５〜時刻Ｔ６））。このとき、ヘッド２２等の熱膨張により２つの被接合物９１，９２の相互間距離がさらに低減され、２つの被接合物９１，９２の表面の相互間に挟まれているバンプ電極ＢＭに加わる圧力が増大する。したがって、溶融状態のバンプ電極ＢＭ内部での拡散を促進し、当該バンプ電極ＢＭの合金化を促進することが可能である。

【0119】

また、上記実施形態によれば、両被接合物９１，９２が２つの保持部材１２，２２に保持された状態で、対向配置されて接合される。したがって、チップの自重のみで当該チップを基板上に配置する場合に比べて、チップ９２の反りの発生および基板の反りの発生を抑制することが可能である。

【0120】

また、上記特許文献１に記載の技術においては摺動式（低剛性）のヘッドが用いられているため、チップを基板に接近させる際にチップの揺れが収束するまでに時間を要する。これに対して、上記実施形態においては、非摺動式のヘッド２２が用いられている。換言すれば、高剛性のヘッド２２が用いられている。詳細には、フローティング機構（摺動機構）を有しない剛体のヘッド２２がボールネジ等のＺ軸昇降駆動機構２６で駆動される。より詳細には、ヘッド２２は、Ｚ軸昇降駆動機構２６によって駆動されるベース部材２２１とベース部材２２１に対して圧力センサ２９を介して固定されている先端側部材２２２とを有している。そのため、チップを基板に接近させる際にヘッド２２を高速に移動しても、チップの揺れが収束するまでに要する時間は比較的短い。すなわち、チップを短時間で配置することが可能であり、チップ配置動作の高速化を図ることが可能である。換言すれば、基板上へのチップの平面配置動作に要する処理時間を短縮することが可能である。

【0121】

また、上記実施形態においては、基本的には、バンプ電極ＢＭの高さを主に圧力制御以外の制御手法で制御している。上述のように一般的には、圧力センサによる圧力検出値のドリフト等に起因する誤差のために、圧力センサを用いて正確な圧力制御を行うことは困難である。一方、上記実施形態においては、当該微小な誤差による影響を回避可能な２つの時点でのみ圧力センサの検出値を利用しているため、そのような問題を回避することも可能である。

【0122】

＜２．第２実施形態＞
第２実施形態は、第１実施形態の変形例である。以下では、相違点を中心に説明する。

【0123】

上記第１実施形態では、時刻Ｔ４から時刻Ｔ７に至る期間にて、ヘッド２２の高さを一定に維持する態様が例示されている。

【0124】

この第２実施形態では、時刻Ｔ４から時刻Ｔ７に至る期間にて、２つの保持部材の相互間距離に応じた変位量（ここでは、ヘッド２２の高さＨ）を変更する態様を例示する。より詳細には、２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣがさらに所定距離ΔＨＵ１大きくなるように、ヘッド２２を所定距離ΔＨＵ１上昇させる。すなわち、両保持部材１２，２２の相互間距離を値ΔＨＵ１増大する。これによれば、当該期間におけるバンプ電極ＢＭの潰れ過ぎが防止される。

【0125】

図７は、第２実施形態に係る動作を示すタイミングチャートである。図７を図５と比較すると判るように、この第２実施形態においては、時刻Ｔ４から時刻Ｔ７に至る期間において、ヘッド２２の高さが変更される。特に、温度ＴＭ２による加熱期間（時刻Ｔ５〜時刻Ｔ６）において、２つの被接合物の相互間距離ＤＣが所定距離ΔＨＵ１さらに大きくなるように、ヘッド２２が上昇している。

【0126】

図７に示すように、時刻Ｔ４までは上記第１実施形態と同様の動作が行われる。

【0127】

その後、図７の中段の曲線Ｌ２（Ｌ２ｂ）に示すように、時刻Ｔ４から時刻Ｔ５に至る期間においてヘッド２２が徐々に上昇し、時刻Ｔ５においては時刻Ｔ４での高さよりも若干量ΔＨＵ１（たとえば、５μｍ）高い位置へと到達する。

【0128】

時刻Ｔ５から時刻Ｔ６に至る期間においては、時刻Ｔ５での到達位置が維持される。

【0129】

その後、時刻Ｔ６から時刻Ｔ７に至る期間においてヘッド２２が徐々に下降し、時刻Ｔ７においては時刻Ｔ６での高さよりも若干量ΔＨＤ１（たとえば、２．５μｍ）低い位置へと到達する。なお、値ΔＨＵ１，ΔＨＤ１は、相互間距離ＤＵ（，ＤＣ等）を調整するための調整量であるとも表現される。

【0130】

以後、第１実施形態と同様の動作が行われる。

【0131】

このような態様は、バンプ電極ＢＭの厚さが比較的小さいときに特に有用である。

【0132】

図８は、図６に対応する状態遷移図である。図８を参照しながらさらに詳細に説明する。

【0133】

たとえば、バンプ電極ＢＭの厚さが５μｍ（マイクロメートル）であるときには、時刻Ｔ２において上下の下地金属ＵＭの相互間距離ＤＵは、１０（＝５＋５）μｍ（マイクロメートル）である（図８の左端から２つ目の状態）。その後、時刻Ｔ４においては、熱膨張量ΔＥＸ１（ここでは５μｍ（マイクロメートル））に起因して、相互間距離ＤＵは、５（＝１０−ΔＥＸ１＝１０−５）μｍ（マイクロメートル）に低減される。

【0134】

また、時刻Ｔ５から時刻Ｔ６までの期間においては、さらなる熱膨張量ΔＥＸ２（ここでは５μｍ（マイクロメートル））に起因して、理論的には相互間距離ＤＵは、０（＝（１０−ΔＥＸ１）−ΔＥＸ２＝５−５）μｍ（マイクロメートル）にさらに低減されてしまう（図９の中央参照）。このように、バンプ電極ＢＭが潰れ過ぎてしまうことがある。

【0135】

そこで、この実施形態においては、このようなバンプ電極ＢＭの潰れ過ぎを防止するべく、ヘッド２２を上昇させて、ヘッド２２とステージ１２との相互間距離ＤＨを若干量ΔＨＵ１（ここでは５μｍ（マイクロメートル））増大させる。この結果、２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＵも値ΔＨＵ１増大する。たとえば、図９の右端に示すように、相互間距離ＤＵは、５（＝１０−ΔＥＸ１−ΔＥＸ２）＋ΔＨＵ１＝０＋５）になる。これにより、時刻Ｔ５から時刻Ｔ６までの期間においても、適切な大きさの相互間距離ＤＵ（たとえば５μｍ（マイクロメートル））を維持することが可能である。

【0136】

その後、時刻Ｔ７においては、熱収縮量ΔＣＰ２（＝５μｍ）に起因して、相互間距離ＤＵは、１０（＝（１０−ΔＥＸ１−ΔＥＸ２＋ΔＨＵ１）＋ΔＣＰ２＝５＋５）μｍ（マイクロメートル）に増大しようとする（図１０の中央参照）。ただし、ここでは、バンプ電極ＢＭのＺ方向高さが大きくなり過ぎることを防止するため、若干量ヘッド２２を下降させて、ヘッド２２とステージ１２との相互間距離ＤＨを若干量（ΔＨＤ１（たとえば、２．５μｍ））減少させる。この結果、２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＵも値ΔＨＤ１減少し、当該相互間距離ＤＵは、７．５（＝（１０−ΔＥＸ１−ΔＥＸ２＋ΔＨＵ１＋ΔＣＰ２）−ΔＨＤ１＝１０−２．５）μｍ（マイクロメートル）になる（図１０の右端参照）。これにより、時刻Ｔ７以降の期間においても、適切な大きさの相互間距離ＤＵ（たとえば７．５μｍ（マイクロメートル））を維持することが可能である。換言すれば、最終的に形成されるバンプ電極ＢＭのＺ方向高さを適切な値に制御することができる。

【0137】

ここにおいて、上記の調整量ΔＨＵ１，ΔＨＤ１は、バンプ電極ＢＭの高さ、最終的な相互間距離ＤＵの目標値および各膨張量ΔＥＸ１，ΔＥＸ２，ΔＣＰ２等に基づいて設定されればよい。換言すれば、調整量ΔＨＵ１，ΔＨＤ１は、両被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣを所望の値に制御する（目標値に追従させる）ための値として算出されればよい。

【0138】

具体的には、まず、上記の各膨張量ΔＥＸ１，ΔＥＸ２および収縮量ΔＣＰ２は、予め実験等によって取得されればよい。

【0139】

詳細には、ヘッド２２等の熱膨張に伴うヘッド２２の下端位置（あるいはヘッド２２に保持されたチップ９２の下端位置）ＢＰの温度による変化（端的に言えば熱膨張量の温度変化）を事前測定によって取得しておく。より詳細には、ヘッド２２の下端位置ＢＰを、融点ＴＭｍ近傍の所定温度範囲（たとえば、温度（ＴＭｍ−２０℃）と温度（ＴＭｍ＋５０℃）との間）における複数の温度（たとえば、１℃刻みの複数の温度）のそれぞれにおいて予め取得しておく。

【0140】

同様に、ステージ１２の熱膨張に伴うステージ１２の上端位置（あるいはステージ１２に保持された基板９１の上端位置）の温度による変化（端的に言えば熱膨張量の温度変化）を事前測定によって取得しておく。

【0141】

そして、たとえば、融点ＴＭｍ時点での下端位置ＢＰと温度ＴＭ１での下端位置ＢＰとの差分値（詳細にはその絶対値）を膨張量ΔＥＸ１として算出すればよい。また、融点ＴＭｍ時点でのステージ１２の上端位置と温度ＴＭ１でのステージ１２の上端位置との差分値（詳細にはその絶対値）をも加えた値を膨張量ΔＥＸ１として算出することが、より好ましい。なお、膨張量ΔＥＸ１は、ヘッド２２等の熱膨張による２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣの変化量（当該相互間距離ＤＣの減少量）であるとも表現される。

【0142】

このように、ヘッド２２等の熱膨張による２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣの変化量とバンプ電極ＢＭの温度との対応関係ＲＬを事前測定によって取得しておき、当該対応関係ＲＬに基づいて膨張量ΔＥＸ１が求められればよい（詳細には推定されればよい）。

【0143】

また、膨張量ΔＥＸ２も同様であり、膨張量ΔＥＸ２は、事前測定によって得られた対応関係ＲＬに基づいて算出されればよい。詳細には、たとえば、温度ＴＭ２での下端位置ＢＰと融点ＴＭｍ時点での下端位置ＢＰとの差分値（詳細にはその絶対値）が膨張量ΔＥＸ２として算出されればよい。また、融点ＴＭｍ時点でのステージ１２の上端位置と温度ＴＭ１でのステージ１２の上端位置との差分値（詳細にはその絶対値）をも加えた値が膨張量ΔＥＸ２として算出されることが、より好ましい。

【0144】

収縮量ΔＣＰ２についても同様である。収縮量ΔＣＰ２も、上記の対応関係ＲＬに基づいて算出されればよい。

【0145】

なお、ここでは、２つの保持部材１２，２２の熱膨張が考慮されて、２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣの変化量が事前測定される態様が例示されているが、これに限定されない。たとえば、２つの保持部材１２，２２の熱膨張のみならず、２つの被接合物９１，９２自体の熱膨張量もが考慮されて、２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣの変化量が事前測定されるようにしてもよい。あるいは、２つの被接合物９１，９２の熱膨張量のみが考慮されてもよい。また、２つの保持部材１２，２２のうち一方のみの熱膨張量が考慮されてもよい。２つの被接合物９１，９２のうちの一方のみの熱膨張量が考慮されてもよい。このように、対応関係ＲＬにおいては、たとえば、ヘッド２２とステージ１２とチップ９２と基板９１とのうちの少なくとも１つの熱膨張量とバンプ電極ＢＭの温度との関係が、事前測定によって得られればよい。ただし、２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣをより正確に制御するためには、これらの要素２２，１２，９２，９１のうち、１または２以上の主要な要素（その熱膨張量が比較的大きいもの）を考慮することが好ましい。

【0146】

そして、調整量ΔＨＵ１は、次式に基づいて算出されればよい。

【0147】

【数1】

【0148】

なお、値ＤＵ１は、時刻Ｔ５〜時刻Ｔ６の期間における相互間距離ＤＵの目標値であり、値ＢＨ２は、上下のバンプ電極ＢＭの合計高さ（たとえば１０マイクロメートル）である。ヘッド２２の高さＨを調整量ΔＨＵ１増大（上昇）することによれば、２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣを所望の値（目標値）ＤＵ１に調整することができる。

【0149】

同様に、調整量ΔＨＤ１は、次式に基づいて算出されればよい。なお、値ＤＵ２は、時刻Ｔ７における相互間距離ＤＵの目標値（最終的な相互間距離ＤＵの目標値）である。ヘッド２２の高さＨを調整量ΔＨＤ１低減（下降）することによれば、２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣを所望の値（目標値）ＤＵ２に調整することができる。

【0150】

【数2】

【0151】

なお、この実施形態においては、時刻Ｔ４からヘッド２２の上昇を開始しているが、これに限定されない。たとえば、時刻Ｔ３からヘッド２２の上昇を開始するようにしてもよい。これによれば、バンプ電極ＢＭの潰れ過ぎをより確実に防止することが可能である。

【0152】

＜３．第３実施形態＞
第３実施形態も、第１実施形態の変形例である。以下では、相違点を中心に説明する。

【0153】

この第３実施形態においても、時刻Ｔ４から時刻Ｔ７に至る期間にて、ヘッド２２の高さを変更する態様を例示する。ただし、第２実施形態とは逆に、２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣがさらに所定距離「小さく」なるように、ヘッド２２を所定距離「下降」させる。具体的には、ヘッド２２を値ΔＨＤ２下降して、両保持部材１２，２２の相互間距離ＤＣを値ΔＨＤ２低減する。

【0154】

図１１は、第３実施形態に係る動作を示すタイミングチャートである。図１１を図５と比較すると判るように、この第３実施形態においては、時刻Ｔ４から時刻Ｔ７に至る期間において、ヘッド２２の高さが変更される。特に、温度ＴＭ２による加熱期間（時刻Ｔ５〜時刻Ｔ６）において、２つの被接合物の相互間距離ＤＣが所定距離ΔＨＤ２さらに小さくなるように、ヘッド２２が下降している。

【0155】

図１１に示すように、まず、時刻Ｔ４までは上記第１実施形態と同様の動作が行われる。

【0156】

その後、図１１の中段の曲線Ｌ２（Ｌ２ｃ）に示すように、時刻Ｔ４から時刻Ｔ５に至る期間においてヘッド２２が徐々に下降し、時刻Ｔ５においては時刻Ｔ４での高さよりも若干量ΔＨＤ２（たとえば、５μｍ）低い位置へと到達する。

【0157】

時刻Ｔ５から時刻Ｔ６に至る期間においては、時刻Ｔ５での到達位置が維持される。

【0158】

その後、時刻Ｔ６から時刻Ｔ７に至る期間においてヘッド２２が徐々に上昇し、時刻Ｔ７においては時刻Ｔ６での高さよりも若干量ΔＨＵ２（たとえば、５μｍ）高い位置へと到達する。なお、値ΔＨＤ２，ΔＨＵ２は、それぞれ、相互間距離ＤＵ（，ＤＣ等）を調整するための調整量であるとも表現される。

【0159】

以後、第１実施形態と同様の動作が行われる。

【0160】

このような態様は、バンプ電極ＢＭの厚さが比較的大きいときに特に有用である。

【0161】

図１２は、図６に対応する状態遷移図である。図１２を参照しながらさらに詳細に説明する。

【0162】

たとえば、バンプ電極ＢＭの厚さが２０μｍ（マイクロメートル）であるときには、時刻Ｔ２において上下の下地金属ＵＭの相互間距離ＤＵは、４０（＝２０＋２０）μｍ（マイクロメートル）である（図１２参照）。その後、時刻Ｔ４においては、熱膨張量ΔＥＸ１（ここでは５μｍ（マイクロメートル））に起因して、相互間距離ＤＵは、３５（＝４０−ΔＥＸ１＝４０−５）μｍ（マイクロメートル）に低減される。

【0163】

また、時刻Ｔ５から時刻Ｔ６までの期間においては、さらなる熱膨張量ΔＥＸ２（ここでは５μｍ（マイクロメートル））に起因して、理論的には相互間距離ＤＵは、３０（＝（４０−ΔＥＸ１）−ΔＥＸ２＝３５−５）μｍ（マイクロメートル）にさらに低減される（図１３の中央参照）。ただし、比較的厚いバンプ電極ＢＭの合金化を促進するためには、バンプ電極ＢＭの潰れは必ずしも十分ではない。

【0164】

そこで、この実施形態においては、バンプ電極ＢＭの潰れをさらに増大するべく、ヘッド２２を下降させて、ヘッド２２とステージ１２との相互間距離ＤＨを若干量（ΔＨＤ２）減少させる。この結果、２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＵも値ΔＨＤ２減少する。たとえば、図１３の右端に示すように、相互間距離ＤＵは、２０（＝（４０−ΔＥＸ１−ΔＥＸ２）−ΔＨＤ２＝３０−１０）になる。これにより、時刻Ｔ５から時刻Ｔ６までの期間において、適切な大きさの相互間距離ＤＵ（たとえば２０μｍ（マイクロメートル））を維持することが可能である。これによれば、バンプ電極ＢＭに対する圧力を増大させ、比較的厚いバンプ電極ＢＭの合金化を促進することが可能である。

【0165】

その後、時刻Ｔ７においては、熱収縮量ΔＣＰ２（＝５）に起因して、相互間距離ＤＵは２５（＝（４０−ΔＥＸ１−ΔＥＸ２−ΔＨＤ２）＋ΔＣＰ２＝２０＋５）μｍ（マイクロメートル）に増大しようとする（図１４の中央参照）。ただし、ここでは、バンプ電極ＢＭのＺ方向高さが十分でないため、ヘッド２２を若干量ΔＨＵ２上昇させて、ヘッド２２とステージ１２との相互間距離ＤＨを若干量ΔＨＵ２（たとえば、５μｍ）増大させる。この結果、２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＵは値ΔＨＵ２増大し、当該相互間距離ＤＵは、３０（＝（４０−ΔＥＸ１−ΔＥＸ２−ΔＨＤ２＋ΔＣＰ２）＋ΔＨＵ２＝２５＋５）μｍ（マイクロメートル）になる（図１４の右端参照）。これにより、時刻Ｔ７以降の期間においても、適切な大きさの相互間距離ＤＵ（たとえば３０μｍ（マイクロメートル））を維持することが可能である。換言すれば、最終的に形成されるバンプ電極ＢＭのＺ方向高さを適切な値に制御することができる。

【0166】

ここにおいて、上記の調整量ΔＨＤ２，ΔＨＵ２は、バンプ電極ＢＭの高さ、最終的な相互間距離ＤＵの目標値および各膨張量ΔＥＸ１，ΔＥＸ２，ΔＣＰ２等に基づいて設定されればよい。

【0167】

具体的には、調整量ΔＨＤ２は、式（３）に基づいて算出されればよい。

【0168】

【数3】

【0169】

また、調整量ΔＨＵ２は、式（４）に基づいて算出されればよい。

【0170】

【数4】

【0171】

＜４．第４実施形態＞
この第４実施形態においては、時刻Ｔ４から時刻Ｔ６（時刻Ｔ７）までの期間内に（バンプ電極ＢＭの溶融中に）アライメント動作が実行される態様について例示する。第４実施形態は、第１実施形態の変形例であり、以下では、第１実施形態との相違点を中心に説明する。

【0172】

上述のように、ステップＳ１１における昇温動作においては、基板９１の熱膨張等によって、チップ９２のバンプ電極ＢＭと基板９１のバンプ電極ＢＭとが水平方向において例えば２０μｍ（マイクロメートル）ずれる。

【0173】

その後、上述のように、ステップＳ１２のアライメント動作（時刻Ｔ１）によれば、チップ９２と基板９１とを水平方向において正確に位置決めすることができる。

【0174】

しかしながら、ステップＳ１２のアライメントを行ったとしても、図１５に示すように、ステップＳ１４（時刻Ｔ２）での両バンプ電極ＢＭの接触時において両バンプ電極ＢＭの物理的な接触が生じ、当該物理的な接触に起因して、両バンプ電極ＢＭの相互間において水平方向の位置ずれΔＸ（たとえば、数μｍ（マイクロメートル））が発生することがある。より詳細には、両バンプ電極ＢＭの接触時点Ｔ２においてヘッド２２とチップ９２との位置ずれがヘッド２２によるチップ９２の吸着部分で生じ、両バンプ電極ＢＭの相互間で位置ずれΔＸ２が発生することがある。

【0175】

そこで、この第４実施形態では、バンプ電極ＢＭ溶融後の或る時点（ステップＳ１５の時刻Ｔ４〜時刻Ｔ７の期間（図５参照）内の或る時点（たとえば時刻Ｔ５））において、再度のアライメント動作（図１６参照）が実行される。

【0176】

バンプ電極ＢＭの溶融中に再度のアライメント動作が行われることによって、両バンプ電極ＢＭの相互間の水平方向の位置が修正され、両バンプ電極相互間の位置ずれが低減される。たとえば、当該両バンプ電極ＢＭの相互間における水平方向の位置ずれは、所定の許容誤差以下（たとえば、０．１μｍ（マイクロメートル）程度）にまで低減される。

【0177】

このように、バンプ電極ＢＭが溶融している期間において、両被接合物９１，９２の水平平面内におけるアライメント動作（水平方向におけるアライメント動作）が実行されることによれば、両バンプ電極ＢＭの相互間における水平方向の位置ずれを、非常に小さな値に低減することが可能である。すなわち、両被接合物９１，９２の水平方向における位置を正確に合わせることが可能である。

【0178】

また、バンプ電極ＢＭの溶融期間中のアライメント動作時には、ヘッド２２のヒータによってチップ９２を加熱しチップ９２のバンプ電極ＢＭの温度を上昇させることが好ましい。たとえば、融点ＴＭｍより大きな温度ＴＭ２にまで昇温されたステップＳ１５の時刻Ｔ５〜時刻Ｔ６の期間（図５参照）内の或る時点でアライメント動作が行われることが好ましい。

【0179】

なお、ステージ１２内のヒータによる加熱を行わない場合には、基板９１のバンプ電極ＢＭ１はチップ９２のバンプ電極ＢＭ２からの熱供給により溶融する。たとえば、チップ９２のバンプ電極ＢＭ２と基板９１のバンプ電極ＢＭ１とが水平方向にずれると、バンプ電極ＢＭ２からバンプ電極ＢＭ１への熱伝導量が不十分になり、基板９１側のバンプ電極ＢＭ（図１７のバンプ電極ＢＭ内のハッチング部分）が固化してしまう可能性が高くなる。したがって、このような固化を回避ないし抑制するためには、チップ９２のバンプ電極ＢＭ２を十分に高い温度ＴＭ２（あるいは温度ＴＭ２よりも大きな値ＴＭ３）にまで上昇させることが好ましい。これによれば、バンプ電極の基板９１側における固化を抑制しつつ良好にアライメント動作を行うことが可能である。

【0180】

また、バンプ電極ＢＭ１が仮に固化してしまった場合においても、チップ９２のバンプ電極ＢＭ２を融点に対して十分に高い温度（値ＴＭ２、あるいは値ＴＭ２よりも大きな値ＴＭ３）まで昇温することによって、一旦固化してしまったバンプ電極ＢＭ１を再度溶融させることが可能である。特に、溶融後に一旦固化したハンダバンプの融点は元の融点よりも上昇していることがある。たとえば、ハンダを構成する複数の成分が混ざり合って合金化すると、当該合金化後の融点は当該合金化前の融点よりも高くなることがある。あるいは、バンプ電極ＢＭのハンダと下地金属ＵＭ（銅あるいは金等）とが混ざり合って合金化すると、当該合金化後の融点は当該合金化前の融点よりも高くなることがある。そのため、チップ９２のバンプ電極ＢＭ２を当該合金化後の融点よりも高い温度（値ＴＭ２あるいはそれよりも大きな値ＴＭ３）まで昇温することが好ましい。

【0181】

また、アライメント時において値ΔＴＵ２の温度上昇による熱膨張によって両被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣが小さくなり過ぎる場合には、ヘッド２２の高さＨを基準値ＳＶに対して変更して両被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣを調整した状態でアライメント動作を実行するようにすればよい。そして、アライメント終了後に、ヘッド２２の位置を元の位置に戻すようにすればよい。

【0182】

たとえば、時刻Ｔ５においてヘッド２２の高さＨを基準値ＳＶから値ΔＥＸ２上昇させて、両被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣを若干拡大させた状態でアライメント動作を実行する。そして、アライメント終了後に、ヘッド２２の高さＨを値ΔＥＸ２下降させて、ヘッド２２の位置を元の位置に戻すようにすればよい。

【0183】

また、第４実施形態に係る思想は、第２実施形態および第３実施形態に係る技術にも適用可能である。

【0184】

＜５．第５実施形態＞
この第５実施形態は、第４実施形態の変形例である。以下、第４実施形態との相違点を中心に説明する。

【0185】

第４実施形態においては、接触後の上下の両バンプ電極ＢＭが接触状態を維持したままアライメントが行われる態様が示されている。

【0186】

この第５実施形態においては、両バンプ電極ＢＭの接触後に当該両バンプ電極ＢＭの接触を一旦解除し、２つの被接合物９１，９２の水平方向におけるアライメント動作が実行される。詳細には、一旦、ヘッド２２を上昇させた後に、バンプ電極ＢＭを溶融するとともにアライメント動作を行った後に、ヘッド２２を下降して両バンプ電極ＢＭを接合する。

【0187】

図１８は、第５実施形態の動作を示すタイミングチャートである。また、図１９はバンプ電極ＢＭに関する状態遷移図を示す図である。図１８および図１９を参照しながら説明する。

【0188】

上述のように、ステップＳ１４（時刻Ｔ２）での両バンプ電極ＢＭの接触時において両バンプ電極ＢＭの物理的な接触が生じ、当該物理的な接触に起因して、両バンプ電極ＢＭの相互間において水平方向の位置ずれΔＸ２（たとえば、数μｍ（マイクロメートル））が発生することがある（図１９の左端）。

【0189】

この第５実施形態では、両バンプ電極ＢＭの接触を検出し両バンプ電極ＢＭの接触時点でのヘッド２２の高さＨを基準値ＳＶとして記憶した後に、当該両バンプ電極ＢＭの接触を一旦解除する（図１９の左端から２つ目の状態を参照）。具体的には、ヘッド２２を上昇し、２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣを増大させて、両バンプ電極ＢＭの接触を解除する。

【0190】

その後、バンプ電極ＢＭ２が溶融される（図１９の左から３つ目の状態を参照）。なお、この時点においては、バンプ電極ＢＭ１は溶融されずバンプ電極ＢＭ２のみが溶融されるようにしてもよい。

【0191】

そして、２つの被接合物９１，９２の水平方向におけるアライメント動作が実行される（図１９の左端から４つ目の状態を参照）。

【0192】

つぎに、ヘッド２２が下降されて、２つの保持部材２２，１２の相互間距離ＤＨが低減され、２つの両被接合物９１，９２が接触する（図１９の右端の状態を参照）。詳細には、チップ９２のバンプ電極ＢＭ２と基板９１のバンプ電極ＢＭ１とが再び接触する。なお、この時点では、バンプ電極ＢＭ１が溶融されているため、時刻Ｔ２における固相状態での接触時に生じたような位置ずれは生じにくい。

【0193】

その後、第１実施形態等と同様に、基準値ＳＶに基づく高さ制御動作等が実行される。

【0194】

このような態様によっても、バンプ電極ＢＭ１，ＢＭ２の相互間の接触に起因する位置ずれが適切に補正される。

【0195】

また、このようなバンプ電極ＢＭの溶融期間中のアライメント動作時には、第４実施形態と同様に、ヘッド２２のヒータによってチップ９２を加熱しチップ９２のバンプ電極ＢＭの温度を上昇させることが好ましい。

【0196】

＜６．第６実施形態＞
第６実施形態においては、第５実施形態に係るアライメント動作と第４実施形態に係るアライメント動作とが逐次的に実行される態様を例示する。なお、この実施形態では、ヘッド２２のヒータによってチップ９２のみが加熱されるものとする。

【0197】

図２０は、第６実施形態に係る動作を示すタイミングチャートである。また、図２１および図２２は、バンプ電極の接合部分付近の状態遷移を示す図である。さらに、図２３はヘッド２２の下端位置ＢＰ（ひいてはヘッド２２の熱膨張量）とバンプ電極ＢＭの温度との対応関係ＲＬを示す図である。当該対応関係ＲＬが、以下の動作に先立つ測定動作（事前測定）によって、予め取得されているものとする。これらの図を参照しながら第６実施形態に係る動作について説明する。なお、図２３においては、上記各実施形態における数値例とは異なる数値例が示されている。また、図２３においては、ヘッド２２のヒータ温度とバンプ電極ＢＭの温度との相関関係も併せて示されている。この実施形態においては、ヘッド２２のヒータ温度を各温度に制御することによって、バンプ電極ＢＭが各対応温度に制御される。

【0198】

まず、第５実施形態と同様の動作が実行される。

【0199】

上述のように、時刻Ｔ２での両バンプ電極ＢＭの接触時において両バンプ電極ＢＭの物理的な接触が生じ、当該物理的な接触に起因して、両バンプ電極ＢＭの相互間において水平方向の位置ずれΔＸ２（たとえば、数μｍ（マイクロメートル））が発生する（図２１の左端の状態を参照）。

【0200】

そして、接合装置１は、両バンプ電極ＢＭの接触時点でのヘッド２２の高さＨを基準値ＳＶとして記憶した後に、当該両バンプ電極ＢＭの接触を一旦解除する。具体的には、接合装置１は、ヘッド２２を調整量ΔＨ３１（たとえば２２マイクロメートル）上昇し、２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣを増大させて、両バンプ電極ＢＭの接触を一旦解除する。

【0201】

その後、バンプ電極ＢＭ２が温度ＴＭ１から温度ＴＭ２まで上昇されバンプ電極ＢＭ２が溶融される（図２１の左から２つ目の状態を参照）（時刻Ｔ３〜時刻Ｔ５）。また、このとき、温度上昇（温度ＴＭ１（たとえば１７７℃）→温度ＴＭ２（たとえば２２５℃））に応じてヘッド２２の熱膨張が生じ、ヘッド２２の下端位置ＢＰが値（ΔＥＸ１＋ΔＥＸ２）（例えば１９マイクロメートル）下降する（図２３参照）。その結果、両バンプ電極ＢＭの相互間には３マイクロメートルの隙間が存在する。すなわち、両バンプ電極ＢＭ１，ＢＭ２は互いに接触していない。

【0202】

逆に言えば、温度ＴＭ１から温度ＴＭ２への昇温による膨張量（ΔＥＸ１＋ΔＥＸ２）（換言すれば事前測定値（ここでは１９マイクロメートル））を考慮して、両バンプ電極ＢＭ１，ＢＭ２が接触しない程度に、予めヘッド２２が調整量ΔＨ３１上昇されている。調整量ΔＨ３１は、事前測定された膨張量（ΔＥＸ１＋ΔＥＸ２）（１９マイクロメートル）よりも大きな値に（たとえば、２２マイクロメートル）に設定されればよい。

【0203】

そして、２つの被接合物９１，９２の水平方向におけるアライメント動作が実行される（図２１の左端から３つ目の状態を参照）（時刻Ｔ５〜時刻Ｔ５１）。

【0204】

その後、ヘッド２２が調整量ΔＨ３２（例えば５マイクロメートル）下降されて、２つの保持部材２２，１２の相互間距離ＤＨが低減され、２つの両被接合物９１，９２が接触する（図２１の右端の状態を参照）（時刻Ｔ５２）。詳細には、チップ９２のバンプ電極ＢＭ２と基板９１のバンプ電極ＢＭ１とが再び接触する。この再接触時点では、バンプ電極ＢＭ１が溶融されているため、時刻Ｔ２における固相状態での接触時に生じたような位置ずれは生じにくい。しかしながら、若干の位置ずれが生じることもある。

【0205】

そこで、この第６実施形態では、第４実施形態に係るアライメント動作と同様の動作がさらに実行される。すなわち、バンプ電極ＢＭの溶融中に再度のアライメント動作（溶融中アライメント動作とも称する）が行われる（時刻Ｔ５３〜時刻Ｔ５６）。なお、時刻Ｔ５３において水平方向における両被接合物９１，９２の位置ずれが既に許容誤差範囲内に収まっている場合には、当該再度のアライメント動作は行われないようにしてもよい。

【0206】

以下、バンプ電極ＢＭの溶融中に行われる再度のアライメント動作について、さらに詳細に説明する。

【0207】

具体的には、溶融中アライメント動作中において、ヘッド２２の高さＨを基準値ＳＶに対して変更して両保持部材２１，２２の相互間距離ＤＨを増大し、両被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣを増大する（時刻Ｔ５３〜時刻Ｔ５４）。温度上昇による熱膨張等によって溶融中アライメント動作中に両被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣが小さくなり過ぎることを回避するためである。このような相互間距離ＤＣの調整動作（増大動作）によれば、適切な相互間距離ＤＣが確保され、アライメント動作を容易に行うことが可能である。

【0208】

また、この第６実施形態においては、上述のように、ステージ１２内のヒータによる加熱が行われない。溶融中アライメント動作において上記のように両被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣが増大されると、バンプ電極ＢＭ２からバンプ電極ＢＭ１への熱伝導量が不十分になり、基板９１側のバンプ電極ＢＭ（図１７のバンプ電極ＢＭ内のハッチング部分参照）が固化してしまう可能性がある。そこで、この第６実施形態では、上記のようにチップ９２のバンプ電極ＢＭ２を十分に高い温度ＴＭ３（温度ＴＭ２よりも大きな値）にまで上昇させる（時刻Ｔ５３〜時刻Ｔ５４）。これによれば、バンプ電極の基板９１側における固化を抑制しつつ良好にアライメント動作を行うことが可能である。

【0209】

このように、時刻Ｔ５３〜時刻Ｔ５４において、接合装置１は、バンプ電極ＢＭを温度ＴＭ２（たとえば２２５℃）から温度ＴＭ３（たとえば２３４℃）へとさらに昇温しつつ、ヘッド２２を調整量ΔＨ３３（例えば９マイクロメートル）上昇させる。ヘッド２２を上昇させることによって、両バンプ電極ＢＭの相互間に発生する圧力を低減し、両バンプ電極ＢＭが水平方向に動き易くなる。また、バンプ電極ＢＭを温度ＴＭ３へと昇温することによって、バンプ電極ＢＭ１の固化を回避ないし抑制することが可能である。なお、この温度上昇（温度ＴＭ２から温度ＴＭ３への温度上昇）により、値ΔＥＸ３（例えば４マイクロメートル）の更なる熱膨張（図２３参照）が発生し、両被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣは低減する。そのため、上記の値ΔＨ３３（例えば９マイクロメートル）は、当該値ΔＥＸ３をも考慮して比較的大きな値に決定されることが好ましい。具体的には、相互間距離ＤＣが所望の値（たとえば（ＢＨ２＋３）マイクロメートル）になるように、値ΔＨ３３が決定されればよい。

【0210】

なお、ヘッド２２の上昇後における相互間距離ＤＣが時刻Ｔ２の時点での相互間距離ＤＣよりも若干量大きくなるとしても、バンプ電極ＢＭは溶融して液相状態を有しておりバンプ電極ＢＭの粘性によって上下のバンプ電極ＢＭが繋がった状態が維持されている（図２２の左端から２つ目の状態参照）。

【0211】

そして、時刻Ｔ５４〜時刻Ｔ５５において、チップ９２と基板９１との水平方向におけるアライメント動作が行われる。これにより、当該両バンプ電極ＢＭの相互間における水平方向の位置ずれは、所定の許容誤差以下（たとえば、０．１μｍ（マイクロメートル）程度）にまで低減される。

【0212】

このアライメント終了後の時刻Ｔ５５〜時刻Ｔ５６において、ヘッド２２が調整量ΔＨ３４（たとえば１０マイクロメートル）下降される。これにより、両被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣも基準状態（時刻Ｔ２）に対して値ΔＨ３４低減され両バンプ電極ＢＭが十分に加圧される。

【0213】

その後、ヘッド２２が適宜の調整量ΔＨ３５（例えば２マイクロメートル）上昇される。これにより、両被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣ（換言すれば、バンプ電極ＢＭの高さ）が所望の値（たとえば基準状態（時刻Ｔ２）の値ＢＨ２よりも５マイクロメートル小さな値（ＢＨ２−５））に調整される。逆に言えば、両被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣが所望の値となるような調整量ΔＨ３５が決定され、当該調整量ΔＨ３５による調整動作が実行される。

【0214】

そして、バンプ電極ＢＭの温度が温度ＴＭ３から下降を開始した時点Ｔ５８で、（ここではバンプ電極ＢＭが固化する前に、）ヘッド２２によるチップ９２の保持（吸着）が解除され、ヘッド２２が上昇する。その後、バンプ電極ＢＭがさらに冷却される。換言すれば、バンプ電極ＢＭを溶融させた状態での加熱処理が所定期間（時刻Ｔ４〜時刻Ｔ５８）継続された後、冷却が開始されバンプ電極の温度が低減されるとともに、ヘッド２２によるチップ９２の保持が解除される（時刻Ｔ５８）。このようにして、バンプ電極ＢＭを介して両被接合物９１，９２が接合される。

【0215】

なお、ここでは、時刻Ｔ５８にて（換言すれば、バンプ電極ＢＭが固化する前に）ヘッド２２によるチップ９２の保持が解除される態様が例示されているが、これに限定されない。たとえば、バンプ電極ＢＭの温度を融点近傍温度（より詳細には、融点ＴＭｍの近傍、且つ、融点ＴＭｍよりも数℃程度低い温度）にまで低減させた時点で、ヘッド２２によるチップ９２の保持が解除されるようにしてもよい。より詳細には、時刻Ｔ７の直後（換言すれば、バンプ電極ＢＭが固化した直後）において、ヘッド２２によるチップ９２の保持が解除されるようにしてもよい。

【0216】

また、チップ９２の保持を解除する時点でのヘッド２２の高さは、対応関係ＲＬに基づいて所望の値になるように制御されることが好ましい。詳細には、チップ９２の保持解除時点（バンプ電極ＢＭの温度を融点近傍温度にまで低減させた時点等）での２つの被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣが所定値になるように、２つの保持部材１２，２２の相互間距離ＤＨが対応関係ＲＬに基づいて制御されればよい。これによれば、ヘッド２２等の熱膨張量（詳細には、温度ＴＭ２（あるいは温度ＴＭ３）から融点近傍温度への温度変動に伴うヘッド２２の熱収縮量）も考慮して、バンプ電極ＢＭの高さを正確に制御することができる。特に、このようにしてバンプ電極ＢＭの高さを所定値に制御しつつ且つバンプ電極ＢＭを固化させた時点で、チップ９２の保持が解除されることによれば、より正確にバンプ電極ＢＭの高さを所望の値に制御することができる。

【0217】

以上のような動作によれば、時刻Ｔ５〜時刻Ｔ５１のアライメント動作によって、物理的接触に伴う位置ずれが良好に低減される。さらに、時刻Ｔ５４〜時刻Ｔ５５のアライメント動作をも行うことによって、両被接合物９１，９２の水平方向の位置ずれがさらに良好に低減される。

【0218】

また上記の動作においては、ヘッド２２の熱膨張量を考慮した上でヘッド２２の位置が移動され、各期間における両被接合物９１，９２の相互間距離ＤＣがそれぞれ適切な値に調整される。そのため、非常に良好な接合動作が実現される。

【0219】

なお、この第６実施形態においては、溶融中アライメント動作中において、バンプ電極ＢＭをさらに温度ＴＭ３にまで昇温する態様を例示したが、これに限定されない。たとえば、ヘッド２２のヒータによってチップ９２が加熱され、且つ、ステージ１２のヒータによって基板９１が加熱される場合等においては、バンプ電極ＢＭをさらに温度ＴＭ３にまで昇温することなく温度ＴＭ２に維持したまま再度のアライメント動作が時刻Ｔ５２〜Ｔ５７において実行されるようにしてもよい。

【0220】

＜７．第７実施形態＞
上記各実施形態では、各チップを基板表面に実装する際に、時刻Ｔ５〜時刻Ｔ６等において、比較的長期間（たとえば３０秒間）に亘って加熱処理が行われている。

【0221】

この第７実施形態においては、図２４のフローチャートに示すように、上記各実施形態と同様の動作（ステップＳ１１〜ステップＳ１９（図４も参照））を繰り返し実行し、同一基板上に複数のチップを仮接合する（ステップＳ１０，Ｓ２０参照）。ただし、時刻Ｔ５〜時刻Ｔ６（図５等参照）に亘る加熱処理時間を数分の１〜数十分の１に短縮する（例えば、６０秒→５秒）。

【0222】

その後、同一基板上に仮接合された複数のチップを纏めて再加熱する（ステップＳ３０）。具体的には、チップ９２のバンプ電極ＢＭを融点ＴＭｍ以上の温度（たとえば温度ＴＭ２）にまで昇温して、バンプ電極ＢＭの材料の合金化を促進する。

【0223】

このように、各チップにおける時刻Ｔ５〜時刻Ｔ６に亘る加熱処理時間を短縮するとともに、同一基板上に仮接合された複数のチップに対する加熱処理を纏めて実行する。これによれば、総処理時間の短縮を図ることができる。

【0224】

より詳細には、各チップに関する温度ＴＭ２での加熱処理時間（バンプ電極を溶融させた状態での加熱処理時間）（時刻Ｔ５〜時刻Ｔ６）を（例えば、６０秒から５秒へと）短縮して、同一基板上に複数のチップ９２を仮接合する（ステップＳ１０，Ｓ２０）。その後、当該基板をバッチ式（間欠式）ないしベルトコンベヤ式（連続式）の加熱装置６０（図２５参照）に移載し、同一基板上に仮接合された多数のチップを温度ＴＭ２で再加熱する（ステップＳ３０）。詳細には、温度ＴＭ２による適切な加熱期間（例えば６０秒）に亘って、基板上の多数のチップを加熱する。このような追加的な一括加熱工程を実行することによれば、各チップに関する短縮後の加熱期間（たとえば５秒）では十分に合金化が進行していない場合でも、当該一括加熱工程によってバンプ電極ＢＭの合金化を進行させることが可能である。なお、図２５には、上述の接合装置１と加熱装置（再加熱装置）６０とを備える接合システム１００が示されている。

【0225】

また、このような処理によれば、同一基板上に仮接合された複数のチップに対する加熱処理が纏めて実行されるので、総処理時間の短縮を図ることができる。

【0226】

＜８．変形例等＞
以上、この発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記説明した内容のものに限定されるものではない。

【0227】

たとえば、上記実施形態においては、ステージ１２が固定されヘッド２２が移動する場合において、２つの保持部材２２，１２の相互間距離ＤＨに応じた物理量（変位量）としてヘッド２２のＺ方向位置が用いられている。ただし、本発明は、これに限定されない。具体的には、上記実施形態とは逆にステージ１２が移動しヘッド２２が固定されるようにしてもよい。また、その場合には、相互間距離ＤＨに応じた物理量（変位量）として、ステージ１２のＺ方向位置が用いられるようにしてもよい。

【0228】

また、上記実施形態においては、２つの被接合物の接合表面の双方にバンプ電極が設けられる場合が例示されているが、これに限定されない。たとえば、２つの被接合物のうちの一方の被接合物の接合表面のみにバンプ電極が設けられ、他方の被接合物の接合表面には電子回路パターン等が設けられるようにしてもよい。

【0229】

また、上記実施形態においては、位置認識部２８として、同軸照明系を有する撮像部２７（図１参照）によって反射光による撮影画像が取得され位置検出を行うものを例示したが、これに限定されない。たとえば、位置認識部２８は、撮像部とは別の照明光源からの透過光を用いた透過型の位置検出を行うものであってもよい。詳細には、ステージ１２の下側に撮像部２７を設け、照明光源を撮像部２７の元の位置（図１参照）に設けるとともに、透過光による撮影画像を取得して位置検出を行うようにしてもよい。

【符号の説明】

【0230】

１ 接合装置
１２ ステージ
１４ ＸＹ駆動機構
２２ ヘッド
２５ 回転駆動機構
２６ Ｚ軸昇降駆動機構
２７ 撮像部
２８ 位置認識部
２９ 圧力センサ
３１ リニアセンサ（位置検出センサ）
９１ 基板
９２ チップ
ＢＭ，ＢＭ１，ＢＭ２ バンプ電極
ＤＢ （両バンプ電極の）相互間距離
ＤＣ （チップと基板との）相互間距離
ＤＨ （ヘッドとステージとの）相互間距離
ＤＵ （２つの下地金属の）相互間距離
ＵＭ，ＵＭ１，ＵＭ２ バンプ下地金属

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】