特許6337452半導体素子形成用基板および半導体素子形成用基板の製造方法

発明の名称　半導体素子形成用基板および半導体素子形成用基板の製造方法

出願人　日立金属株式会社　（識別番号 5083）

　　　　特許公開件数ランキング 107 位（275件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 138 位（196件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6337452

公報発行日　2018年6月6

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6337452

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