特許 6349110 チャンバー装置及び加熱方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6349110

(24)【登録日】2018年6月8日

(45)【発行日】2018年6月27日

(54)【発明の名称】チャンバー装置及び加熱方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/18 20060101AFI20180618BHJP

【ＦＩ】

   H01L31/04 420

【請求項の数】14

【全頁数】32

(21)【出願番号】特願2014-46957(P2014-46957)

(22)【出願日】2014年3月10日

(65)【公開番号】特開2014-175667(P2014-175667A)

(43)【公開日】2014年9月22日

【審査請求日】2016年12月12日

(31)【優先権主張番号】13/795,764

(32)【優先日】2013年3月12日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】000220239

【氏名又は名称】東京応化工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100106909

【弁理士】

【氏名又は名称】棚井 澄雄

(74)【代理人】

【識別番号】100064908

【弁理士】

【氏名又は名称】志賀 正武

(74)【代理人】

【識別番号】100094400

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 三義

(74)【代理人】

【識別番号】100126882

【弁理士】

【氏名又は名称】五十嵐 光永

(72)【発明者】

【氏名】佐保田 勉

(72)【発明者】

【氏名】升 芳明

(72)【発明者】

【氏名】丸山 貴史

【審査官】 佐竹 政彦

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−２５０２３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１３５２９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００５／０９８９６８（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００６−１８６１８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第０６１０５２７４（ＵＳ，Ａ）

【文献】 特開２００４−０４７７４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１１−００３８６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０９−２３２２９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−０２２９７９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ３１／００−３１／０７８、３１／１８−３１／２０、

５１／４２−５１／４８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

塗布膜が形成された基板を収容するチャンバーであって、前記チャンバーは、前記基板を搬入する基板搬入口を有し、
前記チャンバーに収容され、前記基板の第一面側に配置された第一加熱部と、
前記チャンバーに収容され、前記基板のうち前記第一面とは反対の第二面側に配置された第二加熱部と、
加熱状態における前記チャンバーの内部を加圧及び減圧可能な圧力調整部と、
前記第一加熱部と前記第二加熱部との間に温調気体を流通させる気体流通部と
を備えるチャンバー装置であって、
前記気体流通部は、
前記基板搬入口の外側から前記チャンバーの内部に向けられる気体噴出口と、
前記気体噴出口との間で前記温調気体の流通方向に前記第一加熱部及び前記第二加熱部を挟む位置に設けられた吸引口と、
前記吸引口から吸引した前記温調気体を前記気体噴出口へ戻す循環経路と
を有する、チャンバー装置。

【請求項2】

前記チャンバーは、前記塗布膜の周囲に反応促進用気体を供給する気体供給部を有する 請求項１に記載のチャンバー装置。

【請求項3】

前記気体噴出口は、昇降可能に設けられている
請求項１又は請求項２に記載のチャンバー装置。

【請求項4】

前記循環経路は、前記温調気体に含まれる異物を除去するフィルターを有する
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。

【請求項5】

前記チャンバーは、一方向に分割可能な第一部分及び第二部分を有する
請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。

【請求項6】

前記第一加熱部及び前記第二加熱部のうち、一方は前記第一部分に設けられ、他方は前記第二部分に設けられる
請求項５に記載のチャンバー装置。

【請求項7】

前記第一部分及び前記第二部分は、分割方向に交差する方向に相対的に移動可能である
請求項５又は請求項６に記載のチャンバー装置。

【請求項8】

前記第一部分及び前記第二部分の一方は、一方向に引き出し可能に設けられている
請求項７に記載のチャンバー装置。

【請求項9】

前記チャンバーは、環状に形成された容積変更部を前記第一部分と前記第二部分との間に挿入することで内部の容積を変更可能である
請求項５から請求項８のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。

【請求項10】

前記チャンバーは、前記第一部分及び前記第二部分のうちいずれか一方に設けられ前記容積変更部を連結する連結部を有する
請求項９に記載のチャンバー装置。

【請求項11】

前記チャンバーは、前記基板を囲う内壁面を有し、
前記内壁面の少なくとも一部には、前記チャンバーの外部へ向けて湾曲された湾曲部が設けられている
請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。

【請求項12】

前記内壁面と前記第一加熱部との間、及び、前記内壁面と前記第二加熱部との間、のうち少なくとも一方には、断熱部が配置されている
請求項１１に記載のチャンバー装置。

【請求項13】

前記第一加熱部及び前記第二加熱部は、
前記基板の外周に沿った環状の外周側領域を加熱する外周側加熱部と、
前記外周側領域の内側に設けられた環状の内周側領域を加熱する内周側加熱部と
をそれぞれ有する
請求項１から請求項１２のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。

【請求項14】

塗布膜が形成された基板を基板搬入口から搬入してチャンバーに収容する収容ステップと、
前記チャンバーに収容された前記基板に対して、第一面側に配置された第一加熱部と前記基板のうち前記第一面とは反対の第二面側に配置された第二加熱部とを用いて前記基板を加熱する加熱ステップと、
前記基板の加熱状態に応じて、前記チャンバーの内部の加圧及び減圧を切り替える切り替えステップと、
前記基板搬入口の外側から前記チャンバーの内部に向けられる気体噴出口から温調気体を導入し、前記第一加熱部と前記第二加熱部との間に前記温調気体を流通させる気体流通ステップと、
前記気体噴出口との間で前記温調気体の流通方向に前記第一加熱部及び前記第二加熱部を挟む位置に設けられた吸引口より前記温調気体を吸引する吸引ステップと、
前記吸引口から吸引した前記温調気体を前記気体噴出口へ戻す循環ステップと
を含む加熱方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、チャンバー装置及び加熱方法に関する。

【背景技術】

【0002】

Ｃｕ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎおよびこれらの組合せなどの金属と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、およびこれらの組合せなどの元素カルコゲンとを含む半導体材料を用いたＣＩＧＳ型太陽電池やＣＺＴＳ型太陽電池は、高い変換効率を有する太陽電池として注目されている（例えば特許文献１〜特許文献３参照）。

【0003】

例えばＣＺＴＳ型太陽電池は、光吸収層（光電変換層）として、例えばＣｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｅの４種類の半導体材料からなる膜を用いる構成になっている。このような太陽電池の構成として、例えばガラスなどからなる基板上にモリブデンなどからなる裏面電極が設けられ、当該裏面電極の上に上記光吸収層が配置される構成が知られている。

【0004】

このＣＺＴＳ型太陽電池は、従来型の太陽電池に比べて光吸収層の厚さを薄くすることができるため、曲面への設置や運搬が容易となる。このため、高性能でフレキシブルな太陽電池として、広い分野への応用が期待されている。光吸収層を形成する手法として、従来、例えば蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成する手法が知られていた（例えば、特許文献２〜特許文献５参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開平１１−３４０４８２号公報

【特許文献2】特開２００５−５１２２４号公報

【特許文献3】特表２００９−５３７９９７号公報

【特許文献4】特開平１−２３１３１３号公報

【特許文献5】特開平１１−２７３７８３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

これに対して、本発明者は、光吸収層を形成する手法として、上記半導体材料を液状体で基板上に塗布し、当該基板を加熱することで塗布膜を形成する手法を提案する。光吸収層を上記手法によって形成する場合、以下の課題が挙げられる。

【0007】

基板を加熱する際の温度や圧力などの加熱条件により、形成された塗布膜の光電変換効率が変化する。このため、高い光電変換効率を有する塗布膜を形成するためには、加熱時の基板の周囲の環境を適正に調整することが求められている。

【0008】

以上のような事情に鑑み、本発明は、基板の周囲の環境を調整する能力に優れたチャンバー装置及び加熱方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の第一の態様に係るチャンバー装置は、塗布膜が形成された基板を収容するチャンバーと、前記チャンバーに収容され、前記基板の第一面側に配置された第一加熱部と、前記チャンバーに収容され、前記基板のうち前記第一面とは反対の第二面側に配置された第二加熱部と、加熱状態における前記チャンバーの内部を加圧及び減圧可能な圧力調整部とを備える。

【0010】

本発明によれば、基板の第一面側に配置された第一加熱部と基板の第二面側に配置された第二加熱部とで基板を挟んだ状態で当該基板を加熱しつつ、圧力調整部を用いてチャンバーの内部を加圧及び減圧することが可能となるため、加熱時において塗布膜の周囲の圧力を高圧から低圧まで所望の値に調整することができる。これにより、基板の周囲の環境を調整する能力に優れたチャンバー装置を提供することができる。

【0011】

上記のチャンバー装置において、前記チャンバーは、前記塗布膜の周囲に反応促進用気体を供給する気体供給部を有する。
本発明によれば、チャンバーが塗布膜の周囲に反応促進用気体を供給することができるので、塗布膜の加熱処理をスムーズに行うことができる。

【0012】

上記のチャンバー装置は、前記第一加熱部と前記第二加熱部との間に温調気体を流通させる気体流通部を更に備える。
本発明によれば、第一加熱部と第二加熱部との間に温調気体を流通させることができるため、第一加熱部と第二加熱部との間の空間を素早く温調することができる。このため、第一加熱部と第二加熱部との間に基板を配置した状態で温調気体を流通させることにより、基板の温調を素早く行うことができる。これにより、基板の温度が調整されるまでの待ち時間を短縮することができる。

【0013】

上記のチャンバー装置において、前記チャンバーは、前記基板を搬入する基板搬入口を有し、前記気体流通部は、前記基板搬入口の外側から前記チャンバーの内部に向けられる気体噴出口を有する。
本発明によれば、気体流通部が、基板搬入口を利用してチャンバーの内部に気体を噴きつけることができる。これにより、チャンバーの内部に気体を供給するための開口部を別途設ける必要が無いため、チャンバーの構成の複雑化を回避することができる。

【0014】

上記のチャンバー装置において、前記気体噴出口は、昇降可能に設けられている。
本発明によれば、気体噴出口を必要に応じて基板搬入口に向けることができ、必要が無い場合には基板搬入口から退避させることができる。これにより、基板の搬入出をスムーズに行うことができる。

【0015】

上記のチャンバー装置において、前記気体流通部は、前記気体噴出口との間で前記温調気体の流通方向に前記第一加熱部及び前記第二加熱部を挟む位置に設けられた吸引口を有する。
本発明によれば、気体噴出口から噴出された温調気体を吸引口から吸引することができるので、温調気体の流通を促進することができる。これにより、熱の移動がスムーズに行われるため、基板を効率的に冷却することができる。

【0016】

上記のチャンバー装置において、前記気体流通部は、前記吸引口から吸引した前記温調気体を前記気体噴出口へ戻す循環経路を有する。
本発明によれば、温調気体が循環して用いられることになるため、基板の周囲の環境を安定化させることができる。

【0017】

上記のチャンバー装置において、前記循環経路は、前記温調気体に含まれる異物を除去するフィルターを有する。
本発明によれば、循環して用いられる温調気体に含まれる異物が除去されるため、基板やチャンバーの内面に異物が付着するのを抑制することができる。これにより、基板及びチャンバー内の環境を清浄に保持することができる。

【0018】

上記のチャンバー装置において、前記チャンバーは、一方向に分割可能な第一部分及び第二部分を有する。
本発明によれば、チャンバーが第一部分及び第二部分に分割されるため、基板の搬入出やメンテナンス作業の効率を向上させることができる。

【0019】

上記のチャンバー装置において、前記第一加熱部及び前記第二加熱部のうち、一方は前記第一部分に設けられ、他方は前記第二部分に設けられる。
本発明によれば、チャンバーの分割に対応して第一加熱部と第二加熱部との間隔を広げることができる。これにより、基板の搬入出やメンテナンス作業の効率を向上させることができる。

【0020】

上記のチャンバー装置において、前記第一部分及び前記第二部分は、分割方向に交差する方向に相対的に移動可能である。
本発明によれば、第一部分及び前記第二部分を分割方向に交差する方向に相対的に移動させることによって、作業者が第一部分及び第二部分にアクセスしやすくなる。これにより、メンテナンス作業の効率化を図ることができる。

【0021】

上記のチャンバー装置において、前記第一部分及び前記第二部分の一方は、一方向に引き出し可能に設けられている。
本発明によれば、第一部分及び第二部分の一方を一方向に引き出すことで相対的な移動を実現することができるので、作業効率を向上させることができる。

【0022】

上記のチャンバー装置において、前記チャンバーは、環状に形成された容積変更部を前記第一部分と前記第二部分との間に挿入することで内部の容積を変更可能である。
本発明によれば、チャンバーの内部の容積を変更することにより、加熱条件をより広い範囲で設定することが可能となる。

【0023】

上記のチャンバー装置において、前記チャンバーは、前記第一部分及び前記第二部分のうちいずれか一方に設けられ前記容積変更部を連結する連結部を有する。
本発明によれば、容積変更部が第一部分及び第二部分のうちいずれか一方に連結されることになるため、チャンバーの構造を安定化させることができる。

【0024】

上記のチャンバー装置において、前記チャンバーは、前記基板を囲う内壁面を有し、前記内壁面の少なくとも一部には、前記チャンバーの外部へ向けて湾曲された湾曲部が設けられている。
本発明によれば、チャンバーの内壁面の一部に湾曲部が設けられているため、チャンバー内の圧力耐性が高められることになる。これにより、チャンバー内を加圧した場合であっても、チャンバーの変形等が生じにくくなる。

【0025】

上記のチャンバー装置において、前記内壁面と前記第一加熱部との間、及び、前記内壁面と前記第二加熱部との間、のうち少なくとも一方には、断熱部が配置されている。
本発明によれば、内壁面への熱の伝導が抑制されることになる。これにより、内壁面の変形等を抑制することができる。

【0026】

上記のチャンバー装置において、前記第一加熱部及び前記第二加熱部は、前記基板の外周に沿った環状の外周側領域を加熱する外周側加熱部と、前記外周側領域の内側に設けられた環状の内周側領域を加熱する内周側加熱部とをそれぞれ有する。
本発明によれば、基板の外周側領域と内周側領域とを区別して加熱することができるため、高精度の加熱を行うことができる。

【0027】

本発明の第二の態様に係る加熱方法は、塗布膜が形成された基板をチャンバーに収容する収容ステップと、前記チャンバーに収容された前記基板に対して、第一面側に配置された第一加熱部と前記基板のうち前記第一面とは反対の第二面側に配置された第二加熱部とを用いて前記基板を加熱する加熱ステップと、前記基板の加熱状態に応じて、前記チャンバーの内部の加圧及び減圧を切り替える切り替えステップとを含む。

【0028】

本発明によれば、基板の第一面側に配置された第一加熱部と基板の第二面側に配置された第二加熱部とで基板を加熱しつつ、圧力調整部を用いてチャンバーの内部を加圧及び減圧することが可能となるため、加熱時において塗布膜の周囲の圧力を高圧から低圧まで所望の値に調整することができる。これにより、基板を所望の環境で加熱することができる。

【発明の効果】

【0029】

本発明によれば、基板の周囲の環境を調整する能力に優れたチャンバー装置及び加熱方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0030】

【図1】本発明の実施の形態に係る塗布装置の全体構成を示す図。

【図2】本実施形態に係る塗布装置の全体構成を示す図。

【図3】本実施形態に係るノズルの構成を示す図。

【図4】本実施形態に係る塗布部の一部の構成を示す図。

【図5】本実施形態に係る減圧乾燥部の構成を示す図。

【図6】本実施形態に係る焼成部の一部の構成を示す図。

【図7】本実施形態に係る焼成部の一部の構成を示す図。

【図8】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。

【図9】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。

【図10】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。

【図11】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。

【図12】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。

【図13】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図。

【図14】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図。

【図15】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図。

【図16】本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図。

【図17】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。

【図18】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。

【図19】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。

【図20】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。

【図21】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。

【図22】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。

【図23】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。

【図24】本実施形態に係る塗布装置のメンテナンスの様子を示す図。

【図25】本発明の変形例に係る塗布装置の構成を示す図。

【図26】本発明の変形例に係る塗布装置の構成を示す図。

【図27】本発明の変形例に係る塗布装置の構成を示す図。

【図28】本発明の変形例に係る塗布装置の構成を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0031】

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの構成を示す概略図である。
図１に示すように、塗布装置ＣＴＲは、基板Ｓに液状体を塗布する装置である。塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、第一チャンバーＣＢ１、第二チャンバーＣＢ２、接続部ＣＮ及び制御部ＣＯＮＴを有している。第一チャンバーＣＢ１は、塗布部ＣＴを有している。第二チャンバーＣＢ２は、焼成部ＢＫを有している。接続部ＣＮは、減圧乾燥部ＶＤを有している。

【0032】

塗布装置ＣＴＲは、例えば工場などの床面ＦＬに載置されて用いられる。塗布装置ＣＴＲは、一つの部屋に収容される構成であっても構わないし、複数の部屋に分割して収容される構成であっても構わない。塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫがこの順で一方向に並んで配置されている。

【0033】

なお、装置構成については塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫがこの順で一方向に並んで配置されることに限られることは無い。例えば、基板供給回収部ＬＵが不図示の基板供給部と不図示の基板回収部に分割されても構わないし、減圧乾燥部ＶＤが省略されても構わない。勿論、一方向に並んで配置されていなくてもよく、不図示のロボットを中心とした上下に積層する配置や、左右に配置する構成でもよい。

【0034】

以下の各図において、本実施形態に係るチャンバー装置の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。当該ＸＹＺ座標系においては、床面に平行な平面をＸＹ平面とする。このＸＹ平面において塗布装置ＣＴＲの各構成要素（基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫ）が並べられた方向をＸ方向と表記し、ＸＹ平面上でＸ方向に直交する方向をＹ方向と表記する。ＸＹ平面に垂直な方向はＺ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。

【0035】

本実施形態では、基板Ｓとして、例えばガラスや樹脂などからなる板状部材を用いている。本実施形態では更に、基板Ｓ上に裏面電極としてスパッタにてモリブデンを形成している。勿論、裏面電極として、他の導電性物質を用いる構成としても構わない。基板Ｓとして、Ｚ方向視における寸法が３３０ｍｍ×３３０ｍｍの基板を例に挙げて説明する。なお、基板Ｓの寸法については、上記のような３３０ｍｍ×３３０ｍｍの基板に限られることは無い。例えば、基板Ｓとして、寸法が１２５ｍｍ×１２５ｍｍの基板を用いても構わないし、寸法が１ｍ×１ｍの基板を用いても構わない。勿論、上記寸法よりも大きい寸法の基板や小さい寸法の基板を適宜用いることができる。

【0036】

本実施形態では、基板Ｓに塗布する液状体として、例えばヒドラジンなどの溶媒に、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セレン（Ｓｅ）または銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、セレン（Ｓｅ）といった金属材料を含有する液状組成物を用いている。この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ型太陽電池の光吸収層（光電変換層）を構成する金属材料を含んでいる。

【0037】

本実施形態では、この液状組成物は、例えばＣＺＴＳ太陽電池の光吸収層のグレインサイズを確保するための物質を含んでいる。勿論、液状体として、他の金属、例えば金属ナノ粒子を分散させた液状体を用いる構成としても構わない。

【0038】

（基板供給回収部）
基板供給回収部ＬＵは、塗布部ＣＴに対して未処理の基板Ｓを供給すると共に、塗布部ＣＴからの処理済の基板Ｓを回収する。基板供給回収部ＬＵは、チャンバー１０を有している。チャンバー１０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー１０の内部には、基板Ｓを収容可能な収容室１０ａが形成されている。チャンバー１０は、第一開口部１１、第二開口部１２及び蓋部１４を有している。第一開口部１１及び第二開口部１２は、収容室１０ａとチャンバー１０の外部とを連通する。

【0039】

第一開口部１１は、チャンバー１０の＋Ｚ側の面に形成されている。第一開口部１１は、Ｚ方向視で基板Ｓの寸法よりも大きく形成されている。チャンバー１０の外部に取り出される基板Ｓや、収容室１０ａへ収容される基板Ｓは、第一開口部１１を介して基板供給回収部ＬＵに出し入れされる。

【0040】

第二開口部１２は、チャンバー１０の＋Ｘ側の面に形成されている。第二開口部１２は、Ｘ方向視で基板Ｓの寸法よりも大きく形成されている。塗布部ＣＴへ供給される基板Ｓや塗布部ＣＴから戻される基板Ｓは、第二開口部１２を介して基板供給回収部ＬＵに出し入れされる。

【0041】

蓋部１４は、第一開口部１１を開放又は閉塞させる。蓋部１４は、矩形の板状に形成されている。蓋部１４は、不図示のヒンジ部を介して第一開口部１１の＋Ｘ側の辺に取り付けられている。このため、蓋部１４は、第一開口部１１の＋Ｘ側の辺を中心としてＹ軸周りに回動する。第一開口部１１は、蓋部１４をＹ軸周りに回動させることで開閉可能となっている。

【0042】

収容室１０ａには、基板搬送部１５が設けられている。基板搬送部１５は、複数のローラー１７を有している。ローラー１７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー１７がＸ方向に複数並んでいる。

【0043】

各ローラー１７は、Ｙ軸方向を中心軸方向としてＹ軸周りに回転可能に設けられている。複数のローラー１７は、それぞれ等しい径となるように形成されており、複数のローラー１７の＋Ｚ側の端部はＸＹ平面に平行な同一平面上に配置されている。このため、複数のローラー１７は、基板ＳがＸＹ平面に平行な姿勢になるように当該基板Ｓを支持可能である。

【0044】

各ローラー１７は、例えば不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送部１５は、複数のローラー１７が基板Ｓを支持した状態で各ローラー１７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、基板ＳをＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送する。基板搬送部１５としては、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。

【0045】

（第一チャンバー）
第一チャンバーＣＢ１は、床面ＦＬに載置された基台ＢＣ上に配置されている。第一チャンバーＣＢ１は、直方体の箱状に形成されている。第一チャンバーＣＢ１の内部には、処理室２０ａが形成されている。塗布部ＣＴは、処理室２０ａに設けられている。塗布部ＣＴは、基板Ｓに対して液状体の塗布処理を行う。

【0046】

第一チャンバーＣＢ１は、第一開口部２１及び第二開口部２２を有している。第一開口部２１及び第二開口部２２は、処理室２０ａと第一チャンバーＣＢ１の外部とを連通する。第一開口部２１は、第一チャンバーＣＢ１の−Ｘ側の面に形成されている。第二開口部２２は、第一チャンバーＣＢ１の＋Ｘ側の面に形成されている。第一開口部２１及び第二開口部２２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、第一開口部２１及び第二開口部２２を介して第一チャンバーＣＢ１に出し入れされる。

【0047】

塗布部ＣＴは、吐出部３１、メンテナンス部３２、液状体供給部３３、洗浄液供給部３４、廃液貯留部３５、気体供給排出部３７及び基板搬送部２５を有する。

【0048】

吐出部３１は、ノズルＮＺ、処理ステージ２８及びノズル駆動部ＮＡを有している。
図３（ａ）は、ノズルＮＺの構成を示す図である。
図３（ａ）に示すように、ノズルＮＺは、長尺状に形成されており、長手方向がＸ方向に平行になるように配置されている。ノズルＮＺは、本体部ＮＺａ及び突出部ＮＺｂを有している。本体部ＮＺａは、内部に液状体を収容可能な筐体である。本体部ＮＺａは、例えばチタン又はチタン合金を含んだ材料を用いて形成されている。突出部ＮＺｂは、本体部ＮＺａに対して＋Ｘ側及び−Ｘ側にそれぞれ突出して形成されている。突出部ＮＺｂは、ノズル駆動部ＮＡの一部に保持される。

【0049】

図３（ｂ）は、−Ｚ側からノズルＮＺを見たときの構成を示している。
図３（ｂ）に示すように、ノズルＮＺは、本体部ＮＺａの−Ｚ側の端部（先端ＴＰ）に吐出口ＯＰを有している。吐出口ＯＰは、液状体が吐出される開口部である。吐出口ＯＰは、Ｘ方向に長手となるようにスリット状に形成されている。吐出口ＯＰは、例えば長手方向が基板ＳのＸ方向の寸法とほぼ同一となるように形成されている。

【0050】

ノズルＮＺは、例えば上記のＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の金属が所定の組成比で混合された液状体を吐出する。ノズルＮＺは、接続配管（不図示）などを介して、それぞれ液状体供給部３３に接続されている。ノズルＮＺは、内部に液状体を保持する保持部を有している。なお、上記保持部に保持された液状体の温度を調整する温調部が配置されていても構わない。

【0051】

図１及び図２に戻って、処理ステージ２８は、塗布処理の対象となる基板Ｓを載置する。処理ステージ２８の＋Ｚ側の面は、基板Ｓを載置する基板載置面となっている。当該基板載置面は、ＸＹ平面に平行に形成されている。処理ステージ２８は、例えばステンレスなどを用いて形成されている。

【0052】

ノズル駆動部ＮＡは、ノズルＮＺをＸ方向に移動させる。ノズル駆動部ＮＡは、リニアモータ機構を構成する固定子４０及び可動子４１を有している。なお、ノズル駆動部ＮＡとしては、例えばボールスクリュー機構など、他の駆動機構が用いられた構成であっても構わない。固定子４０は、Ｙ方向に延在されている。固定子４０は、支持フレーム３８に支持されている。支持フレーム３８は、第一フレーム３８ａ及び第二フレーム３８ｂを有している。第一フレーム３８ａは、処理室２０ａの−Ｙ側端部に配置されている。第二フレーム３８ｂは、処理室２０ａのうち第一フレーム３８ａとの間で処理ステージ２８を挟む位置に配置されている。

【0053】

可動子４１は、固定子４０の延在方向（Ｙ方向）に沿って移動可能である。可動子４１は、ノズル支持部材４２及び昇降部４３を有する。ノズル支持部材４２は、門型に形成されており、ノズルＮＺの突出部ＮＺｂを保持する保持部４２ａを有している。ノズル支持部材４２は、昇降部４３と共に固定子４０に沿って第一フレーム３８ａと第二フレーム３８ｂとの間をＹ方向に一体的に移動する。このため、ノズル支持部材４２に保持されるノズルＮＺは、処理ステージ２８をＹ方向に跨いで移動する。ノズル支持部材４２は、昇降部４３の昇降ガイド４３ａに沿ってＺ方向に移動する。可動子４１は、ノズル支持部材４２をＹ方向及びＺ方向に移動させる不図示の駆動源を有している。

【0054】

メンテナンス部３２は、ノズルＮＺのメンテナンスを行う部分である。メンテナンス部３２は、ノズル待機部４４及びノズル先端管理部４５を有している。
ノズル待機部４４は、ノズルＮＺの先端ＴＰが乾燥しないように当該先端ＴＰをディップさせる不図示のディップ部と、ノズルＮＺを交換する場合やノズルＮＺに供給する液状体を交換する場合にノズルＮＺ内に保持された液状体を排出する不図示の排出部とを有している。

【0055】

ノズル先端管理部４５は、ノズルＮＺの先端ＴＰ及びその近傍を洗浄したり、ノズルＮＺの吐出口ＯＰから予備的に吐出したりすることで、ノズル先端のコンディションを整える部分である。ノズル先端管理部４５は、ノズルＮＺの先端ＴＰを払拭する払拭部４５ａと、当該払拭部４５ａを案内するガイドレール４５ｂと、を有している。ノズル先端管理部４５には、ノズルＮＺから排出された液状体や、ノズルＮＺの洗浄に用いられた洗浄液などを収容する廃液収容部３５ａが設けられている。

【0056】

図４は、ノズルＮＺ及びノズル先端管理部４５の断面形状を示す図である。図４に示すように、払拭部４５ａは、断面視においてノズルＮＺの先端ＴＰ及び先端ＴＰ側の斜面の一部を覆う形状に形成されている。

【0057】

ガイドレール４５ｂは、ノズルＮＺの吐出口ＯＰをカバーするようにＸ方向に延びている。払拭部４５ａは、不図示の駆動源などにより、ガイドレール４５ｂに沿ってＸ方向に移動可能に設けられている。払拭部４５ａがノズルＮＺの先端ＴＰに接触した状態でＸ方向に移動することで、先端ＴＰが払拭されることになる。

【0058】

液状体供給部３３は、第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂを有している。第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂには、基板Ｓに塗布する液状体が収容される。また、第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂは、それぞれ異なる種類の液状体を収容可能である。

【0059】

洗浄液供給部３４は、塗布部ＣＴの各部、具体的にはノズルＮＺの内部やノズル先端管理部４５などを洗浄する洗浄液が収容されている。洗浄液供給部３４は、不図示の配管やポンプなどを介して、これらノズルＮＺの内部やノズル先端管理部４５などに接続されている。

【0060】

廃液貯留部３５は、ノズルＮＺから吐出された液体のうち再利用しない分を回収する。なお、ノズル先端管理部４５のうち、予備吐出を行う部分と、ノズルＮＺの先端ＴＰを洗浄する部分とが別々に設けられた構成であっても構わない。また、ノズル待機部４４において予備吐出を行う構成であっても構わない。

【0061】

気体供給排出部３７は、気体供給部３７ａ及び排気部３７ｂを有している。気体供給部３７ａは、処理室２０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。排気部３７ｂは、処理室２０ａを吸引し、処理室２０ａの気体を第一チャンバーＣＢ１の外部に排出する。

【0062】

基板搬送部２５は、処理室２０ａにおいて基板Ｓを搬送する。基板搬送部２５は、複数のローラー２７を有している。ローラー２７は、処理室２０ａのＹ方向の中央部をＸ方向に横切るように二列に配置されている。各列に配置されるローラー２７は、それぞれ基板Ｓの＋Ｙ側端辺及び−Ｙ側端辺を支持する。

【0063】

基板Ｓを支持した状態で各ローラー２７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー２７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。

【0064】

（接続部）
接続部ＣＮは、第一チャンバーＣＢ１と第二チャンバーＣＢ２とを接続する。基板Ｓは、接続部ＣＮを経由して、第一チャンバーＣＢ１と第二チャンバーＣＢ２との間を移動するようになっている。接続部ＣＮは、第三チャンバーＣＢ３を有している。第三チャンバーＣＢ３は、直方体の箱状に形成されている。第三チャンバーＣＢ３の内部には、処理室５０ａが形成されている。本実施形態では、処理室５０ａには、減圧乾燥部ＶＤが設けられている。減圧乾燥部ＶＤは、基板Ｓ上に塗布された液状体を乾燥させる。第三チャンバーＣＢ３には、ゲートバルブＶ２及びＶ３が設けられている。

【0065】

第三チャンバーＣＢ３は、第一開口部５１及び第二開口部５２を有している。第一開口部５１及び第二開口部５２は、処理室５０ａと第三チャンバーＣＢ３の外部とを連通する。第一開口部５１は、第三チャンバーＣＢ３の−Ｘ側の面に形成されている。第二開口部５２は、第三チャンバーＣＢ３の＋Ｘ側の面に形成されている。第一開口部５１及び第二開口部５２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、第一開口部５１及び第二開口部５２を介して第三チャンバーＣＢ３に出し入れされる。

【0066】

減圧乾燥部ＶＤは、基板搬送部５５及び気体供給部５８、排気部５９及び加熱部５３を有している。
基板搬送部５５は、複数のローラー５７を有している。ローラー５７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー５７がＸ方向に複数並んでいる。複数のローラー５７は、第一開口部２１を介して処理室５０ａに配置された基板Ｓを支持する。

【0067】

基板Ｓを支持した状態で各ローラー５７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー５７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。

【0068】

図５は、減圧乾燥部ＶＤの構成を示す模式図である。
図５に示すように、気体供給部５８は、処理室５０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。気体供給部５８は、第一供給部５８ａ及び第二供給部５８ｂを有している。第一供給部５８ａ及び第二供給部５８ｂは、ガスボンベやガス管などのガス供給源５８ｃに接続されている。処理室５０ａへのガスの供給は主として第一供給部５８ａを用いて行われる。第二供給部５８ｂは、第一供給部５８ａによる気体の供給量を微調整する。

【0069】

排気部５９は、処理室５０ａを吸引し当該処理室５０ａの気体を第三チャンバーＣＢ３の外部に排出して、処理室５０ａを減圧させる。処理室５０ａを減圧させることにより、基板Ｓの液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、液状体を乾燥させる。排気部５９は、第一吸引部５９ａ及び第二吸引部５９ｂを有している。第一吸引部５９ａ及び第二吸引部５９ｂは、ポンプなどの吸引源５９ｃ及び５９ｄに接続されている。処理室５０ａからの吸引は主として第一吸引部５９ａを用いて行われる。第二吸引部５９ｂは、第一吸引部５９ａによる吸引量を微調整する。

【0070】

加熱部５３は、処理室５０ａに配置された基板Ｓ上の液状体を加熱する。加熱部５３としては、例えば赤外線装置やホットプレートなどが用いられる。加熱部５３の温度は、例えば室温〜１００℃程度に調整可能である。加熱部５３を用いることにより、基板Ｓ上の液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、減圧下での乾燥処理をサポートする。

【0071】

加熱部５３は、昇降機構（移動部）５３ａに接続されている。昇降機構５３ａは、加熱部５３をＺ方向に移動させる。昇降機構５３ａとしては、例えばモーター機構やエアシリンダ機構などが用いられている。昇降機構５３ａにより加熱部５３をＺ方向に移動させることにより、加熱部５３と基板Ｓとの間の距離を調整できるようになっている。昇降機構５３ａによる加熱部５３の移動量や移動のタイミングなどは、制御部ＣＯＮＴによって制御されるようになっている。

【0072】

（第二チャンバー）
第二チャンバーＣＢ２は、床面ＦＬに載置された基台ＢＢ上に配置されている。第二チャンバーＣＢ２は、直方体の箱状に形成されている。第二チャンバーＣＢ２の内部には、処理室６０ａが形成されている。焼成部ＢＫは、処理室６０ａに設けられている。焼成部ＢＫは、基板Ｓ上に塗布された塗布膜を焼成する。

【0073】

第二チャンバーＣＢ２は、開口部６１を有している。開口部６１は、処理室６０ａと第二チャンバーＣＢ２の外部とを連通する。開口部６１は、第二チャンバーＣＢ２の−Ｘ側の面に形成されている。開口部６１は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、開口部６１を介して第二チャンバーＣＢ２に出し入れされる。

【0074】

焼成部ＢＫは、基板搬送部６５及び気体供給部（不図示）、排気部（不図示）及び加熱部７０を有している。
基板搬送部６５は、複数のローラー６７と、アーム部７１とを有している。ローラー６７は、基板案内ステージ６６をＹ方向に挟んで一対配置されており、当該一対のローラー６７がＸ方向に複数並んでいる。複数のローラー６７は、開口部６１を介して処理室６０ａに配置された基板Ｓを支持する。

【0075】

基板Ｓを支持した状態で各ローラー６７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー６７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。

【0076】

アーム部７１は、架台７４上に配置されており、複数のローラー６７と加熱部７０との間で基板Ｓの受け渡しを行う。アーム部７１は、搬送アーム７２及びアーム駆動部７３を有している。搬送アーム７２は、基板支持部７２ａ及び移動部７２ｂを有している。基板支持部７２ａは、基板Ｓの＋Ｙ側及び−Ｙ側の辺を支持する。移動部７２ｂは、基板支持部７２ａに連結されており、Ｘ方向に移動可能であり、かつθＺ方向に回動可能である。アーム部７１は、例えばローラー６７の−Ｚ側に配置されており、当該ローラー６７をＺ方向に跨ぐように移動可能である。このため、例えば基板Ｓがローラー６７上に配置された場合に、ローラー６７の−Ｚ側から＋Ｚ側へ向けて＋Ｚ方向に移動することで基板Ｓを保持可能である。

【0077】

アーム駆動部７３は、移動部７２ｂをＸ方向又はθＺ方向に駆動する。アーム駆動部７３によって移動部７２ｂを＋Ｘ方向に移動させた場合には、基板支持部７２ａが加熱部７０内に挿入されると共に、基板Ｓが加熱部７０のＺ方向視中央部に配置されるようになっている。

【0078】

図６は、加熱部７０の構成を示す断面図である。
図６に示すように、加熱部７０は、架台７４（図１等参照）上に配置されたチャンバー装置８０を有している。第一収容部８１、第二収容部８２、第一加熱板８３、第二加熱板８４、リフト部８５、封止部８６、気体供給部８７、排気部８８、第一断熱部８９（下側）、第二断熱部９０（上側）及び気体流通部９１を有している。

【0079】

第一収容部８１は、Ｚ方向視において矩形に形成されており、開口部が＋Ｚ側を向くように第二チャンバーＣＢ２の底部に載置されている。第二収容部８２は、Ｚ方向視において矩形に形成されており、開口部が第一収容部８１に対向するように配置されている。第二収容部８２は、不図示の昇降機構を用いてＺ方向に移動可能である。第二収容部８２を第一収容部８１に重ねることにより、当該第一収容部８１及び第二収容部８２の内部が密閉される。

【0080】

また、第二収容部８２は、Ｘ方向に移動可能に設けられている。具体的には、図６に示すように、Ｚ方向視で第二収容部８２に重なる位置から−Ｘ方向にスライドさせることができるようになっている。この場合、例えばＸ方向に平行に延在する不図示のガイドレールに第二収容部８２が接続されており、当該ガイドレールに沿って移動可能な構成とすることができる。

【0081】

なお、例えばモーター機構やエアシリンダ機構などの不図示の駆動部によって第二収容部８２を移動させる構成であってもよいし、作業者が第二収容部８２を手動で移動させる構成であってもよい。また、第二収容部８２の移動を行う場合に、駆動部による移動と作業者の手動による移動とを切り替えて行うことが可能な構成であってもよい。

【0082】

図７は、第二収容部８２をＸ方向に移動させた状態を示す図であり、チャンバー装置８０を−Ｚ方向に見た様子を示している。図６及び図７に示すように、第二収容部８２を−Ｘ方向にスライドさせることにより、第一収容部８１の位置と第二収容部８２の位置とがＸ方向に相対的にずれた状態となる（図６では一点鎖線で示している）。この場合、第一収容部８１と第二収容部８２とがＺ方向視で重なった位置に配置されている状態に比べて、作業者が第一収容部８１の内部や第二収容部８２の内部などに容易にアクセスできるため、メンテナンス性が向上することになる。

【0083】

第一収容部８１は、底部８１ａと、側壁部８１ｂとを有している。底部８１ａは、チャンバー装置８０の外側（−Ｚ側）へ突出するように湾曲して形成されている（湾曲部）。本実施形態では、第一収容部８１の底部全体が湾曲するように形成された例を示しているが、これに限られることは無く、一部が−Ｚ側に突出するように湾曲された構成であってもよい。

【0084】

側壁部８１ｂは、底部８１ａの周縁部から＋Ｚ側へ向けて角筒状に形成されている。第一収容部８１の＋Ｚ側の端部８１ｃは、Ｚ方向視において側壁部８１ｂを囲う位置に形成されている。当該端部８１ｃは側壁部８１ｂに対してチャンバー装置８０の外側へ延びるように突出した形状となっている。側壁部８１ｂと端部８１ｃとの間は、段部８１ｄによって接続されている。段部８１ｄは、ＸＹ平面に平行な面を有している。

【0085】

底部８１ａには、当該底部８１ａをＺ方向に貫通する貫通孔８１ｅが形成されている。貫通孔８１ｅは、図７に示すように、Ｚ方向視において第一収容部８１の中央部を囲うように４つ設けられている。４つの貫通孔８１ｅは、第一収容部８１の中央部と各角部との間の位置にそれぞれ配置されている。貫通孔８１ｅは、リフト部８５の一部を貫通させる。

【0086】

また、第一収容部８１には、冷媒流通部９７が設けられている。
冷媒流通部９７は、第一収容部８１を冷却するための冷媒を流通させる。第一収容部８１の内部には、冷媒を流通させる流路（不図示）が形成されている。冷媒流通部９７は、当該流路に冷媒を供給する供給部９７ａと、流路からの冷媒を排出する排出部９７ｂとを有している。供給部９７ａは、不図示の冷媒供給源に接続されている。なお、排出部９７ｂから排出された冷媒を温調し、再び供給部９７ａに戻す構成としてもよい。このように冷媒を循環させることにより、冷媒を無駄なく使用することができる。

【0087】

一方、第二収容部８２は、天井部８２ａと、側壁部８２ｂとを有している。天井部８２ａは、チャンバー装置８０の外側（−Ｚ側）へ突出するように湾曲して形成されている（湾曲部）。本実施形態では、第二収容部８２の底部全体が湾曲するように形成された例を示しているが、これに限られることは無く、一部が−Ｚ側に突出するように湾曲された構成であってもよい。

【0088】

側壁部８２ｂは、天井部８２ａの周縁部から−Ｚ側へ向けて角筒状に形成されている。第二収容部８２の−Ｚ側の端部８２ｃは、第一収容部８１の端部８１ｃと同様、Ｚ方向視において側壁部８２ｂを囲う位置に形成されている。当該端部８２ｃは側壁部８２ｂに対してチャンバー装置８０の外側へ延びるように突出した形状となっている。側壁部８２ｂと端部８２ｃとの間は、段部８２ｄによって接続されている。段部８２ｄは、ＸＹ平面に平行な面を有している。

【0089】

第二収容部８２の＋Ｙ側端面及び−Ｙ側端面には、気体流通規制板８２ｅが設けられている。各気体流通規制板８２ｅは、矩形の板状に形成されており、例えば開かれた状態のチャンバー装置８０の第一収容部８１及び第二収容部８２の＋Ｙ側側面及び−Ｙ側側面を覆うことが可能な寸法に形成されている。各気体流通規制板８２ｅは、Ｚ方向に移動可能である。

【0090】

また、第二収容部８２には、冷媒流通部９８が設けられている。
冷媒流通部９８は、第二収容部８２を冷却するための冷媒を流通させる。第二収容部８２の内部には、第一収容部８１と同様、冷媒を流通させる流路（不図示）が形成されている。冷媒流通部９８は、当該流路に冷媒を供給する供給部９８ａと、流路からの冷媒を排出する排出部９８ｂとを有している。供給部９８ａは、不図示の冷媒供給源に接続されている。なお、排出部９８ｂから排出された冷媒を温調し、再び供給部９８ａに戻す構成としてもよい。このように冷媒を循環させることにより、冷媒を無駄なく使用することができる。

【0091】

上記構成では、第一収容部８１の底部８１ａ及び第二収容部８２の天井部８２ａがチャンバー装置８０の外側へ向けて湾曲しているため、閉塞状態のチャンバー装置８０の内部の耐圧性が高められることになる。このため、第一収容部８１の底部８１ａ及び第二収容部８２の天井部８２ａが平坦に形成された場合に比べて、チャンバー装置８０の内部の圧力を高くすることが可能となっている。当該チャンバー装置８０は、数気圧（例、３気圧）程度の圧力に対して耐圧性を有している。

【0092】

第一加熱板８３は、第一収容部８１に収容されている。第一加熱板８３は、基板Ｓを載置させた状態で当該基板Ｓを加熱する。第一加熱板８３は、例えば石英などを用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。このような加熱装置として、第一加熱板８３の内部には、外周側加熱部８３ａ及び内周側加熱部８３ｂが設けられている。外周側加熱部８３ａ及び内周側加熱部８３ｂは、Ｚ方向視において環状に形成されており、第一加熱板８３の外周側及び内周側に二重に配置されている。このため、第一加熱板８３は、表面全体が均一に加熱されることになる。第一加熱板８３の温度は、例えば２００℃〜８００℃程度に調整可能である。第一加熱板８３は、支持部８３ｃによって第一収容部８１の側壁部８１ｂに支持されている。第一加熱板８３には複数の貫通孔８３ｄが形成されている。貫通孔８３ｄは、リフト部８５の一部を貫通させる。

【0093】

第二加熱板８４は、第二収容部８２に収容されている。第二加熱板８４は、例えば金属材料を用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。このような加熱装置として、第二加熱板８４の内部には、第一加熱板８３と同様に、外周側加熱部８４ａ及び内周側加熱部８４ｂが設けられている。外周側加熱部８４ａ及び内周側加熱部８４ｂは、Ｚ方向視において環状に形成されており、第二加熱板８４の外周側及び内周側に二重に配置されている。このため、第二加熱板８４は、表面全体が均一に加熱されることになる。第二加熱板８４の温度は、例えば２００℃〜８００℃程度に調整可能である。第二加熱板８４は、不図示の昇降機構によって第二収容部８２とは別個にＺ方向への移動が可能に設けられている。第二加熱板８４をＺ方向へ移動させることにより、第二加熱板８４と基板Ｓとの間隔を調整できるようになっている。第二加熱板８４は、支持部８４ｃによって第二収容部８２の側壁部８２ｂに支持されている。

【0094】

第一加熱板８３の＋Ｚ側の面（基板を支持する面）及び第二加熱板８４の−Ｚ側の面は、それぞれすりガラス状に形成されている。これにより、第一加熱板８３の表面から当該第一加熱板８３に載置される基板Ｓに対する熱転写を防ぐことができると共に、輻射熱を利用することが可能となり、加熱効率が高められる。また、すりガラス状に形成されている面の研磨状態を変更することで、基板Ｓに対する光の透過をコントロールできる。

【0095】

リフト部８５は、アーム部７１と第一加熱板８３との間で基板Ｓを移動させる。リフト部８５は、複数の支持ピン８５ａと、当該支持ピン８５ａを保持してＺ方向に移動可能な移動部８５ｂとを有している。図示を判別しやすくするため、図７では支持ピン８５ａが２つ設けられた構成が示されているが、実際には例えば４個（図７参照）配置させることができる。第一加熱板８３に設けられる複数の貫通孔８３ｄは、Ｚ方向視で複数の支持ピン８５ａに対応する位置に配置されている。各支持ピン８５ａは、基板Ｓの周縁部（例、外周から数ｍｍ程度の位置）を支持するように配置されている。

【0096】

封止部８６は、第一収容部８１の端部８１ｃに形成されている。封止部８６としては、例えば樹脂材料などを用いて形成されたＯリングを用いることができる。封止部８６は、第二収容部８２の端部８２ｃが第一収容部８１の端部８１ｃに重ねられた状態で、当該第一収容部８１と第二収容部８２との間を封止する。このため、第一収容部８１及び第二収容部８２の内部を密閉することができる。なお、当該Ｏリングを水冷する冷却機構を別途設けてもよい。

【0097】

気体供給部８７は、チャンバー装置８０の内部に窒素ガス、酸素ガス、アルゴンガス、空気などを供給することによって、チャンバー装置８０の内部の雰囲気や圧力を調整する。気体供給部８７は、第一収容部８１に設けられた底部給気部８７ａ及び段部給気部８７ｂと、第二収容部８２に設けられた天井給気部８７ｃ及び段部給気部８７ｄとを有している。

【0098】

底部給気部８７ａは、第一収容部８１の底部８１ａに例えば３つ設けられている。３つの底部給気部８７ａは、Ｚ方向視において第一収容部８１の中央部に対して＋Ｘ側、−Ｘ側及び＋Ｙ側にそれぞれ１つずつ配置されている。３つの底部給気部８７ａは、それぞれ同一種類のガスを供給することも可能であるし、異なる種類のガスを供給することも可能である。

【0099】

段部給気部８７ｂは、第一収容部８１の段部８１ｄに例えば４つ設けられている。段部給気部８７ｂは、Ｚ方向視において矩形環状に形成された段部８１ｄの各辺に１つずつ設けられている。段部給気部８７ｂは、段部８１ｄの各辺の中央部に対してずれた位置に設けられている。

【0100】

段部給気部８７ｂは、第一収容部８１を貫通して設けられた気体流通管と、当該気体流通管に接続された気体供給源（不図示）とを有している。段部８１ｄには開口部が設けられている。気体流通管の端部は、当該開口部に接続されている。段部給気部８７ｂは、気体流通管を介して第一加熱板８３の周囲に気体を供給可能である。

【0101】

天井給気部８７ｃは、第二収容部８２の天井部８２ａに例えば３つ設けられている。３つの天井給気部８７ｃは、Ｚ方向視において第二収容部８２の中央部に対して−Ｘ側、＋Ｙ側及び−Ｙ側にそれぞれ１つずつ配置されている。

【0102】

段部給気部８７ｄは、第二収容部８２の段部８２ｄに例えば４つ設けられている。段部給気部８７ｄは、Ｚ方向視において矩形環状に形成された段部８２ｄの各辺に１つずつ設けられている。段部給気部８７ｄは、段部８２ｄの各辺の中央部に対してずれた位置に設けられている。段部給気部８７ｄは、第二加熱板８４の周囲に気体を供給可能である。

【0103】

気体供給部８７の各部の気体供給源としては、例えばガスボンベやガス管などが用いられる。なお、複数種類の気体供給源を設けると共に各気体供給源を切り替え可能な構成としてもよい。これにより、チャンバー装置８０の内部に一種類又は複数種類の気体を選択的に供給することが可能となる。気体供給部８７から供給される気体としては、例えば窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガスや、硫黄含有ガス（硫化水素など）などの塗布膜の反応を促進させる反応促進用気体、水素含有ガス（水素ガスなど）、酸素ガス、空気などが挙げられる。また、ミスト状の水を供給可能な構成としてもよい。

【0104】

排気部８８は、チャンバー装置８０の内部を吸引し、チャンバー装置８０の内部の気体を排出する。排気部８８は、第一収容部８１に設けられた底部排気部８８ａと、第二収容部８２に設けられた天井排気部８８ｂとを有している。排気部８８の吸引源としては、例えばポンプなどが用いられている。

【0105】

底部排気部８８ａは、Ｚ方向視において第一収容部８１の底部８１ａの中央部に設けられている。底部排気部８８ａは、空気よりも重い気体を効率的に排気可能である。また、天井排気部８８ｂは、第二収容部８２の天井部８２ａに一箇所設けられている。天井排気部８８ｂは、例えばＺ方向視において第二収容部８２の中央部に対して−Ｘ方向かつ−Ｙ方向にずれた位置に配置されている。天井排気部８８ｂは、空気よりも軽い気体（水素など）を効率的に排気可能である。

【0106】

気体供給部８７の気体供給量及び排気部８８の気体排出量は、例えば不図示のＭＦＣ（Ｍａｓｓ Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏｌｅｒ）によって調整可能となっている。当該ＭＦＣは、例えば第二チャンバーＣＢ２のグローブ部ＧＸ２（図１参照）などに配置させることができる。

【0107】

第一断熱部８９は、Ｚ方向について第一加熱板８３と第一収容部８１の底部８１ａとの間に配置されている。第一断熱部８９は、第一加熱板８３の熱が底部８１ａに伝達されるのを抑制する。第一断熱部８９は、例えば第一収容部８１の側部に連結された支持部材によって支持されている。第一断熱部８９は、第一加熱板８３及び底部８１ａの両方に対して接触しないように間隔を空けて配置されている。

【0108】

また、第二断熱部９０は、Ｚ方向について第二加熱板８４と第二収容部８２の天井部８２ａとの間に配置されている。第二断熱部９０は、第二加熱板８４の熱が天井部８２ａに伝達されるのを抑制する。第二断熱部９０は、上記の第一断熱部８９と同様、例えば第二収容部８２の側部に連結された支持部材によって支持されている。また、第二断熱部９０は、第二加熱板８４及び天井部８２ａの両方に対して接触しないように間隔を空けて配置されている。

【0109】

第一断熱部８９及び第二断熱部９０は、例えばＺ方向視で矩形に形成されている。第一断熱部８９及び第二断熱部９０は、それぞれＳＵＳなどの材料を用いて形成された板状部材が複数重ねられた構成を有している。各板状部材の厚さ（積層方向：Ｚ方向の寸法）は、例えば１ｍｍ程度に形成されている。

【0110】

気体流通部９１は、気体噴出部９２、吸引部９３及び循環部（循環経路）９４を有している。気体流通部９１は、第一収容部８１と第二収容部８２との間に温調用の気体（温調気体）を流通させる。
気体噴出部９２は、チャンバー装置８０の−Ｘ側に配置されている。気体噴出部９２は、チャンバー装置８０に向けられた噴出口９２ａを有している。具体的には、当該噴出口９２ａは、気体噴出部９２のうちＹＺ平面に平行な面に形成されており、＋Ｘ方向に向けられている。気体噴出部９２は、噴出口９２ａから＋Ｘ方向へ向けて気体を噴出可能である。

【0111】

気体噴出部９２は、図６に示すように、不図示の昇降機構によって、待機位置Ｐ１と噴出位置Ｐ２との間でＺ方向に昇降移動が可能となっている。待機位置Ｐ１は、例えば気体噴出部９２の上端（＋Ｚ側端部）が第一収容部８１の端部８１ｃよりも−Ｚ側に配置されるような位置とすることができる。これにより、待機位置Ｐ１に気体噴出部９２が配置された場合であっても、チャンバー装置８０に対する基板Ｓの搬入動作及び搬出動作を行うことが可能となる。

【0112】

また、噴出位置Ｐ２は、例えば図６の一点鎖線で示すように、開かれた状態のチャンバー装置８０の第一収容部８１と第二収容部８２との間の空間に気体噴出部９２の噴出口９２ａが向けられるような位置とすることができる。この場合、チャンバー装置８０が開かれた状態において、噴出位置Ｐ２に配置される気体噴出部９２の噴出口９２ａから気体が噴出されると、噴出された気体は第一加熱板８３と第二加熱板８４との間に吹き付けられることになる。

【0113】

吸引部９３は、チャンバー装置８０の＋Ｘ側に配置されている。したがって、Ｘ方向において、気体噴出部９２と吸引部９３との間にチャンバー装置８０が配置されることになる。吸引部９３は、チャンバー装置８０に向けられた吸引口９３ａを有している。具体的には、吸引口９３ａは、開かれた状態のチャンバー装置８０の第一収容部８１と第二収容部８２との間の空間に向けられるように配置されている。このため、例えばチャンバー装置８０が開かれた状態において、気体噴出部９２及び吸引部９３を共に駆動することにより、気体噴出部９２から噴出された気体が第一加熱板８３と第二加熱板８４との間の空間を＋Ｘ方向に吹き抜けて吸引部９３に吸引されることになる。

【0114】

なお、第一加熱板８３と第二加熱板８４との間の空間を＋Ｘ方向に移動する気体は、第一加熱板８３、第二加熱板８４及びその間の空間（第一加熱板８３に載置される基板Ｓを含む、以下同様）の熱を吸収して吸引部９３へと移動する。このため、気体の移動によって第一加熱板８３、第二加熱板８４及びその間の空間は冷却されることになる。

【0115】

循環部９４は、吸引部９３から吸引された気体を気体噴出部９２へ供給する。循環部９４は、第一配管９４ａ、ラジエーター９４ｂ、第二配管９４ｃ、ブロアー９４ｄ、第三配管９４ｅ、フィルター９４ｆ及び第四配管９４ｇを有している。第一配管９４ａは、吸引部９３とラジエーター９４ｂとを接続する。ラジエーター９４ｂは、吸引部９３から吸引された気体を冷却する。第二配管９４ｃは、ラジエーター９４ｂとブロアー９４ｄとを接続する。ブロアー９４ｄは、吸引部９３から気体噴出部９２へと気体を圧送する。気体流通部９１において、ブロアー９４ｄが気体の駆動源となっている。第三配管９４ｅは、ブロアー９４ｄとフィルター９４ｆとを接続する。フィルター９４ｆは、第三配管９４ｅから第四配管９４ｇへ送られる気体のうち異物を除去する。第四配管９４ｇは、フィルター９４ｆと気体噴出部９２とを接続する。

【0116】

このような構成では、吸引部９３で吸引された気体が循環部９４において清浄化され冷却されて気体噴出部９２に供給されるため、気体噴出部９２から噴出される気体が効率的に第一加熱板８３、第二加熱板８４及びその間の空間の熱を吸収することができる。これにより、冷却効率が高められることになる。なお、吸引部９３とラジエーター９４ｂとの間（例、第一配管９４ａの途中）に熱交換器を配置してもよい。

【0117】

また、本実施形態では、溶媒濃度センサＳＲ３及びＳＲ４が設けられている。溶媒濃度センサＳＲ３及びＳＲ４は、上記の溶媒濃度センサＳＲ１及びＳＲ２と同様に、周囲の雰囲気中における液状体の溶媒（本実施形態ではヒドラジン）の濃度を検出し、検出結果を制御部ＣＯＮＴに送信する。溶媒濃度センサＳＲ３は、処理室６０ａのうち架台７４上の加熱部７０の＋Ｙ側に配置されている。溶媒濃度センサＳＲ３は、加熱部７０から外れた位置に配置されている。溶媒濃度センサＳＲ４は第二チャンバーＣＢ２の外部に配置されている。本実施形態では、空気よりも比重が大きいヒドラジンの濃度を検出するため、溶媒濃度センサＳＲ３及びＳＲ４は、上記溶媒濃度センサＳＲ１及びＳＲ４と同様に、それぞれ基板Ｓの搬送経路よりも鉛直方向の下側に配置されている。また、第二チャンバーＣＢ２の外部にも溶媒濃度センサＳＲ４を配置することにより、第二チャンバーＣＢ２からのヒドラジンの漏出があった場合にも検出可能である。

【0118】

（基板搬送経路）
基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２、塗布部ＣＴの第一開口部２１並びに第二開口部２２、減圧乾燥部ＶＤの第一開口部５１並びに第二開口部５２、焼成部ＢＫの開口部６１は、Ｘ方向に平行な直線上に並んで設けられている。このため、基板Ｓは、Ｘ方向に直線上に移動する。また、基板供給回収部ＬＵから焼成部ＢＫの加熱部７０に収容されるまでの経路においては、Ｚ方向の位置が保持されている。このため、基板Ｓによる周囲の気体の攪拌が抑制される。

【0119】

（アンチチャンバー）
図１に示すように、第一チャンバーＣＢ１には、アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３が接続されている。
アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３は、第一チャンバーＣＢ１の内外を連通して設けられている。アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３は、それぞれ処理室２０ａの構成要素を第一チャンバーＣＢ１の外部へ取り出したり、第一チャンバーＣＢ１の外部から処理室２０ａに当該構成要素を入れ込んだりするための経路である。

【0120】

アンチチャンバーＡＬ１は、吐出部３１に接続されている。吐出部３１に設けられるノズルＮＺは、アンチチャンバーＡＬ１を介して処理室２０ａへの出し入れが可能となっている。アンチチャンバーＡＬ２は、液状体供給部３３に接続されている。液状体供給部３３は、アンチチャンバーＡＬ２を介して処理室２０ａへの出し入れが可能となっている。

【0121】

アンチチャンバーＡＬ３は、液状体調合部３６に接続されている。液状体調合部３６では、アンチチャンバーＡＬ３を介して液体を処理室２０ａに出し入れ可能となっている。また、アンチチャンバーＡＬ３は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば塗布部ＣＴにおいて液状体の試し塗りを行う場合、アンチチャンバーＡＬ３から未処理の基板Ｓを処理室２０ａに供給することが可能である。また、試し塗りを行った後の基板ＳをアンチチャンバーＡＬ３から取り出すことが可能である。また、緊急時などにアンチチャンバーＡＬ３から臨時に基板Ｓを取り出すことも可能である。

【0122】

また、第二チャンバーＣＢ２には、アンチチャンバーＡＬ４が接続されている。
アンチチャンバーＡＬ４は、加熱部７０に接続されている。アンチチャンバーＡＬ４は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば加熱部７０において基板Ｓの加熱を行う場合、アンチチャンバーＡＬ４から基板Ｓを処理室６０ａに供給することが可能である。また、加熱処理を行った後の基板ＳをアンチチャンバーＡＬ４から取り出すことが可能である。

【0123】

（グローブ部）
図１に示すように、第一チャンバーＣＢ１には、グローブ部ＧＸ１が接続されている。また、第二チャンバーＣＢ２には、グローブ部ＧＸ２が接続されている。
グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、作業者が第一チャンバーＣＢ１及び６０内にアクセスするための部分である。作業者がグローブ部ＧＸ１及びＧＸ２内に手を挿入することにより、第一チャンバーＣＢ１及び６０内のメンテナンス動作などを行うことができるようになっている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、袋状に形成されている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、それぞれ第一チャンバーＣＢ１及び６０の複数個所に配置されている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２内に作業者が手を入れたか否かを検出するセンサなどが第一チャンバーＣＢ１及び６０内に配置されていても構わない。

【0124】

（ゲートバルブ）
基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２と塗布部ＣＴの第一開口部２１との間には、ゲートバルブＶ１が設けられている。ゲートバルブＶ１は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ１をＺ方向に移動させることで、基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２と塗布部ＣＴの第一開口部２１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部１２及び第一開口部２１が同時に開放されると、これら第二開口部１２と第一開口部２１との間で基板Ｓの移動が可能となる。

【0125】

第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２と第三チャンバーＣＢ３の第一開口部５１との間には、ゲートバルブＶ２が設けられている。ゲートバルブＶ２は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ２をＺ方向に移動させることで、第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２と第三チャンバーＣＢ３の第一開口部５１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部２２及び第一開口部５１が同時に開放されると、これら第二開口部２２と第一開口部５１との間で基板Ｓの移動が可能となる。

【0126】

第三チャンバーＣＢ３の第二開口部５２と第二チャンバーＣＢ２の開口部６１との間には、ゲートバルブＶ３が設けられている。ゲートバルブＶ３は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ３をＺ方向に移動させることで、第三チャンバーＣＢ３の第二開口部５２と第二チャンバーＣＢ２の開口部６１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部５２及び開口部６１が同時に開放されると、これら第二開口部５２と開口部６１との間で基板Ｓの移動が可能となる。

【0127】

（制御装置）
制御部ＣＯＮＴは、塗布装置ＣＴＲを統括的に制御する部分である。具体的には、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ、焼成部ＢＫにおける動作、ゲートバルブＶ１〜Ｖ３の動作などを制御する。調整動作の一例として、制御部ＣＯＮＴは、溶媒濃度センサＳＲ１〜ＳＲ４による検出結果に基づいて、気体供給部３７ａの供給量を調整する。制御部ＣＯＮＴは、処理時間の計測等に用いる不図示のタイマーなどを有している。

【0128】

（塗布方法）
次に、本実施形態に係る塗布方法を説明する。本実施形態では、上記のように構成された塗布装置ＣＴＲを用いて基板Ｓ上に塗布膜を形成する。塗布装置ＣＴＲの各部で行われる動作は、制御部ＣＯＮＴによって制御される。

【0129】

制御部ＣＯＮＴは、まず、外部から基板供給回収部ＬＵに基板Ｓを搬入させる。この場合、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞された状態として、蓋部１４を開けて基板Ｓをチャンバー１０の収容室１０ａに収容させる。基板Ｓが収容室１０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴは、蓋部１４を閉じさせる。

【0130】

蓋部１４が閉じられた後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を開放させ、チャンバー１０の収容室１０ａと塗布部ＣＴの第一チャンバーＣＢ１の処理室２０ａとを連通させる。ゲートバルブＶ１を開放させた後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部１５を用いて基板ＳをＸ方向へ搬送する。

【0131】

第一チャンバーＣＢ１の処理室２０ａに基板Ｓの一部が挿入された後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部２５を用いて基板Ｓを処理室２０ａに完全に搬入させる。基板Ｓが搬入された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させる。制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させた後、基板Ｓを処理ステージ２８へと搬送する。

【0132】

図８は、塗布部ＣＴの構成を簡略化し一部の構成を省略して示す図である。以下、図９〜図１２においても同様である。図８に示すように、基板Ｓが処理ステージ２８上に載置されると、塗布部ＣＴにおいて塗布処理が行われる。当該塗布処理に先立って、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１及びＶ２が閉塞された状態とし、気体供給部３７ａ及び排気部３７ｂを用いて不活性ガスの供給及び吸引を行わせる。

【0133】

この動作により、処理室２０ａの雰囲気及び圧力が調整される。処理室２０ａの雰囲気及び圧力の調整後、制御部ＣＯＮＴは、ノズル駆動部ＮＡ（図８では不図示）を用いてノズルＮＺをノズル待機部４４からノズル先端管理部４５へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、以後塗布処理の間、処理室２０ａの雰囲気及び圧力の調整動作を継続して行わせる。

【0134】

ノズルＮＺがノズル先端管理部４５に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図９に示すように、ノズルＮＺに対して予備吐出動作を行わせる。予備吐出動作では、制御部ＣＯＮＴは、吐出口ＯＰから液状体Ｑを吐出させる。予備吐出動作の後、制御部ＣＯＮＴは、図１０に示すように、払拭部４５ａをガイドレール４５ｂに沿ってＸ方向に移動させ、ノズルＮＺの先端ＴＰ及びその近傍の傾斜部を払拭させる。

【0135】

ノズルＮＺの先端ＴＰを払拭させた後、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを処理ステージ２８へ移動させる。ノズルＮＺの吐出口ＯＰが基板Ｓの−Ｙ側端部に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図１１に示すように、ノズルＮＺを＋Ｙ方向に所定速度で移動させつつ、吐出口ＯＰから基板Ｓへ向けて液状体Ｑを吐出させる。この動作により、基板Ｓ上には液状体Ｑの塗布膜Ｆが形成される。

【0136】

基板Ｓの所定領域に液状体Ｑの塗布膜を形成した後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部２５を用いて基板Ｓを処理ステージ２８から第二ステージ２６Ｂへと＋Ｘ方向に移動させる。また、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを−Ｙ方向へ移動させ、ノズル待機部４４へと戻す。

【0137】

基板Ｓが第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図１３に示すように、ゲートバルブＶ２を開放させ、基板Ｓを第一チャンバーＣＢ１から第二チャンバーＣＢ２へと搬送させる（搬送ステップ）。なお、当該搬送ステップを行う際に、基板Ｓは接続部ＣＮに配置される第三チャンバーＣＢ３を経由する。制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓが第三チャンバーＣＢ３を通過する際に、当該基板Ｓに対して減圧乾燥部ＶＤを用いて乾燥処理を行わせる。具体的には、第三チャンバーＣＢ３の処理室５０ａに基板Ｓが収容された後、制御部ＣＯＮＴは、図１４に示すように、ゲートバルブＶ２を閉塞させる。

【0138】

ゲートバルブＶ２を閉塞させた後、制御部ＣＯＮＴは、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させる。その後、制御部ＣＯＮＴは、図１５に示すように、気体供給部５８を用いて処理室５０ａの雰囲気を調整させると共に、排気部５９を用いて処理室５０ａを減圧させる。この動作により処理室５０ａが減圧すると、基板Ｓに形成された液状体Ｑの塗布膜に含まれる溶媒の蒸発が促進され、塗布膜が乾燥する。なお、制御部ＣＯＮＴは、排気部５９を用いて処理室５０ａを減圧する減圧動作を行わせる間に、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させても構わない。

【0139】

また、制御部ＣＯＮＴは、図１５に示すように、加熱部５３を用いて基板Ｓ上の塗布膜Ｆを加熱する。この動作により、基板Ｓ上の塗布膜Ｆに含まれる溶媒の蒸発が促進され、減圧下での乾燥処理を短時間で行うことができる。制御部ＣＯＮＴは、加熱部５３によって加熱動作を行う間に、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させても構わない。

【0140】

減圧乾燥処理が行われた後、制御部ＣＯＮＴは、図１６に示すように、ゲートバルブＶ３を開放させ、基板Ｓを接続部ＣＮから第二チャンバーＣＢ２へと搬送させる。基板Ｓが第二チャンバーＣＢ２の処理室６０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴはゲートバルブＶ３を閉塞させる。

【0141】

基板支持部７２ａの移動により、図１７に示すように、基板Ｓが第一加熱板８３上の中央部に配置される。その後、制御部ＣＯＮＴは、図１８に示すように、リフト部８５を＋Ｚ方向に移動させる。この動作により、基板Ｓは搬送アーム７２の基板支持部７２ａから離れ、リフト部８５の複数の支持ピン８５ａに支持される。このようにして基板Ｓが基板支持部７２ａからリフト部８５へと渡される。基板Ｓがリフト部８５の支持ピン８５ａによって支持された後、制御部ＣＯＮＴは、基板支持部７２ａをチャンバー装置８０の外部へ−Ｘ方向に退避させる。

【0142】

基板支持部７２ａを退避させた後、制御部ＣＯＮＴは、図１９に示すように、リフト部８５を−Ｚ方向に移動させ基板Ｓを第一加熱板８３上に載置させると共に、第二収容部８２を−Ｚ方向に移動させる。この動作により、第二収容部８２の端部８２ｃが第一収容部８１の端部８１ｃに重なり、端部８２ｃと端部８１ｃとの間で封止部８６が挟まれた状態となる。このため、第一収容部８１、第二収容部８２及び封止部８６によって密閉された焼成室８０ａが形成される。

【0143】

焼成室８０ａを形成し、基板Ｓを第一加熱板８３上に載置させた後、制御部ＣＯＮＴは、図２０に示すように、第一加熱板８３及び第二加熱板８４の温度を上昇させ、基板Ｓを焼成する（加熱ステップ）。加熱ステップでは、例えば塗布膜Ｆに残っている溶剤を蒸発させると共に、塗布膜Ｆを凝集させて塗布膜Ｆに含まれる気泡を除去する。第一加熱板８３及び第二加熱板８４には加熱装置が外側及び内側に二重に配置されており、表面全体が均一に加熱されるため、基板Ｓの加熱ムラが低減される。また、加熱ステップでは、第一加熱板８３及び第二加熱板８４の温度を変えてもよい。

【0144】

また、当該加熱ステップでは、塗布膜Ｆに含まれる金属成分のうち少なくとも一種類の成分を融点以上まで加熱し、塗布膜Ｆの少なくとも一部を溶解させる。例えば、塗布膜ＦがＣＺＴＳ型の太陽電池に用いられる場合であれば、塗布膜Ｆを構成する成分のうち、Ｔｉ、Ｓ、Ｓｅについて融点以上まで加熱し、これらの物質を液状化させて塗布膜Ｆを凝集させる。

【0145】

また、当該加熱ステップでは、塗布膜Ｆに含まれるＳｎ原子をＳ化又はＳｅ化させる反応を行わせる。制御部ＣＯＮＴは、当該反応を促進させるため、例えば硫黄含有ガス（例、硫化水素ガス）などの反応促進用気体を焼成室８０ａに供給させる。塗布膜Ｆに含まれるＳｎ原子がＳ化又はＳｅ化されることにより、塗布膜Ｆの光電変換特性が高められる。

【0146】

上記の加熱ステップでは、制御部ＣＯＮＴは、気体供給部８７（底部給気部８７ａ、段部給気部８７ｂ、天井給気部８７ｃ、段部給気部８７ｄ）を用いて焼成室８０ａに気体を供給すると共に、排気部８８（底部排気部８８ａ、天井排気部８８ｂ）を用いて焼成室８０ａを吸引させる。この動作により、焼成室８０ａの雰囲気及び圧力が調整されると共に、第二収容部８２から第一収容部８１にかけて気流が形成される。当該気流により、塗布膜Ｆから蒸発した溶媒成分や気泡などが押し流され、排気部８８から吸引される。

【0147】

また、制御部ＣＯＮＴは、加熱状態に応じて排気部８８による排気を停止させ、気体供給部８７から窒素ガスなどの気体を焼成室８０ａに供給させることで焼成室８０ａを加圧する（加圧ステップ）。例えば、制御部ＣＯＮＴは、焼成室８０ａが所定の加熱温度に到達するまでは当該焼成室８０ａを減圧させるようにし、所定の加圧温度に到達したときに焼成室８０ａを加圧させるように切り替えることができる。また、制御部ＣＯＮＴは、所定の加圧温度で基板Ｓを一定時間加熱する場合には、当該基板Ｓの加熱されている間は加圧状態を維持させることができる。この動作により、塗布膜Ｆの周囲の圧力が調整された状態で基板Ｓが加熱されるため、例えばＳｎ原子のＳ化又はＳｅ化反応が活発に行われることになる。

【0148】

加熱ステップでは、第一断熱部８９によって第一加熱板８３から第一収容部８１の底部８１ａへの熱の移動が抑制される。また、第二断熱部９０によって第二加熱板８４から第二収容部８２の天井部８２ａへの熱の移動が抑制される。これにより、チャンバー装置８０の温度が上昇しすぎるのを防ぐことができる。なお、制御部ＣＯＮＴは、上記加熱ステップを行う間、冷媒流通部９７の供給部９７ａから排出部９７ｂへ冷媒を流通させて第一収容部８１を冷却させると共に、冷媒流通部９８の供給部９８ａから排出部９８ｂへ冷媒を流通させて第二収容部８２を冷却させる。これにより、チャンバー装置８０の温度が上昇しすぎないようにすることができる。

【0149】

このような加熱ステップが完了した後、塗布膜Ｆが固形化する温度まで当該塗布膜Ｆを冷却する（冷却ステップ）。当該冷却ステップにおいては、まず、制御部ＣＯＮＴは、図２１に示すように、第二収容部８２を＋Ｚ方向に移動させ、チャンバー装置８０を開いた状態にすると共に、気体噴出部９２を待機位置Ｐ１から噴出位置Ｐ２へ移動させる。この動作により、気体噴出部９２の噴出口９２ａが、第一収容部８１（第一加熱板８３）と第二収容部８２（第二加熱板８４）との間の空間に向けられる。

【0150】

この状態で、制御部ＣＯＮＴは、ブロアー９４ｄを作動させる。ブロアー９４ｄの作動により、図２２に示すように、気体噴出部９２の噴出口９２ａから気体が噴出されると共に、吸引部９３の吸引口９３ａから気体が吸引される。この動作により、気体噴出部９２から噴出された気体は、第一加熱板８３と第二加熱板８４との間の空間を＋Ｘ方向に移動して吸引部９３に吸引される。

【0151】

第一加熱板８３と第二加熱板８４との間の空間を＋Ｘ方向に移動する気体は、第一加熱板８３、第二加熱板８４及びその間の空間に配置される基板Ｓの熱を吸収して吸引部９３へと移動する。このため、気体の移動によって第一加熱板８３、第二加熱板８４及び基板Ｓ（塗布膜Ｆを含む）が冷却されることになる。

【0152】

一方、吸引部９３で吸引された気体は、循環部９４のラジエーター９４ｂにおいて冷却され、フィルター９４ｆにおいて異物が除去されて清浄化されて気体噴出部９２に供給される。このため、気体噴出部９２からは、熱の吸収効率が高く清浄な気体が噴出されることになる。したがって、上記循環部９４が設けられることにより、第一加熱板８３、第二加熱板８４及び基板Ｓの冷却効率が高められることになり、チャンバー装置８０の内部を清浄な状態で維持することができる。

【0153】

なお、気体噴出部９２から噴出された気体は、吸引部９３へ向けて＋Ｘ方向に移動する成分を含むが、一方で、第一加熱板８３と第二加熱板８４との間の空間をＹ方向に移動してチャンバー装置８０の外部へ放出される成分も含む。このようにチャンバー装置８０の外部に気体が放出されると、第二チャンバーＣＢ２の環境が変化する場合がある。

【0154】

これに対して、制御部ＣＯＮＴは、チャンバー装置８０が開かれた状態において、第二収容部８２の＋Ｙ側側面及び−Ｙ側側面に設けられた各気体流通規制板８２ｅを−Ｚ方向に移動させ、チャンバー装置８０の＋Ｙ側側面及び−Ｙ側側面を覆わせた状態とすることができる。この状態で気体の噴出及び吸引を行う場合、気体噴出部９２から噴出された気体がチャンバー装置８０の＋Ｙ側又は−Ｙ側から漏れるのを防ぐことが可能となる。したがって、気体噴出部９２から噴出された気体は、より確実に吸引部９３によって吸引され、循環部９４で清浄化及び冷却された状態で気体噴出部９２から再度噴出されることになる。これにより、第二チャンバーＣＢ２の環境を保持することができる。

【0155】

上記冷却ステップにより、塗布膜Ｆを固形化することで、当該塗布膜Ｆの強度が高められることになる。なお、制御部ＣＯＮＴは、上記冷却ステップを行う間、冷媒流通部９７の供給部９７ａから排出部９７ｂへ冷媒を流通させて第一収容部８１を冷却させたり、冷媒流通部９８の供給部９８ａから排出部９８ｂへ冷媒を流通させて第二収容部８２を冷却させたりしてもよい。これにより、チャンバー装置８０の状態をより効率的に調整することができる。

【0156】

冷却ステップの後、制御部ＣＯＮＴは、図２３に示すように、基板Ｓを搬送アーム７２の基板支持部７２ａに保持させて基板Ｓをチャンバー装置８０から搬出する。その後、制御部ＣＯＮＴは、当該基板Ｓを−Ｘ方向へ搬送させる。具体的には、加熱部７０からアーム部７１、基板案内ステージ６６を経て焼成部ＢＫから搬出され、減圧乾燥部ＶＤ、塗布部ＣＴを経て基板供給回収部ＬＵへ戻される。基板Ｓが基板供給回収部ＬＵへ戻された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させた状態で蓋部１４を開放させる。その後、作業者は、チャンバー１０内の基板Ｓを回収し、新たな基板Ｓをチャンバー１０の収容室１０ａに収容させる。

【0157】

なお、基板Ｓが基板供給回収部ＬＵへ戻された後、基板Ｓに形成された塗布膜Ｆ上に更に別の塗布膜を重ねて形成する場合、制御部ＣＯＮＴは、再度基板Ｓを塗布部ＣＴへ搬送させ、塗布処理、減圧乾燥処理及び焼成処理を繰り返して行わせる。このようにして基板Ｓ上に塗布膜Ｆが積層される。

【0158】

また、上記チャンバー装置８０のメンテナンスを行う場合、図２４に示すように、第二収容部８２を−Ｘ方向にスライドさせることにより、Ｘ方向について、第一収容部８１と第二収容部８２とがずれた位置に配置される。この場合、作業者は、第一収容部８１の構成要素及び第二収容部８２の構成要素に対してアクセスしやすくなる。メンテナンス作業が終了した後、第二収容部８２を＋Ｘ方向に移動させて元の位置に戻すことにより、上記の加熱動作が可能となる。

【0159】

以上のように、本実施形態によれば、チャンバー装置８０の第一加熱板８３と第二加熱板８４とで基板Ｓを挟んだ状態で当該基板Ｓを加熱しつつ、気体供給部８７及び排気部８８を含む圧力調整部を用いてチャンバー装置８０の焼成室８０ａを加圧及び減圧することが可能となる。このため、加熱時において塗布膜Ｆの周囲の圧力を高圧から低圧まで所望の値に調整することができる。これにより、基板Ｓの周囲の環境を調整する能力に優れたチャンバー装置８０を提供することができる。

【0160】

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、図２５に示すように、チャンバー装置８０の第一収容部８１と第二収容部８２との間に、スペーサ部材１８０を配置させた状態で加熱ステップを行う構成であってもよい。この場合、チャンバー装置８０の容積（焼成室８０ａの体積）が増加するため、塗布膜Ｆに含まれる溶剤の蒸発量が増加する。また、基板Ｓ（塗布膜Ｆ）と第二加熱板８４との距離が大きくなるため、溶剤が蒸発しやすくなる。これにより、溶剤の蒸発を促進させることができる。

【0161】

上記構成において、スペーサ部材１８０は、第一収容部８１の端部８１ｃ及び第二収容部８２の端部８２ｃの寸法に対応するようにＺ方向視で矩形環状に形成されている。スペーサ部材１８０の底面の一方（図２５では＋Ｚ側の端面）には、封止部１８１が形成されている。スペーサ部材１８０は、第一収容部８１との間では端部８１ｃに設けられた封止部８６によって封止され、第二収容部８２との間では当該封止部１８１によって封止される。これにより、スペーサ部材１８０を配置した場合であっても、チャンバー装置８０の密閉性が保持される。なお、スペーサ部材１８０は、連結部１８２によって第二収容部８２に連結されている。スペーサ部材１８０を第二収容部８２に連結することにより、Ｚ方向における基板搬入位置（高さ）が第一加熱板８３の表面高さとの距離が大きくなりすぎるのを防ぐことができ、基板Ｓを搬入しやすくすることができる。

【0162】

なお、チャンバー装置８０の容積を変更する手法として、上記のようなスペーサ部材１８０を配置させる場合の他に、例えば、チャンバー装置８０の密閉性を維持した状態で第一収容部８１及び第二収容部８２の一部が変形する構成であってもよい。

【0163】

また、上記実施形態においては、第一加熱板８３が支持部８３ｃによって第一収容部８１の側壁部８１ｂに支持された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図２６に示すように、第一加熱板８３の外周に鍔部８３ｆが設けられ、当該鍔部８３ｆが第一収容部８１の段部８１ｄに載置された状態で第一加熱板８３が第一収容部８１に支持される構成であってもよい。この場合、第一加熱板８３と第一収容部８１との間は、位置ずれなどが生じないように、ボルトなどの固定部材によって確実に固定されるようにする。

【0164】

この構成において、鍔部８３ｆは、例えば第一加熱板８３の主要部と同一の材料（石英など）によって形成されている。鍔部８３ｆは、第一加熱板８３の外周の全体に亘って設けられている。このため、第一加熱板８３の外周側から第一収容部８１の底部８１ａ側への気体の回り込みが抑制される。鍔部８３ｆの配置は、例えば第一加熱板８３の所期の温度分布に影響を及ぼさないように設計することができる。

【0165】

また、上記実施形態においては、第二チャンバーＣＢ２のチャンバー装置８０において焼成動作を行わせる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図２７に示すように、チャンバー装置８０とは異なる位置に別途第四チャンバーＣＢ４が設けられ、当該第四チャンバーＣＢ４に設けられる第二チャンバー装置ＨＴによって基板Ｓを加熱する構成であっても構わない。

【0166】

この場合、例えば基板Ｓに塗布膜Ｆを積層させた後、第四チャンバーＣＢ４の第二チャンバー装置ＨＴにおいて、積層された塗布膜Ｆを焼成するための加熱処理（第二加熱ステップ）を行うようにすることができる。なお、第二チャンバー装置ＨＴの構成については、塗布膜Ｆを焼成することが可能な構成であればどのような構成であってもよい。例えば第二チャンバー装置ＨＴの構成を、上記実施形態に記載のチャンバー装置８０と同一構成とすることができる。第二加熱ステップにおける加熱処理では、チャンバー装置８０による加熱処理よりも高い加熱温度で塗布膜Ｆを加熱する。この加熱処理により、積層された塗布膜Ｆの固形分（金属成分）を結晶化させることができるので、塗布膜Ｆの膜質を更に高めることができる。

【0167】

なお、基板Ｓに塗布膜Ｆを積層させた後の加熱については、第二チャンバーＣＢ２のチャンバー装置８０において行うようにしても構わない。この場合、チャンバー装置８０では、塗布膜Ｆの各層を焼成する場合の加熱温度よりも、積層させた後の塗布膜Ｆを焼成する場合の加熱温度の方が高くなるように制御すればよい。

【0168】

また、塗布装置ＣＴＲの構成として、例えば図２８に示すように、基板供給回収部ＬＵの＋Ｘ側に、塗布部ＣＴを有する第一チャンバーＣＢ１、減圧乾燥部ＶＤを有する接続部ＣＮ及び焼成部ＢＫを有する第二チャンバーＣＢ２が繰り返して配置された構成であっても構わない。

【0169】

図２８では、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が３回繰り返して配置された構成が示されているが、これに限られることは無く、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が２回繰り返して配置された構成や、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が４回以上繰り返して配置された構成であっても構わない。

【0170】

このような構成によれば、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２がＸ方向に直列に繰り返し設けられているため、基板Ｓを一方向（＋Ｘ方向）に搬送すれば良く、基板ＳをＸ方向に往復させる必要が無いため、基板Ｓに対して塗布膜を積層する工程を連続して行うことができる。これにより、基板Ｓに対して効率的に塗布膜を形成することができる。

【0171】

なお、上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、設計要求等に基づき種々変更可能である。例えば、上記実施形態においては、塗布部ＣＴの構成として、スリット型のノズルＮＺを用いた構成としたが、これに限られることは無く、例えば中央滴下型の塗布部を用いても構わないし、インクジェット型の塗布部を用いても構わない。また、例えば基板Ｓ（第一基板Ｓ１及び第二基板Ｓ２）上に配置される液状体をスキージなどを用いて拡散させて塗布する構成であっても構わない。

【0172】

また、例えば、上記塗布装置ＣＴＲを用いた処理を行う場合、第一チャンバーＣＢ１、第二チャンバーＣＢ２、第三チャンバーＣＢ３、チャンバー装置８０を含むチャンバー装置の少なくとも１つにおいて、動作時の所定のタイミング（例えば、チャンバー装置への基板Ｓの搬入前、搬出後、ノズルＮＺによる液状体Ｑの吐出前、吐出後、加熱部５３による加熱前、加熱後、第一加熱板８３、第二加熱板８４による加熱前、加熱後など、各チャンバーにおける処理の前後を含む）又は非動作時に、必要に応じてメンテナンス処理や、チャンバー装置の周囲又は内部の状態を所定状態（例えば、初期状態、所定の雰囲気の状態、所定の温度状態など）にするための処理（例えば、構造物の移動、クリーニング、雰囲気調整、温度調整など）を適宜行ってもよい。

【0173】

また、上記メンテナンス処理、上記所定状態にするための各処理等を行う場合には、例えば洗浄液などを用いた洗浄を行ってもよいし、気体供給部５８、気体供給部８７あるいはこれらに対応する構成を用いて、窒素ガス、酸素ガス、アルゴンガス、空気、水蒸気などの各種ガスのうち少なくとも１つのガスあるいは他の種類のガスを適宜各チャンバー装置の周囲又は内部に供給してもよい。また、必要に応じて搬送系（例えば、ローラー、アームなど）を適宜作動させるようにしてもよい。

【0174】

また、上記実施形態において、塗布装置ＣＴＲが一つの部屋に収容される構成である場合、当該部屋の雰囲気を調整する気体供給排出部が設けられた構成であっても構わない。この場合、当該気体供給排出部を用いて部屋の雰囲気中のヒドラジンなどを排出することができるため、部屋全体の雰囲気の清浄化を行うことができ、より確実に塗布環境の変化を抑制することができる。

【0175】

なお、上記において実施形態又はその変形例として記載した各構成要素は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜組み合わせることができるし、また、組み合わされた複数の構成要素のうち一部の構成要素を適宜用いないようにすることもできる。

【符号の説明】

【0176】

ＣＴＲ…塗布装置 Ｓ…基板 ＣＯＮＴ…制御部 ＣＴ…塗布部 ＢＫ…焼成部 ＶＤ…減圧乾燥部 ＢＣ…基台 ＮＺ…ノズル Ｑ…液状体 Ｆ…塗布膜 ＨＴ…加熱部 ＣＢ１…第一チャンバー ＣＢ２…第二チャンバー ＣＢ３…第三チャンバー ＣＢ４…第四チャンバー ＣＮ…接続部 ５１…第一開口部 ５２…第二開口部 ５３…加熱部 ５３ａ…昇降機構 ５５…基板搬送部 ５８…気体供給部 ５９…排気部 ８０…チャンバー装置 ８０ａ…焼成室 ８１…第一収容部 ８１ａ…底部 ８２…第二収容部 ８２ａ…天井部 ８２ｅ…気体流通規制板 ８３…第一加熱板 ８４…第二加熱板 ８６…封止部 ８７…気体供給部 ８８…排気部 ８９…第一断熱部 ９０…第二断熱部 ９１…気体流通部 ９２…気体噴出部 ９３…吸引部 ９４…循環部 ９７…冷媒流通部 ９７ａ…供給部 ９７ｂ…排出部 ９８…冷媒流通部 ９８ａ…供給部 ９８ｂ…排出部 １８０…スペーサ部材 １８１…封止部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】