特許 6350204 描画データ検証方法、プログラム、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6350204

(24)【登録日】2018年6月15日

(45)【発行日】2018年7月4日

(54)【発明の名称】描画データ検証方法、プログラム、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20180625BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20180625BHJP

   H01J 37/305 20060101ALI20180625BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/30 541J

   H01L21/30 541W

   G03F7/20 504

   H01J37/305 B

【請求項の数】6

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2014-214314(P2014-214314)

(22)【出願日】2014年10月21日

(65)【公開番号】特開2016-82147(P2016-82147A)

(43)【公開日】2016年5月16日

【審査請求日】2017年7月13日

(73)【特許権者】

【識別番号】504162958

【氏名又は名称】株式会社ニューフレアテクノロジー

(74)【代理人】

【識別番号】100086911

【弁理士】

【氏名又は名称】重野 剛

(74)【代理人】

【識別番号】100144967

【弁理士】

【氏名又は名称】重野 隆之

(72)【発明者】

【氏名】安井 健一

【審査官】 長谷 潮

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００８−２４２８８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１１１１４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１０−０３１３０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−１７７２２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−３４４３０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１０−１８９４３６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−２７７７３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−００８７３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−０５６０６８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／２０

Ｈ０１Ｊ ３７／３０５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

設計データに基づくベクトル形式の第１描画データからピクセル形式の第２描画データへのデータ変換に伴う変換エラーを検証する描画データ検証方法であって、
前記第２描画データをベクトル形式の第３描画データに変換し、
前記第１描画データと前記第３描画データとで排他的論理和演算を行い、
前記第１描画データの図形を拡大し、拡大図形と該第１描画データの図形との差分から許容誤差領域図形を作成し、
前記排他的論理和演算により生じた図形を前記許容誤差領域図形でマスク処理して欠陥を検出することを特徴とする描画データ検証方法。

【請求項2】

設計データに基づくベクトル形式の第１描画データからピクセル形式の第２描画データへのデータ変換に伴う変換エラーをコンピュータに検証させるプログラムであって、
前記第２描画データをベクトル形式の第３描画データに変換するステップと、
前記第１描画データと前記第３描画データとで排他的論理和演算を行うステップと、
前記第１描画データの図形を拡大し、拡大図形と該第１描画データの図形との差分から許容誤差領域図形を作成するステップと、
前記排他的論理和演算により生じた図形を前記許容誤差領域図形でマスク処理して欠陥を検出するステップと、
を前記コンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。

【請求項3】

複数の荷電粒子ビームからなるマルチビームを形成し、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのオン／オフを行い、対象物上に荷電粒子ビームを照射してパターンを描画する描画部と、
設計データに基づくベクトル形式の第１描画データから変換されたピクセル形式の第２描画データに基づいて前記描画部を制御するとともに、前記第２描画データをベクトル形式の第３描画データに変換し、前記第１描画データと前記第３描画データとで排他的論理和演算を行い、前記第１描画データの図形を拡大し、拡大図形と前記第１描画データの図形との差分から許容誤差領域図形を作成し、前記排他的論理和演算により生じた図形を前記許容誤差領域図形でマスク処理して欠陥を検出する制御部と、
を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置。

【請求項4】

設計データに基づくベクトル形式の第１描画データからピクセル形式の第２描画データへのデータ変換に伴う変換エラーを検証する描画データ検証方法であって、
前記第２描画データをベクトル形式の第３描画データに変換し、
前記第１描画データの図形を拡大して拡大図形を作成し、
前記拡大図形と前記第３描画データの図形とで排他的論理和演算を行い、欠陥を検出することを特徴とする描画データ検証方法。

【請求項5】

設計データに基づくベクトル形式の第１描画データからピクセル形式の第２描画データへのデータ変換に伴う変換エラーをコンピュータに検証させるプログラムであって、
前記第２描画データをベクトル形式の第３描画データに変換するステップと、
前記第１描画データの図形を拡大して拡大図形を作成するステップと、
前記拡大図形と前記第３描画データの図形とで排他的論理和演算を行い、欠陥を検出するステップと、
を前記コンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。

【請求項6】

複数の荷電粒子ビームからなるマルチビームを形成し、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのオン／オフを行い、対象物上に荷電粒子ビームを照射してパターンを描画する描画部と、
設計データに基づくベクトル形式の第１描画データから変換されたピクセル形式の第２描画データに基づいて前記描画部を制御するとともに、前記第２描画データをベクトル形式の第３描画データに変換し、前記第１描画データの図形を拡大して拡大図形を作成し、前記拡大図形と前記第３描画データの図形とで排他的論理和演算を行い、欠陥を検出する制御部と、
を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、描画データ検証方法、プログラム、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置に関する。

【背景技術】

【0002】

ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。

【0003】

電子ビーム描画装置として、可変成形型の電子ビーム描画装置と、マルチビーム描画装置とが知られている。可変成形型電子ビーム描画装置は、２つの成形アパーチャを用いて電子ビームを矩形又は直角二等辺三角形に成形し、描画対象のマスク上に電子ビームを照射する。一方、マルチビーム描画装置は、電子銃から放出された電子ビームを、複数の穴を有するアパーチャ部材を通過させることでマルチビームを形成し、各ビームのブランキング制御を行い、遮蔽しなかったビームを描画対象のマスク上に照射する。

【0004】

可変成形型電子ビーム描画装置を用いて電子ビーム描画を行う場合、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータとして設計データ（ＣＡＤデータ）が生成される。そして、設計データが、描画装置内での演算処理が可能となるようフォーマットを変換され、描画データが生成される。例えば、描画データでは、図形等の描画パターンが、図形の頂点の座標で定義されている。

【0005】

設計データ及び描画データは共にベクトルデータであり、従来、データ変換前後での形状一致を確認するために、設計データと描画データとの間で排他的論理和（ＸＯＲ）演算を行い、差分を欠陥（変換エラー）として検出していた。

【0006】

マルチビーム描画装置を用いて電子ビーム描画を行う場合は、設計データをフォーマット変換してベクトル描画データを生成した後、さらに、ベクトル描画データをピクセル描画データに変換して、描画装置に入力している。

【0007】

ベクトル描画データからピクセル描画データへのデータ変換に伴う変換エラーの有無を検出する場合、比較するデータがベクトルデータとピクセルデータとなるため、上述した従来の方法をそのまま適用することはできなかった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】特開２００８−１７７２２４号公報

【特許文献2】特開２００９−１１１１４８号公報

【特許文献3】特開２００７−２３３８６６号公報

【特許文献4】特開２００４−５６０６８公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、設計データから生成されたベクトル形式の描画データを、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の内部フォーマットに合わせてピクセル形式の描画データに変換する際の変換エラーを精度良く検出する描画データ検証方法、プログラム、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明の一態様による描画データ検証方法は、設計データに基づくベクトル形式の第１描画データからピクセル形式の第２描画データへのデータ変換に伴う変換エラーを検証する描画データ検証方法であって、前記第２描画データをベクトル形式の第３描画データに変換し、前記第１描画データと前記第３描画データとで排他的論理和演算を行い、前記第１描画データの図形を拡大し、拡大図形と該第１描画データの図形との差分から許容誤差領域図形を作成し、前記排他的論理和演算により生じた図形を前記許容誤差領域図形でマスク処理して欠陥を検出することを特徴とする。

【0011】

本発明の一態様によるプログラムは、設計データに基づくベクトル形式の第１描画データからピクセル形式の第２描画データへのデータ変換に伴う変換エラーをコンピュータに検証させるプログラムであって、前記第２描画データをベクトル形式の第３描画データに変換するステップと、前記第１描画データと前記第３描画データとで排他的論理和演算を行うステップと、前記第１描画データの図形を拡大し、拡大図形と該第１描画データの図形との差分から許容誤差領域図形を作成するステップと、前記排他的論理和演算により生じた図形を前記許容誤差領域図形でマスク処理して欠陥を検出するステップと、を前記コンピュータに実行させることを特徴とする。

【0012】

本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、複数の荷電粒子ビームからなるマルチビームを形成し、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのオン／オフを行い、対象物上に荷電粒子ビームを照射してパターンを描画する描画部と、設計データに基づくベクトル形式の第１描画データから変換されたピクセル形式の第２描画データに基づいて前記描画部を制御するとともに、前記第２描画データをベクトル形式の第３描画データに変換し、前記第１描画データと前記第３描画データとで排他的論理和演算を行い、前記第１描画データの図形を拡大し、拡大図形と前記第１描画データの図形との差分から許容誤差領域図形を作成し、前記排他的論理和演算により生じた図形を前記許容誤差領域図形でマスク処理して欠陥を検出する制御部と、を備えるものである。

【0013】

本発明の一態様による描画データ検証方法は、設計データに基づくベクトル形式の第１描画データからピクセル形式の第２描画データへのデータ変換に伴う変換エラーを検証する描画データ検証方法であって、前記第２描画データをベクトル形式の第３描画データに変換し、前記第１描画データの図形を拡大して拡大図形を作成し、前記拡大図形と前記第３描画データの図形とで排他的論理和演算を行い、欠陥を検出することを特徴とする。

【0014】

本発明の一態様によるプログラムは、設計データに基づくベクトル形式の第１描画データからピクセル形式の第２描画データへのデータ変換に伴う変換エラーをコンピュータに検証させるプログラムであって、前記第２描画データをベクトル形式の第３描画データに変換するステップと、前記第１描画データの図形を拡大して拡大図形を作成するステップと、前記拡大図形と前記第３描画データの図形とで排他的論理和演算を行い、欠陥を検出するステップと、を前記コンピュータに実行させることを特徴とする。

【0015】

本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、複数の荷電粒子ビームからなるマルチビームを形成し、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのオン／オフを行い、対象物上に荷電粒子ビームを照射してパターンを描画する描画部と、設計データに基づくベクトル形式の第１描画データから変換されたピクセル形式の第２描画データに基づいて前記描画部を制御するとともに、前記第２描画データをベクトル形式の第３描画データに変換し、前記第１描画データの図形を拡大して拡大図形を作成し、前記拡大図形と前記第３描画データの図形とで排他的論理和演算を行い、欠陥を検出する制御部と、を備えるものである。

【発明の効果】

【0016】

本発明によれば、設計データから生成されたベクトル形式の描画データを、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の内部フォーマットに合わせてピクセル形式の描画データに変換する際の変換エラーを精度良く検出する。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】マルチ荷電粒子ビーム描画装置の概略図である。

【図2】第１の実施形態に係る描画データ検証装置の概略図である。

【図3】ベクトル形式の描画データの一例を示す図である。

【図4】ピクセル形式の描画データの一例を示す図である。

【図5】ピクセル形式の描画データから変換されたベクトル形式の描画データの一例を示す図である。

【図6】ＸＯＲ演算の一例を示す図である。

【図7】誤差許容領域図形の一例を示す図である。

【図8】許容誤差領域図形を用いたマスク処理による欠陥検出の一例を示す図である。

【図9】第２の実施形態に係る描画データ検証装置の概略図である。

【図10】ＸＯＲ演算の一例を示す図である。

【図11】矩形のグループ化の例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。

【0019】

［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態による描画データ検証方法は、設計データから生成されたベクトル形式の描画データを、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の内部フォーマットに合わせてピクセル形式の描画データに変換する際の変換エラーを検出するものである。描画データ検証方法の説明に先立ち、マルチ荷電粒子ビーム描画装置について説明する。

【0020】

図１は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の概略図である。ここでは、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子ビームでもよい。

【0021】

図１に示す描画装置１は、マスクやウェーハ等の対象物に電子ビームを照射して所望のパターンを描画する描画部１０と、描画部１０による描画動作を制御する制御部５０とを備える。描画部１０は、電子ビーム鏡筒１２及び描画室３０を有している。

【0022】

電子ビーム鏡筒１２内には、電子銃１４、照明レンズ１６、アパーチャ部材１８、ブランキングプレート２０、縮小レンズ２２、制限アパーチャ部材２４、対物レンズ２６、及び偏向器２８が配置されている。描画室３０内には、ＸＹステージ３２が配置される。ＸＹステージ３２上には、描画対象基板となるマスクブランク３４が載置されている。対象物として、例えば、ウェーハや、ウェーハにエキシマレーザを光源としたステッパやスキャナ等の縮小投影型露光装置や極端紫外線露光装置を用いてパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、描画対象基板には、例えば、既にパターンが形成されているマスクも含まれる。例えば、レベンソン型マスクは２回の描画を必要とするため、１度描画されマスクに加工された物に２度目のパターンを描画することもある。ＸＹステージ３２上には、さらに、ＸＹステージ３２の位置測定用のミラー３６が配置される。

【0023】

制御部５０は、制御計算機５２、偏向制御回路５４，５６、及びステージ位置検出器５８を有している。制御計算機５２、偏向制御回路５４，５６、及びステージ位置検出器５８は、バスを介して互いに接続されている。

【0024】

電子銃１４から放出された電子ビーム４０は、照明レンズ１６によりほぼ垂直にアパーチャ部材１８全体を照明する。アパーチャ部材１８には、穴（開口部）が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。電子ビーム４０は、アパーチャ部材１８のすべての穴が含まれる領域を照明する。これらの複数の穴を電子ビーム４０の一部がそれぞれ通過することで、図１に示すようなマルチビーム４０ａ〜４０ｅが形成されることになる。

【0025】

ブランキングプレート２０には、アパーチャ部材１８の各穴の配置位置に合わせて通過孔が形成され、各通過孔には、対となる２つの電極からなるブランカが、それぞれ配置される。各通過孔を通過する電子ビーム４０ａ〜４０ｅは、それぞれ独立に、ブランカが印加する電圧によって偏向される。かかる偏向によってブランキング制御される。このように、複数のブランカが、アパーチャ部材１８の複数の穴を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。

【0026】

ブランキングプレート２０を通過したマルチビーム４０ａ〜４０ｅは、縮小レンズ２２によって、縮小され、制限アパーチャ部材２４に形成された中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングプレート２０のブランカにより偏向された電子ビームは、制限アパーチャ部材２４の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ部材２４によって遮蔽される。一方、ブランキングプレート２０のブランカによって偏向されなかった電子ビームは、制限アパーチャ部材２４の中心の穴を通過する。

【0027】

このように、制限アパーチャ部材２４は、ブランキングプレート２０のブランカによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに制限アパーチャ部材２４を通過したビームが、１回分のショットのビームとなる。制限アパーチャ部材２４を通過したマルチビーム４０ａ〜４０ｅは、対物レンズ２６により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となる。制限アパーチャ部材２４を通過した各ビーム（マルチビーム全体）は、偏向器２８によって同方向にまとめて偏向され、各ビームのマスクブランク３４上のそれぞれの照射位置に照射される。

【0028】

ＸＹステージ３２が連続移動している時、ビームの照射位置がＸＹステージ３２の移動に追従するように偏向器２８によって制御される。ＸＹステージ３２の移動は図示しないステージ制御部により行われ、ＸＹステージ３２の位置はステージ位置検出器５８により検出される。

【0029】

一度に照射されるマルチビームは、理想的にはアパーチャ部材１８の複数の穴の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。この描画装置は、ショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画動作を行い、所望のパターンを描画する際、パターンに応じて必要なビームがブランキング制御によりビームＯＮに制御される。ＸＹステージ３２が連続移動している時、ビームの照射位置がＸＹステージ３２の移動に追従するように偏向器２８によって制御される。

【0030】

制御計算機５２は、記憶装置６８からピクセル形式の描画データＤ２を読み出し、複数段のデータ変換処理を行って装置固有のショットデータを生成する。ショットデータには、各ショットの照射量及び照射位置座標等が定義される。

【0031】

制御計算機５２は、ショットデータに基づき各ショットの照射量を偏向制御回路５４に出力する。偏向制御回路５４は、入力された照射量を電流密度で割って照射時間ｔを求める。そして、偏向制御回路５４は、対応するショットを行う際、照射時間ｔだけブランカがビームＯＮするように、ブランキングプレート２０の対応するブランカに偏向電圧を印加する。

【0032】

また、制御計算機５２は、ショットデータが示す位置（座標）に各ビームが偏向されるように、偏向位置データを偏向制御回路５６に出力する。偏向制御回路５６は、偏向量を演算し、偏向器２８に偏向電圧を印加する。これにより、その回にショットされるマルチビームがまとめて偏向される。

【0033】

半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータとなる設計データ（ＣＡＤデータ）Ｄ０が生成されると、この設計データＤ０は記憶装置６０に格納される。そして、設計データＤ０が変換装置６２で変換され、描画データＤ１が生成される。描画データＤ１は記憶装置６４に格納される。描画データＤ１では、図形等の描画パターンが、図形の頂点の座標で定義されている。設計データＤ０及び描画データＤ１は共にベクトル形式のデータである。

【0034】

変換装置６６は、ベクトル形式の描画データＤ１を、描画装置１の内部フォーマットに合わせて、ピクセル形式の描画データＤ２に変換する。これにより、描画装置１の制御計算機５２に入力される描画データＤ２が生成される。生成された描画データＤ２は記憶装置６８に格納される。なお、以下の説明では、ベクトル形式の描画データＤ１、ピクセル形式の描画データＤ２をそれぞれ、ベクトル描画データＤ１、ピクセル描画データＤ２と記載する。

【0035】

次に、描画データ検証方法について説明する。図２は本実施形態に係る描画データ検証装置の概略図である。図２に示すように、描画データ検証装置１００は、ベクトル図形変換部１０２、ＸＯＲ検証処理部１０４、許容誤差領域図形作成部１０６、及びマスク処理部１０８を備える。

【0036】

描画データ検証装置１００には、ベクトル描画データＤ１及びピクセル描画データＤ２が入力され、変換装置６６がベクトル描画データＤ１をピクセル描画データＤ２に変換する際の変換エラー（欠陥）の検出を行う。描画データ検証装置１００に入力されるベクトル描画データＤ１及びピクセル描画データＤ２の例をそれぞれ図３、図４に示す。図４に示すピクセル描画データＤ２では、メッシュ（ピクセル）の値を面積率としている。

【0037】

ベクトル図形変換部１０２は、ピクセル描画データＤ２をベクトル形式の描画データＤ３に変換する。具体的には、０以外の値を持つピクセルを、そのピクセル枠と等しい位置とサイズを持つ矩形に変換する。変換後のベクトル描画データＤ３は、矩形群からなる図形の描画パターンを有する。例えば、図４に示すピクセル描画データＤ２を変換した場合、図５に示すようなベクトル描画データＤ３が生成される。

【0038】

ＸＯＲ検証処理部１０４は、ベクトル描画データＤ１と、ベクトル図形変換部１０２により生成されたベクトル描画データＤ３とで排他的論理和（ＸＯＲ）演算を行う。ベクトル描画データＤ３の矩形群に含まれる各矩形について、ベクトル描画データＤ１とＸＯＲ演算する。このＸＯＲ演算により、ベクトル描画データＤ１とベクトル描画データＤ３との差分図形が生成される。

【0039】

例えば、図３に示すベクトル描画データＤ１と図５に示すベクトル描画データＤ３とでＸＯＲ演算を行うことで、図６に示すような差分図形１２０が得られる。この差分図形には、真の欠陥１２２だけでなく、疑似欠陥１２４も含まれる。この疑似欠陥１２４は、ベクトル描画データＤ１をピクセル描画データＤ２に変換する際に、ベクトル図形の辺とピクセルの境界とが一致しないことや、ベクトル図形の任意角近似により生じるものである。

【0040】

許容誤差領域図形作成部１０６は、ベクトル描画データＤ１の図形を拡大し、拡大図形とベクトル描画データＤ１の図形との差分（拡大前後の差分）から許容誤差領域図形を作成する。例えば、図７（ａ）に示すように、ベクトル描画データＤ１の図形１４０を拡大し、拡大図形１４２を得る。そして、図７（ｂ）に示すような、拡大図形１４２と図形１４０との差分図形であるリング状の許容誤差領域図形１４４（図示の斜線部）を作成する。

【0041】

ベクトル描画データＤ１の図形１４０を拡大する際、水平及び垂直の辺に対する拡大幅δはδ＝ＰｉｘＳｉｚｅ−１ａｕとし、斜めの辺に対する拡大幅εはε＝ＰｉｘＳｉｚｅ×（ｃｏｓθ＋ｓｉｎθ）−１ａｕとする。ここで、ＰｉｘＳｉｚｅは１つのピクセル枠のサイズであり、ａｕはビームの最小照射単位である。拡大幅をＰｉｘＳｉｚｅ以上とすると、後述するマスク処理において真の欠陥を見落とすおそれがあるため、拡大幅はＰｉｘＳｉｚｅより小さくする。

【0042】

マスク処理部１０８は、ＸＯＲ検証処理部１０４により生成された差分図形を、許容誤差領域図形作成部１０６により作成された許容誤差領域図形でマスクし、許容誤差領域図形内の差分図形を除去する。このマスク処理により、差分図形に含まれる疑似欠陥を除去し、真の欠陥のみを検出することができる。

【0043】

例えば、図８（ａ）に示すように、差分図形１２０を許容誤差領域図形１４４でマスクすることで、疑似欠陥１２４が除去され、真の欠陥１２２が検出される。図８（ｂ）に示すように、真の欠陥１２２に対応するピクセルが、変換装置６６がベクトル描画データＤ１をピクセル描画データＤ２に変換する際の変換エラー（欠陥）である。

【0044】

本実施形態によれば、ベクトル描画データＤ１を拡大した拡大図形１４２から許容誤差領域図形１４４を作成し、この許容誤差領域図形１４４を用いてマスク処理することで、ピクセル描画データＤ２をベクトル図形に変換したベクトル描画データＤ３とベクトル描画データＤ１との差分図形に含まれる疑似欠陥を除去できる。そのため、設計データＤ０から生成されたベクトル描画データＤ１を、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の内部フォーマットに合わせたピクセル描画データＤ２に変換する際の変換エラーを精度良く検出することができる。

【0045】

［第２の実施形態］
上記第１の実施形態では、ピクセル描画データＤ２をベクトル図形に変換したベクトル描画データＤ３とベクトル描画データＤ１との差分図形に含まれる疑似欠陥を、許容誤差領域図形１４４を用いたマスク処理により除去していたが、ベクトル描画データＤ１の拡大図形とベクトル描画データＤ３とのＸＯＲ演算を行い、疑似欠陥の含まれない差分図形（真の欠陥）を検出するようにしてもよい。

【0046】

図９は第２の実施形態に係る描画データ検証装置の概略図である。図９に示すように、描画データ検証装置２００は、ベクトル図形変換部２０２、拡大図形作成部２０４、及びＸＯＲ検証処理部２０６を備える。描画データ検証装置２００に入力されるベクトル描画データＤ１及びピクセル描画データＤ２は上記第１の実施形態と同じである。

【0047】

ベクトル図形変換部２０２は、上記第１の実施形態におけるベクトル図形変換部１０２と同じであり、ピクセル描画データＤ２をベクトル形式の描画データＤ３に変換する。

【0048】

拡大図形作成部２０４は、ベクトル描画データＤ１の図形を拡大し、拡大図形を作成する。これは、上記第１の実施形態において、図７（ａ）に示すように、ベクトル描画データＤ１の図形１４０を拡大し、拡大図形１４２を作成するのと同じ処理である。

【0049】

ＸＯＲ検証処理部２０６は、ベクトル図形変換部２０２により生成されたベクトル描画データＤ３と、拡大図形作成部２０４により作成された拡大図形とでＸＯＲ演算を行う。ベクトル描画データＤ３の矩形群に含まれる各矩形について、拡大図形とＸＯＲ演算する。このＸＯＲ演算により、ベクトル描画データＤ３と拡大図形との差分図形が生成される。

【0050】

例えば、図５に示すベクトル描画データＤ３と図７（ａ）に示す拡大図形１４２とでＸＯＲ演算を行うことで、図１０に示す差分図形２２０が得られる。この差分図形２２０には疑似欠陥は含まれず、真の欠陥だけが検出される。

【0051】

このように、本実施形態によれば、ベクトル描画データＤ１をピクセル描画データＤ２に変換する際にベクトル図形の辺とピクセルの境界とが一致しないことや、ベクトル図形の任意角近似により生じる疑似欠陥を考慮して、ベクトル描画データＤ１の図形を拡大した拡大図形と、ベクトル描画データＤ３とをＸＯＲ演算することで、疑似欠陥を含まない真の欠陥のみからなる差分図形を検出することができる。そのため、設計データＤ０から生成されたベクトル描画データＤ１を、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の内部フォーマットに合わせたピクセル描画データＤ２に変換する際の変換エラーを精度良く検出することができる。

【0052】

上記第１及び第２の実施形態では、ＸＯＲ演算を行う際、ベクトル描画データＤ３の矩形群に含まれる各矩形についてＸＯＲ演算を行っており、ＸＯＲ演算の回数は、０以外の値を持つピクセルの数又はそれ以上となっていた。ここで、ＸＯＲ演算を行う前に、図１１に示すように、複数の矩形をグループ化し、各グループについてＸＯＲ演算を行うようにしてもよい。これにより、ＸＯＲ演算の演算回数を削減し、処理効率を向上させることができる。

【0053】

描画データ検証装置１００、２００は、検出した欠陥を表示するディスプレイや、検出結果を保存するメモリ等をさらに備えていてもよい。

【0054】

上記第１、第２の実施形態による描画データの検証は描画装置１の制御計算機５２内で行ってもよい。例えば、制御計算機５２に、描画データ検証装置１００又は２００の機能と、変換装置６６の機能とが設けられ、ベクトル描画データＤ１が入力されると、制御計算機５２内でベクトル描画データＤ１をピクセル描画データＤ２に変換するとともに、この変換に伴うエラー（欠陥）の有無を検証する。制御計算機５２に変換装置６２の機能をさらに設け、設計データＤ０が入力されると、制御計算機５２内で設計データＤ０をベクトル描画データＤ１に変換できるようにしてもよい。

【0055】

上述した実施形態で説明した描画データ検証装置１００、２００の少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、描画データ検証装置１００、２００の少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。

【0056】

また、描画データ検証装置１００、２００の少なくとも一部の機能を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線（無線通信も含む）を介して頒布してもよい。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布してもよい。

【0057】

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

【符号の説明】

【0058】

１ 描画装置
１０ 描画部
１２ 電子ビーム鏡筒
１４ 電子銃
１６ 照明レンズ
１８ アパーチャ部材
２０ ブランキングプレート
２２ 縮小レンズ
２４ 制限アパーチャ部材
２６ 対物レンズ
２８ 偏向器
３０ 描画室
３２ ＸＹステージ
３４ マスクブランク
３６ ミラー
５０ 制御部
６０、６４、６８ 記憶装置
１００、２００ 描画データ検証装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】