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特許6362266ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法及びＳｉＣエピタキシャル成長装置
発明の名称 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法及びＳｉＣエピタキシャル成長装置
出願人 昭和電工株式会社 （識別番号 2004）
特許公開件数ランキング 11648 位（1件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 24450 位（0件）（共同出願を含む）
出願人 一般財団法人電力中央研究所 （識別番号 173809）
特許公開件数ランキング 826 位（30件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 665 位（31件）（共同出願を含む）
出願人 株式会社デンソー （識別番号 4260）
特許公開件数ランキング 16 位（1238件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 8 位（1350件）（共同出願を含む）
出願人 株式会社豊田中央研究所 （識別番号 3609）
特許公開件数ランキング 89 位（355件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 158 位（191件）（共同出願を含む）
出願人 トヨタ自動車株式会社 （識別番号 3207）
特許公開件数ランキング 2 位（5707件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 1 位（4602件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-6362266
公報発行日 2018年7月25
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6362266
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