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公報発行日 2018年8月1
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【図1】本発明の複合層構造体の断面図。
【図2】本発明におけるBSCFの示差熱(DTA)及び熱重量(TG)の測定結果を示すグラフ。
【図3】本発明におけるBa0.5Sr0.5Co0.8Fe0.2O3−δ(BSCF:δは酸素欠損による変動であり、電気的中性条件を満たすように定まる値である。)層に対するXRD回折結果を示すグラフ。
【図4】本発明におけるBSCF層に対するXRD回折結果からバックグラウンドピークの削除を行った後の結果を示すスペクトル。
【図5】NGO単結晶基板上に、950℃で形成したBSCF層の表面をSEM観察した結果を示す写真。
【図6】本発明におけるBSCF層の破断面をSEM観察した結果を示す写真。
【図7】本発明におけるBSCF層の導電率の温度依存性を示すグラフ。
【図8】本発明におけるBSCF層の表面をSEM観察した結果を示す写真であり、(a)は熱アニール温度700℃の場合、(b)は熱アニール温度950℃の場合である。
【図9】本発明において、種々の酸素分圧(0.01atm〜0.50atm)で、575℃でのインピーダンススペクトルのナイキストプロット。
【図10】本発明において、種々の酸素分圧(0.01atm〜0.50atm)で、1000/Tに対する試料1の比面積分極抵抗(ASRpol)を示すグラフ。
【図11】本発明において、pO2=0.05atm及び575℃での、試料1及び3に関する薄膜カソードで得られたDRTスペクトルを比較するためのグラフ。
【図12】本発明において、種々の酸素分圧(0.01atm〜0.50atm)でのインピーダンススペクトルのナイキストプロット。
【図13】試験後の試料1及び3のSEM像を示す写真であり、(a)は試料1の場合、(b)は試料3の場合である。
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