特許 6376249 選別装置、選別装置の製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】6376249

(24)【登録日】2018年8月3日

(45)【発行日】2018年8月22日

(54)【発明の名称】選別装置、選別装置の製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法

(51)【国際特許分類】

   C30B 29/06 20060101AFI20180813BHJP

   C30B 15/00 20060101ALI20180813BHJP

【ＦＩ】

   C30B29/06 C

   C30B15/00 Z

   C30B29/06 A

   C30B29/06 502A

【請求項の数】9

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2017-111329(P2017-111329)

(22)【出願日】2017年6月6日

【審査請求日】2017年6月6日

(73)【特許権者】

【識別番号】302006854

【氏名又は名称】株式会社ＳＵＭＣＯ

(74)【代理人】

【識別番号】110000637

【氏名又は名称】特許業務法人樹之下知的財産事務所

(72)【発明者】

【氏名】田口 幸樹

(72)【発明者】

【氏名】中尾 年幸

(72)【発明者】

【氏名】松隈 伸

【審査官】 増山 淳子

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００４−１６１５９５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ３０Ｂ １／００−３５／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

シリコン単結晶インゴットのシリコン原料の選別に用いる選別装置であって、
選別時に前記シリコン原料が載置される平面状の作業面を有する作業用部材を備え、
前記作業用部材は、単結晶のシリコンにより形成されていることを特徴とする選別装置。

【請求項2】

請求項１に記載の選別装置において、
前記作業用部材は、シリコン単結晶インゴットからの切り出しによって製造されたことを特徴とする選別装置。

【請求項3】

請求項１または請求項２に記載の選別装置において、
前記作業用部材の抵抗率は、１３００Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする選別装置。

【請求項4】

請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の選別装置において、
前記作業用部材を下方から支持する支持部材を備え、
前記作業用部材は、前記支持部材上に並んで配置される複数の作業用分割部材から構成されていることを特徴とする選別装置。

【請求項5】

請求項４に記載の選別装置において、
前記支持部材における前記作業用分割部材を支持する支持面には、前記作業用分割部材の並び方向の位置決めをする位置決め部が設けられていることを特徴とする選別装置。

【請求項6】

請求項５に記載の選別装置において、
前記位置決め部は、互いに隣り合う作業用分割部材の間に隙間が形成されるように設けられ、
前記支持部材における前記隙間に対応する位置には、前記支持面に対して交差する方向に貫通する貫通孔または前記支持面に対して凹む溝部が設けられていることを特徴とする選別装置。

【請求項7】

チョクラルスキー法を用いたシリコン単結晶インゴットの製造方法であって、
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の選別装置を用いてシリコン原料を選別し、この選別したシリコン原料を用いてシリコン単結晶インゴットを育成することを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法。

【請求項8】

シリコン原料が載置される平面状の作業面を有する作業用部材を備え、前記シリコン原料の選別に用いる選別装置の製造方法であって、
前記作業用部材をシリコン単結晶インゴットからの切り出しによって製造する工程を備えていることを特徴とする選別装置の製造方法。

【請求項9】

請求項８に記載の選別装置の製造方法において、
前記作業用部材を製造する工程は、前記シリコン単結晶インゴットから複数の作業用分割部材を切り出す工程と、前記複数の作業用分割部材の上面が同一面上に位置するように、前記複数の作業用分割部材を支持部材で下から支持することで前記作業用部材を構成する工程とを備えていることを特徴とする選別装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、選別装置、選別装置の製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶インゴットの製造に際し、そのシリコン単結晶インゴットの品質を維持するために、シリコン原料を選別することが行われている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１には、大きさが５ｍｍ角以上のシリコン原料を、櫛を用いて選別することで、保管の際に使用される袋から削り取られた微小な屑が付着しやすい小さいシリコン原料を取り除き、選別されたシリコン原料を高純度ポリエチレンシート上に保管することが好ましいことが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６−１４７７８１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１の方法では、サイズが大きなシリコン原料であっても、ポリエチレンシートとシリコン原料とが擦れることで、ポリエチレンシートから発生した有機系の粉がシリコン原料に付着するおそれがある。有機系の粉が付着したシリコン原料を用いてシリコン単結晶インゴットを育成すると、シリコン単結晶インゴットの炭素濃度が上昇してしまうという問題点がある。

【0005】

本発明の目的は、シリコン単結晶インゴットにおける炭素濃度の上昇が抑制されるようなシリコン原料を選別可能な選別装置、選別装置の製造方法、および、この選別装置で選別されたシリコン原料を用いたシリコン単結晶インゴットの製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の選別装置は、シリコン単結晶インゴットのシリコン原料の選別に用いる選別装置であって、選別時に前記シリコン原料が載置される平面状の作業面を有する作業用部材を備え、前記作業用部材は、単結晶のシリコンにより形成されていることを特徴とする。

【0007】

本発明によれば、シリコンで構成された作業用部材上でシリコン原料の選別を行うため、作業用部材とシリコン原料とが擦れても、作業用部材からは、不純物ではないシリコンの粉が発生するだけである。したがって、このような粉が仮にシリコン原料に付着したとしても、シリコン単結晶インゴットの炭素濃度が上昇することを抑制できる。また、多結晶のシリコンを用いる場合と比べて加工性を向上できる。さらに、シリコン原料との接触による作業用部材のチッピング発生を抑制でき、作業用部材の長寿命化を図ることができる。

【0010】

本発明の選別装置において、前記作業用部材は、シリコン単結晶インゴットからの切り出しによって製造されたことが好ましい。

【0011】

本発明によれば、製品規格から外れたシリコン単結晶インゴットを作業用部材の製造に用いることができ、規格外品の有効活用を図ることができる。また、作業用部材から発生した粉が選別中にシリコン原料に付着しても、この粉はシリコン単結晶インゴットから発生したものなので、当該シリコン原料を用いて育成されたシリコン単結晶インゴットの品質に及ぼす影響を最小限に抑制できる。

【0012】

本発明の選別装置において、前記作業用部材の抵抗率は、１３００Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。

【0013】

作業用部材の抵抗率が１３００Ω・ｃｍ以上の場合、この作業用部材には抵抗率調整用のドーパントがほとんど入っていないといえる。
本発明によれば、仮に作業用部材の欠片がシリコン原料に混入して、シリコン単結晶インゴットの育成に用いられたとしても、当該シリコン単結晶インゴットにおける抵抗率の設計値からのずれを抑制できる。

【0014】

本発明の選別装置において、前記作業用部材を下方から支持する支持部材を備え、前記作業用部材は、前記支持部材上に並んで配置される複数の作業用分割部材から構成されていることが好ましい。

【0015】

本発明によれば、作業用分割部材を支持部材上に並べるだけの簡単な方法で、大面積の作業用部材を形成できる。また、作業用部材の一部が破損した場合、この破損箇所を含む作業用分割部材のみを交換することができる。

【0016】

本発明の選別装置において、前記支持部材における前記作業用分割部材を支持する支持面には、前記作業用分割部材の並び方向の位置決めをする位置決め部が設けられていることが好ましい。

【0017】

本発明によれば、位置決め部で作業用分割部材を位置決めするだけの簡単な方法で、作業用部材を形成できる。

【0018】

本発明の選別装置において、前記位置決め部は、互いに隣り合う作業用分割部材の間に隙間が形成されるように設けられ、前記支持部材における前記隙間に対応する位置には、前記支持面に対して交差する方向に貫通する貫通孔または前記支持面に対して凹む溝部が設けられていることが好ましい。

【0019】

本発明によれば、作業用部材から発生した粉を、作業用分割部材間の隙間を介して支持部材の貫通孔または溝部に導くことができ、当該粉がシリコン原料に付着することを抑制できる。

【0020】

本発明のシリコン単結晶インゴットの製造方法は、チョクラルスキー法を用いたシリコン単結晶インゴットの製造方法であって、上述の選別装置を用いてシリコン原料を選別し、この選別したシリコン原料を用いてシリコン単結晶インゴットを育成することを特徴とする。
本発明の選別装置の製造方法は、シリコン原料が載置される平面状の作業面を有する作業用部材を備え、前記シリコン原料の選別に用いる選別装置の製造方法であって、前記作業用部材をシリコン単結晶インゴットからの切り出しによって製造する工程を備えていることを特徴とする。
本発明の選別装置の製造方法において、前記作業用部材を製造する工程は、前記シリコン単結晶インゴットから複数の作業用分割部材を切り出す工程と、前記複数の作業用分割部材の上面が同一面上に位置するように、前記複数の作業用分割部材を支持部材で下から支持することで前記作業用部材を構成する工程とを備えていることが好ましい。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】本発明の一実施形態に係る選別装置の平面図。

【図2】図１のII−II線に沿う端面図。

【図3】図１のIII−III線に沿う端面図。

【図4】図１のIV−IV線に沿う端面図。

【図5】前記一実施形態における単結晶引き上げ装置の概略構成を示す模式図。

【発明を実施するための形態】

【0022】

［実施形態］
以下、本発明の一実施形態について説明する。
〔選別装置の構成〕
図１および図２に示すように、選別装置１は、上方が開口した四角箱状の筐体１１と、この筐体１１内で支持された支持部材としての支持板１２と、この支持板１２に支持された作業用部材としての作業板１３と、この作業板１３の外周を囲むように支持板１２で支持された側壁板１４とを備えている。選別装置１は、移動可能なように台車上に載置されていてもよい。筐体１１および支持板１２の材料は特に限定されず、塩化ビニールなどの樹脂で形成されていてもよいし、金属で形成されていてもよい。
なお、選別装置１の説明に関し、図１に示す＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向をそれぞれの左方向、右方向、前方向、後方向という。

【0023】

筐体１１の側面部１１１の内側面には、支持板１２を下から支持する支持凸部１１２が設けられている。前方向の側面部１１１における左隅部および後方向の側面部１１１における右隅部には、吸引孔１１３が設けられている。吸引孔１１３には、配管９１を介して図示しない吸引手段が接続されており、当該吸引手段の駆動によって筐体１１内部を吸引できるようになっている。

【0024】

支持板１２は、四角板状に形成され、その支持面１２１によって作業板１３を下方から支持する。支持板１２には、図１〜図３に示すように、当該支持板１２の前後方向に延びる３本の貫通孔１２２が設けられている。貫通孔１２２は、左右方向に等間隔で設けられている。

【0025】

支持面１２１における前方向、後方向、右方向および左方向側の端縁には、図２〜図４に示すように、当該支持面１２１に対して凹む立設用凹部１２３が設けられている。
支持面１２１には、図１および図４に示すように、当該支持面１２１から突出する複数の位置決め部としての位置決め凸部１２４が設けられている。位置決め凸部１２４は、貫通孔１２２の外縁から左右方向に線状に延びるように設けられている。位置決め凸部１２４の幅（上下方向の寸法）は、隣り合う分割作業板１３１の間の隙間１３２の大きさを規定する。
支持板１２は、分割線１２Ｃで分割された第１の分割支持板１２Ａと第２の分割支持板１２Ｂとで構成されている。

【0026】

作業板１３は、長方形板状の複数の作業用分割部材としての分割作業板１３１から構成されている。分割作業板１３１は、単結晶のシリコンにより形成されている。分割作業板１３１は、シリコン単結晶インゴットからの切り出しにより製造されている。分割作業板１３１の抵抗率は、１３００Ω・ｃｍ以上、７０００Ω・ｃｍ以下である。上限値の７０００Ω・ｃｍは、チョクラルスキー法によりドーパントを添加せず育成可能なシリコン単結晶インゴットの実績値から決定した値である。
分割作業板１３１は、支持面１２１における立設用凹部１２３の内側に敷き詰められている。分割作業板１３１は、一部が貫通孔１２２の上に位置するように配置されている。

【0027】

分割作業板１３１の前後方向の位置決めは、位置決め凸部１２４または側壁板１４との当接によって行われている。位置決め凸部１２４を挟んだ一対の分割作業板１３１の間には、隙間１３２が形成されている。この隙間１３２の下側には貫通孔１２２が位置しており、これら隙間１３２および貫通孔１２２によって、作業板１３の上方と支持板１２の下方とを連通する連通孔１５が構成されている。分割作業板１３１の左右方向の位置決めは、隣接する分割作業板１３１または側壁板１４との当接によって行われている。

【0028】

側壁板１４は、複数の分割側壁板１４１によって構成されている。分割側壁板１４１は、分割作業板１３１と同じシリコン単結晶インゴットからの切り出しにより製造されていることが好ましい。分割側壁板１４１がシリコンから形成されている場合、その抵抗率は、１３００Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。
分割側壁板１４１は、その下端部分が立設用凹部１２３に嵌め込まれ、かつ、隣り合う分割側壁板１４１同士が接触するように配置される。
このような分割側壁板１４１の配置によって、作業板１３を囲む側壁板１４が形成される。

【0029】

〔シリコン原料の選別方法〕
次に、上記選別装置１を用いたシリコン原料の選別方法について説明する。
まず、作業者は、作業面１３Ａ上に塊状のシリコン原料を載せるとともに、吸引手段の駆動を開始する。そして、作業者は、サイズが所定サイズ以下であったり、形状が所定形状ではないなどの理由により規格外となったシリコン原料を作業面１３Ａ上から取り除く。このとき、作業板１３とシリコン原料との擦れによって作業板１３やシリコン原料から発生する粉や、シリコン原料同士の接触によって発生する粉は、連通孔１５を介して、支持板１２の下方に導かれ吸引孔１１３を介して筐体１１外部に排出される。
以上により、作業板１３やシリコン原料から発生した粉の付着量が最小限に抑制されたシリコン原料が選別される。

【0030】

〔シリコン単結晶インゴットの製造方法〕
次に、シリコン単結晶インゴットの製造方法について説明する。
まず、図５に示すようなチョクラルスキー法に用いられる単結晶引き上げ装置１０の坩堝２２に、選別装置１を用いて選別されたシリコン原料を充填した後、ヒータ２３で坩堝２２を加熱することでシリコン融液Ｍを生成する。また、必要に応じて、シリコン融液Ｍに抵抗率調整用のドーパントを添加する。
その後、チャンバ２１にアルゴンガスを導入して減圧下の不活性雰囲気に維持し、坩堝２２を回転させつつ、シリコン融液Ｍに種結晶ＳＣを接触させた後に、引き上げケーブル
引き上げケーブル２４によって引き上げることで、シリコン単結晶インゴットＳＭを育成する。
引き続き、チャンバ２１を開放せずに、チャンク管を用いてシリコン原料のリチャージを行う場合には、選別装置１を用いて選別されたシリコン原料をチャンク管を介して坩堝２２に充填する。

【0031】

〔実施形態の作用効果〕
上記実施形態によれば、作業板１３をシリコンで形成しているため、作業用部材とシリコン原料とが擦れたとしても、シリコン以外の粉が発生することを防止できる。したがって、選別時に発生した粉が仮にシリコン原料に付着しても、シリコン単結晶インゴットＳＭの炭素濃度の上昇を抑制できる。また、仮に作業板１３の欠片がシリコン原料に混入しても、シリコン単結晶インゴットＳＭの炭素濃度の上昇を抑制できる。

【0032】

特に、作業板１３をシリコン単結晶インゴットＳＭからの切り出しにより製造しているため、規格外品のシリコン単結晶インゴットＳＭの有効活用を図れる上、当該作業板１３から発生したシリコンの粉がシリコン原料に付着しても、シリコン単結晶インゴットＳＭの品質に及ぼす影響を最小限に抑制できる。さらに、作業板１３を容易に製造できる。
作業板１３として抵抗率が１３００Ω・ｃｍ以上のものを用いているため、シリコン単結晶インゴットＳＭにおける抵抗率の設計値からのずれを抑制できる。

【0033】

位置決め凸部１２４によって分割作業板１３１の間に隙間１３２が形成されるようにするとともに、この隙間１３２を貫通孔１２２の上方に位置させることで連通孔１５を構成しているため、作業面１３Ａ上に発生した粉を当該連通孔１５を介して支持板１２下方に導くことで、当該粉がシリコン原料に付着することを抑制できる。
特に、支持板１２下方の領域を吸引手段で吸引しているため、シリコン原料への粉の付着防止効果を向上できる。

【0034】

［変形例］
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。

【0035】

例えば、作業板１３や側壁板１４は、多結晶のシリコンにより形成されていてもよいし、シリコン単結晶インゴットＳＭからの切り出しにより製造されていなくてもよいし、抵抗率が１３００Ω・ｃｍ未満あるいは７０００Ω・ｃｍを超えていてもよい。
作業板１３は、複数の分割作業板１３１で構成されずに、１枚の板状部材で構成されていてもよく、この場合、貫通孔１２２は不要になる。
本発明の作業用部材、作業用分割部材や支持部材としては、板状ではなくブロック状のものを適用してもよい。
位置決め凸部１２４は、分割作業板１３１が隙間なく配置されるように構成されていてもよく、例えば分割作業板１３１の下面に設けられた凹部に嵌め込まれる凸部であってもよい。また、本発明の位置決め部としては、例えば分割作業板１３１の下面に設けられた凸部に嵌め込み可能に構成され、支持面１２１に対して凹む凹部であってもよい。

【0036】

貫通孔１２２は、支持面１２１に対して斜めの方向に貫通してもよい。
貫通孔１２２の代わりに、支持板１２を貫通しない溝部を設けてもよい。このような溝部を設ける場合でも、作業面１３Ａ上に発生した粉を少なくとも作業板１３下方に導くことで、当該粉がシリコン原料に付着することを抑制できる。
貫通孔１２２を設けなくてもよく、この場合、分割作業板１３１を隙間なく敷き詰めてもよいし、隙間を空けて敷き詰めてこの隙間に粉を落とすようにしてもよい。
また、吸引孔１１３および吸引手段を設けずに、貫通孔１２２を介して、粉を単に支持板１２の下方に落下させるだけでもよい。

【実施例】

【0037】

次に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。

【0038】

［実験１：選別装置の効果の確認］
〔実施例１〕
上記実施形態の選別装置１と同様の選別装置を準備した。選別装置において、前後方向に隣り合う分割作業板１３１の隙間１３２を２ｍｍまたは３ｍｍとし、この隙間１３２から作業面１３Ａ上に発生した粉を支持板１２下方に導くように構成した。
そして、シリコン原料を作業面１３Ａ上に載置して、吸引手段の駆動により支持板１２の下方領域を８ｍ^３／分の流量で吸引しながら選別作業を行った。

【0039】

次に、選別されたシリコン原料を単結晶引き上げ装置１０の坩堝２２に充填し、ドーパントとしてボロンを添加したシリコン融液を生成した。そして、直胴部の直径が約２００ｍｍのシリコン単結晶インゴットＳＭを育成した。この育成の際、１本のシリコン単結晶インゴットＳＭを育成するごとに、坩堝２２を構成する石英坩堝を交換した。
次に、シリコン単結晶インゴットＳＭの直胴部の最ボトム部における炭素濃度を測定し、当該インゴットの引き上げ方向上端を固化率０％、下端を固化率１００％とした場合における７０％の位置（以下、「７０％位置」という）の炭素濃度を偏析を考慮した換算値で算出した。

【0040】

〔比較例１〕
実施例１の選別装置において、分割作業板１３１の代わりに塩化ビニール製の分割作業板を配置したこと以外は、実施例１と同様の条件でシリコン原料を選別した。
そして、実施例１と同様の条件で９５本のシリコン単結晶インゴットＳＭを育成し、各シリコン単結晶インゴットＳＭにおける７０％位置の炭素濃度を偏析を考慮した換算値で算出した。

【0041】

実施例の炭素濃度は、比較例と比べて０．０５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３低く、１８％の低減効果があった。
これは、比較例１では、分割作業板とシリコン原料との擦れにより、分割部材から発生した有機系の粉がシリコン原料に付着し、この有機系の粉の影響で炭素濃度が高くなったと考えられる。一方、実施例１では、分割作業板１３１とシリコン原料との擦れにより、分割作業板１３１からはシリコンの粉しか発生しないため、仮に、この粉がシリコン原料に付着しても、比較例１ほど炭素濃度が高くならなかったと考えられる。
以上のことから、シリコンで形成された作業板１３上でシリコン原料の選別を行うことで、このシリコン原料を用いて育成されたシリコン単結晶インゴットＳＭにおける炭素濃度の上昇を抑制できることが確認できた。

【0042】

［実験２：作業用部材の抵抗率とシリコン単結晶インゴットの抵抗率との関係調査］
〔比較例２〕
坩堝２２内のシリコン融液Ｍに、分割作業板１３１を構成する単結晶のシリコンの欠片が混入した状態で、直胴部の直径が約３００ｍｍかつ抵抗率が所定の設計値のシリコン単結晶インゴットＳＭを育成したときにおける、シリコン単結晶インゴットＳＭの抵抗率の推定値をシミュレーションにより求めた。そして、設計値と推定値との差分をずれ量として求めた。
欠片の重量をシリコン融液Ｍの全重量の０．００４％とし、ボロンを添加したシリコン単結晶インゴットから得られた欠片の抵抗率を０．０２Ω・ｃｍとした。また、育成対象のシリコン単結晶インゴットＳＭにおける抵抗率の設計値が、１０Ω・ｃｍ、３０Ω・ｃｍ、５０Ω・ｃｍ、１００Ω・ｃｍ、１０００Ω・ｃｍ、３０００Ω・ｃｍ、５０００Ω・ｃｍの場合のシミュレーションを行った。

【0043】

〔実施例２〕
欠片の抵抗率を１３００Ω・ｃｍにしたこと以外は、比較例２と同じ条件でシミュレーションを行った。

【0044】

〔評価〕
比較例２、実施例２の評価結果を以下の表１に示す。
表１に示すように、比較例２よりも実施例２の方が抵抗率のずれ量が小さく、シリコン単結晶インゴットＳＭの抵抗率の設計値によらず、ずれ量が２％以下という極めて小さい値になった。
これは、比較例２では、実施例２と比べて欠片の抵抗率が低く、つまり欠片に含まれる抵抗率調整用のドーパントが多いため、このドーパントの影響によって抵抗率の設計値からのずれが大きくなったと考えられる。このような理由から、抵抗率が１３００Ω・ｃｍ以上であれば、比較例２よりも抵抗率の設計値からのずれが小さくなると考えられる。
以上のことから、抵抗率が１３００Ω・ｃｍ以上の分割作業板１３１を用いることで、シリコン単結晶インゴットＳＭにおける抵抗率の設計値からのずれを抑制できることが確認できた。

【0045】

【表1】

【符号の説明】

【0046】

１…選別装置、１２…支持板（支持部材）、１２１…支持面、１２２…貫通孔、１２４…位置決め部（位置決め凸部）、１３…作業板（作業用部材）、１３１…分割作業板（作業用分割部材）、１３２…隙間、ＳＭ…シリコン単結晶インゴット。

【要約】      （修正有）

【課題】シリコン単結晶インゴットにおける炭素濃度の上昇が抑制されるようなシリコン原料を選別可能な選別装置の提供。
【解決手段】シリコン単結晶インゴットのシリコン原料の選別時にシリコン原料が載置されるシリコン製の作業板１３を備え、シリコン原料との擦れによって作業板１３やシリコン原料から発生するシリコン粉は、連通孔１５を介して、支持板１２の下方に導かれ吸引孔１１３を介して筐体１１外部に排出されシリコン粉の付着量が最小限に抑制されるシリコン原料の選別装置。
【選択図】図１

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】