特許第6381023号(P6381023)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6381023
(24)【登録日】2018年8月10日
(45)【発行日】2018年8月29日
(54)【発明の名称】突入電流制限回路
(51)【国際特許分類】
   H02H 9/02 20060101AFI20180820BHJP
   H02J 1/00 20060101ALI20180820BHJP
【FI】
   H02H9/02 E
   H02J1/00 309R
【請求項の数】4
【全頁数】13
(21)【出願番号】特願2014-121496(P2014-121496)
(22)【出願日】2014年6月12日
(65)【公開番号】特開2015-65802(P2015-65802A)
(43)【公開日】2015年4月9日
【審査請求日】2017年4月21日
(31)【優先権主張番号】特願2013-175257(P2013-175257)
(32)【優先日】2013年8月27日
(33)【優先権主張国】JP
【前置審査】
(73)【特許権者】
【識別番号】000006895
【氏名又は名称】矢崎総業株式会社
(73)【特許権者】
【識別番号】301021533
【氏名又は名称】国立研究開発法人産業技術総合研究所
(74)【代理人】
【識別番号】100145908
【弁理士】
【氏名又は名称】中村 信雄
(72)【発明者】
【氏名】木村 修
(72)【発明者】
【氏名】八尾 勉
(72)【発明者】
【氏名】田中 保宣
【審査官】 永井 啓司
(56)【参考文献】
【文献】 特開2003−289620(JP,A)
【文献】 特開2010−074874(JP,A)
【文献】 特開2010−220325(JP,A)
【文献】 米国特許出願公開第2013/0049686(US,A1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H02H9/00−9/08
H02J1/00−1/16
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
バッテリの正端子と電気的負荷とを接続する第1接続線と、
バッテリの負端子と電気的負荷とを接続する第2接続線と、
前記第1接続線に一方の電極が接続され、前記第2接続線に他方の電極が接続されたコンデンサと、
前記第1及び第2接続線の一方の接続線上に設けられたスイッチと、
前記第1及び第2接続線の他方の接続線上に設けられた電流制限回路と、を備え、
前記電流制限回路は、前記他方の接続線上に設けられる電流センサと、前記電流センサによる検出値に応じた信号を反転入力端子に入力すると共に非反転入力端子に電流指令値が入力されるオペアンプと、前記他方の接続線上に設けられ制御端子に前記オペアンプからの出力信号が入力され、出力信号に応じてスイッチングするスイッチング素子と、を有し、
前記スイッチをオンしてから前記コンデンサの充電が完了するまでの期間における前記電流指令値は、前記電流制限回路を構成する部品の定格電流のうち最小のものに相当する値よりも小さな値とされ、前記スイッチング素子の安全動作領域における最大電流値よりも小さな値とされ、前記スイッチをオンしてから前記コンデンサの充電が完了し、且つ突入電流の発生期間終了以後における前記電流指令値は、前記スイッチが完全オン状態となる値とされているものであり、
前記スイッチング素子に流れる電流値と前記スイッチング素子の両端の電圧差との積が一定となる値とされているものであって、
前記スイッチング素子の両端の電圧差を検出する電圧センサと、
前記電圧センサからの信号と前記電流センサからの信号とに基づいて、前記スイッチング素子に流れる電流値と前記スイッチング素子の両端の電圧差との積が一定となる電流指令値を算出して、前記オペアンプの非反転入力端子に出力する演算器と、
を備えることを特徴とする突入電流制限回路。
【請求項2】
前記スイッチング素子は、炭化珪素静電誘導型トランジスタである
ことを特徴とする請求項1に記載の突入電流制限回路。
【請求項3】
バッテリの正端子と電気的負荷とを接続する第1接続線と、
バッテリの負端子と電気的負荷とを接続する第2接続線と、
前記第1接続線に一方の電極が接続され、前記第2接続線に他方の電極が接続されたコンデンサと、
前記第1及び第2接続線の一方の接続線上に設けられたスイッチと、
前記第1及び第2接続線の他方の接続線上に設けられた電流制限回路と、を備え、
前記電流制限回路は、前記他方の接続線上に設けられる電流センサと、前記電流センサによる検出値に応じた信号を反転入力端子に入力すると共に非反転入力端子に電流指令値が入力されるオペアンプと、前記他方の接続線上に設けられ制御端子に前記オペアンプからの出力信号が入力され、出力信号に応じてスイッチングするスイッチング素子と、を有し、
前記スイッチをオンしてから前記コンデンサの充電が完了するまでの期間における前記電流指令値は、回路を構成する部品の定格電流のうち最小のものに相当する値よりも小さな値とされ、前記スイッチング素子の安全動作領域における最大電流値よりも小さな値とされているものであり、
前記スイッチング素子に流れる電流値と前記スイッチング素子の両端の電圧差との積が一定となる値とされているものであって、
前記スイッチング素子の両端の電圧差を検出する電圧センサと、
前記電圧センサからの信号と前記電流センサからの信号とに基づいて、前記スイッチング素子に流れる電流値と前記スイッチング素子の両端の電圧差との積が一定となる電流指令値を算出して、前記オペアンプの非反転入力端子に出力する演算器と、
を備えることを特徴とする突入電流制限回路。
【請求項4】
前記電圧センサからの信号に基づいて、前記コンデンサの充電完了を判断する判断部をさらに備え、
前記演算器は、前記判断部により前記コンデンサの充電完了が判断された場合、前記スイッチをオンしてから前記コンデンサの充電が完了するまでの期間における値よりも前記電流指令値を高く変更して前記スイッチング素子を完全オン状態とする
ことを特徴とする請求項に記載の突入電流制限回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、突入電流制限回路に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、電気的負荷に大容量の平滑コンデンサが並列接続される場合において、バッテリから電気的負荷に電力供給する際に、バッテリから平滑コンデンサに流れる突入電流を小さくするための突入電流制限回路が提案されている。この突入電流制限回路は、バッテリの正端子と電気的負荷とを接続する第1接続線と、バッテリの負端子と電気的負荷とを接続する第2接続線と、第1及び第2接続線のそれぞれに設けられたスイッチと、これらスイッチと並列接続される電流制限回路とから構成されている。
【0003】
電流制限回路は、スイッチング素子と、プリチャージ抵抗と、漏れ電流検出回路とを備えており、電気的負荷への給電を開始する場合、まず、第2接続線上に設けられたスイッチとスイッチング素子とをオンする。これにより、平滑コンデンサはプリチャージ抵抗を介してゆっくりと充電されることとなり、突入電流が抑えられることとなる(特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特許第4123441号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかし、特許文献1に記載の突入電流制限回路は、第1及び第2接続線上にそれぞれスイッチを設けると共にスイッチング素子及びプリチャージ抵抗を備える必要があり、構成の複雑化を招いてしまう。
【0006】
本発明は、このような課題を解決するものであり、その目的とするところは、構成の複雑化を防止しつつも突入電流による部品の破壊を防止することが可能な突入電流制限回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の突入電流制限回路は、バッテリの正端子と電気的負荷とを接続する第1接続線と、バッテリの負端子と電気的負荷とを接続する第2接続線と、前記第1接続線に一方の電極が接続され、前記第2接続線に他方の電極が接続されたコンデンサと、前記第1及び第2接続線の一方の接続線上に設けられたスイッチと、前記第1及び第2接続線の他方の接続線上に設けられた電流制限回路と、を備え、前記電流制限回路は、前記他方の接続線上に設けられる電流センサと、前記電流センサによる検出値に応じた信号を反転入力端子に入力すると共に非反転入力端子に電流指令値が入力されるオペアンプと、前記他方の接続線上に設けられ制御端子に前記オペアンプからの出力信号が入力され、出力信号に応じてスイッチングするスイッチング素子と、を有し、前記スイッチをオンしてから前記コンデンサの充電が完了するまでの期間における前記電流指令値は、前記電流制限回路を構成する部品の定格電流のうち最小のものに相当する値よりも小さな値とされ、前記スイッチング素子の安全動作領域における最大電流値よりも小さな値とされ、前記スイッチをオンしてから前記コンデンサの充電が完了し、且つ突入電流の発生期間終了以後における前記電流指令値は、前記スイッチが完全オン状態となる値とされているものであり、前記スイッチング素子に流れる電流値と前記スイッチング素子の両端の電圧差との積が一定となる値とされているものであって、前記スイッチング素子の両端の電圧差を検出する電圧センサと、前記電圧センサからの信号と前記電流センサからの信号とに基づいて、前記スイッチング素子に流れる電流値と前記スイッチング素子の両端の電圧差との積が一定となる電流指令値を算出して、前記オペアンプの非反転入力端子に出力する演算器と、を備えることを特徴とする。
【0008】
この突入電流制限回路によれば、スイッチをオンしてからコンデンサの充電が完了するまでの期間における電流指令値は、回路を構成する部品の定格電流のうち最小のものに相当する値よりも小さな値とされている。このため、オペアンプの両端子の値を同じように調整する特性から、電流センサの検出値は電流指令値を同じとなるようにスイッチング素子によって調整されることとなり、コンデンサの充電が完了するまでの期間において突入電流による部品の破壊を防止することができる。しかも、電流制限回路は第1及び第2接続線の他方の接続線上に設けられていることから、スイッチを複数備える必要がなく、スイッチは第1及び第2接続線の一方にだけ設ければよい。従って、構成の複雑化を防止しつつも突入電流による部品の破壊を防止することができる。さらに、電流指令値は、スイッチング素子の安全動作領域における最大電流値に相当する値よりも小さな値とされているため、スイッチング素子において二次降伏現象が発生せず、効率的にスイッチング素子を使用することができる。
【0009】
また、本発明の突入電流制限回路は、バッテリの正端子と電気的負荷とを接続する第1接続線と、バッテリの負端子と電気的負荷とを接続する第2接続線と、前記第1接続線に一方の電極が接続され、前記第2接続線に他方の電極が接続されたコンデンサと、前記第1及び第2接続線の一方の接続線上に設けられたスイッチと、前記第1及び第2接続線の他方の接続線上に設けられた電流制限回路と、を備え、前記電流制限回路は、前記他方の接続線上に設けられる電流センサと、前記電流センサによる検出値に応じた信号を反転入力端子に入力すると共に非反転入力端子に電流指令値が入力されるオペアンプと、前記他方の接続線上に設けられ制御端子に前記オペアンプからの出力信号が入力され、出力信号に応じてスイッチングするスイッチング素子と、を有し、前記スイッチング素子は、炭化珪素静電誘導型トランジスタであることを特徴とする。
【0010】
この突入電流制限回路によれば、炭化珪素静電誘導型トランジスタを能動領域で使うには、ゲート酸化膜を有するMOSFETより静電誘導型トランジスタを使う方が好ましい。
【0011】
また、本発明の突入電流制限回路において、前記スイッチング素子に流れる電流値と前記スイッチング素子の両端の電圧差との積が一定となる値とされているものであって、前記スイッチング素子の両端の電圧差を検出する電圧センサと、前記電圧センサからの信号と前記電流センサからの信号とに基づいて、前記スイッチング素子に流れる電流値と前記スイッチング素子の両端の電圧差との積が一定となる電流指令値を算出して、前記オペアンプの非反転入力端子に出力する演算器と、をさらに備えることが好ましい。
【0012】
この突入電流制限回路によれば、電流指令値は、スイッチング素子に流れる電流値とスイッチング素子の両端の電圧差との積が一定となる値とされている。このため、電流指令値が一定値である場合のように、スイッチング素子の電力が、スイッチがオンしてからコンデンサの充電が完了するまでの期間の前半部分において高く後半部分において小さくなるようなことがなく、全期間を通じて略一定とすることができる。故に、スイッチング素子の定格電力のオーバースペック(無駄)がなく、スイッチング素子の定格電力を抑えること、及び、コンデンサの充電が完了するまでの期間を短くすることの少なくとも一方を達成することができる。
【0013】
また、本発明の突入電流制限回路において、バッテリの正端子と電気的負荷とを接続する第1接続線と、バッテリの負端子と電気的負荷とを接続する第2接続線と、前記第1接続線に一方の電極が接続され、前記第2接続線に他方の電極が接続されたコンデンサと、前記第1及び第2接続線の一方の接続線上に設けられたスイッチと、前記第1及び第2接続線の他方の接続線上に設けられた電流制限回路と、を備え、前記電流制限回路は、前記他方の接続線上に設けられる電流センサと、前記電流センサによる検出値に応じた信号を反転入力端子に入力すると共に非反転入力端子に電流指令値が入力されるオペアンプと、前記他方の接続線上に設けられ制御端子に前記オペアンプからの出力信号が入力され、出力信号に応じてスイッチングするスイッチング素子と、を有し、前記スイッチをオンしてから前記コンデンサの充電が完了するまでの期間における前記電流指令値は、回路を構成する部品の定格電流のうち最小のものに相当する値よりも小さな値とされ、前記スイッチング素子の安全動作領域における最大電流値よりも小さな値とされているものであり、前記スイッチング素子に流れる電流値と前記スイッチング素子の両端の電圧差との積が一定となる値とされているものであって、前記スイッチング素子の両端の電圧差を検出する電圧センサと、前記電圧センサからの信号と前記電流センサからの信号とに基づいて、前記スイッチング素子に流れる電流値と前記スイッチング素子の両端の電圧差との積が一定となる電流指令値を算出して、前記オペアンプの非反転入力端子に出力する演算器と、を備えることが好ましい。
【0014】
この突入電流制限回路によれば、電流センサと電圧センサとの信号に基づいてスイッチング素子の電流値と電圧値との積が一定となる電流指令値を算出してオペアンプの非反転入力端子に出力する演算器とを備えるため、実際にスイッチング素子の電圧差を監視して電流指令値を算出することができ、例えば突入電流制限回路が使用される温度環境による各部品の抵抗値の変化等にも対応でき、より正確にスイッチング素子に掛かる電力を一定とすることができる。
【0015】
また、本発明の突入電流制限回路において、前記電圧センサからの信号に基づいて、前記コンデンサの充電完了を判断する判断部をさらに備え、前記演算器は、前記判断部により前記コンデンサの充電完了が判断された場合、前記スイッチをオンしてから前記コンデンサの充電が完了するまでの期間における値よりも前記電流指令値を高く変更して前記スイッチング素子を完全オン状態とすることが好ましい。
【0016】
この突入電流制限回路によれば、コンデンサの充電完了を判断する判断部を備えるため、コンデンサの充電完了を時間経過から判断する必要が無く、実際のスイッチング素子の電圧差から判断して、より正確なタイミングでスイッチング素子を完全オン状態とすることができる。
【発明の効果】
【0017】
本発明によれば、構成の複雑化を防止しつつも突入電流による部品の破壊を防止することが可能な突入電流制限回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
図1】本発明の実施形態に係る突入電流制限回路の一例を示す回路図である。
図2】本実施形態に係る突入電流制限回路の動作を説明する図であって、オペアンプの非反転入力端子に入力される電流指令値を示している。
図3】本実施形態に係る突入電流制限回路の動作を説明する図であって、各電流値及び電圧値等を示している。
図4】本実施形態の変形例に係る突入電流制限回路を示す回路図である。
図5】本実施形態に係る突入電流制限回路において電力を示す図であり、(a)ドレイン電圧及びドレイン電流を示し、(b)は電力を示している。
図6】変形例に係る突入電流制限回路において電力を示す図であり、(a)は第1の例を示し、(b)は第2の例を示している。
図7】変形例に係るスイッチング素子の電流、電圧及び電力を示すグラフである。
図8】本実施形態の第2変形例に係る突入電流制限回路を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。図1は、本発明の実施形態に係る突入電流制限回路の一例を示す回路図である。
【0020】
本実施形態に係る突入電流制限回路1は、ハイブリッド車や電気自動車などの電気的負荷(例えばインバータ)に対して電力を供給する電源系統に設けられるものであって、図1に示すように、第1接続線L1と、第2接続線L2と、インバータコンデンサ(コンデンサ)Cと、リレースイッチ(スイッチ)SWと、電流制限回路10とを備えている。
【0021】
第1接続線L1は、バッテリBの正端子と電気的負荷とを接続するものであり、第2接続線L2は、バッテリBの負端子と電気的負荷とを接続するものである。コンデンサCは、第1接続線L1と第2接続線L2とを結ぶ第3接続線L3上に設けられており、第1接続線L1に一方の電極が接続され、第2接続線L2に他方の電極が接続されている。以下、第1接続線L1と第3接続線L3との接続部を第1交点aと称し、第2接続線L2と第3接続線L3との接続部を第2交点bと称する。
【0022】
リレースイッチSWは、第1接続線L1のうちバッテリBから第1交点aまでの部位に設けられており、電気的負荷への電力供給時にオンし、電力遮断時にオフするものである。電流制限回路10は、第2接続線L2のうちバッテリBから第2交点bまでの部位に設けられており、リレースイッチSWのオン時における突入電流を制限するものである。
【0023】
このような電流制限回路10は、電流センサ11と、オペアンプOPと、スイッチング素子Qとを備えている。電流センサ11は、第2接続線L2上に設けられ、検出値に応じた電圧信号をオペアンプOPの非反転入力端子に出力するものであって、例えばシャント抵抗が用いられる。オペアンプOPは、電流センサ11の検出値に応じた電圧信号を反転入力端子に入力し、電流指令値を非反転入力端子に入力するものである。
【0024】
スイッチング素子Qは、具体的には炭化珪素静電誘導型トランジスタ(SiC−SIT)であって、ゲート(制御端子)がオペアンプOPの出力に接続され、ゲートに入力されるオペアンプOPの出力信号に応じてスイッチングするものである。このようなスイッチング素子Qは、ドレインが第2交点bに接続され、ソースが電流センサ11側に接続されている。なお、スイッチング素子Qは、炭化珪素静電誘導型トランジスタに限らず、MOSFET、IGBTやバイポーラトランジスタ等であってもよい。
【0025】
さらに、本実施形態においてオペアンプOPの非反転入力端子に入力される電流指令値は、リレースイッチSWをオンしてからインバータコンデンサCの充電が完了するまでの期間において、突入電流制限回路1を構成する部品(リレースイッチSWやインバータコンデンサCなど)の定格電流のうち最小のものに相当する電圧値よりも小さな電圧値とされている。
【0026】
ここで、オペアンプOPの両端子の値を同じように調整する特性から、電流センサ11の検出値は電流指令値を同じとなるようにスイッチング素子Qによって調整されることとなる。このため、インバータコンデンサCの充電が完了するまでの期間において、第2接続線L2を流れる電流が調整されることとなり、突入電流による部品の破壊を防止されることとなる。
【0027】
次に、本実施形態に係る突入電流制限回路1の動作を説明する。図2は、本実施形態に係る突入電流制限回路1の動作を説明する図であって、オペアンプOPの非反転入力端子に入力される電流指令値を示している。
【0028】
まず、時刻t0においてリレースイッチSWがオンすると電流指令値はV1とされる。そして、所定時間経過後の時刻t1において電流指令値はV2(>V1)とされる。以後、電流指令値はV2で維持されることとなる。
【0029】
ここで、電流指令値V1は、上記したように、突入電流制限回路1を構成する部品の定格電流のうち、最小のものに相当する電圧値よりも小さな電圧値とされている。より詳細に電流指令値V1は、スイッチング素子Qの安全動作領域(SOA)における最大電流値に相当する電圧値よりも小さな値とされている。具体的に電流指令値V1は、0.1Vとされる。これにより、電流センサ11にて0.1Vとなる電流が流れるようにスイッチング素子Qが制御される。
【0030】
また、電流指令値V2は、通常時(突入電流の制限期間が終了した時であって、電気的負荷に所望の電力を供給している段階)に第2接続線L2に流れる電流値に対して、充分大きな値とされており、スイッチング素子Qが完全にオンとなる値とされている。
【0031】
さらに、時刻t0から時刻t1までの所定時間は、突入電流が解消されるまでの時間、又は当該時間よりも長い時間に設定されており、具体的には0.2秒程度とされている。
【0032】
次に、図3を参照して本実施形態に係る突入電流制限回路1の動作をより詳細に説明する。図3は、本実施形態に係る突入電流制限回路1の動作を説明する図であって、各電流値及び電圧値等を示している。
【0033】
まず、Time0secにおいてリレースイッチSWがオンしたとする。電流指令値はV1(0.1V)となり、電流センサ11にて0.1Vとなる電流が流れるようにスイッチング素子Qが制御される。この結果、リレースイッチSWのオン直後に約1.5Aのドレイン電流が流れ、約70Vのドレイン電圧が印加される。また、電力は、ドレイン電流×ドレイン電圧となり、瞬時的に約110Wとなる。なお、このときのゲート電圧は約6Vとなっている。
【0034】
次いで、Time0.05secに達したとすると、ドレイン電圧が低下し約50Vとなる。このため、電力も約75Wに低下する。
【0035】
その後もドレイン電圧は低下し、Time0.2sec前に到達すると、ドレイン電圧は0Vとなり、電力も0Wとなる。この時点においてインバータコンデンサCの充電が完了しており、突入電流の発生期間は終了している。
【0036】
以後、図示を省略するが、電流指令値はV2となり、スイッチング素子Qが完全オン状態となる。
【0037】
このようにして、本実施形態に係る突入電流制限回路1によれば、リレースイッチSWをオンしてからインバータコンデンサCの充電が完了するまでの期間における電流指令値は、回路1を構成する部品の定格電流のうち最小のものに相当する値よりも小さな値とされている。このため、オペアンプOPの両端子の値を同じように調整する特性から、電流センサ11の検出値は電流指令値と同じとなるようにスイッチング素子Qによって調整されることとなり、インバータコンデンサCの充電が完了するまでの期間において突入電流による部品の破壊を防止することができる。しかも、電流制限回路10は第2接続線L2上に設けられていることから、リレースイッチSWを複数備える必要がなく、リレースイッチSWは第2接続線L2にだけ設ければよい。従って、構成の複雑化を防止しつつも突入電流による部品の破壊を防止することができる。さらに、電流指令値V1は、スイッチング素子Qの安全動作領域における最大電流値に相当する値よりも小さな値とされているため、スイッチング素子Qにおいて二次降伏現象が発生せず、効率的にスイッチング素子Qを使用することができる。
【0038】
また、スイッチング素子Qが炭化珪素静電誘導型トランジスタであるため、炭化珪素静電誘導型トランジスタを能動領域で使うには、ゲート酸化膜を有するMOSFETより静電誘導型トランジスタを使う方が好ましい。
【0039】
以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、変更を加えてもよい。例えば、本実施形態においてリレースイッチSWは第1接続線L1上に設けられ、電流制限回路10が第2接続線L2上に設けられているが、これに限らず、リレースイッチSWが第2接続線L2上に設けられ、電流制限回路10が第1接続線L1上に設けられていてもよい。
【0040】
また、本実施形態に係る突入電流制限回路1は、以下のように構成されていてもよい。まず、上記実施形態に係る突入電流制限回路1は、リレースイッチSWがオンしてからインバータコンデンサCの充電が完了するまでの期間の後半部分(具体的には図3のTime0.1sec〜0.2sec)においてはスイッチング素子Qの定格電力がオーバースペックとなってしまう。すなわち、スイッチング素子QのSOAの最大電力は突入電流開始時にスイッチング素子Qに最も電力が掛かるときの値(図3では110W)としなければならない。このため、突入電流開始時に合わせた最大定格電力を有するスイッチング素子Qを回路1上に組み込まなければならなくなるが、インバータコンデンサCの充電が完了するまでの期間の後半部分においては、そのようなSOAの最大電力を必要とせずオーバースペックとなってしまう。
【0041】
一方、スイッチング素子QのSOAの最大電力を小さくすると、インバータコンデンサCの充電が完了するまでの期間が長くなってしまうという問題が発生してしまう。そこで、以下の構成を採用するようにしてもよい。
【0042】
図4は、本実施形態の変形例に係る突入電流制限回路2を示す回路図である。図4に示すように、突入電流制限回路2は、電圧センサ13と、演算器14とを備えている。
【0043】
電圧センサ13は、スイッチング素子Qの両端の電圧差に応じた信号を演算器14に出力するものである。演算器14は、電圧センサ13により検出されたスイッチング素子Qの両端電圧差の信号に応じて、電流指令値を生成し、オペアンプOPの非反転入力端子に出力するものである。すなわち、演算器14は、電圧センサ13からの信号と電流センサ11からの信号とに基づいて、スイッチング素子Qに流れる電流値とスイッチング素子Qの両端の電圧差との積が一定となる電流指令値を算出して、オペアンプOPの非反転入力端子に出力するものである。
【0044】
このような電流指令値は、上記と同様に、リレースイッチSWをオンしてからインバータコンデンサCの充電が完了するまでの期間において、スイッチング素子QのSOAを超えない値に相当する電圧値よりも小さな電圧値とされている。さらに、変形例において、電流指令値は、上記の如くスイッチング素子Qに流れる電流値とスイッチング素子Qの両端の電圧差との積が一定となる値とされている。このため、スイッチング素子Qに掛かる電力が一定となり、リレースイッチSWがオンしてからインバータコンデンサCの充電が完了するまでの全期間においてスイッチング素子Qに掛かる電力を一定とすることができる。これにより、以下の効果を奏する。
【0045】
図5は、本実施形態に係る突入電流制限回路1において電力を示す図であり、(a)ドレイン電圧及びドレイン電流を示し、(b)は電力を示している。図5(a)に示すように、ドレイン電流はリレースイッチSWがオンしてからインバータコンデンサCの充電が完了するまでの全期間において略一定である。これに対して、ドレイン電圧は、初期において高く、インバータコンデンサCが充電されていくにつれて小さくなる。このため、図5(b)に示すように、ドレイン電圧とドレイン電流との積である電力も同様に、初期において高い値W1となり、インバータコンデンサCが充電されていくにつれて小さくなる。
【0046】
図6は、変形例に係る突入電流制限回路2において電力を示す図であり、(a)は第1の例を示し、(b)は第2の例を示している。スイッチング素子Qに流れる電流値とスイッチング素子Qの両端の電圧差との積が一定となるように電流指令値をオペアンプOPに入力した場合、電力は例えば図6(a)に示すようになる。すなわち、リレースイッチSWがオンしてからインバータコンデンサCの充電が完了するまでの全期間においてスイッチング素子Qに掛かる電力は略一定の値W2となり、初期において高くインバータコンデンサCが充電されていくにつれて小さくなることがない。このため、スイッチング素子Qについては、SOAの最大電力がW2となるものを回路2に組み込めばよく、オーバースペックの問題が解消される。
【0047】
また、図6(b)に示すように、電力が全期間において略一定の値W1となるような電流指令値をオペアンプOPに入力してもよい。これにより、期間後半部分においてスイッチング素子Qがオーバースペックになる問題は解消され、且つ、インバータコンデンサCが充電されるまでの時間を短くすることもできる。
【0048】
図7は、変形例に係るスイッチング素子Qの電流、電圧及び電力を示すグラフである。図7に示すように、オペアンプOPには、スイッチング素子Qの電力1800Wを維持する電流指令値が入力される。具体的にリレースイッチSWのオン時においてドレイン電流が約2.5Aとなりドレイン電圧が700V強となるような電流指令値がオペアンプOPに入力される。このときのスイッチング素子Qの電力は約1800Wとなる。
【0049】
また、時間0.10sec(リレーオン時0.01sec)においてドレイン電流が約3.5Aとなりドレイン電圧が500V強となり、時間0.15secにおいてドレイン電流が5A強となりドレイン電圧が約350Vとなる。そして、時間0.19sec(充電完了時)の直前においてドレイン電流が略1Aとなりドレイン電圧が約1800Vとなる。
【0050】
演算器14は、このような電流、電圧及び電力を実現するための電流指令値データを算出する構成となっている。このため、電流指令値が一定値である場合のように、スイッチング素子Qの電力が、リレースイッチSWがオンしてからインバータコンデンサCの充電が完了するまでの期間の前半部分において高く後半部分において小さくなるようなことがなく、全期間を通じて略一定とすることができる。故に、スイッチング素子QのSOAの最大電力のオーバースペック(無駄)がなく、スイッチング素子QのSOAの最大電力を抑えること、及び、インバータコンデンサCの充電が完了するまでの期間を短くすることの少なくとも一方を達成することとなる。
【0051】
さらに、上記のような演算部14を備えるため、実際にスイッチング素子Qの電圧差を監視して電流指令値を算出することができ、例えば突入電流制限回路2が使用される温度環境による各部品の抵抗値の変化等にも対応でき、より正確にスイッチング素子Qに係る電力を一定とすることができる。
【0052】
図8は、本実施形態の第2変形例に係る突入電流制限回路3を示す回路図である。図8に示す第2変形例に係る突入電流制限回路3は、図8に示す第2変形例に係る突入電流制限回路3は、変形例のものに加えて、判断部15を備えている。
【0053】
判断部15は、電圧センサ13からの信号に基づいて、インバータコンデンサCの充電完了を判断するものである。また、判断部15は、インバータコンデンサCの充電が完了したと判断した場合、その旨の信号を演算器14に送信する。
【0054】
また、第3変形例において演算器14は、判断部15にてインバータコンデンサCの充電完了が判断された場合、リレースイッチSWをオンしてからインバータコンデンサCの充電が完了するまでの期間における値よりも電流指令値を高く変更してスイッチング素子Qを完全オン状態とする。
【0055】
これにより、上記実施形態、及び変形例のように、インバータコンデンサCの充電完了を時間(例えば0.2sec弱)経過から判断する必要が無く、実際のスイッチング素子Qの電圧差から判断して、より正確なタイミングでスイッチング素子Qを完全オン状態とすることができる。
【0056】
なお、本実施形態に係る突入電流制限回路1は、変形例、及び第2変形例の技術が組み込まれてもよいし、それら技術の一部が組み込まれてもよい。
【符号の説明】
【0057】
1〜3…突入電流制限回路
10…電流制限回路
11…電流センサ
13…電圧センサ
14…演算器
15…判断部
B…バッテリ
C…インバータコンデンサ(コンデンサ)
L1…第1接続線
L2…第2接続線
L3…第3接続線
OP…オペアンプ
Q…スイッチング素子
SW…リレースイッチ(スイッチ)
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8